晶体管课程设计

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晶体管设计全解

晶体管设计全解

1. 课程设计目的与任务 (2)2. 设计的内容 (2)3. 设计的要求与数据 (2)4. NPN管图形结构的选择 (3)5. 确定纵向结构参数 (3)(1)........................................................................................................................各区掺杂浓度及集电极外延材料电阻率的选取 (3)(2)........................................................................................................................各区少子迁移率、扩散长度的计算 (4)(3)集电区厚度Wc的选择 (6)(4)基区宽度的选取 (7)(5)发射极和集电极结深的选取 (8)6横向尺寸的选择 (8)(1) ......................................................................................................................... 单元发射极宽度、长度和个数的选取 (8)(2) ......................................................................................................................... 发射区和基区面积的选取 (9)7参数验证 (10)8工艺版图 (11)9晶体管课设心得体会 (12)NPN双极型晶体管的设计1、课程设计目的与任务《电子器件课程设计》是继《微电子器件基础》、《微电子工艺》和《半导体物理》理论课之后开出的有关微电子器件和工艺知识的综合应用的课程,使我们系统的掌握半导体器件,集成电路,半导体材料及工艺的有关知识的必不可少的重要环节。

电子课程设计-二级晶体管放大电路Word版

电子课程设计-二级晶体管放大电路Word版

五邑大学电子技术课程设计报告题目:二级晶体管放大电路院系机电工程学院专业机械工程及其自动化学号 AP100学生姓名指导教师黄东完成日期 2 0 1 2 / 1 / 7一、设计题目:晶体管放大电路(1)设计一级晶体管放大电路,输入信号幅度≥20mv, 频率为1KHz,电源电压+5V,要求完成下面的技术指标:a. 电压增益A u ≥20b. 输入电阻Ri ≥2KΩc. 输出电阻Ro ≤50Ω(2)测量出输入电阻值,并说明该值于那些元件有关系。

(3)可选用的器件与元件二、方案的论证和设计1)工作原理:输入信号加到前级的输入端,经过前级放大后加到后级的输入端,再经后级放大。

在两级放大器中,放大器的输入端事实上就是前级的输入端,前级的输出也就是后级的输入,后级的输出也就是两级放大的输出;前级是后级的信号源,后级是前级的负载。

因此,两极放大的线性电压放大倍数就等于前后两级放大倍数的乘积;放大器的输入电阻就是前级的输入电阻;放大器的输出电阻就是后级的输出电阻。

2)设计电路的主要功能该电路具有实现输入信号放大的功能,能将较小的输入信号通过二级放大电路实现信号放大,从而获得必要的电压幅值或足够的功率,最终达到推动负载工作的使用要求。

3)设计原理图4)参数的设定1.计算后级电路电阻参数 节点B 电流方程为 1R I =2R I +B I 为了稳定静态工作点,令参数满足1R I >>B I因此,B 点位为CCB B B BE U R R R U 212+≈取1E I =1.mA ,并选β=91,则126)1(200E be I r β++= =200+(1+91)*26/1=2.592k第一级的放大倍数是beLC r R R A //u1β-=取1U A =120,取Ω=5101E R ,代入公式求出=C R 3.6k ΩCCCECC E R I U U R --=1, 取CEU =2V, 求得1E R =500Ω所以1E R 、1C R 取标称值 Ω=Ω=500,6.311C E R K R从而0.610.51 1.11B BE E E U U I R V =+=+⨯=1210100CCR B U I I AR R μ≈==+求得: Ω=Ω=k R R B B 15,k 5121 2、计算后级电路电阻参数(1)CCB B E U I R R β=++CE CC E U U U -=EE E I U R =2BBECC B I U U R -=3取标称值:3B R =150K Ω , ΩK R E 3.32=依据所计算的各个零件的数值列元件清单5)元件清单:6)数据记录:(1K )表1表27)数据计算:由表1可知,Au=Uo/Ui=1990/20=99.5用万用表测得β=91Vb1=Rb2*Ucc/Rb1+Rb2=15000*5/(51000+1500)=1.14VVe=Vb-Ube=1.14-0.6=0.54VIe=Ve/Re=0.54/510=1.06mARbe1=200+(1+β)26/1.06=2.50 KΩIb2=(Ucc-Ube)/Rb+(1+B)Re=(5-0.60)/150000+(1+91)*3300=0.0097 mAIc=Ie=(1+β)*Ib=0.0097*(91+1)=0.90mARbe2=200+(1+β)*26/Ie=200+(1+91)*26/0.90=2.86 KΩ所以,Ri=Rb11//Rb12//rbe1=51//15//2.5≈2.1 KΩRo=Re2//(Re1+rbe2)/(1+β)=2.86*(2.50+2.86)*(91+1)/2.86+(2.50+2.86)≈26.80Ω8)结论与分析:由计算结果可知该电路的输入电阻Ri=2.1KΩ,大于2 KΩ,输出电阻Ro=26.80Ω,小于50Ω,电压增益Au=99.5,大于50。

晶体管课设

晶体管课设

课程设计任务书学生姓名:专业班级:指导教师:工作单位:题目:带有互补对称功率放大器的设计初始条件:具较扎实的电子电路的理论知识及较强的实践能力;对电路器件的选型及电路形式的选择有一定的了解;具备晶体管器件的基本设计能力及基本调试能力;能够正确使用实验仪器进行电路的调试与检测,使用适当的软件进行仿真和制作PCB板。

要求完成的主要任务:1. 采用晶体管完成一个带有互补对称功率放大器的设计。

2. 通过输入一定功率的信号,使功率得到放大并输出。

3.利用仿真软件ORCAD或Multisim仿真电路,并学习PROTEL软件,并用其绘制电路的原理图和PCB图,要求图纸绘制清晰,布线合理,符合绘图规范;4. 完成课程设计报告(应包含电路图,清单、调试及设计总结)。

时间安排:1.2011年6月10日分班集中,布置课程设计任务、选题;讲解课设具体实施计划与课程设计报告格式的要求;课设答疑事项。

2.2011年6月11日至2011年6月22日完成资料查阅、设计、制作与调试;完成课程设计报告撰写。

3. 2011年6月23日提交课程设计报告,进行课程设计验收和答辩。

指导教师签名:年月日系主任(或责任教师)签名:年月日目录摘要 (I)Abstract........................................................... I I1 绪论 (1)2 设计内容及要求 (2)2.1 设计目的及主要任务 (2)2.1.1 设计目的 (2)2.1.2 设计任务及要求 (2)2.2 设计思想 (2)3 功率放大器的设计原理 (4)3.1 互补对称功率放大电路原理 (4)3.2 复合管的原理 (4)3.3 总电路图 (6)4 电路的软件仿真 (7)5 电路的PCB印制电路板制作 (10)5.1设置原理图设计环境 (10)5.2 放置元件 (10)5.3 原理图布线 (13)5.4 电路的封装电器检查及网络表的生成 (13)6 利用Protel生成PCB (16)7 设计总结 (21)参考文献 (22)元件清单 (23)摘要本文介绍作品采用Multisim10对带有互补对称功率放大电路进行绘制电路图及仿真工作以及protel进行绘制电路图制作PCB 板。

