硅稳压二极管稳压电路模拟电子技术基础

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模拟电子技术基础习题及答案

模拟电子技术基础习题及答案

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。

如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。

(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。

此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。

已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。

试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。

电子技术基础(模拟部分)习题答案

电子技术基础(模拟部分)习题答案

一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。

2.在下述电路中,能使二极管导通的电路是a。

3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V,则该三极管处于放大工作状态。

4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β,衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。

5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds>U GS(OFF)__,它的截止条件为__ u Gs≤U GS(OFF)__。

6.在基本OCL功放电路中,设电源电压为±15V,负载电阻R L=8Ω,则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W,理想效率为78.5%_。

7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路,在实际电路中,经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。

8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路,其主要目的是抑制0点漂移。

9.为了稳定放大电路的静态工作点,可以引入直流负反馈_,为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。

10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。

要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_,相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。

11.在放大电路的设计中,主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。

此外,利用这种反馈,还可增加增益的恒定性,减少非线性失真,抑制噪声,扩展频带以及控制输入和输出阻抗,所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。

11.N型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的,多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。

12.半导体PN结具有单相导电性特性。

13.在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V,14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。

15.在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_;共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。

16.设计一个负反馈放大电路,若要稳定输出电压,应引入电压负反馈;若要稳定输出电流,应引入电流负反馈;若要增加输入电阻,应引入串联负反馈。

模拟电子技术基础目录

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模拟电子技术基础目录模拟电子技术基础目录模拟电子技术基础目录前言教学建议第1章半导体二极管及其应用1.1 半导体物理基础知识1.1.1 本征半导体1.1.2 杂质半导体1.2 pn结1.2.1 pn结的形成1.2.2 pn结的单向导电性1.2.3 pn结的反向击穿特性1.2.4 pn结的电容特性1.3 半导体二极管及其基本电路1.3.1 半导体二极管的伏安特性曲线1.3.2 半导体二极管的主要参数1.3.3 半导体二极管的电路模型1.3.4 二极管基本应用电路1.4 特殊二极管1.4.1 稳压二极管.1.4.2 变容二极管1.4.3 光电二极管1.4.4 发光二极管思考题习题第2章双极型晶体管及其放大电路2.1 双极型晶体管的工作原理2.1.1 双极型晶体管的结构2.1.2 双极型晶体管的工作原理2.2 晶体管的特性曲线2.2.1 共射极输出特性曲线2.2.2 共射极输入特性曲线2.2.3 温度对晶体管特性的影响2.2.4 晶体管的主要参数2.3 晶体管放大电路的放大原理2.3.1 放大电路的组成2.3.2 静态工作点的作用2.3.3 晶体管放大电路的放大原理2.3.4 基本放大电路的组成原则2.3.5 