图解芯片制作工艺流程图
芯片工艺流程图
晶片镀膜甩胶清洗2
3
酸洗1
去胶甩胶曝光6
7
显影烘烤8
绿色 GaN--P 层 0.63μm (带低掺杂）黄色 GaN--N 层1.6μm 深灰 蓝宝石衬底430μm
透明电极层（梅红色） Ni=20Å，Au=90Å光刻胶（浅橘色）Primer +S1818
LED芯片工艺流程图
C9 Led-B375/325-Mesa
光刻胶（棕黄色） Primer +SPR220-3.0
曝光
SiO2钝化膜甩胶显影11前烘烘烤
1213
灰色 SiO2 PTI 700，200º C，1,000 Å
甩胶曝光氧等离子
16显影预清洗
17N极镀膜
18
光刻胶（红色）
镀N极电极（宝石蓝）曝光P极镀膜
显影22剥离
2123
镀引线电极（金色） Ti=200 Å / Au=10,000 Å
曝光氧等离子
显影
烘烤蚀刻
45
）Primer +S1818 = 2.05μm
氧等离子体
干法刻蚀去胶
9退火
10
-Mesa
蚀刻深度： 0.9 ± 0.1µm
氧等离子
刻蚀去胶
1415
甩胶
剥离20
退火
19
光刻胶（红色） 电极（宝石蓝）
EV2
蓝膜
研磨
24
1008蓝膜贴在晶园上并等待30分钟。
把1008蓝膜慢慢拉起，并目检
研磨后为95±5μm。
图解芯片制造工艺流程(全图片注解,清晰明了)
图解芯片制造工艺流程（全图片注解，清晰明了）该资料简洁明了，配图生动，非常适合普通工程师、入门级工程师或行业菜鸟，帮助你了解芯片制造的基本工艺流程。
首先，在制造芯片之前，晶圆厂得先有硅晶圆材料。
从硅晶棒上切割出超薄的硅晶圆，然后就可以进行芯片制造的流程了。
1、湿洗 (用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)2、光刻 (用紫外线透过蒙版照射硅晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意, 此时还没有加入杂质, 依然是一个硅晶圆. )3、离子注入 (在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质, 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管.) 4.1、干蚀刻(之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的，而是为了离子注入而蚀刻的。
现在就要用等离子体把他们洗掉，或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构，这一步进行蚀刻).4.2、湿蚀刻 (进一步洗掉，但是用的是试剂，所以叫湿蚀刻)——以上步骤完成后, 场效应管就已经被做出来啦，但是以上步骤一般都不止做一次, 很可能需要反反复复的做，以达到要求。
5、等离子冲洗 (用较弱的等离子束轰击整个芯片) 6、热处理，其中又分为： 6.1 快速热退火 (就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上, 然后慢慢地冷却下来, 为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化)6.2 退火 6.3 热氧化 (制造出二氧化硅, 也即场效应管的栅极(gate) ) 7、化学气相淀积(CVD)，进一步精细处理表面的各种物质 8、物理气相淀积 (PVD)，类似，而且可以给敏感部件加coating 9、分子束外延 (MBE) 如果需要长单晶的话就需要。
10、电镀处理 11、化学/机械表面处理 12、晶圆测试13、晶圆打磨就可以出厂封装了。
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图解芯片制作工艺流程..
