1 电路宏模型

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北京市大学生电子设计竞赛题目

北京市大学生电子设计竞赛题目

北京市大学生电子设计竞赛题目2004.10.16第一题图1所示为一由CMOS器件构成的双端输入、单端输出运算放大器电路。

其中,M1、M2、M5和M7为N沟道增强型MOSFET,M3、M4和M6为P沟道增强型MOSFET。

元件值和各MOSFET的宽长比注于图中(例如,M1的沟道宽度为100μMW=,沟道长度为1μML=,其宽长比记为/100/1W L=)。

一、请说明电路中各元器件的作用。

二、按图1将电路和元器件参数输入到MULTISIM程序中,进行下列分析,说明进行该项分析时放大器输入端In1和In2处电路的连接状态,将所得数据填入表格中并回答所提问题。

注:请使用程序中提供的虚拟元器件,此时MOSFET仅需输入器件的沟道长度和宽度,其余均用隐含值。

沟道参数输入位置如下图所示。

1、计算输出节点处工作点的电压值。

图1 运算放大器电路2、在双端输入的情况下,计算该放大器的单位增益带宽,1kHz 、10kHz 和100kHz三个频率点处的增益和相位值。

3、在反相单端输入的情况下,输入频率为1kHz 的正弦波电压,考虑到5次谐波,请计算输入信号幅度分别为10mV 、15mV 和25mV 时的总谐波失真(THD),并说明计算方法。

4、在反相单端输入的情况下,计算补偿电容Cc 的值分别为1nF 、26nF 、51nF 和76nF时,1kHz 、10kHz 和100kHz 三个频率点处的增益和相位值并说明补偿电容值对放大器的频率特性起什么作用?5、利用图1所示电路设计一个直流增益010A 的单端输入反相放大器,画出电路图(其中图1所示电路用图2所示简化图形表示),计算其3dB 带宽和单位增益带宽。

三、图3所示为电流镜电路,宽长比如图中标注,计算M 2的宽长比2(/)W L 分别为50/10、100/10和300/10时,其输出电流与M 1的漏极电流之比,并解释产生此结果的原因。

图2 运算放大器简化表示图3 电流镜电路第二题图4所示为反相单端输入情况下,单极点运算放大器的小信号交流宏模型。

Spectre仿真器在集成电路设计的应用

Spectre仿真器在集成电路设计的应用
带宽 ( BW ) ADC × BW 积 ( GBW ) 相位裕度 (φm ) 输入/出阻抗 ( Zin,out ) 等效输入噪声 (Vneq )
无论是手工设计还是数值模拟,电路设计的目标都是确定上述参数。这样,在复杂的电路系统 中,运算放大器单元就可以使是用于 Spectre 仿真分析的、经典结构的运算放大器。其中晶体管 M8 和 M9 构 成电流参考源,它用于偏置放大电路。其他电路包括:由 M1 和 M2 组成的差分输入级,有源 负载(M3 和 M4),电流源(M7)和反向输出级(M6,由 M5 提供电流源)和一个密勒效应
Spectre是一个非常重要的、不是直接由SPICE继承而来的电路仿真工具。经过多年作为 cdsSpice(Cadence公司早期的SPICE类仿真工具)仿真工具以外选项之后,Spectre已经完全被 集成到Cadence的AMS设计环境之中,并作为仿真环境下标准的模拟电路仿真工具。它能够提供 SPICE仿真具有的直流(DC),小信号交流(AC)、瞬态(TRAN)标准分析功能,也能提供基 于工艺参数的灵敏度(sensitivity)和蒙特卡洛(Monte Carlo)分析,基于电路拓扑(无源元件 参数)的分析,以及其他重要的电路分析功能。
表 3 参数提取-仿真电路配置关系
参数
配置
分析功能
IR
Open Loop
OR
Vcom = 2.5V DC sweep of Vdiff
CMR
VTC Vout vs Vdiff
Follower
Voff
Follower
DC sweep of Vin VTC Vout vs Vin
Vin = 2.5V
Monte Carlo of Operating Point

