光电探测器物理基础
光电探测器原理与应用
光电探测器原理与应用光电探测器是一种将光信号转化为电信号的器件,是现代光电技术中的重要组成部分,广泛应用于通信、医学、物理学等领域。
本文将从光电探测器的原理、种类以及应用进行探讨。
一、光电探测器的原理光电探测器的原理基于光电效应,即光能被物质吸收后,其中的光子能激发物质内部的电子从价带跃迁到导带,形成电子空穴对,产生电流和电势差,将光信号转换为电信号并放大处理。
而光电探测器的基本结构,则由光敏材料、光电转换部件、电荷放大器等组成,具有宽频带、高响应速度等特点。
二、光电探测器的种类光电探测器主要分为以下几种:①硅光电二极管硅光电二极管是一种常见的光电探测器,其结构简单,大小小巧,响应速度快,但灵敏度较低。
硅光电二极管的光电转换部件为PN结,探测范围为红外线波段。
②掺铟镓光电二极管掺铟镓光电二极管响应范围为近红外至中红外波段,具有较高的灵敏度和响应速度,广泛应用于红外光谱分析、制导弹道等领域。
③掺铊锗光电二极管掺铊锗光电二极管响应范围为中红外波段,具有较高的探测率和灵敏度,广泛应用于红外光谱分析、空间测量等领域。
④光电倍增管光电倍增管响应范围涵盖紫外线至近红外波段,具有高灵敏度、高信噪比和低失真等特点,广泛应用于低光强度信号的检测和测量。
⑤光伏噪声探测器光伏噪声探测器是一种激光光源的光功率变化探测器,响应波长范围覆盖整个光谱,具有高信噪比、高稳定性等特点,广泛应用于光通信、激光测距、光谱分析等领域。
三、光电探测器的应用光电探测器具有广泛的应用领域,其中主要包括:①光通信光电探测器在光通信中起到重要作用,光电二极管和光电倍增管是常用的探测器。
光电探测器接收光信号并转换为电信号,再经过解调和放大处理后,完成光通信中数据的传输和接收。
②光谱分析光电探测器在光谱分析领域中广泛应用,通过对不同波长的光线进行探测和分析,完成对样品的化学成分、结构和性质的测量和研究。
掺铟镓光电二极管和光伏噪声探测器是常用的光谱探测器。
1-6光电探测
p
λ 曲线开始线性上升的原因:波长越长,每瓦功率的光子数越多,探测器 对光子的吸收速率越快 曲线突然下降的原因:存在红限波长
6)响应速度(响应时间)
描述探测响应 :入射波长不变,由于响应时间的存在, 探测器的响应随入射辐射的调制频率而变化 1 f :探测器的上限调制频率 2f
1.2 标准辐射源 绝对黑体: 任何温度,任何波长的入射辐射能的吸收比
都等于1
灰体: 吸收比近似为一常数
1.基尔霍夫定律
物体的辐射出射度与物体的吸收比之间有内在联系
M 1 ( , T ) M 2 ( , T ) M ( , T ) ........ B n 1 ( , T ) 2 ( , T ) B ( , T )
P型半导体
截止波长:
0
hc E i (ev)
ep p
,Ei是杂质能级,
一般Ei远小于Eg,因此其截止波长远大于本征半 导体
载流子数目变化的弛豫时间:
2)光伏效应
PN结的介绍:N区多数载流子电子,少数载流子空穴 P区多数载流子空穴,少数载流子电子 耗尽层与内建电场的形成,动态平衡 光照PN结:P区N区结区本征激发产生电子空穴对,破坏原有 的平衡,产生的少数载流子在内建电场的作用下扩散, P区电子-------N区------------N区获得附加负电荷 N区空穴-------P区------------P区获得附加正电荷 结果P区电势上升,N区电势下降,导致PN结两端形成了光 生电动势,此即为光伏效应。