最新最全《晶体管》教案(完整版)-2024鲜版

最新最全《晶体管》教案(完整版)-2024鲜版
发展趋势
随着新材料、新工艺的不断涌现,未来晶体管将朝着更高性能、更低功耗、更 小尺寸的方向发展。同时,柔性电子器件、可穿戴设备等新兴领域的发展也将 为晶体管带来新的应用场景。
挑战
随着晶体管尺寸的缩小,量子效应、热效应等问题将逐渐凸显,对晶体管的性 能产生负面影响。此外,新型材料的可控性、稳定性等问题也需要进一步研究 和解决。
体管。
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结构创新设计思路探讨
异质结结构
通过不同材料之间的能带 工程,实现高性能的晶体 管设计。
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垂直结构
通过垂直堆叠多个晶体管, 实现高集成度、高性能的 电子器件。
光电器件集成
将光电器件与晶体管进行 集成,实现光电一体化设 计,提高器件性能。
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未来发展趋势预测与挑战
特点
不同类型的晶体管具有不同的特点,如二极管具 有单向导电性,三极管具有放大和开关功能,场 效应管具有高输入阻抗和低噪声等优点。
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工作原理及主要参数
工作原理
晶体管的工作原理基于半导体的导电特性,通过控制输入电流或电压来控制输出电流或电压, 实现放大、开关等功能。
主要参数
晶体管的主要参数包括电流放大系数、截止频率、击穿电压、最大功耗等,这些参数决定了晶 体管的性能和使用范围。
竞争格局
当前,全球晶体管市场呈现多元化竞争格局,主要厂商包括英特尔、高通、AMD、 台积电等。这些厂商在技术研发、生产制造、市场营销等方面具有较强实力,形成 了较为稳定的市场格局。
发展前景
随着人工智能、5G通信、物联网等新兴技术的快速发展,晶体管作为电子设备的核 心元件之一,其市场前景广阔。未来,晶体管将不断向高性能、高集成度、低功耗 等方向发展,同时在新兴应用领域中将发挥更加重要的作用。

npn硅基bjt课程设计

npn硅基bjt课程设计

npn硅基bjt课程设计一、课程目标知识目标:1. 学生能理解NPN硅基BJT(双极型晶体管)的基本结构和工作原理;2. 学生能掌握NPN硅基BJT的放大特性,包括输入阻抗、输出阻抗和电流放大倍数;3. 学生能了解NPN硅基BJT在实际电路中的应用和注意事项。

技能目标:1. 学生能够运用所学知识,分析NPN硅基BJT电路的工作原理;2. 学生能够设计简单的NPN硅基BJT放大电路,并进行参数计算;3. 学生能够通过实验,观察NPN硅基BJT的放大特性,并分析实验数据。

情感态度价值观目标:1. 培养学生对电子元件和电路的兴趣,激发他们探索电子世界的热情;2. 培养学生的团队合作精神,使他们学会在实验和问题解决中相互协作;3. 培养学生严谨的科学态度,使他们能够认真对待每一次实验和数据分析。

课程性质:本课程为电子技术基础课程,旨在让学生掌握NPN硅基BJT的基本知识,培养他们在电子电路领域的实际操作能力。

学生特点:学生为高中年级,具备一定的物理和数学基础,对电子技术有一定了解,但缺乏深入认识。

教学要求:结合学生特点,课程要求以理论教学与实践操作相结合,注重培养学生的实际操作能力和问题解决能力。

通过具体的学习成果分解,使学生在课程结束后能够达到上述课程目标。

后续教学设计和评估将以此为基础,确保课程目标的实现。

二、教学内容1. 引言:介绍双极型晶体管的基本概念,回顾PN结的工作原理,引出NPN 硅基BJT的结构特点。

相关教材章节:第一章第二节2. NPN硅基BJT结构和工作原理:- 结构特点:发射极、基极、集电极的构成及材料选择;- 工作原理:载流子的注入、放大作用、开关作用。

相关教材章节:第二章第一节3. NPN硅基BJT的放大特性:- 输入阻抗、输出阻抗和电流放大倍数的定义及计算;- 交流小信号模型:h参数及其含义。

相关教材章节:第二章第二节4. NPN硅基BJT的应用电路:- 基本放大电路:固定偏置和可变偏置;- 功率放大电路:甲类、乙类、甲乙类;- 开关电路:模拟开关和数字开关。

npn双极型晶体管的设计器件物理课程设计

npn双极型晶体管的设计器件物理课程设计

课程设计课程名称微电子器件与工艺课程设计题目名称npn双极型晶体管的设计目录1.设计任务书 (2)1.1内容 (2)1.2要求与数据 (2)1.3应完成的工作 (2)1.4主要参考文献 (3)2.物理参数计算 (3)2.1. 各区掺杂浓度及相关参数的计算 (3)2.2少子的迁移率 (3)2.3少子的扩散系数 (4)2.4少数载流子的扩散长度 (5)2.5各区的厚度 (5)2.5.1集电区厚度Wc (5)2.5.2基区宽度WB (6)2.6扩散结深 (9)2.7电阻率 (9)3.实际器件设计 (10)3.1硅片选择 (10)3.2图形结构 (10)3.3各区面积 (11)4.工艺参数计算 (11)4.1基区硼扩散 (11)4.1.1预扩散 (11)4.1.2再扩散 (12)4.1.3氧化层厚度 (13)4.2发射区磷扩散 (13)4.2.1预扩散 (13)4.2.2再扩散 (14)4.2.3氧化层厚度 (15)4.3氧化时间 (15)4.3.1基区氧化 (15)4.3.2发射区氧化 (16)5、设计参数总结 (17)6、工艺流程 (18)6.1主要流程 (18)6.2清洗工艺 (22)6.3氧化工艺 (23)6.4光刻工艺 (25)6.5硼扩散工艺(基区扩散) (27)6.6磷扩散工艺(发射区扩散) (29)7.版图设计 (31)7.2发射区掩膜板 (31)7.3接触孔掩膜版 (32)8.总结与体会 (32)1.设计任务书题目名称npn双极型晶体管的设计学生学院材料与能源学院专业班级姓名学号1.1内容设计一个均匀掺杂的npn型双极晶体管,使T=300K时,hfe =120,BVCBO=80V.晶体管工作于小注入条件下,设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。

1.2要求与数据1.了解晶体管设计的一般步骤和设计原则2.根据设计指标设计材料参数,包括发射区、基区和集电区掺杂浓度N E, N B,和N C, 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数,迁移率,扩散长度和寿命等。