直流通路和交流通路2.4 放大电路的静态分析和设计2.4.1 晶体管的直流模型及静态工作点的估算2.4.2 静态工作点的图解分析法2.4.3 晶体管工作状态的判断方法2.4.4 放大状态下的直流偏置电路2.5 共射放大电路的动态分析和设计2.5.1 交流图解分析法2.5.2 放大电路的动态范围和非线性失真2.5.3 晶体管的交流小信号模型2.5.4 等效电路法分析共射放大电路2.5.5 共射放大电路的设计实例2.6 共集放大电路(射极输出器)2.7 共基放大电路2.8 多级放大电路2.8.1 级间耦合方式2.8.2 多级放大电路的性能指标计算2.8.3 常见的组合放大电路思考题习题第3章场效应晶体管及其放大电路3.1 场效应晶体管3.1.1 结型场效应管3.1.2 绝缘栅场效应管3.1.3 场效应管的参数3.2 场效应管工作状态分析及其偏置电路3.2.1 场效应管工作状态分析3.2.2 场效应管的偏置电路3.3 场效应管放大电路3.3.1 场效应管的低频小信号模型3.3.2 共源放大电路3.3.3 共漏放大电路思考题习题第4章放大电路的频率响应和噪声4.1 放大电路的频率响应和频率失真4.1.1 放大电路的幅频响应和幅频失真4.1.2 放大电路的相频响应和相频失真4.1.3 波特图4.2 晶体管的高频小信号模型和高频参数4.2.1 晶体管的高频小信号模型4.2.2 晶体管的高频参数4.3 晶体管放大电路的频率响应4.3.1 共射放大电路的频率响应4.3.2 共基、共集放大器的频率响应4.4 场效应管放大电路的频率响应4.4.1 场效应管的高频小信号等效电路4.4.2 共源放大电路的频率响应4.5 多级放大器的频率响应4.5.1 多级放大电路的上限频率4.5.2 多级放大电路的下限频率4.6 放大电路的噪声4.6.1 电子元件的噪声4.6.2 噪声的度量思考题习题第5章集成运算放大电路5.1 集成运算放大电路的特点5.2 电流源电路5.3 以电流源为有源负载的放大电路5.4 差动放大电路5.4.1 零点漂移现象5.4.2 差动放大电路的工作原理及性能分析5.4.3 具有电流源的差动放大电路5.4.4 差动放大电路的大信号分析5.4.5 差动放大电路的失调和温漂5.5 复合管及其放大电路5.6 集成运算放大电路的输出级电路5.7 集成运算放大电路举例5.7.1 双极型集成运算放大电路f0075.7.2 cmos集成运算放大电路mc145735.8 集成运算放大电路的外部特性及其理想化5.8.1 集成运放的模型5.8.2 集成运放的主要性能指标5.8.3 理想集成运算放大电路思考题习题第6章反馈6.1 反馈的基本概念及类型6.1.1 反馈的概念6.1.2 反馈放大电路的基本框图6.1.3 负反馈放大电路的基本方程6.1.4 负反馈放大电路的组态和四种基本类型6.2 负反馈对放大电路性能的影响6.2.1 稳定放大倍数6.2.2 展宽通频带6.2.3 减小非线性失真6.2.4 减少反馈环内的干扰和噪声6.2.5 改变输入电阻和输出电阻6.3 深度负反馈放大电路的近似计算6.3.1 深负反馈放大电路近似计算的一般方法6.3.2 深负反馈放大电路的近似计算6.4 负反馈放大电路的稳定性6.4.1 负反馈放大电路的自激振荡6.4.2 负反馈放大电路稳定性的判断6.4.3 负反馈放大电路自激振荡的消除方法思考题习题第7章集成运算放大器的应用7.1 基本运算电路7.1.1 比例运算电路7.1.2 求和运算电路7.1.3 积分和微分运算电路7.1.4 对数和反对数运算电路7.2 电压比较器7.2.1 电压比较器概述7.2.2 单门限比较器7.2.3 迟滞比较器7.2.4 窗口比较器7.3 弛张振荡器7.4 精密二极管电路7.4.1 精密整流电路7.4.2 峰值检波电路7.5 有源滤波器7.5.1 滤波电路的作用与分类7.5.2 一阶有源滤波器7.5.3 二阶有源滤波器7.5.4 开关电容滤波器思考题习题第8章功率放大电路8.1 功率放大电路的特点与分类8.2 甲类功率放大电路8.3 互补推挽乙类功率放大电路8.3.1 双电源互补推挽乙类功率放大电路8.3.2 单电源互补推挽乙类功率放大电路8.3.3 采用复合管的准互补推挽功率放大电路8.4 集成功率放大器8.5 功率器件8.5.1 双极型大功率晶体管8.5.2 功率mos器件8.5.3 绝缘栅双极型功率管及功率模块8.5.4 功率管的保护思考题习题第9章直流稳压电源9.1 直流电源的组成9.2 整流电路9.2.1 单相半波整流电路9.2.2 单相全波整流电路9.2.3 单相桥式整流电路9.2.4 倍压整流电路9.3 滤波电路9.3.1 电容滤波电路9.3.2 电感滤波电路9.3.3 复合型滤波电路9.4 稳压电路9.4.1 稳压电路的主要指标9.4.2 线性串联型直流稳压电路9.4.3 开关型直流稳压电路思考题习题第10章可编程模拟器件与电子电路仿真软件10.1 在系统可编程模拟电路原理与应用10.1.1 isppac10的结构和原理10.1.2 其他isppac器件的结构和原理10.1.3 isppac的典型应用10.2 multisim软件及其应用10.2.1 multisim 8的基本界面10.2.2 元件库10.2.3 仿真仪器10.2.4 仿真分析方法10.2.5 在模拟电路设计中的应用思考题习题第11章集成逻辑门电路11.1 双极型晶体管的开关特性11.2 mos管的开关特性11.3 ttl门电路11.3.1 ttl标准系列与非门11.3.2 其他类型的ttl标准系列门电路11.3.3 ttl其他系列门电路11.4 ecl门电路简介11.5 cmos门11.5.1 cmos反相器11.5.2 其他类型的cmos电路11.5.3 使用cmos集成电路的注意事项11.5.4 cmos其他系列门电路11.6 cmos电路与ttl电路的连接思考题习题参考文献延伸阅读:模拟电子技术基础50问1、空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗?答:不是,但是在它的运动中可以将其等效为载流子。

