晶闸管及其电路
晶闸管及其整流电路(精)
第六节晶闸管及其整流电路晶闸管又称可控硅,是目前半导体器件从弱电进入强电领域,制造技术最成熟、应用最广泛的器件之一。
晶闸管分普通晶闸管和特种晶闸管,特种晶闸管有快速晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管等,人们所说的晶闸管是指普通型晶闸管。
一、晶闸管的外形、结构和符号晶闸管由三个PN结和四层半导体材料组成。
晶闸管的三个电极分别为阳极(A)、阴极(K)、控制极(G)。
三个PN结分别为J1、J2和J3。
晶闸管的符号与二极管相似,只是在其阴极处增加一个控制极,表明其导通的条件除了和二极管一样需要正向偏置的电压外,还需另外增加一个条件,那就是要有控制信号。
二、晶闸管的工作原理晶闸管可以理解为一个受控制的二极管,它也具有单向导电性,不同之处是除了应具有阳极与阴极之间的正向偏置电压外,还必须给控制极加一个足够大的控制电压,在这个控制电压作用下,晶闸管就会像二极管一样导通了,一旦晶闸管导通,控制电压即使取消,也不会影响其正向导通的工作状态。
晶闸管工作原理可用如图所示的实验电路验证。
图(a)所示为晶闸管反向偏置情况,无论是否给控制极加电压,都无法使晶闸管导通,灯泡不发光。
图(b )所示为晶闸管加正向偏置电压,阳极A 接高电位,阴极K 接低电位,但控制极G 没有接任何电压,晶闸管仍然处于关断状态,串联的灯泡不发光。
图(c )所示为晶闸管加正向偏置电压的基础上,给控制极G 加一个幅度和一个宽度都足够大的正电压,此时晶闸管导通,串联的灯泡发光。
图(d )所示为晶闸管导通后,若去掉控制极的电压,晶闸管仍然能保持导通状态,灯泡仍然发光。
综上所述,要使晶闸管由阻断状态变为导通状态,必须在晶闸管上加正向电压的同时,在控制极上加适当的正向触发电压,这样才能使晶闸管导通,一旦晶闸管导通,控制极就失去了控制作用。
要注意的是,晶闸管导通后若阳极电流小于某一个很小的电流I H (称为维持电流)时,晶闸管也会由导通变为截止,一旦晶闸管截止,必须重新触发才能再次导通。
《晶闸管整流电路》课件
电源
实验设备与测试方法
示波器 万用表
测试方法
实验设备与测试方法
使用示波器观察整流电路的输出波形
记录实验数据和波形,以便后续分析
使用万用表测量各点的电压和电流值
调试步骤与注意事项
调试步骤 1. 检查实验设备是否完好,确保电源、导线等正常工作。
2. 根据实验要求连接电路,确保连接正确无误。
启动条件
需要满足一定的电压和电 流条件,以确保晶闸管能 够正常启动。
正常工作过程
电流流向
工作状态
在正常工作状态下,电流从阳极流向 阴极,同时维持一定的电压和电流值 。
晶闸管整流电路处于稳态工作状态时 ,各参数保持恒定,系统稳定运行。
控制方式
通过调节触发信号的相位角,可以控 制输出电压和电流的大小,从而实现 整流功能。
2. 总结实验中的问题和不足之处,提出改进措施 。
THANKS.