晶体管课程设计

晶体管课程设计

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实际取le=76μm <leff。也正好在经验取值(4-8) se范围内。
(4)发射极条数:
L n 2le
取n=160。
E
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(5)发射极引线孔尺寸: 引线孔按光刻精度选取为6μm ,且为了制版和光 刻容易对准,长度方向的套刻间距取9μm,因而发射极 引线孔的尺寸为58×6μm 2。
(三)晶体管设计的基本原则
尽管双极晶体管的电学参数很多,但对于一种类型 的晶体管,其主要电学参数却只有几个。如对于高频大功 率管,主要的电学参数是GP、fT、BVCBO、Pcm和Icm等; 而高速开关管的主要电学参数则是ton、toff、VCES和VBES。 1.必须权衡各电学参数间的关系,正确处理各参数间的 矛盾。此外要找出器件的主要电学参数,根据主要电学参 数指标进行设计,然后再根据生产实践中取得的经验进行 适当调整,以满足其它电学参数的要求。
R R R7 R8
C CBE
ms
Port PI N N um =1
B JT_N晶体管特性概述
进行晶体管设计,是对晶体管基本理论的一次综 合运用过程,是理论结合实践的一个重要部分。但前 面所学的基本理论只能反映晶体管内部的基本规律, 而且这些规律性往往是在忽略很多次要因素的情况下 得到的,特别对工艺因素的影响基本上没有考虑进去。 因此,设计过程中必须注意引入从生产实践中总结出 的经验数据。同时要边设计,边试制,经过多次反复, 将存在的主要问题反映出来,然后再进行综合分析和 调整,最后提出比较切实可行的设计方案。
(2)集电区厚度: 将BVCBO=80V代入下式
WC xmB
2 s BV CBO qN C
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算得WC≥5.1μm。从提高二次击穿耐量出发,将代入下 式

晶体管原理与设计教学设计

晶体管原理与设计教学设计

晶体管原理与设计教学设计一、引言晶体管是现代电子技术的基础,其应用广泛,涉及到大部分电子设备的电路设计。

因此,晶体管原理与设计在电子信息工程专业的教学中占据着重要的地位。

本文旨在探讨晶体管原理与设计在教学中的设计方法及教学内容。

二、教学目标本课程的教学目标是:•了解晶体管的结构、性能和工作原理;•掌握晶体管的基本电路特性和应用;•学会使用 SPICE 软件进行晶体管电路仿真设计;•学会使用 EDA 工具进行 PCB 设计。

三、教学内容1. 晶体管基本知识教师首先要讲解晶体管的结构、原理以及基本参数,引导学生理解晶体管的本质,逐步掌握晶体管的特性和应用,形成学生对晶体管电路设计的基本认识。

2. 晶体管放大电路晶体管放大电路是晶体管最常用的应用之一,既有理论的分析又有实践的设计过程。

这一环节中,教师可以讲解单管共源极放大电路、共发射极放大电路等典型的放大电路,同时也可以结合实际应用需求讲解不同类型的放大电路。

在讲解过程中,教师应该注重讲解电路的分析和设计方法,指导学生理解电路特性和运作原理。

3. 晶体管开关电路晶体管开关电路是晶体管的另外一种基本应用,也是实际中常用的电路之一。

在这一环节中,结合实际应用需求,教师可以讲解晶体管开关电路的设计及其特点,包括开关电路的基本工作原理、互阻特性、饱和电压特性等方面。

4. SPICE 仿真设计在学生掌握了晶体管电路基本知识的情况下,建议教师引导学生使用 SPICE仿真软件进行模拟设计。

学生可以选取一些典型的电路进行仿真设计,比如放大电路、振荡电路、低噪音电路和开关电路等。

在仿真过程中,学生可以对电路的性能进行分析和改进,提高对电路特性的了解和熟练掌握。

5. EDA 工具 PCB 设计在学生掌握了 SPICE 仿真设计的基本方法后,建议教师引导学生学会使用EDA 工具进行 PCB 设计。

学生可以选取仿真过的电路进行 PCB 设计,并进行实际的 PCB 制作和测试。

课程设计--器件SBC(标准埋层双极晶体管)

课程设计--器件SBC(标准埋层双极晶体管)

标准埋层双极晶体管SBC------设计报告一、版图全貌及版图说明采用负胶工艺,版图尺寸:54μm×50μmL1版为埋层注入扩磷版L2版为PN结隔离环的扩硼版L3版为基区扩硼版L4版为发射区和集电区扩磷版L5版为金属引线孔L6版为金属引线孔的反刻版(以上各版另需翻刻一副,共计12块版。

其中L6版有颜色的部分不保留)L1版为埋层注入扩磷版尺寸大小:38μm×35μm L2版为PN结隔离环的扩硼版尺寸大小:54μm×50μmL3版为基区扩硼版尺寸大小:36μm×18μm L4版为发射区和集电区扩磷版尺寸大小:34μm×23μmL5版为金属引线孔尺寸大小:32μm×30μm L6版为金属引线孔的反刻版尺寸大小:34μm×32μm 二、工艺流程图L1版光刻,扩砷得N型埋层。