《模拟电子技术基础(第3版_陈梓城)》多媒体课件 第1章 半导体二极管及其应用

《模拟电子技术基础(第3版_陈梓城)》多媒体课件 第1章 半导体二极管及其应用

1.1.2 半导体二极管的结构、类型、电路符号 一、半导体二极管的内部结构示意图
以PN结为管芯,在P区和N区均接上电极引线,并以外 壳封装,就制成了半导体二极管,简称二极管。
从P区接出的引线称为二极管的阳极(Anode),从N区接 出的引线称为阴极(Cathode)。
图1.1.4 二极管内部结构示意图、电路符号、实物图 (a)内部结构 (b)图形符号 (c)整流二极管实物图
3.掺杂特性 本征半导体的导电能力差,但是在本征半导体中掺入
某种微量元素(杂质)后,它的导电能力可增加几十万甚 至几百万倍。
人们正是通过掺入某些特定的杂质元素,精确地控制 半导体的导电能力,制成各种性质、用途的半导体器件。
图1.1.2 掺杂半导体共价键结构示意图 (a)N型半导体 (b)P型半导体
当温度下降时,半导体材料的导电能力显著下降。利 用半导体对温度十分敏感的特性,制成了工业自动控制装 置中常用的热敏电阻。
1.1 半导体二极管
2. 光敏特性 某些半导体,受到光照时,半导体就像导体一样,导电
能力很强;当没有光线照射时,就像绝缘体一样不导电,这 种特性称为“光敏”特性。光照强度越强,半导体的导电性 能越好。
图1.1.3 N型半导体和P型半导体简化结构示意图 (a)N型半导体简化结构示意图 (b)P型半导体简化结构示意图
N型半导体是否带负电?为什么?
三、PN结及其单向导电性
如果通过一定的生产工艺把半导体的P区和N区部分结合 在一起,则它们的交界处就会形成一个很薄的空间电荷区, 称为PN结(PN Juntion)。 PN结具有单向导电性,外加偏置 电压,正偏导通,反偏截止。即P区电位高于N区,PN结通导, 相当于开关闭合;P区电位低于N区电位,PN结截止,相当于 开关断开。

模拟电子技术基础填空题及答案

模拟电子技术基础填空题及答案

模拟电子技术基础填空题及答案模拟电子技术基础填空题及答案1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。

2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。

PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。

6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。

PN具有具有单向导电特性。

7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压Vth约为0.5伏。

8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。

11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。

12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。

13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。

15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。

16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。

17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。

18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则IBQ增大,ICQ增大,UCEQ减小。

第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1.1 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。

