SiC功率器件产品选型手册

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碳化硅功率器件最大频率

碳化硅（SiC）功率器件因其高电子迁移率、高击穿电压、高热稳定性和低损耗等特性而在高频、高功率应用中表现出优异的性能。

这些特性使得SiC器件能够在高频率下工作，从而提高电力转换效率，降低系统尺寸和重量，减少能源消耗。

碳化硅功率器件的最大工作频率取决于多个因素，包括器件的设计、制造工艺、材料质量、电路设计和应用条件等。

一般来说，SiC器件可以工作的频率范围远高于传统的硅（Si）功率器件。

对于特定的SiC器件，其最大工作频率可能在几百kHz到几MHz之间，甚至更高。

例如，对于SiC肖特基二极管（SiC Schottky Diode），其开关速度可以达到几百kHz甚至更高，这使得它们非常适合用于高频开关应用，如可再生能源、电动汽车、高频通信和工业自动化等。

而对于SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET），其开关速度通常较低，可能在几十kHz到几MHz之间，但它们仍然比传统的Si MOSFET具有更高的开关频率能力。

实际应用中，除了器件本身的物理特性，电路设计、驱动电路、散热条件等因素也会限制器件的实际工作频率。

因此，确定SiC功率器件的最大工作频率时，需要考虑这些综合因素。

sic437规格书

sic437规格书SIC437规格书是指由美国半导体工业协会（SIA）和欧洲电子元器件工业协会（EECA）共同制定的半导体产品的标准规范。

该规格书的制定旨在规范半导体产品的设计、生产、测试和质量控制等方面的标准，以确保半导体产品的性能和质量达到了一定的水平，同时也方便半导体相关行业企业的生产和管理。

具体而言，SIC437规格书包括了以下内容：1.产品类型：此规范适用于单晶硅、多晶硅、氮化硅等材料生产的半导体知识产权产品，例如集成电路、光电器件、功率半导体等。

2.产品特性：该规范对半导体产品的电气和物理特性进行了严格的规定，例如工作电压、电流、功率、温度范围、封装方式、尺寸等。

3.测试规范：该规范对半导体产品的测试方法和测试环节进行了规定，包括测试设备、测试方式、测试流程、测试结果分析等。

4.质量标准：该规范对半导体产品的生产过程和质量进行了详细的规范，包括原材料的选择、生产工艺的规范、质量控制流程等，以确保产品的质量稳定和可靠。

5.其他：该规范还包括了一些其他的工业标准，例如耐受性规范、环境适应性规范、封装标准等，以保证半导体产品的可靠性和性能稳定性。

SIC437规格书对于半导体相关企业和行业来说非常重要，它不仅规范了产品的设计和生产过程，提高了产品的质量和稳定性，也为行业间的交流和合作提供了一个标准的基础。

同时，在国际贸易中，也可以作为一项交流和合作的重要工具，为企业之间的商业合作提供更为通畅的环境。

总之，SIC437规格书的制定凝聚了国际半导体行业的智慧和努力，它的出现标志着半导体行业产品标准化的进一步发展和提高，对于半导体企业和相关行业的可持续发展有着积极的推动作用。

碳化硅sbd规格书导读

碳化硅sbd规格书导读一、引言随着科技的飞速发展，碳化硅(SiC)半导体材料因其卓越的性能逐渐成为业界关注的焦点。

其中，碳化硅肖特基二极管（SBD）在电子行业中的应用越来越广泛。

本文将为大家详细解读碳化硅SBD规格书，帮助大家更好地了解这一材料及其应用。

二、碳化硅SBD简介1.碳化硅材料特点碳化硅（SiC）具有良好的导电性能、高热导率、高击穿电压、低导通电阻等特点。

这些特性使得碳化硅器件在高温、高功率、高压等应用场景下具有优越的性能。

2.SBD结构和工作原理碳化硅SBD的结构类似于普通肖特基二极管，由n型碳化硅基片、p型碳化硅层和n+型碳化硅接触层组成。

其工作原理是利用p型层与n型层之间的PN结，实现电子与空穴的复合，从而实现电流的流动。

三、碳化硅SBD规格书主要内容1.参数分类碳化硅SBD规格书主要包括以下参数：- 正向电压（V Forward）- 反向电压（V Reverse）- 漏极电流（ID）- 开关速度（ts）- 热阻（Rth）- 寿命（Tb）2.参数解读通过对这些参数的解读，可以了解到碳化硅SBD的电气特性、热性能等方面的信息，为器件选型和应用提供依据。