• 铜层：电镀完成后，铜离子沉积在晶圆表面，形 成一个薄薄的铜层。
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• 抛光：将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶 圆表面。
26
• 金属层：晶体管级别，六个晶体管的组合，大约500纳米。在不同晶 体管之间形成复合互连金属层，具体布局取决于相应处理器所需要的 不同功能性。芯片表面看起来异常平滑，但事实上可能包含20多层复 杂的电路，放大之后可以看到极其复杂的电路网络，形如未来派的多 层高速公路系统
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• 光刻：由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。一块晶圆 上可以切割出数百个处理器，不过从这里开始把视野缩小 到其中一个上，展示如何制作晶体管等部件。晶体管相当 于开关，控制着电流的方向。现在的晶体管已经如此之小， 一个针头上就能放下大约3000万个。
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• 溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻 胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。
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• 零售包装：制造、测试完毕的处理器要么 批量交付给OEM厂商，要么放在包装盒里 进入零售市场。这里还是以Core i7为例。
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核级别。从晶圆上切割下来 的单个内核，这里展示的是Core i7的核心。
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• 封装：封装级别，20毫米/1英寸。衬底(基片)、内核、散 热片堆叠在一起，就形成了我们看到的处理器的样子。衬 底(绿色)相当于一个底座，并为处理器内核提供电气与机 械界面，便于与PC系统的其它部分交互。散热片(银色)就 是负责内核散热的了。
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• 晶圆测试：内核级别，大约10毫米/0.5英寸。图 中是晶圆的局部，正在接受第一次功能性测试， 使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。
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• 晶圆切片(Slicing)：晶圆级别，300毫米 /12英寸。将晶圆切割成块，每一块就是一 个处理器的内核(Die)。
芯片工艺流程图及说明
李经理:请查看附件.环评要求你们的工艺流程及说明也要像附件中我们的芯片流程这样描述详细.(流程右边的代号是表示废水或废气,你可以用文字表述.另外你们的原材料中有一种含氰的化学品,请你们说明其无害特点.如确实有害,则要说明处理方案.上面的事很急,请你帮忙这两天就给出来.芯片工艺流程图及说明工艺流程图红黄光芯片生产工艺流程及产污环节点见图4-2、W 废水产出点注：G 废气产出点S 固废产出点氢氟酸、S2-9、S2-7、G 2-9硫酸红、黄光外延片金钛铝图4－2 红黄光芯片生产工艺流程及产污环节点工艺流程说明（1）外延片检测：用荧光测试仪快速测量外延片的光电参数。
（2）清洗：将外延生长好的外延片依次放入硫酸与双氧水的混合溶液、氨水与双氧水的混合溶液、异丙醇中对外延片表面进行清洗，每次清洗后使用纯水进行冲洗。
此过程在通风柜里密闭进行，冲洗使用通风柜内的专用清洗槽，使用纯水进行漂洗直至槽中纯水达到工艺要求的较低离子浓度。
（3）蒸镀：清洗后的外延片放入密封蒸镀设备中，根据产品品种要求，蒸发上钛金或钛铝电极薄膜。
（4）光刻：将镀好金属的外延片在涂胶机上涂上光刻胶后，在曝光机上曝光，将光刻版上的图形转移到光刻胶上，再放入显影液中，溶解去曝过光的光刻胶，未经曝光的光刻胶保留下来，得到所需的电极图形。
（5）腐蚀：将光刻后的外延片依次采用磷酸、氢氟酸与硝酸的混合液来腐蚀钛、金和铝等金属，腐蚀后用纯水冲洗外延片携带的酸液、再用去胶液去除光刻胶，得到所需的金属电极。
用纯水冲去外延片携带的去胶液。
（6）高温合金：腐蚀后的外延片放在合金炉中进行热处理，使金属层与外延层形成良好的欧姆接触，减低芯片正向电压。
（7）研磨：通过蜡将外延片粘接在研磨盘上，放入研磨机内，采用三氧化二铝研磨粉，通过机械研磨的方式，减薄衬底，使外延片易于切割，并降低芯片的热阻，提高器件的可靠性。
（8）研磨后清洗：研磨后的外延片先用去蜡液、丙酮和异丙醇去除蜡，再依次放入硫酸与双氧水的混合溶液、氨水与双氧水的混合溶液进行清洗、去蜡以及每次清洗后使用纯水进行冲洗。
图解芯片制造流程
单晶硅锭（Ingot）：圆柱形，重量约100Kg，硅纯度99.9999%。
晶圆切割（W afe r）：直径含6英寸、12英寸、18英寸，表面光亮，完美无暇。
光刻（Photo）：平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。
是对半导体晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。
蚀刻（Etching）：按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离。
刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。
刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。
分层（Level）：通过重复影印和蚀刻，形成多层的机构，AMD已达到9层。
封装（Package）：安装半导体集成电路芯片用的外壳，起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁。
芯片封装类型包含双列直插DIP、贴片PLC C与TQFP、SOP、TSOP、PQFP、LGA、PGA、BGA。
测试（Final Te st）：确保芯片满足设计的各项功能。
芯片制作流程图
芯片制作全过程芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。
其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。