4)探测率D,比探测率D*
D:探测器探测最小光信号能力的指标,可以比较不同类型 探测器性能的优劣
D NEP 1 V s / Vn W 1 P
光电探测基础全面讲解
1 m
1 nm
。
1A
1 X射 线 单 位
。
1 A
图 1.1-1 电磁波谱图
第1章 光电探测基础
表1.1-1 光波段单光子能量表
第1章 光电探测基础
1.1.1 光电系统的基本模型
与电子系统载波相比, 光电系统载波的频率提高了几个量级。
这种频率量值上的变化使光电系统在实现方法上发生了质变, 在功能上
第1章 光电探测基础
第1章 光电探测基础
1.1 光电系统描述 1.2 光接收机视场 1.3 光电探测器的物理效应 1.4 光电转换定律和光电子计数统
计 1.5 光电探测器的性能参数 1.6 光电探测器的噪声
第1章 光电探测基础
1.7 辐度学与光度学 1.8 背景辐射 1.9 探测器主要性能参数测试 习题与思考题
第1章 光电探测基础
均匀光源当发光面积为As, 辐射角为Ωs时, 所辐射的总功率为
Ps=LAsΩs
(1.1-1)
对于辐射对称型光源, 立体角Ωs与平面辐射角θs的关系为(参见
图1.1-5)
Ωs=2π[1-cos(θs/2)]
(1.1-2)
第1章 光电探测基础
光束形 成系统
光源
dt
透 镜 直径
光束角
Gr
4 b
4d
t
2
(1.1-6)
第1章 光电探测基础
14 0
13 0
0.5 m
12 0
10 m
122 dB
11 0
光 束 /角rad 4
增 益 / dB 1 GHz
10 0
40
95 dB
90
80
光电探测器的物理基础(性能指标噪声)
暗噪声是由于电子的热运动引起的,在光电探测器的材料 中,电子会不断地随机运动,当这些电子撞击到光敏区域 时,会产生光电流。
影响
暗噪声是光电探测器中不可避免的一部分,对于低光强度 和高灵敏度的应用场景,暗噪声的影响尤为显著。
散粒噪声
定义
散粒噪声是由于光子到达光电探测器的随机性引起的,它与光子 到达的时刻和数量有关。
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降低噪声
降低热噪声
通过优化材料和工艺, 降低光电探测器的热噪 声。
减小散粒噪声
通过增加光电流和减小 暗电流,减小散粒噪声。
抑制其他噪声源
如读出噪声、电路噪声 等,以提高信噪比。
高带宽和高速响应
优化材料和结构
采用具有高载流子迁移率和高响应速度的材料 和结构,提高光电探测器的带宽和响应速度。
采用先进的制程技术
在导弹制导、夜视装备和情报收集等 方面有重要应用。
05 光电探测器的发展趋势与 挑战
提高响应度和探测率
增强光电转换效率
通过优化材料和结构,提高光电探测器的光吸收率, 从而提高响应度。
降低暗电流
降低光电探测器在无光照条件下的电流输出,提高探 测率。
增加光敏面积
增大光敏面积可以增加探测器的接收光量,从而提高 响应度和探测率。
产生机制
1/f噪声的产生机制比较复杂,可能与光电探测器中的表面态和界 面态有关。
影响
1/f噪声在低频和高灵敏度的应用场景下影响较大,对于高频和低 光强度的应用场景影响较小。
04 光电探测器的应用
光学通信
01
利用光电探测器接收光信号,实 现高速、大容量信息传输。