3.应用场景和建议碳化硅SBD规格书还会给出推荐的应用场景和注意事项，帮助用户正确选用合适的碳化硅SBD。

四、碳化硅SBD在电子行业的应用1.电源管理碳化硅SBD在电源管理领域具有很高的潜力，可以应用于开关电源、直流-直流转换器、充电器等场景，提高能源转换效率。

2.电动汽车碳化硅SBD在电动汽车中的应用主要包括电池保护、电机控制、充电系统等，有助于减小系统体积、降低能耗。

3.工业控制碳化硅SBD在工业控制领域可应用于变频器、逆变器等高压、高功率场景，提高系统性能。

五、碳化硅SBD的未来发展趋势随着碳化硅材料制备技术的不断进步，碳化硅SBD的成本将逐步降低，性能将进一步提高。

在未来，碳化硅SBD在电子、能源、交通等领域具有广阔的应用前景。

MSCSM120TAM11CTPAG 三相三导线SiC MOSFET电源模块说明书

MSCSM120TAM11CTPAGDatasheet Triple Phase Leg SiC MOSFET Power ModuleJanuary2020ContentsRevision History (1)1.1Revision 1.0 (1)Product Overview (2)2.1Features..............................................................................................................................................................32.2Benefits...............................................................................................................................................................32.3Applications.. (3)Electrical Specification (4)3.1SiC MOSFET Characteristics (Per MOSFET).........................................................................................................43.2Reverse SiC Diode Ratings and Characteristics (Per SiC Diode)..........................................................................63.3Thermal and Package Characteristics.................................................................................................................63.4Typical SiC MOSFET Performance Curves...........................................................................................................83.5Typical SiC Diode Performance Curves. (11)Package Specifications (12)4.1Package Outline Drawing (12)Contents1Revision HistoryThe revision history describes the changes that were implemented in the document.The changes are listed by revision,starting with the most current publication.1.1Revision 1.0Revision 1.0was published in January 2020.It is the first publication of this document.Revision HistoryThe MSCSM120TAM11CTPAG device is a3phase leg1200V/251A full Silicon Carbide(SiC)power module.Figure1•MSCSM120TAM11CTPAG Electrical SchematicFigure2•MSCSM120TAM11CTPAG Pinout LocationAll ratings at T J=25°C,unless otherwise specified.Caution:These devices are sensitive to electrostatic discharge.Proper handling procedures should befollowed.2.1FeaturesThe following are key features of the MSCSM120TAM11CTPAG device:•SiC Power MOSFET◦Low R DS(on)◦High temperature performance•SiC Schottky Diode◦Zero reverse recovery◦Zero forward recovery◦Temperature Independent switching behavior◦Positive temperature coefficient on VF•Very low stray inductance•Internal thermistor for temperature monitoring•Aluminum nitride(AlN)substrate for improved thermal performance 2.2BenefitsThe following are benefits of the MSCSM120TAM11CTPAG device:•High power and efficient converters and inverters•Outstanding performance at high frequency operation•Direct mounting to heatsink(isolated package)•Low junction-to-case thermal resistance•Solderable terminals for power and signal,for easy PCB mounting•Low profile•RoHS compliant2.3ApplicationsThe MSCSM120TAM11CTPAG device is designed for the following applications:•Uninterruptible power supplies•Switched Mode power supplies•EV motor and traction drive•Welding converters3Electrical SpecificationsThis section shows the electrical specifications of the MSCSM120TAM11CTPAG device.3.1SiC MOSFET Characteristics (Per MOSFET)The following table shows the absolute maximum ratings per MOSFET of the MSCSM120TAM11CTPAG device.Table 1•Absolute Maximum RatingsUnit Max Ratings ParameterSymbol V 1200Drain-source voltage V DSS A2511T C =25°C Continuous drain currentI D2001T C =80°C500Pulsed drain current I DM V –10/25Gate-source voltage V GS mΩ10.4Drain-source ON resistance R DSon W 1042T C =25°CPower dissipationP DNote:1.Specification of SiC MOSFET device,but output current must be limited due to size of power connectors.The following table shows the electrical characteristics per MOSFET of the MSCSM120TAM11CTPAG device.Table 2•Electrical CharacteristicsUnit Max Typ MinTest Conditions CharacteristicSymbol µA 30030V GS =0V;V DS =1200V Zero gate voltage drain current I DSS mΩ10.48.4T J =25°C V GS =20V I D =120ADrain-source on resistanceR DS(on)13.4T J =175°CV 2.81.8V GS =V DS ,I D =3mA Gate threshold voltage V GS(th)nA300V GS =20V,V DS =0VGate-source leakage currentI GSSThe following table shows the dynamic characteristics per MOSFET of the MSCSM120TAM11CTPAG device.Table 3•Dynamic CharacteristicsUnit MaxTyp MinTest Conditions Characteristic Symbol pF9060V GS =0V V DS =1000V Input capacitance C iss 810Output capacitance C oss f =1MHz75Reverse transfer capacitance C rss nC696V GS =–5V/20V V Bus =800V Total gate charge Q g 123Gate-source charge Q gs I D =120A 150Gate-drain charge Q gd ns 30V GS =–5V/20V V Bus =600V Turn-on delay time T d(on)30Rise time T r I D =150A50Turn-off delay time T d(off)R Gon =2.7Ω;R Goff =1.6Ω25Fall time T f mJ 3.0T J =150°C Inductive switching V GS =–5V/20V Turn on energy E on mJ 2.0T J =150°CTurn off energyE offV Bus =600V I D =150A R Gon =2.7ΩR Goff =1.6ΩΩ2.0Internal gate resistanceR Gint °C/W0.144Junction-to-case thermal resistanceR thJCThe following table shows the body diode ratings and characteristics per MOSFET of the MSCSM120TAM11CTPAG device.Table 4•Body Diode Ratings and CharacteristicsUnit MaxTyp MinTest Conditions Characteristic Symbol V4.0V GS =0V;I SD =120A Diode forward voltageV SD4.2V GS =–5V ;I SD =120Ans 90I SD =120A;V GS =–5V V R =800V;d iF /dt =3000A/μsReverse recovery time t rr nC 1650Reverse recovery charge Q rr A40.5Reverse recovery currentI rr3.2Reverse SiC Diode Ratings and Characteristics(Per SiC Diode)The following table shows the SiC diode ratings and characteristics per SiC diode of theMSCSM120TAM11CTPAG device.Table5•Reverse SiC Diode Ratings and Characteristics(per SiC diode)CharacteristicSymbolTest ConditionsTypMaxMinUnit V RRMV Peak repetitive reverse voltage1200Reverse leakage currentI RMV R=1200VT J=25°CμA40015250T J=175°CAI FDC forward current50T C=100°CI F=50AV FDiode forward voltageV1.81.5T J=25°C2.1T J=175°CQcTotal capacitive chargenCV R=600V224Total capacitanceCpF246f=1MHz,V R=400V182f=1MHz,V R=800VR thJC0.573Junction-to-case thermal resistance°C/W 3.3Thermal and Package CharacteristicsThe following table shows the package characteristics of the MSCSM120TAM11CTPAG device.Table6•Package CharacteristicsMaxUnit SymbolCharacteristicMinV ISOLV RMS isolation voltage,any terminal to case t=1min,50Hz/60Hz4000Operating junction temperature rangeT J–40°C175Recommended junction temperature under switching conditionsT JOP–40T Jmax–25 T STGStorage temperature range–40125 T COperating case temperature–40125To heatsinkTorqueMounting torqueN.mM653Wtg250Package weightThe following table shows the temperature sensor NTC(see application note APT0406on)of the MSCSM120TAM11CTPAG device.Table7•Temperature Sensor NTCSymbolCharacteristicTypMaxMinUnit Resistance at25°CR2550kΩ∆R25/R255% B25/85T25=298.15K3952K∆B/BT C=100°C4%3.4Typical SiC MOSFET Performance CurvesThis section shows the typical SiC MOSFET performance curves of the MSCSM120TAM11CTPAG device.Figure3•Maximum Thermal ImpedanceFigure4•Output Characteristics,T J=25°CFigure6•Normalized R DS(on)vs.TemperatureFigure8•Switching Energy vs.Rg Figure9•Switching Energy vs.CurrentFigure10•Capacitance vs.Drain Source VoltageFigure12•Body Diode Characteristics,T J=25°C°CFigure16•Operating Frequency vs.Drain Current3.5Typical SiC Diode Performance CurvesThis sections shows the typical SiC diode performance curves of the MSCSM120TAM11CTPAG device.Figure17•Maximum Thermal ImpedanceFigure18•Forward CharacteristicsThis section shows the package specification of the MSCSM120TAM11CTPAG device.4.1Package Outline DrawingThe following figure illustrates the package outline of the MSCSM120TAM11CTPAG device.The dimensionsin the following figure are in millimeters.Figure20•Package Outline Drawingat .Microsemi's product warranty is set forth in Microsemi's Sales Order Terms and rmation contained in this publication is provided for the sole purpose of designing with and using Microsemi rmation regarding device applications and the like is provided only for your convenience and may be superseded by updates.Buyer shall not rely on any data and performance specifications or parameters provided by Microsemi.It is your responsibility to ensure that your application meets with your specifications.THIS INFORMATION IS PROVIDED "AS IS."MICROSEMI MAKES NO REPRESENTATIONS OR WARRANTIES OF ANY KIND WHETHER EXPRESS OR IMPLIED,WRITTEN OR 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Microsemi intellectual property rights unless otherwisestated.Microsemi2355W.Chandler Blvd.Chandler,AZ 85224USAWithin the USA:+1(480)792-7200Fax:+1(480)792-7277 ©2020Microsemi andits corporate affiliates.All rights reserved.Microsemi and the Microsemi logo aretrademarks of Microsemi Corporation and itscorporate affiliates.All other trademarks andservice marks are the property of theirrespective owners.Microsemi Corporation,a subsidiary of Microchip Technology Inc.(Nasdaq:MCHP),and its corporate affiliates are leading providers of smart,connected and secure embedded control solutions.Their easy-to-use development tools and comprehensive product portfolio enable customers to create optimal designs which reduce risk while lowering total system cost and time to market.These solutions serve more than 120,000customers across the industrial,automotive,consumer,aerospace and defense,communications and computing markets.Headquartered in Chandler,Arizona,the company offers outstanding technical support along with dependable delivery and quality.Learn more at .MSCC-0344-DS-01064-1.0-0120Legal。

sicmos栅极电阻选型标准

sicmos栅极电阻选型标准摘要：I.前言- 栅极电阻在SiCmos 器件中的重要性II.SiCmos 栅极电阻选型标准1.电阻值选择- 影响电阻值的参数- 电阻值的选择方法2.功率处理能力- 决定因素- 选型建议3.工作温度- 温度对电阻性能的影响- 选型建议4.封装选择- 常见封装类型- 选型建议III.总结- 栅极电阻选型的关键要点- 未来发展趋势正文：I.前言栅极电阻在SiCmos 器件中具有至关重要的作用。