1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。
2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。
在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。
3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。
其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。
到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。
4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。
经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。
而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。
LED芯片全制程图解_pdf
設 備 ： MOCVD 攜帶氣體(Carrier Gas)：H2 清 管 路 或 反 應 腔 氣 體 (Purge Gas)： N2
-2-
原料： • 基 板 (Substrate)： GaAs,Sapphire,InP • 有 機 金 屬 氣 體 (MO)如 TMA, TMG, TMI • 其 它 反 應 氣 體 ： NH3 •氫化物(Hydride)如 PH3, AsH3 •摻質如 CP2Mg, DMZn, SiH4
LED 製程簡介
• 上 游 磊 晶 (EPI) •中游晶粒(Chip Process) • 下 游 封 裝 (Package)
-1-
LED 磊 晶 上 游
MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)亦 稱 MOVP磊晶上游 磊晶方式
-5-
-6-
封裝目的 •易搬運、持取使用 •環境抵抗：溫度、 •濕度及震動 •電性連結 •光學結合：發光角度 •熱傳導
封裝製程 •上銀膠→置晶粒→打線→灌樹脂→硬 烤成型
整理﹕晶片中心 2003.9.9
-7-
磊晶環境 • 高 溫 (750°C~1100°C) • 低 壓 (10~100 Torr)
磊 晶 (Epitaxy)： 於單晶基板上沿特定方向成長單晶晶体，並控制其厚度及摻質濃度。
基 板 (Substrate)： 支撐成長之單晶薄膜，厚度約 300~350 m。
摻質(Doping) ： 摻入 P 型(N 型)材料改變磊晶層中主要導電載子電洞(電子)濃度。
發光層(Active layer) ： 發光區，電子與電洞結合。
图解芯片制作工艺流程PPT学习教案
光刻：由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。一块晶圆 上可以切割出数百个处理器，不过从这里开始把视野缩 小到其中一个上，展示如何制作晶体管等部件。晶体管 相当于开关，控制着电流的方向。现在的晶体管已经如 此之小，一个针头上就能放下大约3000万个。
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17
溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻 胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。
第18页/共40页
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光刻胶：再次浇上光刻胶(蓝色部分)，然后光刻， 并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护 不会离子注入的那部分材料。
第19页/共40页
19
离子注入(Ion Implantation)：在真空系统中，用经过加 速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料，从而在 被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅 的导电性。经过电场加速后，注入的离子流的速度可以 超过30万千米每小时。
第20页/共4刻胶也被清除，而注入区域 (绿色部分)也已掺杂，注入了不 同的原子。注意这时候的绿色 和之前已经有第21所页/共4不0页 同。
21
晶体管就绪：至此，晶体管已 经基本完成。在绝缘材(品红色) 上蚀刻出三个孔洞，并填充铜， 以便和其它晶第22体页/共4管0页 互连。
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第27页/共40页
27
第28页/共40页
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晶圆测试：内核级别，大约10毫米/0.5英寸。图 中是晶圆的局部，正在接受第一次功能性测试， 使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。
第29页/共40页
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晶圆切片(Slicing)：晶圆级别， 300毫米/12英寸。将晶圆切割成 块，每一块就是一个处理器的 内核(Die)。 第30页/共40页
芯片生产工艺流程ppt课件
SiO 2
外延层
发射区
基区
集电区
55
背金合金
SiO 2
外延层
发射区
基区
集电区
56
芯片测试
SiO 2
外延层
发射区
基区
集电区
测试系统
57
N型片制造（一般）工艺流程
N
一次氧化
基区光刻
干氧氧化
硼离子注入
基区扩散
发射区光刻
发射区磷预淀积
发射区扩散
发射区低温氧化
氢气处理
3次光刻
铝蒸发
四次光刻
氮氢合金
铝上CVD
先进光刻曝光设备
11
单项工艺-光刻(2)
现场用光刻曝光设备
12
单项工艺-光刻(3)
检查用显微镜
13
单项工艺-光刻(4)
清洗
淀积/生长隔离层
（SiO2 Si3N4 金属…）
匀胶
-HMDS喷淋（增加Si的粘性） -匀光刻胶
14
单项工艺-光刻(5)
前烘
-增加黏附作用 -促进有机溶剂挥发
对版
-对每个圆片必须按要求对版
匀胶
-用弧光灯将光刻版上的图案转 移到光刻胶上。
15
单项工艺-光刻(6)
显影/漂洗
-将圆片进行显影/漂洗，不需要的 的光刻胶溶解到有机溶剂。
坚
膜
-硬化光刻胶。 -增加与硅片的附着性。
腐蚀
-干法腐蚀/湿法腐蚀
去胶
16
单项工艺-光刻(7)
光刻工艺过程
17
单项工艺-CVD（1）
18
单项工艺-CVD（2）