外延生长得到-n外延层L2版光刻,扩硼得到隔离环L3版光刻扩硼得基区L4版光刻扩磷得发射区和集电极L5版光刻,L6版反刻得金属电极。

三、 工艺流程说明一、热氧化惨杂浓度为15-3310⨯㎝的P 型硅衬底,生长厚度约为500~1000nm 的氧化层。

二、用L1版光刻,形成埋层窗口。

三、进行浓度为318103-⨯cm As 注入并退火得Xj=2μm ,形成n +埋层。

四、利用HF 腐蚀掉硅片表面的氧化层。

五、将硅片放入1150℃的外延炉中进行外延生长27分钟,得10μm 外延层,浓度为315105-⨯cm 。

六、生长氧化层,用L2版光刻,形成隔离扩散窗口。

七、采用恒定源扩散进行预扩散,表面浓度为318103-⨯cm 。

在1000℃下进行12分钟的硼扩散,得到结深Xj =0.2μm 。

撤去恒定扩散源,在1300℃下进行90分钟的再扩散,得到结深Xj =10μm ,形成P 型隔离区。

八、生长氧化层,用L3版光刻,扩硼。

采用恒定源扩散进行预扩散,表面浓度为317103-⨯cm。

人教版高中物理选修2-1 《晶体管》教案设计

人教版高中物理选修2-1 《晶体管》教案设计

晶体管与半导体教学要点2●半导体一、定义:导电性能介于导体和绝缘体之间,而且电阻不随温度的升高而增加,而随温度的增加而减小,这样的材料称为半导体.二、导体、绝缘体、半导体的比较1.导体:容易导电的物质,电阻率一般在10-8Ω·m~10-6Ω·m之间.2.绝缘体:不易导电的物质,电阻率一般在108Ω·m~1018Ω·m 之间.3.半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间,电阻率一般在10-5Ω·m~106Ω·m之间. 全析提示这是根据导电性能的优劣进行的分类,请找一些生活中材料辨别一下并分类.●半导体的应用一、热敏特性:许多半导体的电阻都随温度的变化而有显著的变化,但要特别注意与金属导体不同的是:半导体的导电性能随温度升高而显著提高,即温度越高电阻率越小,而金属导体的电阻率是随温度升高而增大的,造成这种现象的原因是导体与半导体的微观结构不同使产生电流的原量不同.人们用半导体做成的热敏电阻,当温度升高时,由于电阻减小使电流急剧增大,通常用在温控电路中.二、光敏特性:有些半导体受到光照时电阻大大减小,这种特性称为光敏特性.利用光敏特性制成的装置被广泛用在家用电器和其他机械设备中,例如许多自动控制设备就利用了半导体的光敏特性.三、掺杂特性:在纯净的半导体中掺入微量的杂质可使半导体导电性能提高许多,这种特性被称作掺杂特性.例如在四价的纯半导体硅中掺入微量的五价元素磷后,由于自由电子的增多会使导电性能增强,人们利用这种特性制成了晶体二极管和晶体三极管,现在用晶体管制成的电子设备几乎进入了生活的各个领域,在现代科技中也有非常重要的作用.要点提炼有关半导体的热敏特性、光敏特性、掺杂特性都与材料本身有关系.四、各种半导体器件已广泛应用于卫星、宇航、导弹、雷达、计算机、通信和电视等系统的电子设备中,如光敏电阻、热敏电阻、光电池、半导体探测器、半导体致冷器、半导体整流器、半导体二极管、半导体三极管等半导体器件的应用,大大促进了电子工业和高新技术的发展.人们把半导体的研究、生产和应用所达到的水平,列为一个国家科学技术现代化水平的一项重要标志. 全析提示请搜集有关半导体以及现代科学技术应用的资料.●超导现象1.发现历史1911年荷兰科学家昂尼斯在做低温实验时发现,当温度降到4.2 K 的时候,水银的电阻突然变为零,这是第一次发现超导现象.注意观察,往往会得到意想不到的收获.2.超导现象:金属的电阻率随温度的降低而减小,有些物质当温度降低到绝对零度附近时,它们的电阻率突然变为零.3.超导体:能够发生超导现象的物体.4.转变温度T C:材料由正常状态转变为超导状态的温度.5.超导体的特性超导材料的转变温度太低是目前应用超导体的主要障碍,但超导现象的研究将不断深入,以便使它有广泛的实际应用.(1)零电阻效应:在转变温度以下电阻等于零,一旦超导体中产生“高温”是相对于液氦温度而电流,将毫无衰减地保持电流大小不变.(2)抗磁性:磁感线不能进入超导体中,在一块铅板上放一个小磁铁,当铅板进入超导状态后,小磁铁就会悬浮起来,磁铁的磁感线被压缩在磁铁和铅板之间.言的.●高温超导人们发现一种合成材料——镧钡铜氧化物,其超导转变温度为35 K.把这类氧化物超导体称为高温超导体.●超导体的应用1.在强电方向,可用于远距离低耗输电、磁悬浮列车、大型电磁铁、超导电机、受控热核反应、超导储能等.2.在弱电方面,可用于制造超高速大型计算机、进行极高灵敏的电磁测量、人体脑磁场和心磁图的研究等.目前超导还不能广泛应用.[教材优化全析]●半导体一、定义:导电性能介于导体和绝缘体之间,而且电阻不随温度的升高而增加,而随温度的增加而减小,这样的材料称为半导体.二、导体、绝缘体、半导体的比较1.导体:容易导电的物质,电阻率一般在10-8Ω·m~10-6Ω·m之间.2.绝缘体:不易导电的物质,电阻率一般在108Ω·m~1018Ω·m 之间.3.半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间,电阻率一般在10-5Ω·m~106Ω·m之间. 全析提示这是根据导电性能的优劣进行的分类,请找一些生活中材料辨别一下并分类.●半导体的应用一、热敏特性:许多半导体的电阻都随温度的变化而有显著的变化,但要特别注意与金属导体不同的是:半导体的导电性能随温度升高而显著提高,即温度越高电阻率越小,而金属导体的电阻率是随温度升高而增大的,造成这种现象的原因是导体与半导体的微观结构不同使产生电流的原量不同.人们用半导体做成的热敏电阻,当温度升高时,由于电阻减小使电流急剧增大,通常用在温控电路中.二、光敏特性:有些半导体受到光照时电阻大大减小,这种特性称为光敏特性.利用光敏特性制成的装置被广泛用在家用电器和其他机械设备中,例如许多自动控制设备就利用了半导体的光敏特性.三、掺杂特性:在纯净的半导体中掺入微量的杂质可使半导体导电性能提高许多,这种特性被称作掺杂特性.例如在四价的纯半导体硅中掺入微量的五价元素磷后,由于自由电子的增多会使导电性能增强,人们利用这种特性制成了晶体二极管和晶体三极管,现在用晶体管制成的电子设备几乎进入了生活的各个领域,在现代科技中也有非常重要的作用.要点提炼有关半导体的热敏特性、光敏特性、掺杂特性都与材料本身有关系.四、各种半导体器件已广泛应用于卫星、宇航、导弹、雷达、计算机、通信和电视等系统的电子设备中,如光敏电阻、热敏电阻、光电池、半导体探测器、半导体致冷器、半导体整流器、半导体二极管、半导体三极管等半导体器件的应用,大大促进了电子工业和高新技术的发展.人们把半导体的研究、生产和应用所达到的水平,列为一个国家科学技术现代化水平的一项重要标志. 全析提示请搜集有关半导体以及现代科学技术应用的资料.●超导现象1.发现历史1911年荷兰科学家昂尼斯在做低温实验时发现,当温度降到4.2 K 的时候,水银的电阻突然变为零,这是第一次发现超导现象.注意观察,往往会得到意想不到的收获.2.超导现象:金属的电阻率随温度的降低而减小,有些物质当温度降低到绝对零度附近时,它们的电阻率突然变为零.3.超导体:能够发生超导现象的物体.4.转变温度T C:材料由正常状态转变为超导状态的温度.5.超导体的特性超导材料的转变温度太低是目前应用超导体的主要障碍,但超导现象的研究将不断深入,以便使它有广泛的实际应用.(1)零电阻效应:在转变温度以下电阻等于零,一旦超导体中产生电流,将毫无衰减地保持电流大小不变.(2)抗磁性:磁感线不能进入超导体中,在一块铅板上放一个小磁铁,当铅板进入超导状态后,小磁铁就会悬浮起来,磁铁的磁感线被压缩在磁铁和铅板之间.“高温”是相对于液氦温度而言的.●高温超导人们发现一种合成材料——镧钡铜氧化物,其超导转变温度为35 K.把这类氧化物超导体称为高温超导体.●超导体的应用1.在强电方向,可用于远距离低耗输电、磁悬浮列车、大型电磁铁、超导电机、受控热核反应、超导储能等.2.在弱电方面,可用于制造超高速大型计算机、进行极高灵敏的电磁测量、人体脑磁场和心磁图的研究等.目前超导还不能广泛应用.。