02
在光纤网络、卫星通信和物联网 等领域有广泛应用。
(推荐)zm2011)光电探测器的物理基础完美
光生伏特效应
34
有光照射时,若PN结电路接负载电阻RL,如图,在PN结内出现两种相反 的电流:
➢光激发产生的电子-空穴对,在内建电场作用下形成的光生电流Ip,它与
光照有关,其方向与PN结反向饱和电流I0相同;
➢光生电流流过负载产生电压降,相当于在PN结施加正向偏置电压,从而产 生电流ID。
流过负载的电流IL为: qU
13
在半导体中,电子获取势能后从价带跃迁到导带,导带中出现自由电子, 价带中出现自由空穴。
本征半导体
N型半导体
半导体能带图
P型半导体
14
EC
EC
EFi
EFi
EFp
EFp
EV
Ea
EV
Ea
(a)p型重掺杂
(a)p型轻掺杂
Ed
EC
Ed
EFn
EC EFn
EFi
EFi
EV (a)n型轻掺杂
EV (a)n型重掺杂
30
1.内光电效应
(1)光电导效应 光辐射-载流子-电导率变化
光电导效应可分为本征光电导效应与非本征(杂质) 光电导效应两种:
➢本征半导体价带中的电子吸收光子能量跃入导带产 生本征吸收,导带中产生光生自由电子,价带中产生 光生自由空穴,从而使半导体的电导率发生变化。这 种在光的作用下由本征吸收引起的半导体电导率的变 化现象称为本征光电导效应。
➢非本征半导体中杂质能级上的束缚态电子(n型)
或空穴(p型)吸收光子能量而产生光生载流子,从
而使半导体的电导率发生变化。这种现象称为非本征
光电导效应。
31
光电导效应
32
本征光电导的长波限(截止波长)
0 hc/Eg 或 00((m m )) 1 1..2 2/4 /4 E E gg((eeV )V )
第2章 光电探测器概述-半导体物理基础知识
弱注入 Δn(t) =Δp(t)<< n0
2.非平衡载流子的寿命
以N型为例,计算弱注入条件下少子的寿命
dΔp (t ) − = rn0 Δp (t ) dt
τ c = 1 / (rn0 )
表明:
弱注入条件下,载流 子寿命与热平衡时多 子电子的浓度成反比, 并且在一定温度下是 一个常数。
Δp (Δ )t (0)e = p
电子共有化,能级扩展为能带
1.原子能级与晶体能带
N个原子
……
电子能量
禁 禁 (a) (b)
带 带
Eg
导带 Ec 价带 Ev
导带Ec 禁带Eg 价带Ev
价电子(最外层电子)能级相对应的能带
1.原子能级与晶体能带
……
电子能量
N个原子
禁 禁 (a) (b)
带 带
Eg
导带 Ec 价带 Ev
导带Ec 禁带Eg 价带Ev
kT
本征和杂质半导体中的费米能级:
半导体费米能级推导
(a)本征半导体;(b)N型半导体; (c)P型半导体
用费米能级描述载流子分布-- “标尺”
练习:画出轻掺杂N型和重掺杂N型费米能级示意图
热平衡状态下的载流子
总 结: 热平衡态
导带中电子的浓度
载流子的分布
价带中空穴的浓度 本征半导体
用费米能级Ef描述:
(a)本征半导体;
(b)N型半导体;
(c) P型半导体
杂质吸收:
N型半导体 施主 束缚电子导带
P型半导体 受主 束缚空穴价带
hc hc 1.24 1.24 ′ = ′ = (μm ) (μm ) 或 λ0 = = λ0 ∆ Ed ∆ Ed ∆ Ea ∆ Ea
光电探测器原理资料讲解