理想开关SPICE宏模型的设计

理想开关SPICE宏模型的设计
它不只可以仿真纯模拟电路或纯数字电路,更可以非常有效,完善地仿真模拟和数字的
混合电路 .
S IE软件的仿真精度很高,以至于其他电路 C D的工具软件都将仿真结果与 PC A S IE程序相比较, PC 证实其仿真结果的精确性. PC S IE程序的仿真精度主要由S IE内 PC 建的元器件模型精度来决定, PC S IE程序给出了电阻,电容,电感,晶体二极管,晶体 三 极管, O 场效应管, M S 结型场效应管, 运算放大器等常见的 元器件的模型 在这些模 型的基础上S IE程序能对各种复杂电 PC 路系统进行仿真. 但是S IE PC 程序对于没有精确 模型的电路, 仿真仍有一定困难. 例如电流控制开关电路, 模拟它只能应用 S IE现有 PC 元件模型来描述.习 . 在 S IE仿真中,模拟电流控制开关 (ur t d C nr )和电源开关模型 PC C r n Moe t l e o o (wt i M d Pw r pe 是个多年研究的 S ih g e eSpl ) cn o o u i s 课题, 开关模型对于D -C CD 转换电路,
. UB KT A 2 S C S W- 1 3 R 361 F R1521
VD 450 HI 1VD 1 4
V 4 0 E 2 0 1 F 2 P Y( ) VF 1 l OL 2 VE 0 0一 5
. ENI, ) 5
F 2 P Y( ) VF 0 1 l OL 2 VD 01 4 0一
ENDS
. UB K S - 1 3 S C T 1 W 2
. UB K S - 12 S C T J W 3
RF 361 R 361 F VE 420 VD 540 VF 060 VE 410 81451 VF 060 E 4 5 l 14 1 R1 521

建立高速数字I/O冲器宏模型的模糊逻辑方法

建立高速数字I/O冲器宏模型的模糊逻辑方法

建 立 高速数 字 I / 冲器宏 模型 的模 糊逻辑 方 法 O缓
沈建 国 , 郭裕顺 , 刘 公 致
( 州 电子 科 技 大 学 , 浙 江 杭 州 3 0 1 ) 杭 10 8
摘要 ・如何构 造精 确有 效 的数字 电路 I 缓 冲器 宏模 型用 于系统 级 的仿真 ,是 高速 电路 信号 完整 性分析 中的重要 / O
都 得 到 了 明显 改 善 ,但 神 经 网络 的 学 习是 较 为 复杂 的过 程 ,保 证 收敛 而 不 陷入 局 部 极 小 也 是 问题 。[】 7
的方 法 虽 然 使 模 型 变 得 简 单 ,但 只 能在 非 线 性 较 弱 时使 用 。
本 文 提 出用 模 糊 逻 辑 [来 建 立 上 述 宏 模 型 。模 糊 逻 辑 与 前 向神 经 网络 类 似 ,也 具 备 万 能 逼 近 特 性 , 8 】
满足要求 。
为此 , 有 人 提 出 了基 于 非 线 性 动 态 电路 严 格 端 口描 述 的宏 模 型 建 模 方 法 [ 6 4] - ,用 数 值 方 法 确 定 电 路 端 口电压 电流 之 间 的 非线 性 动 态 关 系 。这 事 实 上 是 一种 系统 辨 识 的“ 黑箱 ” 法 ,其 中 的关 键 是 非 线 方
1 引言
随 着 工 作频 率 的 不 断提 高 ,信 号完 整 性 分 析 已成 为 高 速 电路 与 系 统 设 计 中必 不 可 少 的 一 个 步骤 。 对 系 统 级 或 板 极 的信 号 完整 性 分 析 ,主 要 工 作 是 模 拟 仿 真 信 号 经 互 连 线 传 播 或 受 封 装 等 寄 生 结 构 影 响 产 生 的 各 种 效应 , 为 此 , 一个 很 重 要 的 问题 是 互 连 线 两 端 的驱 动 与 负 载 电路 的表 示 问题 。 直 接 的 方法 是 用基 于 晶 体 管级 的 S I E网表 文 件 ,但 一 方 面 ,对 复杂 系 统 ,这 会 使 分 析 的 电路 规 模 变 得 十 分 庞 大 , PC

架空线路雷电感应电压的宏模型及跳闸率计算

架空线路雷电感应电压的宏模型及跳闸率计算

架空线路雷电感应电压的宏模型及跳闸率计算刘欣;范紫微【摘要】架空配电线路绝缘水平低,极易遭受雷击产生雷电过电压,从而造成供电中断影响广大人民的生产和生活;对于10 kV架空配电线路,由雷击引起线路闪络或故障的主要因素是感应雷过电压,因此,对架空配电线路感应雷过电压的研究具有十分重要的意义.为了提高配电线路的安全可靠性并对线路防雷设计提供有价值的参考依据,基于Agrawal场线耦合模型建立了一种计算感应雷过电压峰值的宏模型,并与时域有限元方法进行了对比验证;结合电气几何模型及蒙德卡罗法对华北地区10 kV架空输电线路进行感应雷跳闸率计算.【期刊名称】《华北电力大学学报(自然科学版)》【年(卷),期】2019(046)002【总页数】7页(P69-75)【关键词】Agrawal场线耦合模型;蒙德卡罗法;感应雷跳闸率;电气几何模型【作者】刘欣;范紫微【作者单位】华北电力大学电气与电子工程学院,河北保定071003;华北电力大学电气与电子工程学院,河北保定071003【正文语种】中文【中图分类】TM7260 引言雷电造成架空配电线路故障是影响配电网安全可靠供电的主要原因之一。