1.2 在N型半导体中,多子是,少子是;在P型半导体中,多子是,少子是。

1.3二极管具有性;当时,二极管呈状态;当时,二极管呈状态。

1.4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的;2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。

1.5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后,输出电压较未加C时,二极管的导通角,输出电压随输出电流的增大而。

二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1.6二极管正向电压从0.7 V增大15%时,流过的电流增大(a.15%;b.大于15%;c.小于15%)。

1.7当温度升高后,二极管的正向压降将,反向电流将(a.增大;b.减小;c.不变)。

1.8利用二极管的组成整流电路(a1.正向特性;b1.单向导电性;c1.反向击穿特性)。

稳压二极管工作在状态下,能够稳定电压(a2.正向导通;b2.反向截止;c2.反向击穿)。

三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1.9在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质,可以改型为P型半导体。

( )1.10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述其反向击穿特性。

( )1.11 在桥式整流电路中,如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V,则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。

( ) 1.12光电二极管是受光器件,能将光信号转换为电信号。

( ) 解答:1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性 正向偏置 导通 反向偏置 截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大 减小 减小1.6 (b )1.7 (b ) (a )1.8 (b 1) (c 2)1.9 (√)1.10 (×)1.11 (√)1.12 (√)1.13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ,求外加正向电压为0.2 V 、0.4 V 时二极管的直流电阻R D 。

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。

2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流,从而控制集电极电流,实现信号放大。

3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大,共集电极放大倍数最小。

三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。

2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。

3.共基极放大电路---具有电压放大的作用,输入电阻较低。

4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置,使其工作在放大区,保证放大电路的稳定性。

四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。

2.开关---控制大电流的通断。

3.振荡器---产生高频信号。

4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性,实现稳定的输出电压。

模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质,如硅Si、锗Ge。

2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子,是半导体中的两种主要载流体。

5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

根据掺杂元素的不同,可分为P型半导体和N型半导体。

6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。

7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结,具有单向导电性和接触电位差等特性。

8.PN结的伏安特性是指在不同电压下,PN结的电流和电压之间的关系。

二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。

1.半导体二极管具有单向导电性,即只有在正向电压作用下才能导通,反向电压下截止。

2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似,具有正向导通压降和死区电压等特性。

3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。

三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管,其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区,具有稳压的作用。

模拟电子技术基础部分练习题含答案

模拟电子技术基础部分练习题含答案

模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、二极管在电路板上用( )表示。

A、CB、DC、RD、L正确答案:B2、根据作业指导书或样板之要求,不该断开的地方断开叫( )。

A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案:C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了? ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案:D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案:B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案:A6、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

A、变压器的效率越高,各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小,变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案:C8、在三极管放大电路中,三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案:D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案:C10、某三极管,测得其发射结反偏,集电结反偏,则该三极管处于( )。

A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案:B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案:B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为:1、100、-100,则总的电压放大倍数( )。

A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案:B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案:D14、在基本放大电路中,集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案:C15、在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结

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模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模拟电子技术二极管典型例题

模拟电子技术二极管典型例题

模拟电子技术二极管典型例题【例1-1】分析图所示电路的工作情况,图中I为电流源,I=2mA。

设20℃时二极管的正向电压降U D=660mV,求在50℃时二极管的正向电压降。

该电路有何用途?电路中为什么要使用电流源?【相关知识】二极管的伏安特性、温度特性,恒流源。

【解题思路】推导二极管的正向电压降,说明影响正压降的因素及该电路的用途。

【解题过程】该电路利用二极管的负温度系数,可以用于温度的测量。

其温度系数–2mV/℃。

20℃时二极管的正向电压降U D=660mV50℃时二极管的正向电压降U D=660 –(2´30)=600 mV因为二极管的正向电压降U D是温度和正向电流的函数,所以应使用电流源以稳定电流,使二极管的正向电压降U D仅仅是温度一个变量的函数。