光电探测器原理光电探测器原理及应用光电探测器种类繁多,原则上讲,只要受到光照后其物理性质发生变化的任何材料都可以用来制作光电探测器。
现在广泛使用的光电探测器是利用光电效应工作的,是变光信号为电信号的元件。
光电效应分两类,内光电效应和外光电效应。
他们的区别在于,内光电效应的入射光子并不直接将光电子从光电材料内部轰击出来,而只是将光电材料内部的光电子从低能态激发到高能态。
于是在低能态留下一个空位——空穴,而高能态产生一个自由移动的电子,如图二所示。
硅光电探测器是利用内光电效应的。
由入射光子所激发产生的电子空穴对,称为光生电子空穴对,光生电子空穴对虽然仍在材料内部,但它改变了半导体光电材料的导电性能,如果设法检测出这种性能的改变,就可以探测出光信号的变化。
无论外光电效应或是内光电效应,它们的产生并不取决于入射光强,而取决于入射光波的波长λ或频率ν,这是因为光子能量E只和ν有关:E=hν(1)式中h为普朗克常数,要产生光电效应,每个光子的能量必须足够大,光波波长越短,频率越高,每个光子所具有的能量hν也就越大。
光强只反映了光子数量的多少,并不反映每个光子的能量大小。
目前普遍使用的光电探测器有耗尽层光电二极管和雪崩光电二极管,是由半导体材料制作的。
半导体光电探测器是很好的固体元件,主要有光导型,热电型和P—N结型。
但在许多应用中,特别是在近几年发展的光纤系统中,光导型探测器处理弱信号时噪声性能很差;热电型探测器不能获得很高的灵敏度。
而硅光电探测器在从可见光到近红外光区能有效地满足上述条件,是该波长区理想的光接收器件。
一、耗尽层光电二极管在半导体中,电子并不处于单个的分裂能级中,而是处于能带中,一个能带有许多个能级。
如图三所示。
能带与能带间的能量间隙称为禁带,禁带中没有电子,电子从下往上填,被电子全部填满的能带称为满带,最高的满带称为价带,紧靠在价带上面的能带称为导带,导带只有部分被电子填充,或是全部空着。
2022高中物理竞赛重点知识点讲解课件:光电探测器的性能参数
电流灵敏度 电压灵敏度
Ri
di dP
i P
(线性区内)
(A/W )
R du u (线性区内) u dP P
(V /W )
光电探测器的性能参数
电流灵敏度
Ri
di dP
i P
(线性区内)
(A/W )
电压灵敏度
Ru
du dP
u P
(线性区内)
(V /W )
注:1.在线性区内,R定义为探测器输出信号与入射
通量阈Pth——探测器所能探测的最小光信号功率:
Ri
i P
pth
in Ri
(W ) in为暗电流(燥声)
噪声等效功率NEP——单位信噪比时所对应的入射光功率
NEP Pth Ps |is / in 1 (W )
(4 44)
Pth 和NEP等效, 其值越小,探测能力越强。
光电探测器的性能参数 六、探测度D与归一化探测度D*
光电探测器的性能参数
光电探测器的性能参数
一套科学反映探测器性能的共同指标,用于评价 探测的优劣,比较不同探测器之间的差异,从而根据不 同的需要选择和正确使用光电探测器.
一、积分灵敏度(响应度)R
光电流i(或光电压u)和入射光功率P之间的关系
i=i(P)称为探测器的光电特性。灵敏度R定义为光电 特性曲线的斜率:
P / h
I c h
eP
h
e
Ri
h
e
D
(4 40)
Ic是入射光产生的平均光电流;P是入射到探测器上 的光功率. Ri为积分灵敏度. D为光电转换因子.