电工电子技术晶体二极管教案

电工电子技术晶体二极管教案

电工电子技术晶体二极管教案一、教学内容本节课选自《电工电子技术》教材第四章第二节,详细内容为晶体二极管的基本原理、性质、主要参数以及应用。

重点介绍晶体二极管的结构、工作原理、单向导电特性以及其在电路中的应用。

二、教学目标1. 理解晶体二极管的基本原理,掌握其性质和主要参数。

2. 学会分析晶体二极管在电路中的作用,并能正确选择和使用。

3. 培养学生的实验操作能力和动手能力,提高学生解决实际问题的能力。

三、教学难点与重点教学难点:晶体二极管的工作原理和单向导电特性。

教学重点:晶体二极管的应用及电路分析。

四、教具与学具准备1. 教具:多媒体课件、实验演示装置、晶体二极管样品。

2. 学具:实验箱、晶体二极管、电阻、电容、直流电源等。

五、教学过程1. 实践情景引入:通过展示发光二极管、整流器等实际应用,引导学生了解晶体二极管在实际电路中的作用。

2. 理论讲解:a. 晶体二极管的结构与原理。

b. 晶体二极管的单向导电特性。

c. 晶体二极管的主要参数。

3. 例题讲解:分析一个简单的晶体二极管电路,让学生理解其工作原理。

4. 随堂练习:设计一个晶体二极管整流电路,并进行分析。

5. 实验操作:a. 观察晶体二极管单向导电特性。

b. 制作一个简单的晶体二极管整流电路,并测试。

六、板书设计1. 晶体二极管的结构与原理2. 单向导电特性3. 主要参数4. 应用实例七、作业设计1. 作业题目:设计一个晶体二极管电路,实现直流电源的整流。

2. 答案:电路图及整流原理分析。

八、课后反思及拓展延伸1. 反思:本节课学生掌握晶体二极管的基本原理和应用情况,但对实验操作部分还需加强指导。

2. 拓展延伸:引导学生了解其他类型的二极管,如光敏二极管、稳压二极管等,以及它们在实际电路中的应用。

重点和难点解析1. 晶体二极管的工作原理和单向导电特性。

2. 晶体二极管的应用及电路分析。

3. 实验操作部分的指导。

一、晶体二极管的工作原理和单向导电特性晶体二极管是一种半导体器件,其内部由P型半导体和N型半导体组成。

《晶体管电路设计(上)》

《晶体管电路设计(上)》

《晶体管电路设计(上)》一、晶体管基础知识1. 晶体管的分类与结构晶体管是一种半导体器件,按照结构和工作原理的不同,可分为两大类:双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。

双极型晶体管包括NPN型和PNP型,而场效应晶体管主要包括增强型MOS管和结型场效应管。

2. 晶体管的工作原理(1)双极型晶体管(BJT)工作原理:当在基极与发射极之间施加适当的正向电压,基区内的少数载流子会增多,导致集电极与发射极之间的电流增大,从而实现放大作用。

(2)场效应晶体管(FET)工作原理:通过改变栅极电压,控制源极与漏极之间的导电通道,实现电流的放大。

3. 晶体管的特性参数(1)直流参数:包括饱和压降、截止电流、放大系数等。

(2)交流参数:包括截止频率、增益带宽积、输入输出阻抗等。

二、晶体管放大电路设计1. 放大电路的基本类型(1)反相放大电路:输入信号与输出信号相位相反。

(2)同相放大电路:输入信号与输出信号相位相同。

(3)电压跟随器:输出电压与输入电压基本相等。

2. 放大电路的设计步骤(1)确定电路类型:根据实际需求选择合适的放大电路类型。

(2)选择晶体管:根据电路要求,选取合适的晶体管型号。

(3)计算电路参数:包括偏置电阻、负载电阻、耦合电容等。

(4)电路仿真与调试:利用电路仿真软件进行仿真,并根据实际效果调整电路参数。

三、晶体管开关电路设计1. 开关电路的基本原理晶体管开关电路利用晶体管的截止和饱和状态,实现电路的通断控制。

当晶体管处于截止状态时,开关断开;当晶体管处于饱和状态时,开关闭合。

2. 开关电路的设计要点(1)选择合适的晶体管:确保晶体管在截止和饱和状态下都能满足电路要求。

(2)优化电路参数:合理设置驱动电流、开关速度等参数,以提高开关电路的性能。

(3)考虑开关损耗:在设计过程中,尽量降低开关过程中的能量损耗,提高电路效率。

《晶体管电路设计(上)》四、晶体管稳压电路设计1. 稳压电路的作用与分类稳压电路的主要作用是保证输出电压在一定范围内稳定不变,不受输入电压和负载变化的影响。

功率晶体管课程设计

功率晶体管课程设计

功率晶体管课程设计一、教学目标本节课的教学目标是让学生掌握功率晶体管的基本原理、结构和应用,培养学生分析问题和解决问题的能力。

具体目标如下:1.知识目标:(1)了解功率晶体管的结构和原理;(2)掌握功率晶体管的工作特性;(3)熟悉功率晶体管的应用领域。

2.技能目标:(1)能够分析功率晶体管的工作原理;(2)能够运用功率晶体管解决实际问题;(3)能够进行功率晶体管的简单设计和优化。

3.情感态度价值观目标:(1)培养学生对功率晶体管技术的兴趣和好奇心;(2)使学生认识到功率晶体管在现代科技中的重要性;(3)培养学生勇于探索、创新的精神。

二、教学内容根据课程目标,本节课的教学内容如下:1.功率晶体管的基本原理:介绍功率晶体管的工作原理,包括PN结的形成、载流子的运动和导电特性等。

2.功率晶体管的结构:讲解功率晶体管的常见结构类型,如NPN型、PNP型等,并分析各种结构的特点和应用。

3.功率晶体管的工作特性:阐述功率晶体管的导通和截止条件,分析其输出特性、输入特性和开关特性等。

4.功率晶体管的应用:介绍功率晶体管在电子设备中的应用领域,如放大器、开关电路、稳压器等,并分析实际应用中的关键参数。

三、教学方法为了提高教学效果,本节课采用以下教学方法:1.讲授法:讲解功率晶体管的基本原理、结构和应用,使学生掌握基础知识。

2.案例分析法:分析实际应用中的功率晶体管电路,让学生学会运用所学知识解决实际问题。

3.实验法:安排课后实验,让学生亲自动手操作,加深对功率晶体管的理解和掌握。

4.讨论法:学生分组讨论,培养学生的团队协作能力和口头表达能力。

四、教学资源为了支持教学内容和教学方法的实施,本节课准备以下教学资源:1.教材:选用权威、实用的教材,如《功率晶体管原理与应用》。

2.参考书:提供相关领域的参考书籍,如《晶体管电路原理》。

3.多媒体资料:制作精美的PPT,生动展示功率晶体管的结构和原理。

4.实验设备:准备功率晶体管实验套件,让学生动手实践。

塑封课程设计晶体管

塑封课程设计晶体管

塑封课程设计晶体管一、课程目标知识目标:1. 学生能理解晶体管的基本概念,掌握其种类、结构和工作原理;2. 学生能了解塑封技术的基本原理,理解其在集成电路中的应用;3. 学生能掌握晶体管参数的测量方法,学会分析晶体管特性曲线。

技能目标:1. 学生能运用所学知识,分析塑封晶体管在实际电路中的应用;2. 学生能在实验中熟练操作仪器,进行晶体管参数的测量;3. 学生能通过小组合作,解决实际问题,提高团队协作能力。

情感态度价值观目标:1. 学生对电子技术产生兴趣,培养探索精神;2. 学生在实验过程中,养成严谨、细致的科学态度;3. 学生通过学习晶体管的发展历程,增强民族自豪感,树立科技创新意识。