【例1-2】电路如图(a)所示,已知,二极管导通电压。

试画出u I与u O的波形,并标出幅值。

图(a)【相关知识】二极管的伏安特性及其工作状态的判定。

【解题思路】首先根据电路中直流电源与交流信号的幅值关系判断二极管工作状态;当二极管的截止时,u O=u I;当二极管的导通时,。

【解题过程】由已知条件可知二极管的伏安特性如图所示,即开启电压U on和导通电压均为0.7V。

由于二极管D1的阴极电位为+3V,而输入动态电压u I作用于D1的阳极,故只有当u I高于+3.7V时D1才导通,且一旦D1导通,其阳极电位为3.7V,输出电压u O=+3.7V。

由于D2的阳极电位为-3V,而u I作用于二极管D2的阴极,故只有当u I低于-3.7V时D2才导通,且一旦D2导通,其阴极电位即为-3.7V,输出电压u O=-3.7V。

当u I在-3.7V到+3.7V之间时,两只管子均截止,故u O=u I。

u I和u O的波形如图(b)所示。

图(b)【例1-3】某二极管的反向饱和电流,如果将一只1.5V的干电池接在二极管两端,试计算流过二极管的电流有多大?【相关知识】二极管的伏安特性。

模拟电子技术基本概念题--填空题及答案

模拟电子技术基本概念题--填空题及答案

填空题二极管:1. 在半导体中.漂移电流是在 作用下形成的,扩散电流是在 作用下形成的。

(电场,浓度差)2. 二极管最主要的特点是 ;确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和 。

(单向导电性,IF ,UR )3. 在室温(27度)时,锗二极管的死区电压约 V ,导通后在较大电流下的正向压降约 V ;硅二极管的死区电压约 V ,导通后在较大电流下的正向压降约 V 。

(0.1, 0.3, 0。

5, 0。

7)4. 二极管的交流等效电阻rd 随静态工作点的增大而 。

(减小)5. 硅稳压管稳压电路正常工作时,稳压管工作在 状态。

(反向击穿区)晶体管及放大电路基础:6. 晶体管从结构上可分成 和 两种类型:根据使用的半导体材料不同可分成 和 管。

它们工作时有 和 两种载流子参与导电,常称之为双极型晶体管。

(NPN ,PNP ;硅,锗;电子,空穴)7. NPN 型和PNP 型晶体管的区别是 (P 区和N 区的位置不同)8. 晶体管的穿透电流ICEO 是集—基反向饱和电流ICBO 的 倍。

-般希望尽量选用ICEO 的管子(1+β,小)9. 晶体管的电流放大作用是指基极或发射极电流对 电流的控制作用。

(集电极)10. 已知晶体管β=99,IE=1mA ,ICBO=0,则IB= ,IC= 。

(0。

01mA ,99mA)11. 晶体管在放大电路中三种接法分别是 、 和 。

(共射,共集,共基)12. 当温度上升时.晶体管的管压降UBE 、电流放大系数β及反向饱和电流ICBO 分别将 、 和 。

(降低,增大,增大)13. 从晶体管的输入特性可知,晶体管存在死区电压。

硅管的死区电压约为 ,锗管约为 ;晶体管在导通之后,管压降UBE 变化不大,硅管的UBE 约为 .锗管的UBE 约为 。

(0.5 0。

1 0.7 0。

2)14. 从晶体管的输出特性可知,当基极电流增大,集电极和发射极之间的击穿电压会随着基极电流的增大而 。

(减小)15. 温度升高时,晶体管的共射极输入特性曲线将 ,输出特性曲线将 。

模拟电子技术基础 课件 01-2讲义(二极管)

模拟电子技术基础  课件 01-2讲义(二极管)