作为功率半导体器件的关键组成部分，栅极电阻对器件的性能和可靠性具有重要影响。

因此，在选择SiCmos 栅极电阻时，必须依据一定的选型标准以保证器件的性能和可靠性。

II.SiCmos 栅极电阻选型标准1.电阻值选择电阻值是SiCmos 栅极电阻选型的关键参数。

电阻值的选择需考虑多种因素，如器件的额定电压、电流，以及控制电路的驱动能力等。

合适的电阻值应保证在正常工作条件下，驱动电流足够大，从而使得器件能可靠地工作。

2.功率处理能力SiCmos 栅极电阻需要承受较高的功率处理能力。

这一参数主要由电阻材料、电阻值和额定电压决定。

在选型时，应确保所选电阻器的功率处理能力不低于器件的最大功率需求，以防止因过载导致的损坏。

3.工作温度工作温度对SiCmos 栅极电阻的性能具有重要影响。

高温环境可能导致电阻性能降低，影响器件的工作可靠性。

因此，在选型时，应充分考虑电阻器的工作温度范围，确保其在器件的工作温度范围内能稳定工作。

4.封装选择合适的封装形式对于SiCmos 栅极电阻的性能和可靠性同样重要。

常见的封装类型有贴片式、插件式等。

在选型时，应根据实际应用需求和安装条件选择合适的封装形式。

III.总结SiCmos 栅极电阻的选型是器件设计和应用过程中的关键环节。

合理的选型能够保证器件的性能和可靠性，提高整个系统的稳定性和安全性。

在选型过程中，需综合考虑电阻值、功率处理能力、工作温度和封装形式等因素，确保所选电阻器满足实际应用需求。

sic功率器件应用场景

标题：应用场景：SIC功率器件SIC（碳化硅）功率器件是一种新型的半导体功率器件，具有许多优点，如高温稳定性、高频操作能力和低开关损耗等。

由于这些独特的特性，SIC功率器件在许多领域都有广泛的应用。

以下是一些常见的SIC功率器件应用场景：1.工业领域： SIC功率器件在工业领域中的应用非常广泛。

例如，它们可以用于驱动电机和控制电流的变频器。

由于SIC器件具有高温稳定性和高频操作能力，它们在高温和高频环境下可以提供更高的效率和更好的性能。

此外，SIC器件还可以用于工业照明系统和电力传输设备等高功率应用。

2.电动车和混合动力车：由于SIC功率器件具有低开关损耗和高温稳定性，它们在电动车和混合动力车中的应用越来越受到重视。

SIC器件可以提高电动车系统的效率并延长电池寿命。

此外，SIC器件还可以减小电动车的体积和重量，提高整体性能。

3.新能源发电：在新能源发电领域，如风能和太阳能发电中，SIC功率器件也有广泛的应用。

SIC器件可以提高能量转换效率，减少能量损失。

此外，由于SIC器件的高温稳定性，它们可以在高温环境下运行，适应太阳能发电板和风力发电机等设备的工作条件。

4.航空航天和国防领域：在航空航天和国防领域，对高温和高频操作能力的需求非常高。

SIC功率器件可以满足这些需求，并提供更高的性能和可靠性。

它们可以用于飞机和导弹的电力系统，提供更高的功率密度和更好的热管理。

5.医疗设备： SIC功率器件还可以在医疗设备中得到应用。

例如，它们可以用于高频电切和电凝手术仪器，提供更高的精确性和效率。

此外，SIC器件还可以用于医疗成像设备和激光治疗系统等高功率应用。

总结： SIC功率器件在工业、电动车、新能源发电、航空航天和国防、医疗设备等领域都有广泛的应用。

它们的高温稳定性、高频操作能力和低开关损耗等特点使其成为许多应用场景的理想选择。

随着技术的不断发展，SIC功率器件的应用前景将继续扩大。

sic mosfet 器件手册解读

一、SIC MOSFET器件简介1. 介绍SIC MOSFET器件的基本结构和工作原理2. 分析SIC MOSFET器件的优势和应用领域二、SIC MOSFET器件的性能参数解读1. 主要包括导通特性、开关特性、静态特性和动态特性等方面的参数2. 对每个性能参数进行详细解读和分析三、SIC MOSFET器件的设计与制造工艺1. 介绍SIC MOSFET器件的设计流程和关键技术2. 分析SIC MOSFET器件的制造工艺及其对器件性能的影响四、SIC MOSFET器件在电力电子领域的应用1. 分析SIC MOSFET器件在变流器、逆变器、充电桩等领域的应用2. 探讨SIC MOSFET器件在电力电子领域的发展趋势五、SIC MOSFET器件的可靠性与封装技术1. 分析SIC MOSFET器件的可靠性测试技术和参数2. 探讨SIC MOSFET器件的封装技术及其对器件可靠性的影响六、SIC MOSFET器件的市场前景与发展趋势1. 分析SIC MOSFET器件在全球范围内的市场占有率和竞争态势2. 探讨SIC MOSFET器件的未来发展趋势和发展方向七、结语总结SIC MOSFET器件的特点和优势，展望其在未来的应用前景。

一、SIC MOSFET器件简介SIC MOSFET器件是一种新型的金属氧化物半导体场效应晶体管，基于碳化硅（SiC）材料制造。

相比传统的硅基MOSFET器件，SIC MOSFET器件具有更低的导通损耗、更快的开关速度、更高的工作温度和更好的耐压性能，适用于高压高温环境下的电力电子系统和射频功率放大器。

SIC MOSFET器件的工作原理是通过控制栅极电压来控制漏极电流，因而在电力电子领域有着广泛的应用前景。

SIC MOSFET器件的优势主要表现在以下几个方面：SIC MOSFET器件的导通损耗较低，能够显著降低功率器件在工作状态下的热量损失，提高整体功率系统的效率。