架空配电线路架设高度低,绝缘相对薄弱,与雷电相关的故障多是由雷击附近大地或建筑物产生的感应雷过电压造成的,占雷击故障概率的90%以上[1,2]。

因此提出一种简单准确的感应雷过电压计算方法,对完善架空配电线路雷电防护和提高配电网的耐雷水平具有重要意义。

目前,计算雷电感应过电压的方法主要分为公式法和数值计算法两种[3]。

公式法是根据实际运行数据或理论分析得到的公式计算雷电感应过电压峰值,主要有规程法[4]和Rusck公式[5],虽然过程简单,但计算结果不够准确以及适用范围有限;数值计算方法主要有时域有限元方法(FETD)[6,7]和时域有限差分法(FDTD)[8,9]等,但是这两种方法需要将线路分段处理,求解过程较复杂。

耐雷性能评估最简单的为规程法,随着计算机技术的发展,逐渐出现了一些更为全面、准确的方法,如电磁暂态程序法(EMTP)、蒙特卡罗法等[10,11]。

基本数字时序电路Spice宏模型的建立

基本数字时序电路Spice宏模型的建立

维非线 性受控 源
F =P o+P 奉 +P 奉 +P 奉 3+… ( ) 1X 2X 3 X 1
辑 l ;最近也有涉及到时序逻辑 【 ,但是建立的 】 3 】 模型较为复杂 ,而且普适性较差 ,在实际电路应用 中难 于实 现 。本 文 的 目的就 是建 立简单 实用 的常用 的数字时序 电路宏模型。
摘要 :提 出 了在 S IE 中建 立数 字 时序 电路 宏模 型 的新 方法 。模 型 主要 由 受控 源搭 建 而成 , PC
结构简单、仿真速度快,并且精度 高,在 S IE仿真 中大量用到,有良好的应用价值。文 中主 PC
要 讨论 常 用时序 逻辑模 型 ( D锁存 器、D触发 器和 T触发 器) 的建 立。
关键词 :宏模 型 ;数 字 电路 模 型 ;S I E模 型 ;时序 电路模 型 PC
中图分类号 :T 4 1・ ;T 31・ 文献标识码 :A 文章编号 :17 45 (o6o - 02— 3 N3 2 P9 9 62- 5o 2o )7 01 0
Bu l i g t e Ba i gt lS q nc id n h sc Di ia e ue e Ci c tM a r ・ M o e n S i e ru co— i — d li p c
n a dT

FF.
Ke od :m c —m e ;d i l i ut o e ;S I E m es e un edgt o es yw r s ar - o l i t r im l PC o l;sq ec i a m l o d s ga cc d s d i ld
p s d i i a t l .T e ma r —mo es a eman y ma e u f e c n r l d S U e d p s ie c r — o e n t s r ce h c h i o d l r i l d p o o t l O r sa a s o h t o e c n v n

电子电路板级设计中的宏模型

电子电路板级设计中的宏模型
维普资讯
电子 电路 板 级 设 计 中的 宏 模 型
收 稿 日期 2 0 — 1 - 0 01 1 6
电子 电路板 级设计中的宏模型
Th a r m o e n t e i n o e t o i r u t eM c o d li he D sg f El c r n c Cic i
( ) 于 电平 的 宏 模 型 5基 根据 数字 电路 的特点 , 仅
简化 法是在 分析 电路或作灵 敏度 分 析的前提 下 ,将 原 电路 中对整 个 电路性 能影 响不大 的元件 去掉 ,使原 电 路得 到简化 .简 化后 的 电路 称为 简化 电路模 型 构 造
给出某时 刻 的 电平 ( 高或低 ) 在 电平 未转 变的时 刻皆 , 确定 为前 一 时刻 的电平 。只有当 电平转 变 时 .才确 定 下一个 电平 数 ,而且 一直保持 到再 发生 电平转 变时 为
() 6 VHD 宏模 型 I
将 一个 子 电路 、 功能 单元 , 甚
细分 可 将 宏 模型 的构造分 为如下 7 : 种
( ) 电路 的 简 化 宏 模 型 在 原 电路 的基 础 上 , 略 1
至 于一 个 大 规 模 集 成 电路 的外 特 性 用行 为 级 VH DI 加 描述 从而构 成相 应 的宏 模型 。由于用VHD 述 I描 可 以综台 出具 体 的电路 ,所以这 一宏模 型技 术在进 人
() 表 格 特 性 宏 模 型 4 这 种 宏 模 型 不 包 含 任 何 电
系, 而只将 该 功能块 的外端 口特 性用一 个简单 的模 型 , 即宏模 型进 行 等效 ,以保证 其外 特性 与原功 能块 的外 特性~ 致 ,采 用宏模 型技术 会使 系统分 析规模 和时 耗 得到狸大 改善 。主要利用 P pc 具实现 。 S} e工 2 构造 类型 宏模 型包 括 数 字 电路 宏 模 型和 模拟 电路宏 模 型 , 在许 多场 合指 的是 模拟宏 模型 ,构 建宏模 型可 以粗 略