越高越好, 实际光探测器一般有 <1。 有内部增益机制的光探测器 >1。 (如:光电倍增管、雪崩光电二极管)
光电探测器及光电导探测器
响应快,吸收辐射产生信号 响应慢,一般为几毫秒 需要的时间短, 一般为纳 秒到几百微秒
5
二、光电探测器原理
光电探测器:对各种光辐射进行接收和探测的器件
光辐射量
光电探测器
电量
• 光电探测器利用材料的光电效应制成。 • 外光电效应、内光电效应。 • 光电导效应、光生伏特效应及光磁电效应均
属于内光电效应。
5.当测量调制或脉冲光信号时,探测器输出电信号是否能正确 反映光信号的波形—探测器的响应时间。
6.当测量的光信号幅度变化时,探测器输出的信号幅度是否能 线性地响应。
11
等效噪声功率和探测率
➢ 当入射功率小至使信号电流和噪声电流相等时, 信号与噪声难以分辨,器件就失去了探测辐射的 能力。因此要考虑器件的噪声,通常用噪声等效 功率NEP和探测率D*来描述器件的极限探测本领, 即最小可探测功率。
光电探测器及光电导探测器
1
光电探测器及光电导探测器
❖ 光电探测器的物理基础、分类 通常需考虑特性参数; 常用的光电导探测器原理和特性。 光电探测器的噪声
❖ 光电导探测器的电路偏置
2
光检测器件的分类
根据工作机理不同分为:光电探测器和热电探测器。
3
光检测器件
光电器件
热电器件
真空器件
光电管 光电倍增管 真空摄像管 变像管 像增强管
光阴极 6
三、光电转换定律
➢ 光电探测器的作用是将光辐射能转换成易于测量的电学 量,所以光电探测器实质上是一种光-电转换器件。
➢ 光子入射到光电探测器上所产生的光电流,如果光子能
量大于探测器材料的禁带宽度,在观察时间t内,它产 生的平均光电子数为N,则根据量子理论分析的结果, N 与入射的平均光辐射能量成正比,即
第六章 光电探测器
0 hc / Eg
0 hc / Ei
21
光电导探测器件
利用光电导效应的半导体材料以光敏电阻应用最为广泛。
(1)硫化镉CdS和硒化镉CdSe 光敏电阻 硫化镉和硒化镉 (CdS和CdSe) 是可见光区用得较多的两种光敏 电阻。CdS光敏电阻的峰值波长 很接近人眼最敏感的555nm波长, 可用于视觉亮度有关的测量和底 片曝光方面的测量。
特点:响应度高;缺点:受单晶大小的限制,受光面积小,响应时间与光照强度 有关,随着光照强度减弱响应时间增加。
22
(2)硫化铅PbS和硒化铅
PbSe光敏电阻 为多晶薄膜型
23
➢ 硫化铅PbS和硒化铅PbSe光敏电阻特性
为多晶薄膜型光敏电阻
m
PbS光敏电阻响应波长范围为1.0~3.5μm
峰值响应波长为2.4 μm,低温
器件等
2
6.1 光电探测器的特性参数
量子效率: 光电探测器吸收光子产生光电子,光电子形成电流。
描述光电器件 光电转换能力
I=P= e P h
= Ihv ep
单位时间入射到探测器表面的光子 单位时间内被光子激励的光电子数。
特定波长下,单位时间探测器传输出的光电子数与单位时间入射到探测器 表面的光子数之比
14
(2) 光电倍增管
➢ 结构和工作原理
• 由光电阴极、倍增极、阳极和真空管壳组成。图中K是光电阴极,D是倍增极, A是阳 极。U是极间电压,称为分级电压;分极电压为百伏量级,分级电压之和为总电压, 总电压为千伏量级。从阴极到阳极,各极间形成逐级递增的加速电场。
➢ 特点:
灵敏度高、稳定性好、响应速度快和噪声小,但结构复杂、工作电压高、体积大。电 流放大元件,具有较高的电流增益,特别适用于微弱光信号的探测。
光电探测器原理
光电探测器原理光电探测器原理及应用光电探测器种类繁多,原则上讲,只要受到光照后其物理性质发生变化的任何材料都可以用来制作光电探测器。
现在广泛使用的光电探测器是利用光电效应工作的,是变光信号为电信号的元件。
光电效应分两类,内光电效应和外光电效应。
他们的区别在于,内光电效应的入射光子并不直接将光电子从光电材料内部轰击出来,而只是将光电材料内部的光电子从低能态激发到高能态。
于是在低能态留下一个空位——空穴,而高能态产生一个自由移动的电子,如图二所示。
硅光电探测器是利用内光电效应的。
由入射光子所激发产生的电子空穴对,称为光生电子空穴对,光生电子空穴对虽然仍在材料内部,但它改变了半导体光电材料的导电性能,如果设法检测出这种性能的改变,就可以探测出光信号的变化。