SIC MOSFET器件的开关速度非常快，开启和关闭时间短，这对于电路的稳定性和响应速度都有着显著的提升。

SiC系列产品选型指南肖特基二极管和MOSFET说明书

Schottky Diodes and MOSFETsNovel SiC Products Selection GuideSpecifications are subject to change without notice.The data indicated herein describe types of components and shall not be considered as assured characteristics.The products listed in this catalog are not recommended for use in life support systems where a failure or malfunction of the component may directly threaten life or cause injury.The user of products in such applications shall assume all risks of such use and will agree to hold Bruckewell Technology Co LTD and all the companies whose products are represented in this catalog, harmless against all damages.© 2021 Bruckewell Technology Co LTD.All Rights Reserved.Specifications subject to change without notice.Schottky Diodes and MOSFETsIn the recent decades, the Silicon carbide (SiC), turned out to be an excellent semiconductor material. Composed of carbon and silicon, and used in power applications in which it showed excellent performance,far superior to those of silicon.Significant progress has been made in the field of the semiconductor industry, in which the technologies forthe processing of silicon carbide have become increasingly more sophisticated, and have produced semiconductor devices with excellent performance.In the facts those devices during the applications have shown a remarkable capacity to reduce losses and ahigh switching speed in comparison to that offered by silicon. The use of silicon carbide (SiC) as a semiconductor begins to expand into multiple applications and always proves to be more and more the candidate to replace silicon in the most important applications such as automotive and E-Bike motor control.For these reasons, Bruckewell Semi decided to launch the production of the SiC Products, including the SiC Schottky Diode and SiC MOSFET, support the 650V to 1200V, and give the opportunity to its customers totake advantage of the benefits that the products offer in the SiC high-voltage power applications.Present our SiC products line as belowSMD PackageAmp DFN3X3 DFN5X6 TO-277 DFN 8X8 TO-252(DPak) TO-263(D2Pak)4 CBR04P65D6 CBR06P65HL CBR06P65D8 CBR08P65HL CBR08P65D10 CBR10P65HM CBR10P65SCBR10120SCBR10P65HLCBR10P65DCBR10120D20 CBR20120S30 CBR30120H CBR30120S40DFN 3X3 is unique package and CBR10P65HM is first smallest SiC SBD Diode in the industry.TO-277 has same foot print with TO-252 (DPak), and has better thermal performance.Through Hole PackageAmp TO-220AC TO-220AB TO-247 TO-247 (Dual Die)4 CBR04P656 CBR06P658 CBR08P6510 CBR10P65CBR10120 CBR10120PCBR10120W20 CBR20P65CBR20120CBR20P65PCCBR20120PCBR20P65WCBR20120WCBR20P65WCCBR20120WC30 CBR30120W40 CBR40P65WC CBR40120WCSchottky Diodes and MOSFETsPart NomenclatureExample: CBR20P65PC CBR SiC Barrier RectifierCMS SiC MOSFET20 IF, Forward current, as 20AP65 Breakdown Voltage, as P65=650V, 120=1200VPC Package CodeBlank: TO-220AC-2LP: TO-220ABPC: TO-220AB, Dual Die D: TO-252-2L, DPAKW: TO-247-2LWC: TO-247-3L, Dual Die WU: TO-247-3L, Single Die S: TO-277A: SMA, B: SMB, C: SMC B: TO-263, D2PAKH: DFN5x6HM: DFN3x3HL: DFN8x8When the diodes are used simultaneously:ΔTj(diode1) = P(diode1) x Rth(j-c) (per diode) + P(diode2) x Rth(c)To evaluate the conduction losses use the following equation:P = 1.35 x IF(AV) + 0.144 x IF2(RMS)Schottky Diodes and MOSFETsComparison with industry supplier-TO-220AC/ABAmpBruckewellST-MicroInfineonTO-220ACTO-220ABTO-220ACTO-220ABTO-220AC TO-220AB2 IDH02G65C5IDH02G120C53 IDH03SG60C IDH03G65C5 4CBR04P65IDH04SG60C IDH04G65C55 IDH05SG60C IDH05G65C5 IDH05G120C56 CBR06P65 STPSC6TH13TI IDH06SG60C IDH06G65C58 CBR08P65STPSC8TH13TI STPSC8H065CIDH08SG60C IDH08G65C5 IDH08G120C5 9IDH09SG60C IDH09G65C510CBR10P65 CBR10120CBR10120PSTPSC10H065D STPSC10H12D STPSC10TH13TIIDH10SG60CIDH10G65C5 IDH10G120C512 STPSC12065 STPSC1206 STPSC12H065CIDH12SG60C IDH12G65C515 STPSC15H1216STPSC16H065C IDH16G65C5IDH16G120C520CBR20P65 CBR20120CBR20P65PC CBR20120PSTPSC20065D STPSC20H12DSTPSC20H065CIDH20G65C5 IDH20G120C5Note:The suffix C5 in the Infineon Parts means the CoolSiC™ 5G, others are CoolSiC™ 3GSchottky Diodes and MOSFETsComparison with Japan suppliers-TO-220AC/ABAmpBruckewell Rohm Toshiba TO-220AC TO-220AB TO-220AC ITO-220AC TO-220AC ITO-220AC4 CBR04P65 SCS304AP TRS4E65F TRS4A65F5 SCS205KG6 CBR06P65 SCS306APSCS206AGSCS206AM TRS6E65F TRS6A65F8 CBR08P65 SCS308APSCS208AGSCS208AM TRS8E65F TRS8A65F10 CBR10P65CBR10120 CBR10120PSCS310APSCS210AGSCS210KGSCS210AM TRS10E65F TRS10A65F12 SCS212AG SCS212AM15 SCS215AGSCS215KGSCS215AM20 CBR20P65CBR20120CBR20P65PCCBR20120PSCS220AGSCS220KGSCS220AMNote:The suffix of Rohm Parts means the breakdown voltage, A means 650V, K means 1200VSchottky Diodes and MOSFETsComparison with industry supplier-TO-247 Single/ Dual DieAmpBruckewellST-MicroInfineonTO-247 TO-247 DualTO-247TO-247 DualTO-247TO-247 Dual 10 CBR10120WIDW10G65C5 IDW10G120C5B 20 CBR20P65W CBR20120W CBR20P65WC CBR20120WC STPSC20065WSTPSC20H065CWIDW20G65C5IDW20G65C5B IDW20G120C5B12 IDW12G65C515IDW15G120C5B16 IDW16G65C524IDW24G65C5B 30 CBR30120WIDW30G65C5IDW30G120C5B 32IDW32G65C5B 40CBR40120WCSTPSC40065CWIDW40G65C5IDW40G65C5B IDW40G120C5BComparison with Japan suppliers-TO-247 Single/ Dual DieAmpBruckewellRohmFuji electricTO-247 TO-247 DualTO-247TO-247 Dual TO-247 TO-247 Dual10 CBR10120WSCS210KE2FDCY10S6515SCS215AE20 CBR20P65W CBR20120W CBR20P65WC CBR20120WCSCS220AESCS220AE2 SCS220KE2FDCY18S120 FDCY20C6525 FDCY25S6530 CBR30120WSCS230AE2 SCS230KE240 CBR40120WCSCS240AE2 SCS240KE2FDCY36C120 50FDCY50C65Schottky Diodes and MOSFETsProduct IO(A)VB min (V)VF typ(V)IR Max (uA)PackageNumber of Diodes CBR04P65 4 650 1.5 10 TO-220AC 1 CBR04P65D 4 650 1.5 10 DPAK (TO-252) 1 CBR06P65 6 650 1.5 10 TO-220AC 1 CBR06P65D 6 650 1.5 10 DPAK (TO-252) 1 CBR 06P65HL 6 650 1.5 10 DFN 8X8 1 CBR08P65 8 650 1.5 10 TO-220AC 1 CBR08P65D 8 650 1.5 10 DPAK (TO-252) 1 CBR08P65HL 8 650 1.5 10 DFN 8X8 1 CBR10P65 10 650 1.5 10 TO-220AC 1 CBR10P65D 10 650 1.5 10 DPAK (TO-252) 1 CBR10P65S 10 650 1.5 10 TO-277 1 CBR10P65HM 10 650 1.5 10 DFN3.3 1 CBR10P65HL 10 650 1.5 10 DFN8X8 1 CBR20P65PC 20 650 1.5 10 TO-220AB 2 CBR20P65 20 650 1.5 10 TO-220AC 1 CBR20P65W 20 650 1.5 10 TO-247 1 CBR20P65WC 20 650 1.5 10 TO-247 2 CBR40P65WC 40 650 1.5 10 TO-247 2 CBR10120 10 1200 1.5 10 TO-220AC 1 CBR10120P 10 1200 1.5 10 TO-220AB 1 CBR10120D 10 1200 1.5 10 DPAK (TO-252) 1 CBR10120S 10 1200 1.5 10 TO-277 1 CBR10120W 10 1200 1.5 10 TO-247 1 CBR20120WC 20 1200 1.5 10 TO-247 2 CBR20120W 20 1200 1.5 10 TO-247 1 CBR20120 20 1200 1.5 10 TO-220AC 1 CBR20120P 20 1200 1.5 10 TO-220AB 1 CBR20120PC 20 1200 1.5 10 TO-220AB 2 CBR20120S 20 1200 1.5 10 TO-277 1 CBR30120W 30 1200 1.5 10 TO-247 1 CBR30120S 30 1200 1.5 10 TO-277 1 CBR30120H 30 1200 1.5 10 DFN 5X6 1 CBR40120WC 4012001.510 TO-2472Schottky Diodes and MOSFETsDisclaimerALL PRODUCT, PRODUCT SPECIFICATIONS AND DATA ARE SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN OR OTHERWISE. Bruckewell Technology Inc., its affiliates, agents, and employees, and all persons acting on its or their behalf (collectively, “Bruckewell”), disclaim any and all liability for any errors, inaccuracies or incompleteness contained in any datasheet or in any other disclosure relating to any product. Bruckewell makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of the products for any particular purpose or the continuing production of any product. To the maximum extent permitted by applicable law, Bruckewell disclaims(i) Any and all liability arising out of the application or use of any product.(ii) Any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. (iii) Any and all implied warranties, including warranties of fitness for particular purpose, non-infringement and merchantability.Statements regarding the suitability of products for certain types of applications are based on Bruckewell’s knowledge of typical requirements that are often placed on Bruckewell products in generic applications.Such statements are not binding statements about the suitability of products for a particular application. It is the customer’s responsibility to validate that a particular product with the properties described in the product specification is suitable for use in a particular application. Parameters provided in datasheets and/or specifications may vary in different applications and performance may vary over time.Product specifications do not expand or otherwise modify Bruckewell’s terms and conditions of purchase, including but not limited to the warranty expressed therein.。

美浦森半导体产品选型手册说明书

产品选型手册Product Selection Manual 2022.1101(Company Proﬁle)公司发展历程0304深圳市美浦森半导体有限公司 2014年成立,总部位于深圳,是一家专业功率半导体元器件设计公司。

公司产品包括中大功率场效应管( 高中低压全系列产品, Trench MOSFET/SGT MOSFET /Super Junction MOSFET / Planar MOSFET),SiC 二极管、SiC MOSFET 等系列产品。

美浦森半导体在深圳/上海设有研发中心, 主要研发人员在产品研发和生产制程方面都具有丰富的行业经验, 平均行业经验在15年以上。

在深圳建立有半导体功率器件测试和应用实验室,主要负责产品的设计验证、参数测试、可靠性验证、系统分析、失效分析等,承担美浦森产品的研发质量验证。

目前,美浦森半导体MOSFET 和碳化硅系列产品在LED 电源、PD 电源、PC 和服务器电源、光伏逆变、UPS 、充电桩、智能家居、BLDC 、BMS 、小家电等领域得到广泛应用。