一种有机发光二极管的电路仿真宏模型

一种有机发光二极管的电路仿真宏模型
Ab ta t n t i p p r a c u a e ma r d fo g nc l h mi ig do e ( ED s s rc :I hs a e . n a c r t c o mo e o r a i i te t n id g t OL )i
p o o e a d t e r p s d n h m o e p rm e e x rc in s m pe e t d f r a t e d I aa t r e ta t i i lm n e o c i m a r O L o v ti x ED
m o e o L D d vc s u e o d l fO E e ie i s d f rAM O L ipa a e e in i r e o e au t h ED ds ly p n l sg n o d rt v la e t e d
p r r a c f a e i ut c ua el. e f m n eo n l r ia c r t y o p cc
极 管的 电路仿真宏模型可用于有 源二极管显示器的背板 电路设计过程 中, 背板电路与有机发光二极管
器件的联合 电路 功能仿真 。 从而实现更准确的背板电路性能评估。
关键 词 :有机发 光 二极 管 ; 电路仿 真 宏模 型 ; 交流 阻抗 法
中图分 类 号 : N 1 +8 T 32 . 文献标 识 码 : B
2 现代 显示 A vne i l 6 d a cdDs a py
Sp 2 1 , e . 0 1 总第 18 2 期
收稿 日期 :0 1 0 — 8 2 1 - 7 1
王 颖 : 种有 机 发 光 二 极 管 的 电路 仿 真 宏 模 型 一

PSpice模型制作

PSpice模型制作

PSpice模型创建PSpice模型是对电路元器件的数学描述,是进行电路仿真分析的前提条件,它的精度和速度直接影响电路分析结果的精确度和仿真速度。

因此,在进行PSpice仿真之前,需要有相应元器件的适当PSpice模型,如合适的直流模型、交流小信号模型、瞬态分析模型、噪声模型、温度模型等等。

在电路设计的过程中,如果直接调用软件自带模型库中的元件模型参数,不一定能够满足各种不同的实际设计需要,这时就需要修改元件模型参数。

此外,对于新创建的元件,则需要用户自己设置适当的PSpice模型参数。

一、PSpice模型参数的修改PSpice模型修改比较简单:可以直接选择元件,然后右击选择Edit PSpice model,即可打开PSpice模型编辑器,编辑所需修改的参数,存盘即可。

其中:Models List栏用以显示模型名称;Simulation Parameters栏用以修改设置模型参数;Model Text栏用以显示模型描述语言,当然这里只能读取,不可以在此进行编辑。

二、PSpice模型的创建为了满足具体设计需要,设计者往往需要创建自己的元件库,要进行PSpice 仿真,就必须对新建元件进行模型设置,新建模型,有两种主要方式:1、Model Editor模型编辑(1)执行Cadence/Release 16.3/PSpice Accessories/Model Editor命令,进入模型编辑器界面,执行File/New命令,如下图:(2)点击符号,弹出新建模型的New Model对话框,如下图:在该对话框中选择设置,Model Name填写模型名称;选择Use Device Characteristic Curves表示用硬件的典型曲线来描述模型;选择Use Templates 表示用软件自带样本进行参数的修改设置;From Model用以选择模型类型。

选择Use Device Characteristic Curves,再确定模型,点击OK即可进入模型编辑器窗口,其中可以设置元件的所有相关仿真参数设定,编辑器会以曲线形式将参数设定后的模型特性实时显示出来。