电感器
总结词:特性
详细描述:电感器是一种储能元件,具有隔交通直的特 性。在整流电路中,它能够有效地将交流分量转化为磁 场能储存起来并在需要时释放出来。
03
晶闸管整流电路的
工作过程
启动过程
启动方式
通过在阳极和阴极之间施 加正向电压,使晶闸管从 截止状态进入导通状态。
触发信号
在启动过程中,需要施加 一个触发信号,使晶闸管 内部的电子发生跃迁,从 而导通电流。
设计原则与步骤
电路仿真
利用仿真软件对设计的电路进行模拟,验证其性能和可 靠性。
优化改进
根据仿真结果,对电路进行优化和改进,提高其性能和 可靠性。
元件选择与参数计算
1 2
元件选择
根据电路的工作环境和性能要求,选择合适的元 件型号和规格。
第八章晶闸管及应用电路
8.2 晶闸管触发电路
2.其他类型的触发电路 . (1)RC 触发电路 )
特点:简单、成本低。 特点:简单、成本低。
8.2 晶闸管触发电路
(2)晶体管组合触发电路 )
V1、V2:为 NPN 型,只用 C、E 两极。 、 两极。
8.2 晶闸管触发电路
(3)氖管触发电路 )
成本低,氖管可作指示器。 成本低,氖管可作指示器。
(2)导通条件 )
VEE > η VBB + V(VD为 PN 结的正向压降) 结的正向压降) D
8.2 晶闸管触发电路
3.单结晶体管触发电路 . (1)单结晶体管触发脉冲形成电路 ) (2)工作原理 ) 电源接通后, 电源接通后,VBB 通过微调电阻 RP 充电, 和电阻 R1 向电容 C 充电,当单结晶体 管满足导通条件,单结晶体管导通, 管满足导通条件,单结晶体管导通, C 迅速放电, 迅速放电,在电阻 R3 上形成一个很窄 经过一个周期后, 的正脉冲 vb1。 经过一个周期后, 单结 晶体管截止, 晶体管截止,由 VBB 通过微调电阻 RP 充电, 和电阻 R1 向电容 C 充电,重复上述过 程。
8.2 晶闸管触发电路
8.2.1 结单向晶闸管
1.单结晶体管的结构和型号 . (1)结构 ) 三个电极: 三个电极:发射极 E、第一基极、第 、第一基极、 二基极。 二基极。一个 PN 结。 (2)电路符号 ) 发射极箭头指向 B 1 极,表示经 PN 结 的电流只流向 B1 。 (3)外形 )
8.2 晶闸管触发电路
2.双向晶闸管的工作特点 . 特性: 无论加正向电压还是反向电压, 特性:主电极 T1、T2 无论加正向电压还是反向电压, 的触发信号无论是正向还是反向,它都能被“ 其控制极 G 的触发信号无论是正向还是反向,它都能被“触 导通。主电极间电压是交流形式。 发”导通。主电极间电压是交流形式。
晶闸管及其触发电路简介
第一节
b2 Rb2 A Rb1 b1
单结晶体管触发电路
Ue
e
VD
UD
R U b 2 bb U U A bb R R b 1 b 2
P
B
V
ie U
e
b2 b1
Ubb
截止区 负阻区 饱和区
Ue
ie
饱 和 区
Ue达到UV 之后,单结晶体管处于饱和导通状态。
第一节
单结晶体管触发电路
二、单结晶体管自激振荡电路
7
8 7 6 5 4 3 2 1
5
J 0 4 K 0
J 0 4 K 0
C
1
R 10 C
8
8 7 6 5 4 3 2 1
R 11 C
9
8 7 6 5 4 3 2 1
J04 K 0
R
12
( 1~ 6 脚 为 6路 单 脉 冲 输 入 )
1
2
3
4
5
6
7 10
K J041
16 15 14 13 12 11
8
集电极
C集 电 极 a )
栅极
c )
发射极
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
导通关断条件
C
驱动原理与电力MOSFET基 本相同,属于场控器件,通 断由栅射极电压uGE决定。
G
E
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
导通关断条件
C
导通条件:在栅射极间加正 电压UGE。 UGE大于开启电压UGE(th) 时,MOSFET内形成沟道, G 为晶体管提供基极电流, IGBT导通。
V1 4 R2 1 V1 3 V1 5
V1 6 15
5 +15V R2 3
第9章 晶闸管电路及其应用..
二、晶闸管的主要参数
1. 晶闸管的电压参数
(1)正向转折电压UBO(Forward break over voltage)
在额定结温(100A以上为115℃,50A以下为100℃)和门 极开路的条件下,阳极和阴极间加正弦半波正向电压使器件由 阻断状态发生正向转折变成导通状态所对应的电压峰值。