创新高效热爱持续是美浦森半导体的核心价值; 用创新实现突破, 是公司不断前进的动力源泉。

专业于MOSFET 器件领域的拓展, 运用创新的电路设计和国际同步的研发技术, 成功研发出新一代MOSFET 系列产品, 产品相关性能达到行业领先水平。

我们始终坚持不断创新、不断突破, 始终保持产品第一、技术第一、服务第一的行业领先地位, 全心全意做好产品的开发与用户的极限体验。

功率器件实验室&应用实验室投资2000万人民币兴建器件分析实验室和应用实验室, 负责美浦森产品的设计验证，品质监控和客户的技术支持。

2022年“美浦森实验室”将扩充至800平方, 并正在申请国家CNAS 认证实验室资格。

产品设计验证\产品性能比对\动静态参数测试\极限参数测试1可靠性验证\失效分析\产品品质监控2系统应用分析\系统性能验证3KEYENCE 显微镜KEYSIGHT 功率器件分析仪JUNO 直流参数测试系统ISPEC 高温反偏实验系统TEKTRONIX 功率器件动态测试仪STATEC 测试系统碳化硅全系6寸生产线升级结束, 碳化硅MOS 正式批量接单中低压Trench/SGT MOS 批量出货.超结MOS E7系列产品开始批量出货, RSP 参数超越竞品系列产品; 成立深圳器件测试及可靠性实验室、产品应用实验室.650V SiCDIODE 系列产品面市推广, 并大批量出货；1200V SiCDIODE 研发成功, 进入批量阶段; 碳化硅MOS 验证成功.2014年深圳市美浦森半导体有限公司成立，同年正式推广“美浦森”品牌MOS 系列产品.高压MOSFET (VDMOS )0605高压MOSFET (VDMOS )高压MOSFET 命名方式126245公司简称封装形式3额定电流P :TO -220F :TO -220F H:TO-247W:TO-3PD:D-Pak(TO-252)U:I-Pak(TO-251)B:D2-Pak(TO-263) I:I2-Pak(TO-262)沟道极性N:N-channel P:P-channel电压系数(x10)芯片工艺C:MOS C-FETU:MOS U-FET S:MOS S-FETUZ:MOS U-FET+ESD (Z: Zener diode)超结MOSFET (SJMOS )0708超结MOSFET 命名方式126245公司简称封装形式3额定电压P :TO -220 F :TO -220F H:TO-247W:TO-3P D:D-Pak(TO-252)U:I-Pak(TO-251)B:D2-Pak(TO-263)I :I2-Pak(TO-262)L :DFN8X8Rds (on )缩写Rds (on )数值单位：m 芯片工艺SJ:MOS SJ-FETE7:MOS E7-FET E7D:MOS FRDΩ超结产品特点Trr 时间缩短: 反向恢复时间快Qg 电荷小: 开关速度快，开关损耗小Rds (on )值小: 通态阻抗小，通态损耗小PKG体积小: 同等功率规格下封装小，有利于功率密度的提高超结MOSFET (SJMOS )27快恢复二极管(FRD)中低压MOSFET (MV/LV MOS )0910碳化硅二极管(SiC Diode)中低压命名方式126245公司简称封装形式3MOSFET电流值（1-3位数字）P:TO-220 F:TO-220FH:TO-247 W:TO-3PD:D-Pak(TO-252)U:I-Pak(TO-251)B:D2-Pak(TO-263)I :I2-Pak(TO-262)S:SOP-8 T:TSSOP-8M:DFN5X6 N:DFN3X3L:DFN8X8V:SOT-23沟通极性MOSFET电压值（2-3位数字)芯片工艺N:N-NchannelP:P-channelL:N-channel+P-channelD:Dual N-channelE:Dual P-channelT:普通Trench MOSFETG:Split Gate TrenchMOSFET27版本号只有一个版本时此为空，带ESD产品此位为K中低压MOSFET(MV/LV MOS)111213开关时间快，开关损耗小恢复时间短，Trr恢复时间短，趋近于零o工作结温高，工作温度可达到175C 以上击穿电压高，产品电压最高可达6000W 以上碳化硅MOSFET (SiC MOS )碳化硅MOSFET 命名方式5431212公司简称封装形式P :TO -220 F:TO -220F H:TO-247-3L W :TO -3P D:D-Pak(TO-252)U:I-Pak(TO-251)B:D2-Pak(TO-263)I : I2-Pak(TO-262)K: TO-247-4L453Rds(on)数值单位: m 电压系数(X10)芯片工艺Ω碳化硅材料特点14碳化硅二极管命名方式1245公司简称封装形式3额定电流P :TO -220 F :TO -220FH:TO-247 L :DFN8X8D:D-Pak(TO-252)U:I-Pak(TO-251)B:D2-Pak(TO-263)M:DFN5x67S: SO-7N: 内绝缘工艺电压系数(X10)芯片工艺V1:JBS G1: MPS1:2Pin2P :TO -2202F :TO -220F 2H:TO-2472B:D2-Pak 2I:I2-Pak2:3Pin 2Chip2TP :TO -2202TW :TO -3P 2TH: TO-2473:2Pin 2ChipR :TO -220RF :TO-220F RH :TO -2474:3Pin 1Chip。

功率器件碳化硅最大电流

碳化硅（SiC）功率器件的最大电流取决于具体的器件型号和设计参数。

碳化硅功率器件是一种高性能的半导体器件，它们相比传统的硅（Si）功率器件具有更高的电子迁移率和更高的击穿电压。

这些特性使得SiC器件能够承受更高的电压和电流，因此在电力电子转换和控制系统中非常受欢迎。

以下是一些关于SiC功率器件的关键信息：
1. 器件类型：SiC功率器件可以分为单极型（如MOSFETs和肖特基二极管）和双极型（如PiN二极管、IGBT、BJT、GTO）。

2. 电压和电流等级：SiC功率器件的电压和电流等级不断提高，市场上已经推出了能够处理更高电压和更大电流的产品。

3. 效率和性能：由于SiC材料的优异特性，SiC功率器件在单位面积下的导通电阻可以非常低，这意味着它们在高电压应用中具有更高的效率和更好的性能。

总之，在选择SiC功率器件时，需要根据具体的应用需求来选择合适的型号，以确保器件能够在所需的最大电流下稳定工作。

通常，器件的数据手册会提供最大电流等关键参数的详细信息，因此在设计和选择时应参考这些数据。

采用SiC 器件的三电平功率模块介绍

采用SiC 器件的三电平功率模块介绍Vincotech FAE China 吴鼎　摘要：对于光伏逆变器而言，更高效率和更小体积一直是厂家追求的目标。

这就对功率器件提出了更高的要求，既要能够实现更高的开关频率，又要获得更高的转换效率。

普通的Si功率器件在高频时效率较低，而SiC 器件则可以很好的实现高频化的同时获得很高的转换效率。

关键词：SiC 器件高效率光伏逆变器一引言近年来，SiC 肖特基二极管已经在一些快速切换的应用场合取得了成功，比如PFC 应用。

SiC 二极管卓越的反向恢复特性可以确保在增加开关频率的同时，不会降低效率。

而开关频率的提升，可以减小磁性元件的体积，这样就可以降低整个系统的成本。

而本文所说的SiC器件和SiC 二极管完全是两回事，主要指的是SiC JFET 和 SiC MOSFET。

现代光伏逆变器和 UPS 大量的采用基于Si 技术的IGBT。

尽管IGBT 的导通压降是比较低的，但是它的拖尾电流会带来很高的开关损耗。

工程师们一直在试图找到一种器件，既具有较低的导通损耗，又具有较低的开关损耗。

SiC JFET 和 SiC MOSFET 则是这种应用的理想开关器件。

二 SiC 器件性能介绍 SiC MOSFET 特性类似于普通Si MOSFET，具有兼容的门极驱动，并且具有低的正温度系数，但是门极氧化层的可靠性是SiC MOSFET 应用的瓶颈。

SiC JFET 主要有两种，常通和常关的。

JFET 没有门极氧化层，从当今的技术来看，具有更好的可靠性。

图 1 是采用常关SiC JFET 的混合中性点钳位（MNPC）功率模块拓扑。

由于JFET 具有类似二极管的门极驱动特性，它的驱动电路要求在门极两端施加正向电压来开启JFET 沟道，为了保证JFET 最好的性能，要求驱动电压刚好在二极管正向压降附近。