课程性质:本课程为电子技术基础课程,以理论教学和实践操作相结合的方式进行。

学生特点:学生为初中生,具备一定的物理基础,对电子技术有一定了解,但晶体管相关知识较为陌生。

教学要求:结合学生特点,注重理论知识与实践操作的衔接,激发学生兴趣,培养实际操作能力。

通过本课程的学习,使学生在掌握晶体管相关知识的基础上,提高分析问题和解决问题的能力。

1. 晶体管基本概念:介绍晶体管的定义、种类及其在电子电路中的作用;教材章节:第二章第二节“晶体管及其特性”。

2. 晶体管结构和工作原理:讲解晶体管的结构、工作原理及其参数;教材章节:第二章第三节“晶体管的结构与工作原理”。

3. 塑封技术及其应用:介绍塑封技术的基本原理,以及在集成电路中的应用;教材章节:第三章第一节“集成电路与塑封技术”。

4. 晶体管参数测量:学习晶体管参数的测量方法,包括静态特性参数和动态特性参数;教材章节:第二章第四节“晶体管参数的测量”。

5. 晶体管特性曲线分析:分析晶体管特性曲线,理解其工作状态和性能;教材章节:第二章第五节“晶体管的特性曲线”。

6. 塑封晶体管在实际电路中的应用:结合实例,分析塑封晶体管在实际电路中的应用;教材章节:第三章第二节“塑封晶体管的应用案例分析”。

NPN型双极晶体管(半导体器件课程设计)

NPN型双极晶体管(半导体器件课程设计)

微电子器件课程设计报告题目: NPN型双极晶体管班级:微电0802班学号:080803206姓名:子忠指导老师:剑霜2011年6月6日一、目标结构NPN 型双极晶体管二、目标参数最终从IV 曲线中提取出包括fT 和Gain 在的设计参数.三、在该例中将使用:(1)多晶硅发射双极器件的工艺模拟;(2)在DEVEDIT 中对结构网格重新划分;(3)提取fT 和peak gain.ATLAS 中的解过程:1. 设置集电极偏压为2V.2. 用log 语句用来定义Gummel plot 数据集文件.3. 用extract 语句提取BJT 的最大增益"maxgain" 以及最大ft,"maxft". Gummel plot: 晶体管的集电极电流Ic 、基极电流Ib 与基极-发射极电压Vbe 关系图(以半对数坐标的形式).四、制造工艺设计4.1. 首先在ATHENA 中定义0.8um*1.0um 的硅区域作为基底,掺杂为均匀的砷杂质,浓度为2.0e16/cm 3,然后在基底上注入能量为18ev ,浓度为4.5e15/cm 3的掺杂杂质硼,退火,淀积一层厚度为0.3um 的多晶硅,淀积过后,马上进行多晶硅掺杂,掺杂为能量50ev ,浓度7.5e15/cm 3的砷杂质,接着进行多晶硅栅的刻蚀(刻蚀位置在0.2um处)此时形成N++型杂质(发射区)。

刻蚀后进行多晶氧化,由于氧化是在一个图形化(即非平面)以及没有损伤的多晶上进行的,所以使用的模型将会是fermi 以及compress ,进行氧化工艺步骤时分别在干氧和氮的气氛下进行退火,接着进行离子注入,注入能量18ev ,浓度2.5e13/cm 3的杂质硼,随后进行侧墙氧化层淀积并进行刻蚀,再一次注入硼,能量30ev,浓度1.0e15/cm 3,形成P+杂质(基区)并作一次镜像处理即可形成完整NPN 结构,最后淀积铝电极。

4.2. 三次注入硼的目的:第一次硼注入形成本征基区;第二次硼注入自对准(self-aligned) 于多晶硅发射区以形成一个连接本征基区和p+ 基极接触的connection. 多晶发射极旁的侧墙(spacer-like) 结构用来隔开p+ 基极接触和提供自对准.在模拟过程中,relax 语句是用来减小结构深处的网格密度,从而只需模拟器件的一半;第三次硼注入,形成p+ 基区。

晶体管 课程设计2

晶体管 课程设计2

1、晶体管概述—发展现状1947年12月23日,贝尔实验室在助听器中展示了人类第一块晶体管,William Shockley 被誉为晶体管之父。

在随后的10年中,晶体管技术不断进步,包括随后发明的单锗晶硅、生长结型晶体管、接触型硅晶体管和固态晶体管开关等,德州仪器和贝尔实验室分别在1954年推出晶体管收音机和全晶体管计算机,并且,1957年美国第一个轨道卫星“探测者”也首次使用了晶体管技术。

这10年间,半导体产业处于最激动人心的“发明时代”。

英特尔在其此前的65nm制程技术中,已经成功将氧化硅栅介质的厚度缩小至1.2nm(相当于五个原子层),但是不断缩小也使栅介质的漏电量逐步增加,导致电流浪费和不必要的发热,影响晶体管发挥其应有的作用。

毫无疑问,过去40年一直用来制造晶体管的某些材料需要进行替代。

英特尔公司已经开发出应用于其45纳米晶体管的新型材料,当这些材料组合在一起时,就可制造出一种漏电率极低、性能极高的晶体管。

这种晶体管采用基于鉿的高-K栅介质来代替原来的二氧化硅栅介质。

这里的K所指的就是介电常数,原来所使用的二氧化硅栅介质的K值约为4-5附近,而高-K材料一般会在25以上(但英特尔并未透露所采用的这种高-K材料的具体情况)。

利用这种高-K材料,可以使得栅介质层的厚度不必太薄,可明显的降低栅电极漏电,同时还提高了栅场效,从而达到了提升“开状态”下的电流,降低“关状态”下的电流的目的。

晶体管在近半个多世纪以来取得了举世瞩目的发展,是现代电子学、微电子学的主要基石之一.随着近年来电子学的进一步发展,晶体管正面临着又一次革命:从传统的微米尺度的晶体管向纳米和分子尺度的晶体管过渡;世界集成电路加工工艺水平也正从0.13微米向0.09微米,12英寸加工工艺过渡,SOC(System-On-Chip)正成为集成电路产品的主流。

正因为集成度的增加,使得晶体管必须越做越小,由03年的50纳米,到07年的20nm,随着尺寸的减小而逐渐变小。

NPN型双极晶体管(半导体器件课程设计)

NPN型双极晶体管(半导体器件课程设计)

微电子器件课程设计报告题目:NPN型双极晶体管班级:微电0802班学号:080803206姓名:李子忠指导老师:刘剑霜2011 年6月6日页脚内容1一、目标结构NPN 型双极晶体管二、目标参数最终从IV曲线中提取出包括fT和Gain在内的设计参数.三、在该例中将使用:(1)多晶硅发射双极器件的工艺模拟;(2)在DEVEDIT中对结构网格重新划分;(3)提取fT和peak gain.ATLAS中的解过程:1. 设置集电极偏压为2V.2. 用log语句用来定义Gummel plot数据集文件.3.用extract语句提取BJT的最大增益"maxgain"以及最大ft,"maxft". Gummel plot:晶体管的集电极电流Ic、基极电流Ib与基极-发射极电压Vbe关系图(以半对数坐标的形式).四、制造工艺设计4.1.首先在ATHENA中定义0.8um*1.0um的硅区域作为基底,掺杂为均匀的砷杂质,浓度为2.0e16/cm3,然后在基底上注入能量为18ev,浓度为4.5e15/cm3的掺杂杂质硼,退火,淀积一层厚度为0.3um的多晶硅,淀积过后,马上进行多晶硅掺杂,页脚内容2掺杂为能量50ev,浓度7.5e15/cm3的砷杂质,接着进行多晶硅栅的刻蚀(刻蚀位置在0.2um处)此时形成N++型杂质(发射区)。

