载流子迁移率的单位

载流子迁移率的单位
c㎡/v·s，载流子迁移率在固体物理学中用于指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。

电子运动速度等于迁移率乘以电场强度，也就是说相同的电场强度下，载流子迁移率越大，运动得越快；迁移率小，运动得慢。

同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率硅中载流子迁移率随掺杂浓度的变化曲线不同，一般是电子的迁移率高于空穴。

迁移率与载流子的有效率质量和反射概率成反比。

载流子的有效率质量与材料有关，相同的半导体中电子存有相同的有效率质量。

例如硅中电子的有效率质量为0.5m0（m0就是自由电子质量），砷化镓中电子的有效率质量为0.07m0。

空穴分重空穴和重空穴，它们具备与电子相同的有效率质量。

半导体中载流子在低温下主要受瑕疵和杂质的反射，高温下主要受由原子晶格振动产生的声子的反射。

反射越弱，迁移率越高。

迁移率决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。

对于载流子迁移率已有诸多文章对载流子迁移率的重要性进行了研究。

迁移率的有关概念在半导体材料中，由其他原因产生的载流子处在无规则的热运动，当另加电压时，导体内部的载流子受电场力促进作用，搞定向运动构成电流，即为飘移电流，定向运动的速度沦为漂移速度，方向由载流子类型同意。

在电场下，载流子的平均值漂移速度v 与电场强度e 成正比。