该正向压降在不同的JFET 芯片有差异，且随着温度变化，所以它的驱动不同于MOSFET 和IGBT，需要采用电流源驱动。

sic功率mosfet结构

sic功率mosfet结构
SIC功率MOSFET是一种基于碳化硅（SiC）材料制造的金属氧化物半导体场
效应晶体管。

它具有高电压、高电流和高温特性，适用于高性能功率电子器件。

下面是关于SIC功率MOSFET结构的详细介绍：
1. 基本结构：SIC功率MOSFET的基本结构包括基片、漏极、栅极、源极等部分。

其中，基片是由碳化硅材料制成，具有优异的热传导性能和高击穿电压特性。

漏极和源极分别用于电流的输入和输出，栅极用于控制电流的导通与截止。

2. 衬底结构：SIC功率MOSFET的衬底结构通常采用硅衬底或碳化硅衬底。

硅衬底适用于制造低压器件，碳化硅衬底适用于制造高压器件。

衬底结构的选择会影响器件的性能和成本。

3. 栅极氧化层：SIC功率MOSFET的栅极氧化层通常采用氧化硅或氮化硅材料。

氧化层的厚度和质量会影响器件的绝缘性能和栅极控制能力。

4. 通道结构：SIC功率MOSFET的通道结构包括P型和N型材料。

P型区域用于形成通道，N型区域用于形成漏极和源极。

通道结构的设计会影响器件的导通性能和截止特性。

5. 接触电阻：SIC功率MOSFET的接触电阻是影响器件性能的重要因素之一。

合理设计接触电阻能够降低器件的导通电阻和开关损耗，提高器件的效率和可靠性。

总的来说，SIC功率MOSFET的结构设计和制造工艺对器件的性能和特性具有重要影响。

通过优化器件的结构和材料选择，可以提高器件的功率密度、开关速度和热稳定性，满足高性能功率电子器件的应用需求。

希望以上内容能够满足您关于SIC功率MOSFET结构的相关参考要求。

第4代SiC MOSFET半桥评估板产品规格书说明书

第4代SiC MOSFET 半桥评估板产品规格书＜关于高压电注意事项＞◇在开始操作之前请务必阅读使用说明书并正确使用！本文档仅限于SiC MOSFET用评估板(P04SCT4018KE -EVK-001, P05SCT4018KR-EVK-001)的电路图、BOM、电气特性和电路板布局。

有关操作的详细信息，请参使用说明书。

为了您的操作安全，在使用评估板前请务必阅读本文档全文！此外，根据所使用的电压和电路板结构的不同，可能会产生危及生命安全的电压。

请务必严格遵守下述方框内的注意事项。

＜使用前＞①请确认无因基板掉落等导致的零件损坏或脱落现象。

②请确认无导电性物体掉落在基板上。

③焊接模块和评估板时，请注意焊锡飞溅。

④请确认基板上无结露或水滴。

＜通电时＞⑤请注意勿使导电性物体接触基板。

⑥在操作过程中，即使是偶发的短时间接触或手靠近时的放电，也有可能导致严重事态或危及生命安全。

请务必不要徒手触摸基板或靠基板太近。

另外，使用镊子、螺丝刀等导电性器具进行操作作业时也同样请注意上述内容。

⑦施加超过额定值的电压时，可能会因为短路等导致零件破裂。

因为也请注意由于零件飞散等原因导致的危险。

⑧基板工作状态下进行操作时请注意因热等引起的基板、零件变色和漏液等、以及低温评估时产生的结露。

＜使用后＞⑨评估板中可能会有储存高电压的电路。

即使切断了所连接的电源回路，也有可能仍储存有电荷，因此使用后请务必进行放电，确认放电完成后再进行相关处理。

⑩请注意与过热部件接触导致的烫伤等。

由于本评估板是用于研究开发设备的基板，因此只有各设备中被允许处理高电压的人员才可以使用。

此外，在使用高电压进行操作作业时，建议明示「高电压作业中」等，并在安全环境下操作，如带有联锁装置等的防护罩或佩戴护目镜等。

此外，请一并阅读本文开篇中与本评估板短路保护相关的注意事项。

SiC MOSFET 评估板第4代SiC MOSFET 评估板产品规格书一般来说，在SiC MOSFET 等功率器件的评估中，需要处理高电压和大电流，因此需要适当构建评估环境。

20千瓦碳化硅三相PFC参考设计说明书

20kW SiC-Based Three Phase PFC Reference Design20千瓦碳化硅三相PFC参考设计Order Part Number: IVCT-REF00003目录1 简介 (2)2 硬件组成部分 (4)3 测量结果 (5)4 参数说明 (14)5 附录 (15)1 简介三相PFC是一种高效率大功率无桥功率因数校正电路。

它主要用于各种大功率电力电子设备中的第一级。

图1-1所展示的是三相PFC主电路图。

这个电路的Q1~Q6都是是高速SiC （碳化硅）MOSFET管。

这一参考设计的额定功率为20KW。

它使用本公司生产的1200V 50mΩ SiC MOSFET IV1Q12050T4, 以及专用碳化硅MOSFET驱动IC IVCR1401用于高速桥臂。

实物图如图1-2所示。

Co图1-1 三相PFC拓扑结构图1-2 三相无桥PFC实物图1.1三相无桥PFC三相无桥PFC是一种大功率AC-DC的拓扑结构。

本设计的PFC是工作在连续模式（CCM）。

SiC MOSFET工作频率在65kHZ。

由于碳化硅MOSFET有极小的输出电容和接近零的反向恢复，它是硬开关电路的理想开关器件。

与传统的IGBT应用相比，开关频率得到很大的提升，同时可以保持98%的高效率。

1.2门级驱动SiC MOSFET的门级驱动信号使用的是型号为IVCR1401的驱动芯片，是一款在8管脚封装集成负压驱动，并提供所有必需的保护和通信功能的碳化硅MOSFET栅极驱动芯片，具有更快的开关速度，新型碳化硅MOSFET专用栅极驱动芯片内部集成了负压电路，在无需外加负压电源的情况下，可以完成输出负压驱动提供更多的噪声裕量，使系统更稳定运行于各种复杂的应用环境，集成的过饱和/过流保护功能，响应时间可编程，且最快响应仅有数百纳秒，可以更及时的保护碳化硅器件在各种干扰甚至短路情况下不损坏，同时将侦测到的错误信号向控制器汇报，新型碳化硅MOSFET栅极驱动芯片还内置了5V电源给隔离器供电，简化了配合隔离器芯片的电路设计。

sic 分立器件集成功率模块

SIC分立器件集成功率模块一、背景随着电子产品的不断发展，对于功率器件的需求也在不断增加。

在众多功率器件中，SIC（碳化硅）分立器件因其在高温、高压和高频环境下具有出色的性能表现，受到了广泛关注和应用。

在SIC分立器件的生产过程中，集成功率是一个至关重要的指标，直接影响到产品的质量和稳定性。

开发一款集成功率模块成为了当下SIC分立器件行业的迫切需求。

二、SIC分立器件集成功率模块的功能1. 数据采集：该模块能够对SIC分立器件的生产过程进行全面的数据采集，包括生产环境的温度、湿度、振动等指标以及生产设备的运行状态等。

2. 数据分析：利用先进的数据分析算法，对采集到的数据进行快速准确的分析，识别出可能影响集成功率的关键因素。

3. 故障预测：基于历史生产数据和相关模型，实现对SIC分立器件生产中可能出现的故障进行预测，提前采取相应的措施进行干预和修复。

4. 质量控制：针对生产过程中的关键环节和参数，实现全面的质量控制和过程优化，保证产品的质量稳定性和提高集成功率。

5. 实时监控：通过远程监控和实时报警功能，及时发现和解决生产过程中的异常情况，确保生产的稳定性和可靠性。

三、SIC分立器件集成功率模块的技术亮点1. 高精度数据采集：采用先进的传感器和数据采集设备，能够实现对生产环境和设备状态的高精度采集，保证数据的真实可靠性。

2. 先进的数据分析算法：引入机器学习和人工智能等先进技术，能够对大量生产数据进行快速准确的分析，发现问题和优化方案。

3. 可视化界面设计：采用直观的可视化界面，实现对生产数据和生产状态的直观展示，使操作人员能够迅速了解生产情况并采取相应措施。

4. 多种通信接口：支持多种通信接口，实现对生产数据的远程监控和实时管理，方便企业管理人员实时掌握生产情况。

5. 高效的故障预测和维护管理：通过对历史生产数据的深度分析，实现对SIC分立器件生产中可能出现的故障进行预测，提前采取相应的维护措施，保证生产的稳定性和可靠性。