probe使用技巧公开课获奖课件

probe使用技巧公开课获奖课件

添加变量
成果显示
直方图
作用:对电路特征进行蒙托卡罗分析之后,调用 probe绘制出描述电路特征分散情况旳分布直方 图,就能够估计该电路投入生产时旳成品率。
绘制直方图旳环节
1 对电路进行蒙特卡洛分析 2开启性能分析
例:Chebyshev4阶有源滤波器分析
图中元器件参数值是按照中心频率为10KHZ,带宽为1.5KHZ旳要求设计 旳
3在Probe窗口中将每次分析成果旳特征值连在一起,就 得到了电路特征随该元器件参数值旳变化关系,也就是 电路性能分析旳成果。
所以,电路性能分析中要进行温度分析、参数扫描分析或 蒙托卡罗分析,并屡次调用特征值函数。
以RC电路为例
参数扫描分析设置
调入probe
开启电路性能分析
执行trace/performance analysis
。假如投入生产时要组装100套滤波器,全部旳电阻采用精度为1%旳电 阻
器,全部电容采用精度为5%旳电容器,试绘制100套滤波器旳1db带宽 和
中心频率分布直方图
(1)绘制电路图
应注意下面几种问题。 (a)将输入端旳AC分析鼓励信号源V3设置为AC=1。这么,输
出信号旳幅度即为电路旳增益。 (b)因为MC分析产生旳数据量很大,而分析中直接有用旳是

(5)绘制带宽直方图
(a)进入直方图绘制状态:在PSpice A/D窗口中选择执行Plot/Axis Settings子命令,并从屏幕上出现旳x轴设置框内,选择Processing Options子框中旳“Performance Analysis”选项,然后单击OK按 钮。因为目前是在MC分析后来开启电路性能分析(Performance Analysis),所以屏幕显示就进入直方图绘制状态。Y轴坐标刻度变为 百分数。

电子建模如何在MicrosoftExcel中使用宏进行自动化建模

电子建模如何在MicrosoftExcel中使用宏进行自动化建模

电子建模如何在MicrosoftExcel中使用宏进行自动化建模电子建模如何在Microsoft Excel中使用宏进行自动化建模在现代工程设计和数据分析中,电子建模已经成为一个不可或缺的工具。

通过使用电子建模软件,如Microsoft Excel,我们可以方便地创建模型、进行数据计算和分析,从而提高工作效率和准确性。

而宏是Excel中一个强大的功能,它可以帮助我们自动化建模过程,进一步提高工作效率。

本文将介绍如何在Microsoft Excel中使用宏进行自动化建模。

一、什么是宏宏是一种记录和自动执行一系列操作的功能。

在Excel中,我们可以使用宏记录我们的操作,然后通过运行宏来重复执行这些操作,从而实现自动化。

宏可以包含各种类型的操作,如插入数据、计算、格式调整等,使我们可以根据特定的需求创建专门的自动化建模功能。

二、如何录制宏在Excel中,录制宏非常简单。

首先,打开Excel并选择“开发工具”选项卡(如果没有该选项卡,需要先进行设置)。

然后点击“录制宏”按钮,选择一个名称和快捷键,接着点击“确定”按钮开始录制。

在录制宏期间,我们需要进行一系列的操作,这些操作将被记录下来。

例如,我们可以插入数据、应用函数、进行格式调整等。

完成操作后,再次点击“停止录制”按钮即可完成录制过程。

三、如何运行宏录制好宏后,我们就可以随时运行宏来自动执行所记录的操作。

运行宏有几种方式:可通过快捷键、通过选择宏列表中的宏名、或在宏的VBA编辑器中点击运行按钮。

四、如何编辑宏有时候,我们可能需要修改已录制的宏,以满足不同的需求。

编辑宏需要使用Excel的VBA(Visual Basic for Applications)编辑器。

我们可以通过点击开发工具选项卡中的“Visual Basic”按钮来打开VBA编辑器。

在VBA编辑器中,我们可以看到宏的代码,并对代码进行编辑。

注意,对于不熟悉VBA的用户来说,建议谨慎编辑宏的代码,以防止错误。

1 实际电路和电路模型

1 实际电路和电路模型




第一节
一、实际电路
实际电路和电路模型
电路(网络):为了完成某种特定功能由某些电气设备 或器件(例如电容器、电阻器)按一定方式连接组合起来, 构成电流的通路。简单的说,电流流通的路径。
开关 电池 导线 电灯
话筒 放 大 器 扬声器
两个电路分别实现了什么功能?
二、电路的作用
实现电能的传输和转换、分配。 把电作为信号载体,以实现信号的传输、处理或存储。
电路元件的功率 (power)
一、 功率
dw dw dq p ui dt dq dt
功率的单位名称:瓦(特) 符号(W)
詹姆斯· 瓦特 (James Watt, 1736-- 1819) 英国物理学家
功率如何测量请自学10.4.1节!
二.功率的计算定义
1. u, i 取关联参考方向
2. u, i 取非关联参考方向
电流实际方向 规定:正电荷的移动方向为电流实际方向。
Or
现在可以确定虚线框中支路实际电流方向吗?
电流参考方向
在复杂的电路中,电流的实际方向往往是 无法预知的,为此在分析之前,我们给它们假 定一个方向作为电路分析和计算时的参考,这 个假定的方向称为参考方向。然后根据所假设 的参考方向列出电路方程进行求解。
R0
上节回顾
1.电流、电压参考方向的概念和作用
2.关联参考方向和非关联参考方向
3.欧姆定理--电路的基本定理 4.功率计算定义
i + u R
p ui
u iR
+
u
i
1.5
古斯塔夫· 罗伯特· 基尔霍夫 (1824~1887)
Kirchhoff,Gustav Robert