(2)断态重复峰值电压UDRM(Blocking recurrence peak voltage) 指门极开路,晶闸管结温为额定值,允许重复施加在晶 闸管上的正向峰值电压。重复频率为每秒50次,每次持续时 间不大于10ms,其值为 UDRM = UBO—100V
(3)反向转折电压UBR 就是反向击穿电压。 (4)反向重复峰值电压URRM 指门极开路,晶闸管结温为额定值,允许重复施加在晶 闸管上的反向峰值电压。
U M和URRM中较小者,再取相应于标准电压等级 中偏小的电压值作为晶闸管的标称额定电压。在1000V以下, 每100V一个等级;在1000~3000V,则是每200V一个等级。为 了防止工作中的晶闸管遭受瞬态过电压的损害,通常取电压安 全系数为2~3,例如器件在工作电路中可能承受到的最大瞬时 值电压为UTM,则取额定电压UT=(2~3)UTM。 (6)通态正向平均电压UF
流),在不同的门极触发电流IG作用下经不同的转折电压UBO
和负阻区(电流增加,电压减小),到达正向导通状态(低 电压,大电流)。
正向导通特性和一般二要管的正向导通特性一样,门极
触发电流IG越大,转折电压UBO越低。
当IG=0时,晶闸管正向电压UAK增大到转折电压UBO前,器 件处于正向阻断状态,其正向漏电流随UAK电压增高而逐渐增 大,当UAK达到UBO时管子将突然从阻断状态转为导通状态, 导通后器件的特性与整流二极管正向伏安特性相似。 当通入门极电流IG且足够大时,正向转折电压降至极小, 使晶闸管像整流二极管一样,一加上正向阳极电压就导通,这
晶闸管及其应用电路
U RM = 2 3U 2 = 2.45U 2
(3)电路特点 )
优点:较单相整流输出电压大小增大,脉动性减小, 优点:较单相整流输出电压大小增大,脉动性减小,电源平衡性较好 缺点:如直接接电网,会造成电网损耗;如由变压器供电, 缺点:如直接接电网,会造成电网损耗;如由变压器供电,铁芯易发 生直流磁化,使变压器效率降低。 生直流磁化,使变压器效率降低。
G
K阴极 阴极
K
晶闸管的结构
晶闸管的符号
二、晶闸管的工作特性
晶闸管的导电特点: 晶闸管的导电特点:
(1)晶闸管具有单向导电特性 ) (2)晶闸管的导通是通过门极控制的 )
晶闸管导通的条件: 晶闸管导通的条件:
(1)阳极与阴极间加正向电压 ) (2)门极与阴极间加正向电压,这个电压称为触发电压。 )门极与阴极间加正向电压,这个电压称为触发电压。
(2)晶阐管具有“可控”的单向导电特性,所以晶闸管又称单 )晶阐管具有“可控”的单向导电特性, 向可控硅。 向可控硅。 由于门极所需的电压、电流比较低(电路只有几十至几百毫安), 由于门极所需的电压、电流比较低(电路只有几十至几百毫安), 而阳极A与阴极 可承受很大的电压,通过很大的电流( 与阴极K可承受很大的电压 而阳极 与阴极 可承受很大的电压,通过很大的电流(电流可大 到几百安培以上),因此,晶阐管可实现弱电对强电的控制 ),因此 弱电对强电的控制。 到几百安培以上),因此,晶阐管可实现弱电对强电的控制。
t1 t2
α+θ=π
改变α的大小,即可改变输出电压uL的 改变 的大小,即可改变输出电压 的大小 波形。 越大, 越小 越小。 波形。 α 越大,θ越小。
ug 0 t1 t2
θ
α
晶闸管电路及其控制
+ uT -
+
Us
iG
-
+ uL - i ud uR
0 R0
A1 ud
uR q2
q1 p A2
iG
us
0
2p iG
wt wt
uR(t)曲线与线路电流成正比 电感电压uL(t)=us(t)-uR(t)
在a到q1期间,uL(t)为正,电流为:
z为积分
变量
基于晶闸管的相位可控整流与逆变运行
在wt=q1之后,uL(t)
变为负值,电流及与
0 0
A1uuRd
q2
q1 p A2
2p
wt
uR(t)开始下降。
iG 0
us
iG wt
当线路电流下降到零后,下式积分关系无效。
wt=q2时,面积A1等于A2。
R和L串联负载条件下 ,电压us(t)变为负值后,线 路电流仍维持继续导通 。
基于晶闸管的相位可控整流与逆变运行
+ uT - + uL - i
q1
A1ud A2
q2 q3 p q4
i
2p
0 uT
wt wt
0
iG
wt
线路电流变量wt为:
q3时刻,ud(t)=Ed wt=q4时刻,电流下降到零,A1=A2
基于晶闸管的相位可控整流与逆变运行
1.2 晶闸管的门极触发
通过控制晶闸管的触发时刻,即可控制交流电源给负
载提供多少功率。
交流输 入电源
ust
t
控制 角
基于晶闸管的相位可控整流与逆变运行
1.3 Ls≠0时的晶闸管整流器
☞单相全桥整流器
接线图,直流侧电感 + Ls
晶闸管及其触发电路简介
在风电变流器中,晶闸管用于实现风能发电的整流和 逆变。