碳化硅肖特基功率二极管产品说明书

1200V/10A碳化硅肖特基功率二极管产品特性•正温度系数，易于并联使用•不受温度影响的开关特性•最高工作温度175℃•零反向恢复电流•零正向恢复电压产品优点•单极器件•极大降低开关损耗•并联器件中没有热崩溃•降低系统对散热片的依赖应用领域•开关模式电源(SMPS)，功率因数校正(PFC)•电机驱动，光伏逆变器，不间断电源，风力发动机，列车牵引系统，电动汽车。

产品概览V RRM1200V I F,T c≤150℃10AQ C55nC产品型号封装形式打标G5S12010D TO-263G5S12010D G5S12010D产品规格书V2022.A.0额定值热特性参数标识测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM 1200V反向浪涌峰值电压V RSM 1200反向直流电压V DC 1200正向平均电流I F T C =25℃T C =125℃T C =150℃28.715.410A 正向重复峰值电流I FRM T C =25℃,tp=10ms ，Half Sine Wave ，D=0.350A 正向不重复峰值电流I FSM T C =25℃,tp=10ms ，Half Sine Wave 120A 耗散功率P TOT T C =25℃117W T C =110℃51W 工作温度T j -55℃to 175℃℃贮藏温度T stg-55℃to 175℃℃安装扭矩M3Screw 6-32Screw 18.8Nm lbf-in参数标识测试条件数值单位典型值结到管壳的热阻R th JC1.28℃/W电学特性，无特殊说明时结温Tj=25℃性能曲线图1)典型正向特性2)典型反向特性IF=f(VF)，结温Tj 为参数I R =f(V R )，结温T j为参数参数标识测试条件数值单位典型值最大值正向压降V F I F =10A,T j =25℃ 1.39 1.7V I F =10A,T j =175℃ 1.89 2.5反向电流I R V R =1200V,T j =25℃ 4.3250µA V R =1200V,T j =175℃22.97100总存储电荷Q CV R =800V,T j =150℃dVV C Qc VR)(0⎰=55-nC总电容CV R =0V,T j =25℃,f=1MHZ822-pFV R =400V,T j =25℃,f=1MHZ 51-V R =800V,T j =25℃,f=1MHZ43-3)不同负载下的电流（Current Derating）4)典型电容-反向电压曲线（10%，30%，50%，70%，DC）封装形式：TO-263晶圆尺寸WAFER LOT150mm(最多至13位)：LT******、LE******。

超高压SiC功率(电力电子)器件

超高压SiC功率(电力电子)器件（1）超高压SiC功率(电力电子)器件本次ICSCRM2011国际会议的最后一天，一个重要的讨论内容集中在超高压SiC功率（电力电子）器件方面。

所谓超高压器件是指电压大于6500V的功率器件，其电流处理能力达到50A。

目前传统的Si基双极型功率器件包括：IGBT、GTO、Thyristor、IGCT和ETO，这些器件面临的主要问题是：（1）开关速度低，（2）器件结温低，（3）并联性能差，（4）缺乏栅极控制能力，（5）重复恢复时间（tq）长，（6）额定电压理论上限（~10kV）低，等，其具体电压等级分别为：（1）Thyristor：9000V，（2）GTO：8000V，（3）IGBT：6500V，（4）MOSFET、SBD：~100-200V。

高压应用领域包括：（1）utility grid,（2）pulsed power,（3）future electromagnetic weapon,（4）protection system,（5）very high voltage swithes for HVDC power transmission,（6）wind turbing,（7）power sustations,（8）High temperature。

SiC功率半导体器件依其优势材料为基础，可开发出与Si功率器件结构类似但突破Si基电压极限的功率器件，如 Thyristor、IGBT、GTO等，且具有正向电压低、数KHz开关频率、易于并联的性质。

该类器件的研发主要集中在美国研发单位或机构，如位于美国Virginia州的GeneSiC半导体公司、位于美国NC州的Cree公司、位于美国NY州的Silicon 电力公司、位于美国MD州的NRL海军研究实验室、位于美国NJ州的Rutgers大学等。

（2）SiC Thyristor——晶闸管器件——GeneSiC半导体公司图片说明：（1）Comparison of blocking voltages of GeneSiC’s SiC Thyristor with a 4 kV Si Thyristor（2） On-state I-V characteristics of large-area 77 mm2 and 28 mm2 6.5 kV SiC Thyristors.（3） Comparison of 25°C on-state characteristics of GeneSiC’s SiC Thyristor with a 4 kV Si Thyristor.（4）On-state voltage drop comparison between Silicon and SiC bipolar devices for various utility voltages.（3）12kV 1cm2 SiC GTO晶闸管——Cree公司The SiC GTO offers significant advantages over a Si GTO due to the large breakdown field and high temperature capability of SiC. The higher voltage rating requires a thicker drift layer. The low minority lifetime currently in SiC necessitates the use of minimum thickness of the voltage blocking layer. It is important to develop new termination structures to maximize the blocking voltage for a given thickness and doping of the voltage blocking layer. This device was built on an n+ SiC substrate with a p-type buffer layer doped at 5×1016 c m-3, 2.5 um thick and a p- layer of 90 um thickness was grown with a doping of <2×1014 cm-3. Following this was the n-type base layer, doped at ~1×1017 cm-3 with thickness of 2.5 um. 12 kV SiC GTOs with a chip size of 1 cm×1 cm and with width of 600 μm negative bevel termination were developed for the first time, improves the breakdown voltage by >3.5 kV compared to the conventional multiple-zone JTEs.上左: Cross-section of a SiC GTO with negative bevel termination. 上右：Photographic image of a 1 cm x 1cm GTO chip with negative bevel termination.下左：Electrical field crowing at the edge of the mesa has been eliminated with negative bevel. termination.下右：Blocking IV characteristics of the SiC GTO with the conventional15-zone JTEs and negative bevel termination.左：Blocking voltage yield (%) histograms with the negative bevel termination and conventional 15-zone JTEs.右：Forward conduction characteristics of the fabricated SiC GTO.（4）15 kV 4H-SiC IGBT——美国Cree公司Due to the high breakdown field in 4H-SiC, 4H-SiC bipolar device will have an order of magnitude smaller storage charge in the drift layer, as compared to that of a silicon bipolar device with a comparable blocking voltage rating. Significantly easier voltage controlled versions of the 4H-SiC switch, such as an IGBT, are strongly desired for advanced applications to be used in future energy grid systems. For this purpose, 15 kV 4H-SiC IGBT was developed in Cree by utilizing a 2x1014 cm-3 doped, 140 um thick p-type epilayer as the drift layer, and a 2 um thick p-type Field-Stop buffer layer, with a doping concentration ranging from 1x1017 cm-3 to 5x1017 cm-3 and multi-zone JTE edge termination structure formed by nitrogen ion implantation. The highest blocking voltage ever reported 6.7 mm x 6.7 mm 4H-SiC P-IGBT with an active area of 0.16 cm2 showed a leakage current of 0.6 uA corresponding to a leakage current density of 1.2 uA/cm2 at a VCE of -15 kV. The pulsed on-state I-V characteristics of the P-IGBT with an on-state current of -145 A representing a currentdensity of 906 A/cm2 at VCE of -22.5 V and a VGE of -20 V was measured using a Tektronix 371 curve tracer.（5）6kV 4H-SiC GTO —— Rutgers大学SiC has a high breakdown electric field, a high-saturation drift velocity, and a high thermal conductivity, ideal for fast, high-power switching devices, including SiC gate-turn-off (GTO) thyristors. A 0.1 cm2 4H-SiC GTO with 6 kV blocking voltage was fabricated on a asymmetrical NPNP structure with a 60-μm lightly doped (N=9x1014cm-3) P-base blockingAlayer from Cree, terminated by a three-zone, N-type junction Termination Extension (JTE). Unlike Si GTOs, the SiC GTOs have the anode on the top and the cathode on the bottom. The forward blocking characteristics of GTOs were measured by using a Glassman high-power voltage source and a Keithley 6517 digital electrometer. The packaged device is measured inpulsed mode up to IAK=50A and gated with IG=-0.25A with a Tektronix 371B curve tracer. It was found that 63% of all 0.1 cm2 devices blocked voltages in excess of 3kV, with 28 devices blocking over 5kV and 10 devices blocking over 6kV. The forward voltage drop of VAK=5.74V @ IAK=50A (JAK=500A/cm2) is recorded including lead and contact resistance. The differential on-resistance of Rsp-on=4mOhm-cm2 illustrates the GTO has significant conductivity modulation.。