实验十一 宏模型

实验十一 宏模型

Pspice宏模型的使用实验背景:宏模型是电子系统或其子系统,子网络的简化等效表示。

它可以是一个等效电路,也可以是一组数学方程,一组多维数表,或是表达更复杂电路的某种符号形式。

宏模型的特点是在一定的精度范围内,其端口特性和原系统(或子系统)的端口特性相同或近似相同,而其结构复杂度明显降低,所含电路元件数和的电路节点数也大为减少,从而降低了计算时间,并节省了计算机的内存要求。

因此,宏模型在模拟的电路高层次仿真和大型电路的分析设计中具有十分重要的意义。

宏模型主要有一下几种:(1)由子电路形式描述的集成电路宏模型或行为级宏模型;(2)数学函数宏模型;(3)表格宏模型;实验要求:(1)理解宏模型的意义,深入理解运放的宏模型,掌握运放宏模型的结构;(2)完成uA741宏模型的网单输入;(3)将宏模型应用到实际电路中(放大电路:包括闭环应用和开环应用);(4)根据应用电路的电路特性和输出结果分析运放宏模型的特性参数(增益、频响等特性);(5)找出运放宏模型中决定运放的主要性能(共模抑制比、差模增益、频率特性等)的参数,并分析它们的关系;实验要求:通过对运算放大器宏模型的仿真,深入理解宏模型的特点;掌握运算放大器宏模型的结构特点,分析各个部分的功能,各个参数的意义;做到能够按照指定的运放的性能(如共模抑制比,差模增益等特性)修改宏模型里面的参数;实验内容:运算放大器(以uA741为例)的宏模型电路如图1所示。

图1 运放宏模型电路图晶体管Q1,Q2组成差分输入端,Ga*vc1模拟差模增益,Gcm*VREE模拟共模抑制比,Ro1,Ro2模拟输出阻抗。

V3VOFF = 0FREQ = 1kR250k开环应用电路图FREQ = 1kVOFF = 0R7V闭环应用电路图。

MOS-器件二次击穿行为的电路级宏模块建模剖析复习课程

MOS-器件二次击穿行为的电路级宏模块建模剖析复习课程

A Model of MOSFET’s Second Breakdown Action in Circuit-LevelCUI Qiang1,HAN Yan1,LIU Jun-jie1,2,DONG Shu-rong1,SI Rui-jun11. Institute of Microelectronics and Photoelectronics, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China2. Department of Electrical and Computer Engineering, University of Central Florida, Orlando, FL 32816 USAAbstract: A method to exact the electrical parameters and model the second breakdown action of MOSFET’s under ESD (Electro-Static Discharge) on circuit-level, using TCAD simulation, is presented. MOSFET is one of the most important ESD protection devices, and is widely used as I/O protection device in integrated circuits. We present an accurate macro model of the MOSFET based on deep analyzing of the physical mechanism of the second breakdown, using TCAD simulation. This macro model owns fine convergency and accuracy which are of importance to the simulation of the ESD protection ability of the ESD protection network on circuit and system level. Keywords: MOS;second breakdown;circuit-level;macro block;modeling EEACC: 7230MMOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模崔强1,韩雁1,刘俊杰1,2,董树荣1,斯瑞珺11. 浙江大学微电子与光电子研究所,杭州,310027,中国2. 中佛罗里达大学电机系,奥兰多32816,美国摘要:本文采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。