无论外光电效应或是内光电效应,它们的产生并不取决于入射光强,而取决于入射光波的波长λ或频率ν,这是因为光子能量E只和ν有关:E=hν(1)式中h为普朗克常数,要产生光电效应,每个光子的能量必须足够大,光波波长越短,频率越高,每个光子所具有的能量hν也就越大。
光强只反映了光子数量的多少,并不反映每个光子的能量大小。
目前普遍使用的光电探测器有耗尽层光电二极管和雪崩光电二极管,是由半导体材料制作的。
半导体光电探测器是很好的固体元件,主要有光导型,热电型和P—N结型。
但在许多应用中,特别是在近几年发展的光纤系统中,光导型探测器处理弱信号时噪声性能很差;热电型探测器不能获得很高的灵敏度。
而硅光电探测器在从可见光到近红外光区能有效地满足上述条件,是该波长区理想的光接收器件。
一、耗尽层光电二极管在半导体中,电子并不处于单个的分裂能级中,而是处于能带中,一个能带有许多个能级。
如图三所示。
能带与能带间的能量间隙称为禁带,禁带中没有电子,电子从下往上填,被电子全部填满的能带称为满带,最高的满带称为价带,紧靠在价带上面的能带称为导带,导带只有部分被电子填充,或是全部空着。
《涨知识啦18》---光电探测器基本原理
《涨知识啦18》---光电探测器基本原理《涨知识啦18》---光电探测器基本原理现如今,光电探测器已经应用到各个领域。
通过与LED或激光二极管结合,光电探测器可用于电路隔离器、入侵报警以及激光雷达等系统,因此光电探测器的应用领域和范围都将随着时间的推移而不断扩大,本期的内容就先给大家简单介绍一下pn结光电探测器的基本工作原理。
就pn结光电探测器而言,光可以穿透至冶金结邻近区域的pn结二极管中,该区域因吸收光子而产生电子-空穴对,如下图所示。
在p型一侧或n型一侧不超过一个扩散长度的准中性区中,非平衡少数载流子扩散到耗尽区;随后,这些空间电荷区的载流子和光生载流子通过电场进行输运,即电子输运到n型层,空穴输运到p型层,该过程为二极管电流贡献了一个附加的反向电流。
假定整个二极管中光产生率G L保持一致,由于光照导致的电流增加量I L等于-q乘以单位时间内在体积为A(L N+W+L P)空间内由光产生的电子-空穴对,即光谱响应是所有光电探测器的一个重要特征。
下图是硅pn结光电探测器的光谱响应曲线。
图中的光电探测器响应只覆盖了有限的波长范围。
在大多数的光电探测器中波长上限直接由半导体能带宽度决定:如果光子能量大于吸收区的禁带宽度E G,则所吸收光子可以产生电子-空穴对;反之,当光子能量小于E G时,半导体对于光子而言几乎是透明的,因此半导体的光谱响应基本截止在λG=1.24/E G处。
另外,在光功率不变的情况下,探测器在单位时间内吸收短波长光子数的能力减小,因为针对短波长的光吸收效应更集中于半导体表面,但是多数光生载流子在扩散到耗尽区之前已经通过非辐射复合的方式被消耗掉,因此光谱响应随着波长变短而逐渐下降。
本期《涨知识啦》就到这啦!我们下期再见!以上内容选自Semiconductor Device Fundamentals, [美] Robert F. Pierret.。
第十讲-光电探测器的物理效应资料PPT课件
光辐射量
光电探测器
光电倍增管
电量
2021
3
31
一、光子效应
(Photonic Effect ) 指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探测器 吸收光子后,直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。光子能量的大小 直接影响内部电子状态的改变。
例如:光子效应在光电池等中体现
特点 对光波频率表现出选择性,响应速度快。
2021
4
一、光子效应
外光电效应 内光电效应
效应
1)光阴极发射光电子 2)光电子倍增
打拿极倍增 通道电子倍增
1)光电导(本征和非本征)
2)光生伏特
PN结和PIN结(零偏)
PN结和PIN结(反偏)
雪崩
肖特基势垒
3)光电磁
光子牵引
2021
相应的探测器 光电管
光电倍增管 像增强器 光导管或光敏电阻
光电池 光电二极管 雪崩光电二极管 肖特基势垒光电二极管 光电磁探测器 光子牵引探测器
D e
hv
dn电 dn光
dt dt
i(t)
e P(t)
hv
——探测器的量子效率
2021