储能系统
晶闸管在储能系统中用于实现充放电控制和直流交流 转换等功能。
晶闸管与其他电子器件的集成和优化
集成化控制电路
将晶闸管与控制电路集成在一起,实现高效、紧 凑的电力电子系统。
混合式电路
将晶闸管与其他电子器件(如二极管、晶体管等) 混合使用,实现特定功能的电路。
在异常情况下,触发电路可以起 到保护晶闸管的作用,防止其过 热或损坏。
触发电路的种类生脉冲信号触发晶闸管。
晶体管触发电路
利用晶体管的开关特性产生脉冲信号触发晶闸管。
IC集成触发电路
利用集成电路产生脉冲信号触发晶闸管,具有精度高、可靠性高、 体积小等优点。
02
触发电路简介
触发电路的作用
控制晶闸管的导通和关断
触发电路的主要作用是通过提供触发信号来控制晶闸管的 导通和关断,从而实现电路的开关控制。
保证电路的稳定运行
触发电路可以保证晶闸管在适当的时刻导通或关断,从而 保证整个电路的稳定运行,避免因晶闸管误动作而引起的 电路故障。
提高电路的效率
触发电路的设计可以优化晶闸管的导通和关断时间,从而 提高电路的效率,减少能源的浪费。
系统级封装
将多个晶闸管和其他电子器件封装在一个封装内, 实现系统级优化和集成。
感谢观看
THANKS
宽禁带半导体材料的应用
宽禁带半导体材料如硅碳化物和氮化镓具有高临 界击穿电场和高电子饱和速度等优点,应用在晶 闸管中可提高其性能。
智能控制和集成化
将晶闸管与传感器、控制电路等集成在一起,实 现智能控制和集成化,提高系统的可靠性和效率。
晶闸管在新能源领域的应用
第2章 晶闸管三相整流电路
3、数量关系
(1)输出电压平均值 由于ud波形连续,所以计算输出电压Ud时只需一个计算公 式
Ud
1
2 /
3
5 6
6
2U2 sin td (t) 1.17U2 cos
(2)输出电流平均值
Id
1 R
1.17U
α=60º是输出电压波形连续和断续的分界点,输出电压平均 值应分两种情况计算:
(1)α≤60º
Ud
1
/3
2 3
3
2
3U2 sintd (t) 2.34U2 cos 1.35U2L cos
(2)α>60º
Ud
1
/3
3
3
2U2 sin td (t) 2.34U2[1 cos( / 3 )]
三相桥式全控整流电路带电感性负载α =0度时的波形
三相桥式整流电路带电感性负载, α =90度时的波形
2、参数计算
(1) 输出电压平均值
由于 ud波形是连续的,
Ud
1
/3
2 3
3
6U2 sintd(t)
2.34U2 cos 1.35U 2L cos
(2)输出电流平均值
Id
1 R
2.34U 2
三相桥式全控整流电路带电阻负载α=0度时的波形
三相桥式全控整流电路带电阻负载α =60度时的波形
三相桥式全控整流电路带电阻负载α =90度时的波形
三相全控桥式整流电路的工作特点:
(1)任何时候共阴、共阳极组各有一只元件同时导通才能形成 电流通路。
(2)共阴极组晶闸管VT1、VT3、VT5,按相序依次触发导通, 相位互差120º,共阳极组VT2、VT4、VT6,相位相差120º, 同一相的晶闸管相位相差180º。每个晶闸管导通角120º;
电工与电子技术基础课件第七章晶闸管电路
结论 2.晶闸管的导通与关断条件
(1)导通条件
1)阳极加适当的正向电压,即UA>0。 2)门极加适当的正向触发电压,即U G>0。 3)电路参数必须保证晶闸管阳极工作电流大于维 持电流,即IA>IH,维持电流IH是维持晶闸管导通的最 小阳极电流。
(2)关断条件
特点
单相半波可控整流电路具有线路简单,只需要一个晶闸管, 调整也很方便。整流输出的直流电压脉动大、设备利用率不 高等缺点。故只适用于要求不高的小功率整流设备上。
【例7-1】在图7-5a所示电路中,变压器二次电压U2=100V,
当控制角α分别为0º、90º、120º、180º时,负载上的平均电 压是多少?
晶闸管
例如KP10-20表示额定通态平均电流为10A,正反向重复峰值电压为 2000V的普通反向阻断型晶闸管。
五、晶闸管使用注意事项
晶闸管特点:具有体积小、损耗小、无声、控制灵 敏度高等许多优点的半导体变流器件,但它对过流 和过压承受能力比其他电器产品要小得多。
使用时应注意以下几点:
1)在选择晶闸管额定电压、电流时,应留有足够的安 全余量。
1)撤除阳极电压,即UA≤ 0。 2)阳极电流减小到无法维持导通的程度,即IA<IH。 常采用的方法有:降低阳极电压,切断电流或给阳极 加反向电压。
想一想
1)根据晶闸管的结构图7-2a所示,可将其看成是 ( )型和( )型两个晶体三极管的互连。
2)有人说:“晶闸管只要加上正向电压就导通, 加上反向电压就关断,所以晶闸管具有单向导电性 能。”这句话对吗?