刻蚀后进行多晶氧化,由于氧化是在一个图形化(即非平面)以及没有损伤的多晶上进行的,所以使用的模型将会是fermi以及compress,进行氧化工艺步骤时分别在干氧和氮的气氛下进行退火,接着进行离子注入,注入能量18ev,浓度2.5e13/cm3的杂质硼,随后进行侧墙氧化层淀积并进行刻蚀,再一次注入硼,能量30ev,浓度1.0e15/cm3,形成P+杂质(基区)并作一次镜像处理即可形成完整NPN结构,最后淀积铝电极。

4.2.三次注入硼的目的:第一次硼注入形成本征基区;第二次硼注入自对准(self-aligned)于多晶硅发射区以形成一个连接本征基区和p+ 基极接触的connection.多晶发射极旁的侧墙(spacer-like)结构用来隔开p+ 基极接触和提供自对准.在模拟过程中,relax 语句是用来减小结构深处的网格密度,从而只需模拟器件的一半;第三次硼注入,形成p+基区。

晶体管原理与设计课程设计

晶体管原理与设计课程设计

晶体管原理与设计课程设计课程背景晶体管是一种重要的半导体电路元器件,其在电子技术领域中具有广泛的应用。

为了系统地学习晶体管的原理和设计,本课程特别针对大学电子信息类专业开设,旨在使学生掌握晶体管的基本结构、特性和参数,理解晶体管的工作原理,掌握CMOS数字集成电路的设计方法和技巧。

课程目标•了解晶体管的基本结构、特性和参数;•理解晶体管的工作原理;•掌握基本的晶体管功率放大电路和数字集成电路设计方法;•学习使用EDA软件进行CMOS数字集成电路设计。

课程大纲1.晶体管的结构和特性•pn结和二极管•MOSFET和BJT晶体管•晶体管的参数及其意义2.晶体管电路的分析•直流电路分析•交流电路分析•晶体管小信号模型3.晶体管功率放大电路设计基础•线性放大电路的设计和分析•大信号放大电路的设计和分析•宽带放大电路的设计和分析4.CMOS数字集成电路设计•逻辑门电路的设计和分析•存储器电路的设计和分析•时序电路的设计和分析5.EDA软件的使用•PSpice电路仿真•LTspice电路仿真•Cadence IC设计流程课程教学方法本课程采用理论教学与实践相结合的教学方法。

理论部分采用课堂讲授与教材自学相结合的方式,使学生可以掌握必要的基础知识。

实践部分采用电路仿真软件进行模拟实验,同时还需要完成一定的电路设计和验证任务。

课后要求学生自主完成作业并提交报告,以检验学生是否掌握了课程中的重点知识。

考核方式考核方式主要包括课堂成绩和实践成绩两部分。

其中,理论部分的课堂教学成绩包括出勤、课堂表现和期中/期末考试等,实践部分的成绩主要包括电路设计报告和综合实验成绩等。

参考书目•《微电子电路》, Sedra和Smith,电子工业出版社•《CMOS数字集成电路设计与仿真》,胡平,清华大学出版社•《模拟电子技术基础》,钟丽明,机械工业出版社总结通过本课程的学习,学生应该可以对晶体管的基本原理有一个较为深入的认识,掌握基本的晶体管电路分析和设计方法,理解CMOS数字集成电路的发展和设计思路,并能自主使用EDA工具进行电路仿真和设计。

IGBT的应用课程设计

IGBT的应用课程设计

IGBT的应用课程设计一、课程目标知识目标:1. 学生能够理解IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的基本结构和工作原理;2. 学生能够描述IGBT在电力电子设备中的应用及其优势;3. 学生能够掌握IGBT驱动和保护的电路原理。

技能目标:1. 学生能够运用所学知识,分析并设计简单的IGBT应用电路;2. 学生能够通过实验操作,正确测量并记录IGBT相关参数;3. 学生能够运用相关软件或工具,模拟并优化IGBT电路性能。

情感态度价值观目标:1. 培养学生对电力电子技术领域的兴趣,激发他们探索新技术的热情;2. 培养学生团队协作精神,提高他们在实际操作中解决问题的能力;3. 增强学生环保意识,让他们认识到高效电力电子设备在节能环保方面的重要性。

课程性质:本课程为高中电子技术课程的一部分,主要针对具有一定电子基础的学生,通过理论讲解和实验操作,使学生对IGBT的应用有更深入的了解。

学生特点:高中学生具有较强的逻辑思维能力和动手操作能力,对新鲜事物充满好奇,但可能对IGBT这一较新的电子元件了解不多。

教学要求:结合学生特点,注重理论与实践相结合,鼓励学生参与实验,培养他们独立思考和解决问题的能力。

在教学过程中,关注学生的个体差异,提供有针对性的指导。

通过本课程的学习,使学生能够掌握IGBT的基本知识和应用技能,为后续深入学习电力电子技术打下基础。

二、教学内容1. IGBT的基本概念- IGBT的定义及其在电力电子器件中的地位- IGBT的结构特点与工作原理2. IGBT的应用领域- 介绍IGBT在变频器、电动汽车、可再生能源等领域的应用- 分析IGBT在这些应用中的优势3. IGBT的驱动与保护- 驱动电路的原理与设计- 保护电路的原理与实现4. IGBT电路设计实例- 分析并设计简单的IGBT应用电路- 介绍电路设计过程中的注意事项5. IGBT实验操作- 实验室测量IGBT相关参数的方法- 实验操作步骤及安全注意事项6. IGBT电路仿真- 使用相关软件进行IGBT电路仿真- 优化电路性能,提高效率教学内容安排:第一课时:IGBT的基本概念第二课时:IGBT的应用领域第三课时:IGBT的驱动与保护第四课时:IGBT电路设计实例第五课时:IGBT实验操作第六课时:IGBT电路仿真教材章节关联:本教学内容与教材中“电力电子器件与应用”章节相关,涵盖了该章节关于IGBT的基础知识和应用案例。

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课程设计任务书学生姓名:陈荣峰专业班级:电子0803班指导教师:娄平工作单位:信息工程学院题目:基于晶体管的迟滞电压比较器的设计初始条件:具较扎实的电子电路的理论知识及较强的实践能力;对电路器件的选型及电路形式有一定的了解;具备晶体管电路的基本设计及基本调试能力;能够正确使用实验仪器进行电路的调试与检测;使用适当的软件进行仿真和制作PCB板图。

要求完成的主要任务:1.采用晶体管设计电路完成一个迟滞电压比较器的设计;2.利用仿真软件Pspice或Multisim仿真电路,并学习PROTEL软件,并用其绘制电路的原理图和PCB图,要求图纸绘制清晰,布线合理,符合绘图规范;3.完成课程设计报告(应包含电路图,清单、调试及设计总结)。