7
28
八、光电转换定律
*光电探测器对入射功率响应(光电流) ——一个光子探测器可视为一个电流源
**光功率P正比于光电场的平方 ——平方律探测器——非线性器件(本质)
2021
6
29
5
光电探测器件的特点
光子器件
A、光电发射效应 B、光 电 导 效 应 C、光生伏特效应 D、光 磁 效 应
2021
31
3
知识巩固
2、在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于( A、外光电效应 B、内光电效应 C、光电发射 D、光导效应
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R
0 1
R ( )d
0 ()d
1
式中, 、0 分1 别为光电探测器的长波限和短波限。
由于采用不同的辐射源,甚至具有不同色温的同 一辐射源所发生的光谱通量分布也不相同,因此提 供数据时应指明采用的辐射源及其色温。
12
4.响应时间
1)响应时间是描述光电探测器对 入射辐射响应快慢的一个参数。
2)当入射辐射到光电探测器后或 入射辐射遮断后,光电探测器的输 出上升到稳定值或下降到照射前的 值所需时间称为响应时间。常用时 间常数τ的大小来表示。
2)定义:光电探测器的输出均方根电压Vs或电流 Is与入射到光电探测器上的平均光功率之比。
Rv=Vs/Φs
RI=is/Φs
分别称为光电探测器的电压响应率和电流响应率。
3)测量响应率的辐射源一般是500K的黑体。
4)单色灵敏度和积分灵敏度。
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2.单色灵敏度
1)如果使用波长为λ的单色辐射源,则称为单色响应率或
当辐射经过调制时,则要说明调制频率。
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2.电路的通频带和带宽
➢ 因噪声限制了探测器的极限性能(后面将详细讨论)。 噪声电压或电流均正比于带宽的平方根,有些噪声
还是频率的函数。 在描述探测器的性能时,必须明确通频带和带宽。
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3.工作温度
许多探测器,特别是用半导体材料制作的探测 器,无论是信号还是噪声,都和工作温度有密 切关系,所以必须明确工作温度。
单色灵敏度,又叫光谱响应度,用Rλ表示,
2)定义:光电探测器的输出电压或输出电流与入射到探测
器上单色辐射通量(光通量)之比。
RV
(VV/Ws )
()
R I
(A/IWs )
( )
式中, Φ(λ)为入射的单色辐射通量或光通量。如果Φ(λ)为 光通量,则Rλv的单位为V/lm。
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3.积分灵敏度
通用的工作温度是:
室温(295K)、
干冰温度(195K)、
液氮温度(77K)、
液氢温度(20.4K)
液氦温度(4.2K)
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4.光敏面尺寸
探测器的信号和噪声都和光敏面积有关,大部分探 测器的信噪比与光敏面积的平方根成比例。
参考面积一般为1cm2。
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5.偏置情况
大多数探测器需要某种形式的偏置。 例如:光电导探测器和电阻测辐射热器需要直流 偏置电源 信号和噪声往往与偏置情况有关,因此要说明 偏置的情况。 此外,对于受背景光子噪声限制的探测器,应 注明光学视场和背景温度。 对于非密封型的薄膜探测器,要标明湿度。
率响应。利用时间常数可得到光电探测器响应度与入射辐射调 制频率的关系,其表达式为:
R( f )
R0
1
[1 (2f )2 ]2
R( f )为频率是 f 时的响应度;
R0为频率是零时的响应度;
τ为时间常数。
当 R( f ) 1 0.707 时,可得放大器
R0
2
的上限截止频率
1
f上 2
显然,时间常数决定了光电探测 器频率响应的带宽。
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6.光谱响应
