改善功率MOSFET器件UIS测试能力的方法

改善功率MOSFET器件UIS测试能力的方法
顾晓健
【期刊名称】《电子工程师》
【年(卷),期】2008(34)8
【摘要】介绍了功率MOSFET器件的UIS(非钳位感应开关)测试原理及重要性,通过实际案例,解释UIS与产品质量之间相互关系,分析影响UIS能力的因素,提出改善功率MOSFET器件的3种方法,即改善contact工艺、减小RB,改变设计。

实际案例中的两种MOSFET器件A和B应用了这3种方法的组合,使功率MOSFET器件的UIS能力和测试合格率有了很大的提升。

【总页数】4页(P15-17)
【关键词】POWER;MOSFET;UIS;导通电阻
【作者】顾晓健
【作者单位】万代半导体(上海)有限公司
【正文语种】中文
【中图分类】TM930.12
【相关文献】
1.功率MOSFET器件栅电荷测试与分析 [J], 张文涛;皓月兰
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