溅射原理示意图
27
单相工艺-蒸发（3）
图示石英砂到芯片的全过程
图示石英砂到芯片的全过程1.石英砂硅是地壳内第二丰富的元素，以二氧化硅（SiO2）的形式存在。
2.硅熔炼电子级硅（EGS），平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。
3.单晶硅锭硅纯度 99.9999％。
4.硅锭切割晶圆（Wafer）片5.晶圆切割出的是晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。
6.光刻胶（Photo Resist）蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体。
光刻一：光刻胶层随后透过掩模（Mask）被曝光在紫外线（UV）之下，变得可溶。
光刻二：7.溶解光刻胶光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。
8.蚀刻使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。
9.清除光刻胶10.光刻胶再次浇上光刻胶（蓝色部分），然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。
11.离子注入（ion implantation）在真空系统中，用经过加速的，要掺杂的院子的离子照射（注入）固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。
12.清除光刻胶13.晶体管就绪在绝缘材(品红色)上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管互连。
14.电镀电镀将铜离子沉淀到晶体管上。
15.铜层16.抛光17.金属层18.晶圆测试19.晶圆切片（Slicing）20.丢弃瑕疵内核21.单个内核22.封装23.处理器24.等级测试25.装箱。
芯片工艺流程
离子注入
基区扩散
发射区光刻
发射区预淀积
发射区扩散（*）
发射区低温氧化（*）
氢气处理
N+光刻（适用于P型片）
N+淀积扩散（适用P型片）
N+低温氧化（适用P型片）
氢气处理（适用P型片）
3B光刻
铝蒸发
四次光刻
氮氢合金
AL上CVD
2
氮气烘焙（适用N型片）
2
五次光刻
2
中测抽测
单项工艺-CVD（4）
玻璃的解吸
单项工艺-CVD（5）
单相工艺-离子注入（1）
单相工艺-离子注入（2）
单相工艺-离子注入（3）
单相工艺-蒸发（1）
蒸发原理示意图
单相工艺-蒸发（2）
溅射原理示意图
单相工艺-蒸发（3）
单相工艺-清洗
基础认知
衬底材料
外延层
扩散层
一次氧化
基区光刻
干氧氧化
单项工艺-光刻(6)
显影/漂洗
-将圆片进行显影/漂洗，不需要的 的光刻胶溶解到有机溶剂。
坚
膜
-硬化光刻胶。 -增加与硅片的附着性。
腐蚀
-干法腐蚀/湿法腐蚀
去胶
单项工艺-光刻(7)
光刻工艺过程
单项工艺-CVD（1）
单项工艺-CVD（2）
初级离子气体被吸收到硅片表面
单项工艺-CVD（3）
初级离子气体在硅片表面分解
2
测试系统
减薄、抛光
2 减薄和抛光部分
蒸金/银
2
背金合金
2
芯片测试
2
测试系统
N型片制造（一般）工艺流程
P型片制造（一般）工艺流程
芯片制造过程ppt课件
整理版课件
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封装：封装级别，20毫米/1英寸。衬底(基片)、内核、散热片堆叠在一起，就形成了我 们看到的处理器的样子。衬底(绿色)相当于一个底座，并为处理器内核提供电气与机械 界面，便于与PC系统的其它部分交互。散热片(银色)就是负责内核散热的了。
整理版课件
33
处理器：至此就得到完整的处理器了(这里是一颗Core i7)。
整理版课件
9
光刻：光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下，变得可溶，期间 发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着预先设计好 的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。 一般来说，在晶圆上得到的电路图案是掩模上图案的四分之一。
12
溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和 掩模上的一致。
整理版课件
13
蚀刻：使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该 蚀刻的部分。
整理版课件
14
清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好 的电路图案。
整理版课件
整理版课件
18
清除光刻胶：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域(绿色部分)也已掺杂， 注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。
整理版课件
19
第五阶段合影
整理版课件
20
晶体管就绪：至此，晶体管已经基本完成。在绝缘材(品红色)上蚀刻出三个孔洞，并 填充铜，以便和其它晶体管互连。
整理版课件
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晶圆切片(Slicing)：晶圆级别，300毫米/12英寸。将晶圆切割成块，每一块就是一个 处理器的内核(Die)。
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放置晶圆的黑盒子
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单个内核：内核级别。从晶圆上切割下来的单个内核，这 里展示的是Core i7的核心。
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封装：封装级别，20毫米/1英寸。衬底(基片)、内核、散 热片堆叠在一起，就形成了我们看到的处理器的样子。衬 底(绿色)相当于一个底座，并为处理器内核提供电气与机 械界面，便于与PC系统的其它部分交互。散热片(银色)就 是负责内核散热的了。
的硅，学名电
子级硅(EGS)，
平均每一百万
个硅原子中最
多只有一个杂
质原子。此图
展示了是如何
通过硅净化熔
炼得到大晶体
的，最后得到
的就是硅锭
(Ingot)。
8
单晶硅锭：整体基本呈圆柱形，重 约100千克，硅纯度99.9999％。
9
10
处 理 晶 圆 的 机 器
11