sic功率器件使用过程中的常见问题集

sic功率器件使用过程中的常见问题集在使用SIC（硅碳化物）功率器件的过程中，可能会遇到一些常见的问题。

下面是一些常见问题集，希望可以帮助您解决一些困扰。

1.电气击穿：当电源电压超过器件承受能力时，可能会导致电气击穿。

这可能是由于过高的电压、过高的温度或过高的电流等原因引起的。

解决这个问题的方法是确保输入电压和电流处于规定范围内，并合理设计散热系统。

2.温度过高：高温可能会导致器件的性能降低，甚至损坏。

这可能是因为环境温度过高或器件自身产生过多的热量。

为了解决这个问题，可以采取一些方法，如提供良好的散热系统，确保器件工作在适当的温度范围内。

3.寿命短：器件的寿命是指其可靠运行的时间。

寿命短可能是因为器件质量不好、过高的电流、温度等原因造成的。

为了延长器件的寿命，应选择高质量的器件，并确保它们工作在指定的电流和温度范围内。

4.可靠性问题：有时候，器件在运行一段时间后可能会出现故障。

这可能是因为器件本身存在设计缺陷或生产过程中存在问题。

为了提高可靠性，应选择经过充分验证的器件，并遵循正确的安装和使用方法。

5.开关速度慢：SIC功率器件的开关速度是指其从关断到导通、从导通到关断的时间。

如果开关速度太慢，可能会导致功率损耗增加、效率降低等问题。

解决这个问题的方法包括使用更好的驱动电路、选择合适的辅助组件等。

6.电锁问题：在一些极端情况下，器件可能会出现电锁现象，即无法从关断状态转变为导通状态。

这可能是因为器件存在设计或制造缺陷，或输出电流波形不合适等原因。

为了避免电锁问题，应选择具有良好设计和制造质量的器件，并确保输出电流波形合适。

7.可靠性降低：当器件工作在高温、高电压、高电流等恶劣条件下时，可能会导致器件的可靠性降低。

这可能是因为器件的材料或结构无法承受这些恶劣条件。

为了提高可靠性，应选择具有高承受能力的器件，并避免将器件工作在超过其规定条件的环境下。

8.绝缘问题：在一些特殊应用中，如高压或高电流应用中，绝缘问题可能会成为一个重点。

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Fig. 4 Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (Pulse Mode)
Fig. 5 Power Derating
Fig. 6 Current Derating
09 / 10
SiC Schottky Diode
S2D065V010E
Package TO-252-2L Inner Circuit Product Summary
更高的电能转换效率
更高的工作温度
更高的工作频率
更小的体积和体重
SiC Schottky Diode
S2D065V010A
Package TO-220-2L Inner Circuit Product Summary
S2D065V010A�
Maximum Ratings
VR IF QC
650 V 12A 10A
(Tc= 135 ℃ ) (Tc= 145 ℃ )
Parameter
Symbol
Test Conditions
TC = 25℃, TP = 10 ms Half Sine Wave
Value
on-Repetitive Peak Forward Surge Current I FSM
Benefits
u u u u u u Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency Operation Hard Switching & High Reliability Environmental Protection Power Dissipation PD TJ Tstg RΘJC Repetitive Peak Forward Surge Current I FRM
S2D065V010E
Package Dimensions TO-252-2L
Fig. 1 Forward Characteristics
Fig. 2 Reverse Characteristics
Fig. 3 Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 4 Power Derating
QC
Continuous Forward Current
Total Capacitance
C
V R=200V, TJ=25 ℃ , f =1 MHz V R=400V, TJ=25 ℃ , f =1 MHz
pF
11 / 12
SiC Schottky Diode
S2D065V010E
Device Performances
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current I FSM
TC = 125℃, TP = 10 ms Half Sine Wave TC = 25℃, TP = 10 µ s Pulse TC = 25℃, TP = 10 ms
55
A
TBD
A
Features
u u u u u u Low Conduction and Switching Loss Positive Temperature Coefficient on V F Temperature Independent Switching Behavior Fast Reverse Recovery High Surge Current Capability Pb-free lead plating
Symbol
V RRM V RSM VR IF
Test Conditions
TJ = 25℃ TJ = 25℃ TJ = 25℃ TC= 25℃ TC= 135℃ TC= 141℃
Value
650 650 650 24 11 10
Unit
V V V A A A
Reverse Current
IR
Total Capacitive Charge
S2D065V010A
Device Performances
S2D065V010A�
Package Dimensions TO-220-2L
Fig. 1 Forward Characteristics
Fig. 2 Reverse Characteristics
Fig. 3 Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 5 Current Derating
13 / 14
SiC Schottky Diode
S2D065V010G
Package TO-263-2L Inner Circuit Product Summary
QC
Continuous Forward Current
IF
TC = 135 ℃ TC = 145 ℃
Total Capacitance
C
V R=200V, TJ=25 ℃ , f =1 MHz V R=400V, TJ=25 ℃ , f =1 MHz
pF
07 / 08
SiC Schottky Diode
Half Sine Wave, D = 0.1 TC = 125℃, TP = 10 ms Half Sine Wave, D = 0.1 TC = 25℃ TC = 125℃
33
A
25 79 26 175 -55 to 175 1.9
A W W ℃ ℃ ℃/W
Operating Junction and Storage Temperature Thermal Resistance Junction to Case
Symbol
V RRM V RSM VR
Test Conditions
TJ = 25 ℃ TJ = 25 ℃ TJ = 25 ℃ TC = 25 ℃
Value
650 650 650 26 12 10
Unit
V V V A A A
Reverse Current
IR
Total Capacitive Charge
V DC VF
Test Conditions
I R = 100 µA, TJ = 25 ℃ I F = 10A, TJ = 25 ℃ I F = 10A, TJ = 175 ℃ V R = 600V, TJ = 25 ℃ V R = 600V, TJ = 175 ℃ I F = 10A, dI/dt=300A/µs, V R=400V, TJ=25 ℃ V R=1V, TJ=25 ℃ , f =1 MHz
Typ.
> 650 1.5 1.9 <1 15 19 398 53 52
Max.
1.8 2.2 50 160
Unit
V V V µA µA nC
Maximum Ratings
Forward Voltage
Parameter
Peak Repetitive Reverse Voltage Peak Reverse Surge Voltage DC Blocking Voltage
Half Sine Wave, D = 0.1 TC = 125℃, TP = 10 ms Half Sine Wave, D = 0.1 TC = 25℃ TC = 125℃
51
A
46 88 29 175 -55 to 175 1.7
A W W ℃ ℃ ℃/W
Operating Junction and Storage Temperature Thermal Resistance Junction to Case
VC VF
Test Conditions
I R = 100 µA, TJ = 25 ℃ I F = 10A, TJ = 25 ℃ I F = 10A, TJ = 175 ℃ V R = 600V, TJ = 25 ℃ V R = 600V, TJ = 175 ℃ I F = 10A, dI/dt=300A/µs, V R=400V, TJ=25 ℃ V R=1V, TJ=25 ℃ , f =1 MHz
Applications
u u u SMPS PFC Solar/ Wind Renewable Energy u u u Power Inverters Motor Drives UPS
Electrical Characteristics
Parameter
DC Blocking Voltage
Symbol
Applications
u u u SMPS PFC Solar/ Wind Renewable Energy u u u Power Inverters Motor Drives UPS
Electrical Characteristics
Parameter
DC Blocking Voltage
Symbol
上海诺卫卡电子科技有限公司
邮编 Postcode：200000 电话 Tel：13717783997 邮箱 Fax：1023403651@
上海诺卫卡电子科技有限公司
上海诺卫卡电子科技有限公司是一家专业从事宽禁带半导体碳化硅衬底、外延、器件、设备、加工耗材及相关产品的专业服务商,具有丰富的电子行业经验。公司拥有国际化的管理团队和专业的运营团队，与众多国际知名半导体厂商建立了良好的合作关系，竭诚为广大客户提供服务快捷、优质服务。公司提供国际知名半导体厂商的宽禁带半导体碳化硅衬底、外延、器件、设备、加工耗材及相关产品等产品; 公司也提供高品质莫桑钻原石及系列产品。公司客户涵盖国内外主要大型半导体企业及应用厂商，秉承着“专业服务，客户第一”的宗旨，与广大客户建立了良好的合作关系，获得了广泛的信誉与支持。公司拥有专业、高效的售后服务团队，并与厂商充分合作，为广大客户提供全程、全方位的优质服务。我们期待着与您的合作，携手共创美好明天！