第9章 宏模块

第9章 宏模块
1输入altpll宏功能模块选择芯片和设置参考时钟锁相环控制信号设置输出时钟设置2编译和仿真锁相环电路功能仿真波形maxplus2库主要由74系列数字集成电路组成包括时序电路宏模块和运算电路宏模块两大类其中时序电路宏模块包括触发器锁存器计数器分频器多路复用器和移位寄存器运算电路宏模块包括逻辑预算模块加法器减法器乘法器绝对值运算器数值比较器编译码器和奇偶校验器
双向端口
inout [7:0] databus;
使用双向端口必须遵循下面的规则: inout口只能声明为线网型, 不允许把它声明为寄存 器类型。即不允许在过程块(always块)中对网络 连接类型的数据进行过程赋值。 在设计中,每次只能从一个方向来驱动inout口。例 如:当使用总线读RAM中的数据时,如果同时又向 RAM模型的双向数据总线写数据,就会产生逻辑竞争 ,导致总线数据无法确定。必须为inout口设计控制 逻辑,用来保证正确的操作。当把inout口作为输入 口时,必须通过控制逻辑禁止输出到inout口。
(1)输入altpll宏功能模块
选择芯片和设置参考时钟
锁相环控制信号设置
输出时钟设置
(2)编译和仿真
锁相环电路
功能仿真波形
2. Maxplus2库
Maxplus2库主要由74系列数字集成电路组成,包括 时序电路宏模块和运算电路宏模块两大类,其中时序电 路宏模块包括触发器、锁存器、计数器、分频器、多路 复用器和移位寄存器,运算电路宏模块包括逻辑预算模 块、加法器、减法器、乘法器、绝对值运算器、数值比 较器、编译码器和奇偶校验器。 对于这些小规模的集成电路,在数字电路课程中有详细 的介绍。他们的调入方法和Megafunction库中的宏模 块是一样的,只是端口和参数无法设置。

用于PSPICE仿真的IGBT宏模型

用于PSPICE仿真的IGBT宏模型

用于PSPICE仿真的IGBT宏模型
戴先中;陈宝宏
【期刊名称】《电力电子技术》
【年(卷),期】1998(032)004
【摘要】介绍了一种可用于PSPICE的IGBT宏模型。