硅锭切割：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说 的晶圆(Wafer)。顺便说，这下知道为什么晶圆都是圆形 的了吧？
25
铜层：电镀完成后，铜离子沉积在晶圆表面，形 成一个薄薄的铜层。
26
抛光：将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶圆表面。
27
金属层：晶体管级别，六个晶体管的组合，大约500纳米。在不同晶 体管之间形成复合互连金属层，具体布局取决于相应处理器所需要的 不同功能性。芯片表面看起来异常平滑，但事实上可能包含20多层复 杂的电路，放大之后可以看到极其复杂的电路网络，形如未来派的多 层高速公路系统
20
光刻胶：再次浇上光刻胶(蓝色部分)，然后光刻， 并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护 不会离子注入的那部分材料。
21
离子注入(Ion Implantation)：在真空系统中，用经过加 速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料，从而在 被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的 导电性。经过电场加速后，注入的离子流的速度可以超过 30万千米每小时。
12
晶圆：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当 镜子。事实上，Intel自己并不生产这种晶圆，而是从第三方半导体企 业那里直接购买成品，然后利用自己的生产线进一步加工，比如现在 主流的45nm HKMG(高K金属栅极)。值得一提的是，Intel公司创立 之初使用的晶圆尺寸只有2英寸/50毫米。
22
清除光刻胶：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入 区域(绿色部分)也已掺杂，注入了不同的原子。注意这时 候的绿色和之前已经有所不同。
23
晶体管就绪：至此，晶体管已经基本完成。在绝缘材(品 红色)上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管 互连。
24
电镀：在晶圆上电镀一层硫酸铜，将铜离子沉淀 到晶体管上。铜离子会从正极(阳极)走向负极(阴 极)。
40
零售包装：制造、测试完毕的处理器要么批量交付给 OEM厂商，要么放在包装盒里进入零售市场。这里还是 以Core i7为例。
汇报完毕
谢谢指导！
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芯 片 加 工 无 尘 车 间
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光刻胶(Photo Resist)：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过 程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。晶 圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。
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光刻：光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下，变 得可溶，期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变 化。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层 上，就会形成微处理器的每一层电路图案。一般来说，在晶圆上得到 的电路图案是掩模上图案的四分之一。
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处理器：至此就得到完整的处理器了(这里是一颗 Core i7)。这种在世界上最干净的房间里制造出 来的最复杂的产品实际上是经过数百个步骤得来 的，这里只是展示了其中的一些关键步骤。
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等级测试：最后一次测试，可以鉴别出每一颗处理器的关 键特性，比如最高频率、功耗、发热量等，并决定处理器 的等级，比如适合做成最高端的Core i7-975 Extreme， 还是低端型号Core i7-920。
18
光刻：由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。一块晶圆 上可以切割出数百个处理器，不过从这里开始把视野缩小 到其中一个上，展示如何制作晶体管等部件。晶体管相当 于开关，控制着电流的方向。现在的晶体管已经如此之小， 一个针头上就能放下大约3000万个。
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溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻 胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。
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INTEL 图解芯片制作工艺流程
共九壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子(尤 其是石英)最多包含25％的硅元素，以二氧化硅(SiO2)的 形式存在，这也是半导体制造产业的基础。
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硅熔炼：12
英寸/300毫米
晶圆级，下同。
通过多步净化
得到可用于半
导体制造质量
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晶圆测试：内核级别，大约10毫米/0.5英寸。图 中是晶圆的局部，正在接受第一次功能性测试， 使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。
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晶圆切片(Slicing)：晶圆级别，300毫米/12英寸。将晶圆 切割成块，每一块就是一个处理器的内核(Die)。
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丢弃瑕疵内核：晶圆级别。测试过程中发现的有瑕疵的内 核被抛弃，留下完好的准备进入下一步。