3、稳压管的基本电路
工作区:反向击穿
接法:反接
电阻R的作用:限流
RL代表:负载
RL↓→ IO↑→ IR↑→ VO↓→ IZ↓→ IR↓ VO↑
稳压电路如图所示,直流输入电压VI的电压在12V~13.6V之间。 负载为9V的收音机,当它的音量最大时,需供给的功率为0.5W。 稳压管的VZ=9V,稳定电流IZmin=5mA,额定功率为1W,R=51Ω。 试分析稳压管电路能否正常工作。
工作区:反向偏置
接法:反接
作用:把光信号转换成电信号
◆发光二极管
发光二极管是通过电流时发光的一种器件,这是由于电子与空 穴直接复合而放出能量的结果。发出的光的波长由所使用的基本材 料而定。它的符号如图所示。
工作区:正向偏置
接法:正接 作用:把电信号转换成光信号 主要应用:作为显示器件
作业1-1
I S uD YT iD I D diD gd e duD VT VT VT
五、二极管应用举例
1、限幅电路:它是用来让信号在预置的电平范围内,有选择地传 输一部分。 一限幅电路如图所示,R=1KΩ,VREF=3V。当Ui=6sinωt(V) 时,利用恒压降模型绘出相应的输出电压UO的波形。二极管 的恒压降为0.7V。
由于收音机音量最大时,稳压管流过的电流
I z min I z min
所以稳压管失去了稳压作用。
ห้องสมุดไป่ตู้
◆光电二极管
光电二极管的结构与普通二极管类似,但在它的PN结处,通 过管壳上的一个玻璃窗口能接收外部的光照。这种器件的PN结在反 向偏置状态下运行,它的反向电流随光照度的增加而上升。它的符 号如图所示。
VD = VDD- IDR = 10-0.931×10 = 0.69V

智慧树知道网课《模拟电子技术基础(湖南大学)》课后习题章节测试满分答案

智慧树知道网课《模拟电子技术基础(湖南大学)》课后习题章节测试满分答案

绪论单元测试1【判断题】(1分)线性元器件,指的就是元件的参数与通过它的电压和电流是无关的。

A.错B.对2【判断题】(1分)非线性元件,指的就是元件的参数会随着它两端的电压电流而变化。

A.对B.错3【判断题】(1分)这门课强调的是定性分析,手动的定量分析为估算。

A.错B.对4【判断题】(1分)在模拟电子系统里,一般而言,传感器的作用是把非电的物理量转换为电信号,传输给后面电子系统进行处理。

A.对B.错5【判断题】(1分)一般而言,放大器的质量和价格与它的衡量参数和主要指标紧密相关。

A.错B.对第一章测试1【单选题】(2分)某放大电路在负载开路时,测得输出电压为5V,在输入电压不变的情况下接入3KΩ的负载电阻,输出电压下降到3V,说明该放大电路的输出电阻为()A.3KΩB.4KΩC.2KΩD.5KΩ2【单选题】(2分)某放大电路在接有2KΩ负载电阻时,测得输出电压为3V,在输入电压不变的情况下断开负载电阻,输出电压上升到7.5V,说明该放大电路的输出电阻为()A.9KΩB.3KΩC.6KΩD.12KΩ3【单选题】(2分)已知某放大电路的输出电阻为3KΩ,在接有4KΩ负载电阻时,测得输出电压为2V。

在输入电压不变的条件,断开负载电阻,输出电压将上升到()A.3.5VB.4.5VC.2.5VD.1V4【单选题】(2分)放大电路对不同频率的正弦信号的稳态响应特性简称为()A.频率响应B.放大倍数C.相移5【单选题】(2分)由于放大电路对含有多种频率信号的()不同而产生的波形失真,称为幅度失真A.相移B.频率响应C.放大倍数6【单选题】(2分)由于放大电路对信号中不同频率产生的()不同而产生的波形失真,称为相位失真A.频率响应B.相移C.放大倍数7【单选题】(3分)测得某放大电路的输入正弦电压和电流的峰值分别为10mV和10μA,在负载电阻为2KΩ时,测得输出正弦电压信号的峰值为2V。

