关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究

关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究
张丽;庄奕琪;李小明;姜法明
【期刊名称】《电子器件》
【年(卷),期】2005(028)001
【摘要】在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视.本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数及最优准则: 基于寄生晶体管基区结深和浓度优化的方法.同时用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数对功率晶体管VDNMOS二次击穿的影响,给出了仿真结果.
【总页数】5页(P105-109)
【作者】张丽;庄奕琪;李小明;姜法明
【作者单位】西安电子科技大学,微电子所,西安,710071;西安电子科技大学,微电子所,西安,710071;西安电子科技大学,微电子所,西安,710071;西安电子科技大学,微电子所,西安,710071
【正文语种】中文
【中图分类】TN432
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