采用程序设计的方法,将该模型加入到PSPICE的模型库中,并由相关测试电路对此模型进行仿真测试。

该模型的仿真值与实际器件测试值相比,无论是DC特性还是开关特性均吻合较好,表明该模型可用于工程CAD中。

【总页数】4页(P86-89)
【作者】戴先中;陈宝宏
【作者单位】东南大学;东南大学
【正文语种】中文
【中图分类】TN322.8
【相关文献】
1.基于PSPICE仿真的IGBT功耗计算 [J], 李强;林明耀;胡敏强;曹永娟
2.基于PSPICE仿真的IGBT功耗计算 [J], 曹永娟;李强;林明耀
3.大功率IGBT的PSPICE仿真模型 [J], 康劲松;陶生桂
4.IGBT的PSpice仿真宏模型 [J], 郑春龙
5.面向中低速磁浮列车IGBT开关损耗的PSpice仿真研究 [J], 杨清;王连春;迟振祥
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代数方程宏模型
• 这是一种用简单数学表达式描述非线性受控 员的输入输出关系的宏模型。 • 输入格式:
– E(G)XXX N+ N- VALUE={表达式}
• 举例:
– – – – G1 G1 G2 G2 0 0 2 2 2 2 0 0 POLY(1) (1,0) 1 0 -1 VALUE={1-V(1)*V(1)} POLY(1) (2,0) 0 0 1 VALUE={V(2)*V(2)}
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4.3.5 可控硅器件
• 可控硅器件又称为晶闸管,是一种大功率半 导体器件,具有耐压高、容量大、控制灵敏、 效率高等一系列有点,常用作对大功率电源 进行控制和变换。 • 一些可控硅模型的下载:
– /PowerSolutions/supportD oc.do?type=models&category=965&lang=zh-cn
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VCO MACROMODEL CIRCUIT RI 1 0 1E6 G1 0 2 POLY(2) (1,0) (4,0) +0 0 -2E-4 0 -1E-4 R1 2 0 1T CT 2 3 1N VS 3 0 PULSE(1 0 1N) G2 0 4 POLY(2) (2,0) (4,0) 0 1 1 C2 4 0 100P R2 4 0 1E3 D1 4 5 DS D2 6 4 DS VBH 5 0 DC 1 VBL 6 0 DC -1 VI 1 0 PWL(0 0 100U 0 110U 1 200U 1 210U 2 300U 2 310U 3 400U 3) .MODEL DS D(N=0.01) .OPTIONS ITL5=0 .TRAN 1US 400U .PROBE .END
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4.2.1 一般表格宏模型
• 表格宏模型使用前提:
– 非线性特性的函数关系未知 – 虽然函数形式已知,但很复杂,为了节省时间
• 使用方法:
– 把测试数据制成表格,让计算机通过查表实现。
• 用非线性受控源表示,具体格式:
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SQUARE WAVE GENERATOR R1 3 5 100K R2 4 5 100K R3 4 0 100K C1 3 0 33300P XOP 4 3 11 12 5 uA741 VDD 11 0 15 VEE 12 0 -15 .LIB E:\PSPICE\UserLib\eval.lib .TRAN 0.01M 10M UIC .PROBE .END
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4.3.3 压控振荡器
• 压控振荡器(VCO)是锁 相环(PLL)中最基本的 电路单元。它的特点 是输出振荡频率与输 入直流控制电压成线 性比例关系。宏模型 框图如图4.3.7
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概要
• 4.1 数学函数宏模型
– 多项式模型,代数方程宏模型,拉氏变换模型
• 4.2 表格宏模型
– 一般表格宏模型,频率响应表格宏模型,
• 4.3 构造型宏模型
– 稳压二极管,施密特触发器,压控振荡器,运 算放大器,可控硅器件
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• 多项式模型即为非线性受控源,是用一组多 项式描述非线性受控源的输入输出的函数关 系。 • 可以方便地表示各种不同信号的相加、相减、 相乘、开方等运算。 • 关键字为POLY,主要是确定:自变量的维 数,多项式的一组系数。
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• 数学表达式描述非线性受控源比多项式更加 直观和方便。 • 通用性不及多项式模型
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拉氏变换模型
• PSPICE中可以用拉式变换的系统函数来定 义非线性受控源。从而求得电路的频域特性 和时域特性。 • 输入格式:
– E(G) XX N+ N- LAPLACE {EXPRESSION}=LAPLACE TRANSFORM}
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– ES 2 0 POLY(4) (1,0) (3,0 (4,0) (5,0) 0 +0.7157 -1.2529 -1.5349 -0.7157 – ES 2 0 VALUE={0.7157*V(1)-1.2529*V(3)1.5349*V(4)-0.7157*V(5)}
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39Biblioteka 电路设计与仿真技术 第4章 电路宏模型
昝宏洋
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宏模型概述
• 宏模型是电子系统或其子系统、子网络的简 化等效表示。可以是一个等效电路,也可以 是一组数学方程,一组多维数表,或是表达 更复杂电路的某种符号形式。 • 特点是在一定精度范围内,模拟原电路端口 特性。但降低计算时间,节省内存要求。 • 主要用在模拟电路高层次仿真和大型电路的 分析设计中。
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4.3 构造型宏模型
• 构造型宏模型可以由简单的数学宏模型或表 格宏模型和电阻、电容,以及尽可能少的二 极管、BJT、MOS、JFET等有源器件组成更 加复杂的宏模型。
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A SCR CIRCUIT .INC MM2.CIR VI 2 1 SIN(0 311 50) D1 3 2 MD D2 3 1 MD D3 2 4 MD D4 1 4 MD RL 4 0 100 XSCR 0 5 3 SCR_MMT08B350T3 RS 5 6 1K VG 6 3 PULSE(0 10 {TD} 0 0 2M 10M) .MODEL MD D .OP .TRAN 0.1M 40M 0 0.1M .PARAM TD=2M .STE PARAM TD LIST 3M 5M .OPTIONS ITL5=0 .PROBE .END
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4.1 数学函数宏模型
• 数学函数宏模型是指用显示数学函数、方程 或传输函数来描述电路特性的一种模型形式, 也称为行为及模型,可用来实现较为复杂的 模拟电路的功能,进一步扩展电路仿真的能 力和灵活性。
– 多项式模型 – 代数方程宏模型 – 拉氏变换模型
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多项式模型
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F=p0+p1*x
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f p0 p1x p2 y p3 x2 p4 xy p5 y 2 ...
EMOD 3 0 POLY(2) (1,0) (2,0) 0 0 0 0 1
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4.3.4 运算放大器
• 在模拟集成电路中研究最早、最充分的就是 运算放大器的宏模型,而且已被广泛应用与 电路仿真中。
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运算放大器OP07宏模型如下
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4.3.1 稳压二极管
虚线框内为稳压二极管宏模型,其中D1模拟正向 特性;二极管D2、电压源VZ和电阻RZ模拟反向 特性,D2为理想二极管(n=0.001),VZ等于击穿电压
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AN AMPLITUDE-MODULATED CIRCUIT V1 1 0 SIN(0 1 50K) V2 2 0 SIN(1 0.9 1K) R1 1 0 1E9 R2 2 0 1E9 EMOD 3 0 POLY(2) (1,0) (2,0) 0 0 0 0 1 RL 3 0 1E6 .TRAN 10U 1.6M .PROBE .END
– E(G)XX N+ N- TABLE{EXPRESSION}= {INPUT VALUE, OUTPUT VALUE}
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4.2.2 频率响应表格宏模型
• 用表格模型表示电路频率特性,具体格式:
– E(G)XX N+ N- FREQ {EXPRESSION}= {FREQUENCY,MAGNITUDE,PHASE} – 输入数据为频率 – 输出数据为电压或电流的幅度和相位
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4.3.2 施密特触发器
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