试计算该放大电路的电压放大倍数()A.600B.800C.200D.4008【单选题】(3分)测得某放大电路的输入正弦电压和电流的峰值分别为10mV和10μA,在负载电阻为2KΩ时,测得输出正弦电压信号的峰值为2V。

模拟电子技术(西安交大)模拟考题二及参考答案

模拟电子技术(西安交大)模拟考题二及参考答案

模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空(每题2,共2分)1.硅稳压二极管在稳压电路中稳压时,通常工作于()。

(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是()。

(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈()。

(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用的滤波电路是()。

(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y=aX1+bX2+cX3,a、b和c均大于零的运算电路是()。

(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入()。

(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为()。

(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用,第二级应采用。

()(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是()。

(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为()。

(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空(共10题,每题2分,共20分)1、在室温(27℃)时,锗二极管的死区电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V,硅二极管的死区电压约 V;导通后在较大电流下的正向压降约 V。

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IL↑→IR↑→VR↑→VZ↓(VO↓)→IZ↓→IR↓→VR↓→VO↑
16.2.2稳压电阻的计算
稳压二极管稳压电路的稳压性能与稳压二极管击穿特性的 动态电阻有关,与稳压电阻R 的阻值大小有关。
稳压二极管的动态电阻越小,稳压电 阻R越大,稳压性能越好。
稳压电阻 R 的作用
将稳压二极管电流的变化转换为电压的变化, 从而起到调节作用,同时R也是限流电阻。
16.2 硅稳压二极管稳压电路
16.2.1 硅稳压二极管稳压电路的原理 16.2.2 稳压电阻的计算 16.2.3 基准源
16.2.1 硅稳压二极管稳压电路的原理
硅稳压二极管稳压电路的电路图如图16.02所示。
它是利用稳压 二极管的反向击穿 特性稳压的,由于 反向特性陡直,较 大的电流变化,只 会引起较小的电压 变化。
典 MC1403
2.5±1%
1.2
10~100
.
型 LM136/236/336 2.5
的 TL431
5.0 2.5~36
10
10 0.4~100
30
30
.
50
.
基 LM3999
±6.95±5%
10