时间安排:1.2011年6月12日分班集中,布置课程设计任务、选题;讲解课设具体实施计划与课程设计报告格式的要求;课设答疑事项。

2.2011年6月13日至2010年6月24日完成资料查阅、设计、制作与调试;完成课程设计报告撰写。

3. 2011年6月25日提交课程设计报告,进行课程设计验收和答辩。

指导教师签名:年月日系主任(或责任教师)签名:年月日目录摘要 (I)Abstract........................................................... I I 1绪论.. (1)2设计内容及要求 (2)2.1设计目的及主要任务 (2)2.1.1设计目的 (2)2.1.2设计任务及要求 (2)2.2设计思想 (2)3电路原理说明 (3)3.1电路组成 (3)3.2门限电压的估算 (3)4运算放大器 (6)4.1差分放大电路 (6)4.2中间级 (6)4.3射级跟随器 (7)5电路的仿真 (8)5.1Multisim的简介 (8)5.2电路的仿真 (8)6利用Protel软件制PCB版 (11)6.1Protel简介 (11)6.2Protel的使用 (11)结束语 (16)参考文献 (17)附录Ⅰ整体电路图 (18)附录ⅡPCB版图 (19)附录Ⅲ元件清单 (20)摘要本文介绍作品采用Multisim10对迟滞电压比较器进行绘制电路图及仿真工作以及protel进行绘制电路图制作PCB 板。

主要介绍了比较器的制作原理以及Multisim10和protel的一些基本的操作和用法。

例如,原理图sch的绘制,当然其中也包括元件的制作;印刷电路板PCB的制作;对电路原理图进行仿真。

电路分块清晰,PCB板美观、模块清晰。

经仿真电路原理正确。

达到任务要求。

运用PROTEL软件绘制最小系统原理图及部分外围扩展,在使用该软件当中,学会创建设计文档管理库,加载元件库,绘制电路图,放置电源部件,修改元件参数,生成网络表文件,同时还要将自己设计的电路原理图生成PCB电路板图等方法。

在此基础之上将自己设计的电路进行仿真,并对其波形及数据进行分析。

关键词:Multisim,protel,迟滞电压比较器,PCBAbstractThis article describes the work on the simple voice-activated light with Multisim10 to draw circuit diagrams and circuit simulation work and to draw circuit diagrams produced PROTEL PCB board. Introduces the principles of voice production as well as light PROTEL and Multisim10 some of the basic operation and usage. For example, the schematic drawing of SCH, of course, including the production of components; printed circuit board PCB production; on the circuit diagram for simulation. Clear the circuit block, PCB board appearance, the module definition. The simulation circuit correctly. Meeting mission requirements.Using PROTEL software to draw the minimum system schematics and part of the external expansion, in which the use of the software, learn to create the design document management library, load cell library, drawing schematics, place the power supply components, modify component parameters, the network table file generated, but also his design of the circuit board PCB schematic generation methods such as. On this basis, the circuit simulation of their own design, and its waveforms and data for analysis.Key words: Multisim, protel, Hysteresis voltage comparator, PCB1绪论晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。

晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达100GHz以上。

晶体管,本名是半导体三极管,是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件。

它对电信号有放大和开关等作用,应用十分广泛。

输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路,叫做晶体管-晶体管逻辑电路,书刊和实用中都简称为TTL电路,它属于半导体集成电路的一种,其中用得最普遍的是TTL与非门。

TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上,封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一,在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”等)表示。

本文介绍了基于晶体管的电压比较器设计。

2设计内容及要求2.1设计目的及主要任务2.1.1设计目的提高电子电路的理论知识及较强的实践能力;对电路器件的选型及电路形式的选择有一定的了解;学习晶体管电路的基本设计能力及基本调试能力;能够正确使用实验仪器进行电路的调试与检测;使用适当的软件进行仿真和制作PCB板图。

2.1.2设计任务及要求根据已知条件,完成通过基于晶体管的声控灯的设计、连接与仿真。

须符合以下要求:1.采用晶体管设计电路完成一个迟滞电压比较器的设计;2.利用仿真软件Pspice或Multisim仿真电路,并学习PROTEL软件,并用其绘制电路的原理图和PCB图,要求图纸绘制清晰,布线合理,符合绘图规范;3.完成课程设计报告(应包含电路图,清单、调试及设计总结)。

2.2设计思想本次设计要求完成基于晶体管的电压比较器的设计、连接与仿真,选择适合三极管。

本设计的核心是利用三极管搭建出简易的集成运算放大器来达到构成迟滞电压比较器的目的。

随后运用Multisim10中的仿真功能对其予以仿真,从仿真的结果中分析程序的正确性。

然后运用Protel画出电路图待所有模块的功能正确之后,然后制作相应的PCB板。

最后照着原理图进行整机电路的连接。

3电路原理说明3.1电路组成迟滞比较器是一个具有迟滞回环特性的比较器。

图3.1所示为反相输入迟滞比较器原理电路,它是在反相输入单门限电压比较器的基础上引入了正反馈网络。

图3.1反相输入迟滞电压比较器3.2门限电压的估算由于比较器中的运放处于开环状态或正反馈状态,因此一般情况下,输出电压O V 与输入电压i V 不成线性关系,只有在输出电压发生跳变瞬间,集成运放两个输入端之间的电压才可近似认为等于零。

设运放是理想的并利用叠加原理,则有: 122121O R P th RV R V V V R R R R ==+++ 根据输出电压O V 的不同值(V OH 或V OL ),可求出上门限电压th V +和下门限电压th V -分别为122121OH R th RV R V V R R R R +=+++,122121OL R th RV R V V R R R R -=+++当i V 为足够负时, O th V V =,P th V V +=当i V 从零逐渐增大时,且i th V V +≤时,O OH V V =,th V +称为上限触发电平或称为上限阈值。

当输入电压i th V V +≥时,O OL V V =。

此时触发电平变为th V -,称为下限触发电平或下限阈值。

O p V V ↓→↓为正反馈过程。

这是传输特性的正向部分。

当i V 为足够大的正值时,i V 逐渐减小,且i th V V -≥时,始终满足:O OL V V =。

当输入电压变化到i th V V -≤以后,O OH V V =。

O p V V -↑→↑为正反馈过程,这时比较器翻转。

这是传输特性的反向部分。

从以上分析得知,迟滞电压比较器输出端从高电平跳变到低电平对应的阈值电压th V -与从低电平到高电平对应的阈值电压th V +不同。

迟滞电压比较器存在两个阈值电平分别是:上限触发电平th V +,下限触发电平th V -;定义二阈值之差T th th V V V +-∆=-为回差电压。

迟滞电压的电压传输特性如图3.2所示:图3.2电压传输特性若i V 为正弦波信号,经迟滞比较器波形变换,O V 为方波信号,工作波形如图3.3所示:图3.3迟滞比较器工作波形4运算放大器4.1差分放大电路差分放大电路利用电路参数的对称性和负反馈作用,有效地稳定静态工作点,以放大差模信号抑制共模信号为显著特征,广泛应用于直接耦合电路和测量电路的输入级。

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