钛酸钡电学性能简介

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储电荷的能力。利用钛酸钡材料的这一性质可制备电容器
。如多层陶瓷电容器、埋入式电容器等。
多层陶瓷电容器是一种重要的电子元器件。它具有高电容密度从而 使得芯片小型化,广泛应用于信息、军工、移动通讯等行业。钛酸 钡是目前主流的制备多层陶瓷电容器的介质材料,被誉为“电子陶 瓷工业的支柱”。
埋入式电容器的电介质材料要求具有高的介电常数、低的介 电损耗、好的加工性能和低廉的价格。钛酸钡是很合适的 材料。
钛酸钡的压电性
压电性是固体具有由施加应力产生额外电荷的性能。如果晶体无
对称中心,则这种外加压力将使电荷分布有变化,产生偶极矩,产
生压电效应。钙钛矿型晶胞结构钛酸钡陶瓷材料是目前应用最为广
泛的压电陶瓷,主要用于制造换能器(水声、电声、超声)、陶瓷滤
波器、电光器件、陶瓷变压器以及高压发生器等。
钛酸钡的热释电性
钛酸钡晶体电畴结构
四方钛酸钡晶体电畴结构示意图
偏光显微镜观察的电畴
晶片的不同区域在不同位置消光,那么就表示这些不同的 区域包含有不同极轴方向的畴。
电滞回线是电畴 在外电场作用下 运动的宏观描述
钛酸钡铁电性的应用
钛酸钡具有铁电性,常用作信息存储、光记忆、图
像显示、全息照相器件、制造介质放大器、脉冲发生
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由于温度的变化,钛酸钡晶体会出现结构上的电荷中心相对位移,
使它们的自发极化强度发生变化,从而在晶体两端产生异号的束缚电
荷,这种现象称为热释电效应。在钛酸盐材料中,钛酸钡是最早发现
的具有热释电性的材料。 近年来被广泛用于制造红外传感器,与光
子传感器相比,它不会发生任何类型的辐射、传感效果好,在红外
探测方面开始表现出快效应、高灵敏、宽光谱等优点。
在居里点120 ℃以下,钛酸钡中的钛离子从原来的平衡位置沿(001 )方向位移,变成四角晶系结构

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热运动能量减少,某些热运动能量较低的钛离子, 就不足以克服钛离子位移后 Ti-O 间形成的内电场作 用,而向着某个氧离子(如c轴方向的氧离子靠近) ,产生自发位移,产生自发极化

如果周围晶胞中钛离子的热运动能量较低,这种自 发位移就会波及到周围晶胞中所有的钛离子,使它们 同时沿着同一方向发生位移,这种极化波及相邻的晶 格,形成一个自发极化的小区域,即电畴
器、稳压器、频率调制、开关等。
钛酸钡的介电性能
由非自发极化状态→自发极化状态,或由一个自发极化相转变→另 一个自发极化相时,钛酸钡介电性能发生显著变化
①不同温度下,晶格参数有规律地变化
②钛酸钡单晶的介电常数ε与温度T的关系
钛酸钡介电性能的应用
钛酸钡功能材料是介电体,有较高的介电常数,有很强的存
钛酸钡的结构与性能
钛酸钡的物理性质
化学式:BaTiO3 分子量:233.1922 外观:白色粉末或透明晶体 溶解性:难溶于水,可溶于浓硫酸、盐酸及氢氟酸 熔点:1618℃
钛酸钡陶瓷主要特性
①铁电性 ②介电性
③热释电性
④压电性
钛酸钡晶体结构
不同温度下钛酸钡的晶胞形状
钛酸钡自发极化的微观机理
在居里温度(120℃)以上: 立方晶格常数: a = 0.40 nm r(Ba2+)= 1.43 Å r(O2-)=1.32 Å r(Ti4+)= 0.64 Å • 钛-氧离子间距为2.005 Å r(Ti4+)+ r(O2-)=1.96 Å,晶格中 的氧八面体的空隙比钛离子大,允许钛离子向6个O2-中的任何一个 移动 • 在120℃以上,Ti4+的热运动较大,足以破坏Ti4+位移后所形成的 内电场对Ti4+的定向位移效应;平均来说,八面体中央的Ti4+向周围 六个O2-靠近的几率相同,并不会稳定地偏向某一个O2-,故不会形成 自发极化
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