AD2710K/L MAX676
10.000±1mV 4.096±0.01%
10 5

677
5.000±0.01%
图16.02 硅稳压二极管稳压电路
(1) 当输入电压变化时如何稳压
根据电路图可知 VO = VZ = VI VR VI IR R
IR = IL + IZ
输入电压VI的增加,必然引起VO的增加,即VZ增 加,从而使IZ增加,IR增加,使VR增加,从而使输出 电压VO减小。这一稳压过程可概括如下:
IL↑→VI↓→VO↓→Vf↓→VO1↑→VCE↓→VO↑
3.输出电压调节范围的计算
根据图16.04可知 Vf≈VREF
VO
VO1
=
(1+
R1 R3
R'2 R"2
)VREF
调节R2显然可以改变输出电压。 (动画16-2) (动画16-1)
16.3.2 稳压电路的保护环节
串联型稳压电源的内阻很小,如果输出端短 路,则输出短路电流很大。同时输入电压将全部 降落在调整管上,使调整管的功耗大大增加,调 整管将因过损耗发热而损坏,为此必须对稳压电 源的短路进行保护。过载也会造成损坏。
16.3.1 线性串联型稳压电路的工作原理
16.3.2 稳压电路的保护环节
16.3.3 三端集成稳压器
16.3.1 线性串联型稳压电路的工作原理
(1) 线性串联型稳压电源的构成
线性串联稳压电源的工作原理可用图16.03来说明。
显 然 ,VO =VI-VR,当
VI增加时,R 受控制而增加,
使 VR增 加 , 从 而 在 一 定 程
5
5
78 10.000±0.01%
5
1
.
16.3 线性串联型稳压电源
稳压二极管的缺点是工作电流较小,稳定电压 值不能连续调节。线性串联型稳压电源的工作电流 较大,输出电压一般可连续调节,稳压性能优越。 目前这种稳压电源已经制成单片集成电路,广泛应 用在各种电子仪器和电子电路之中。线性串联型稳 压电源的缺点是损耗较大,效率低。
图16.04 串联型稳压电路方框图
(2) 线性串联型稳压电源的工作原理
根 据 图 16.04 分 两种情况来加以讨论。
1.输入电压变化, 负载电流保持不变
输入电压VI的增加,必然会使输出电压VO有所 增加,输出电压经过取样电路取出一部分信号Vf与基 准源电压VREF比较,获得误差信号ΔV。误差信号经 放大后,用VO1去控制调整管的管压降VCE增加,从 而抵消输入电压增加的影响。
VImax VZ I Zmax I Lmin
Rmin < R Rmax
16.2.3 基准源
基准源
一般是指击穿电压十分稳定,电压
也称为参考源 温度系数经过补偿了的稳压二极管。
这种稳压二极管采用一种埋层工艺,稳压性能优良,有的 还加有温度控制电路,使其温度系数可小到几个10-6/℃。
型号
稳定电压(V) 工作电流(mA) 电压温度系数(10 -6/ ℃)
显然R 的数值越大,较小IZ的变化就可引起足够大 的VR变化,就可达到足够的稳压效果。
但R 的数值越大,就需要较大的输入电压VI值,损 耗就要加大。
稳压电阻的计算如下
(1) 当输入电压最小,负载电流最大时,流过稳
压二极管的电流最小。此时IZ不应小于IZmin,由
此可计算出稳压电阻的最大值,实际选用的稳压
VI↑→VO↑→Vf↑→VO1↓→VCE↑→VO↓
2.负载电流变化,输入电压保持不变
负载电流IL的增加,必然会使输入电压VI有所 减小,输出电压VO必然有所下降,经过取样电路取 出一部分信号Vf与基准源电压VREF比较,获得的误 差信号使VO1增加,从而使调整管的管压降VCE下降, 从而抵消因IL增加,使输入电压减小的影响。
VI↑→VO↑→VZ↑→IZ↑→IR↑→VR↑→VO↓
图16.02 硅稳压二极管稳压电路
这里VO减小应理解为由于输入电压VI的增加,在 稳压二极管的调节下,使VO的增加没有那么大而已。 VO还是要增加一点的,这是一个有差调节系统。
(2) 当负载电流变化时如何稳压
负载电流IL的增加,必然引起IR的增加,即VR增 加,从而使VZ=VO减小,IZ减小。IZ的减小必然使IR 减小,VR减小,从而使输出电压VO增加。这一稳压过 程可概括如下:
电阻应小于最大稳值压。二即极管在使用时
一能定使R要 它m串 的ax 入 功=限 耗I ZV流 超mImi电 过nin阻 规I, 定VLm不值Zax,
(2) 当输否入则电会压最造大成,损负坏载!电流最小时,流过稳
压二极管的电流最大。此时IZ不应超过IZmax,由此
可计算出稳压电阻的最小值。即
Rmin
=
度上抵消了VI增加对输出电
压的影响。若负载电流IL增
加,R受控制而减小,使VR
减小,从而在一定程度上抵
消了因IL增加,使VI减小,
图图161.60.303串串联联稳压稳电压源电

示意图
对输出电压减小的影响。
在实际电路中,可变电阻R是用一个三极管来替
代的,控制基极电位,从而就控制了三极管的管压降 VCE,VCE相当于VR 。要想输出电压稳定,必须按电压 负反馈电路的模式来构成串联型稳压电路。典型的串 联型稳压电路如图 16.04 所示。它由调整管、放大环 节、比较环节、基准电压源几个部分组成。
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