1)定义: 不同波长的光辐射照射到探测器光敏面时,探测器的 响应率和比探测率等特性参量随光辐射波长变化的特 性。 2)单色灵敏度和单色探测率,峰值波长 3)光子探测器的光谱响应 与波长有关,截止波长 4)热探测器的光谱响应 与波长无关,与辐射功率有关。
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三、有关噪声方面的参数
从响应度的定义来看,好象只要有光辐射存在,不 管它的功率如何小,都可探测出来。但当入射功率 很低时,输出只是些杂乱无章的变化信号,而无法 肯定是否有辐射入射在探测器上。这并不是探测器 不好引起的,而是它所固有的“噪声”引起的。 如果对这些随时间而起伏的电压(流)按时间取平均 值,则平均值等于零。但这些值的均方根不等于零, 这个均方根电压(流)称为探测器的噪声电压(流)。
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二、有关响应方面的性能参数
1.响应率(或称响应度)Rv或RI 2.单色灵敏度 3.积分灵敏度 4.响应时间 5.频率响应 6.光谱响应
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1.响应率(或称响应度)Rv或RI
1)响应率是描述探测器灵敏度的参量。它表征探 测器输出信号与输入辐射之间关系的参数。又称 为光电探测器的灵敏度。
当用一个辐射脉冲照射光电探测器, 如果这个脉冲的上升和下降时间很 短,如方被,则光电探测器的输出 由于器件的惰性而有延迟,把从10 %上升到90%峰值处所需的时间称 为探测器的上升时间,而把从90% 下降到10%处所需的时间称为下降 时间。
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5.频率响应
入射光辐射的频率对光电探测器的响应将会有较大的影响。 光电探测器的响应随入射辐射的调制频率而变化的特性称为频
1.1.3 光电探测器的性能参数
➢光电系统一般都是围绕光电探测器的性能进行设计 的,而探测器的性能由特定工作条件下的一些参数来 表征。 实际参量 参考参量 测量条件
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一、光电探测器的工作条件
➢光电探测器的性能参数与其工作条件密切相关, 在给出性能参数时,要注明有关的工作条件。这一 点很重要,因为只有这样,光电探测器才能互换使 用。 ➢主要工作条件有: 1.辐射源的光谱分布 2.电路的通频带和带宽 3.工作温度 4.光敏面尺寸 5.偏置情况
积分灵敏度表示探测器对连续辐射通量的反应
程度。对包含有各种波长的辐射光源,总光通
量为:
0 ()d
光电探测器输出的电流或电压与入射总光通量 之比称为积分灵敏度。
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由于光电探测器输出的光电流是由不同波长的光辐 射引起的,所以输出光电流为:
Is
0 1
Is
()d
0 1
R
()
(
)d
可得积分灵敏度为:
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1.信噪比(S/N)
1)作用:判定噪声大小。
2)表示:在负载电阻RL上产生的信号功率与噪声功率之比:
S N
Ps PN
I
2 s
RL
I
2 N
RL
I
2 s
I
2 N
分贝(dB)表示:
(
S N
)dB
10lg
I
2 S
I
2 N
20lg IS IN
3)注意
利用S/N评价两种光电探测器性能时,必须在信号辐射功率 相同的情况下才能比较。
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1.辐射源的光谱分布
➢ 很多光电探测器(特别是光子探测器),其响 应是辐射波长的函数。仅对一定的波长范围内 的辐射有信号输出,称为光谱响应,它决定了 探测器探测特定目标的有效程度。在说明探测 器的性能时,一般都需要给出测定性能时所用 辐射源的光谱分布。
如果辐射源是单色辐射,则需给出辐射波长。 假如辐射源是黑体,那么要指明黑体的温度。