第二节 晶闸管可控整流电路
晶闸管可控整流与二极管整流有所不同,它不仅能将 交流电变成直流电,且改变的直流电的大小是可调的、可控的。
晶闸管和可控整流电路
这样循环下去,使两个晶体管迅速进入饱和状态,晶闸管导通。
7
3. 伏安特性 晶闸管的导通和阻断是由阳极和阴极之间的电压UAK、阳极电流IA及
控制极电流IG控制的,IA与UAK之间的关系IA= f (UAK)即为晶闸管的 伏安特性。如图1.3所示。
8
(1)正向特性 当UAK0时,晶闸管承受正向电压,若控制极不加电压,即IG=0,
15
(2)反向特性 晶闸管的反向特性与二极管类似。当UAK 0时,晶闸管承受反向
电压,处于阻断状态,只流过很小的反向漏电流,当反向电压UAK数 值增大到UBR时,晶闸管反向击穿,反向电流剧增,UBR称为反向击 穿电压。
9
4. 主要参数
为了合理地选择和正确地使用晶闸管,有必要了解晶闸管主要
参数的意义。
(4)反向重复峰值电压URRM 在晶闸管控制极开路时,可以重复加在晶闸管上的反向峰值电压。
URRM为UBR的80%。
11
1.2 可控整流电路
在桥式整流电路中,若整流管由晶闸管组成即构成可控整流电路。如 果整流管全部采用晶闸管,则组成单相桥式全控整流电路,如图1.4 所示。若只采用两只晶闸管,另外两只用整流二极管,则组成图1.5 所示的是单相桥式半控整流电路。
若UGK0且为某一适当的数值,则满足T1和T2的发射结正偏置,集电
结反偏置,这时T1和T2均导通,UGK产生控制极电流IG,为T2提供基
极电流IB2,IB2经T2放大后形成集电极电流IC2,IC2=2IB2,IC2就是
T1的基极电流IB1,IB1经T1放大后形成较大的集电极电流IC1,故
IC1=1IB1=12IB2,IC1又流入T2的基极再一次放大,形成正反馈,
3
1.1 晶闸管 晶闸管的种类很多,除普通型晶闸管外,还有双向型、逆导型、
常见晶闸管的原理与运用
(一)普通晶闸管普通晶闸管(SCR)是由PNPN四层半导体材料构成的三端半导体器件,三个引出端分另为阳极A、阴极K和门极G、图8-4是其电路图形符号。
普通晶闸管的阳极与阴极之间具有单向导电的性能,其内部可以等效为由一只PNP晶闸管和一只NPN晶闸管组成的组合管,如图8-5所示。
当晶闸管反向连接(即A极接电源负端,K极接电源正端)时,无论门极G 所加电压是什么极性,晶闸管均处于阻断状态。
当晶闸管正向连接(即A极接电源正端,K极接电源负端)时,若门极G所加触发电压为负时,则晶闸管也不导通,只有其门极G加上适当的正向触发电压时,晶闸管才能由阻断状态变为导通状态。
此时,晶闸管阳极A极与阴极K极之间呈低阻导通状态,A、K 极之间压降约为1V。
普通晶闸管受触发导通后,其门极G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K 之间仍保持正向电压,晶闸管将维持低阻导通状态。
只有把阳极A电压撤除或阳极A、阴极K之间电压极性发生改变(如交流过零)时,普通晶闸管才由低阻导通状态转换为高阻阻断状态。
普通晶闸管一旦阻断,即使其阳极A与阴极K之间又重新加上正向电压,仍需在门极G和阴极K之间重新加上正向触发电压后方可导通。
普通晶闸管的导通与阻断状态相当于开关的闭合和断开状态,用它可以制成无触点电子开关,去控制直流电源电路。
(二)双向晶闸管双向晶闸管(TRIAC)是由NPNPN五层半导体材料构成的,相当于两只普通晶闸管反相并联,它也有三个电极,分别是主电极T1、主电极T2和门极G。
图8-6是双向晶闸管的结构和等效电路,图8-7是其电路图形符号。
双向晶闸管可以双向导通,即门极加上正或负的触发电压,均能触发双向晶闸管正、反两个方向导通。
图8-8是其触发状态。
当门极G和主电极T2相对于主电极T1的电压为正(V T2>V T1、V G>V T1)或门极G和主电极T1相对于主电极T2的电压为负(V T1<V T2、V G<V T2)时,晶闸管的导通方向为T2→T1此时T2为阳极,T1为阴极。
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