晶闸管的电路符号和图片识别
晶闸管的符号
晶闸管的符号一、晶闸管的概述晶闸管是一种重要的功率电子器件，它具有开关能力强、可控性好、耐压能力高等特点。
在电力调节、变频驱动、电炉控制等领域得到广泛应用。
晶闸管的符号表示了其特定的电气特性和工作方式。
二、晶闸管的符号解析晶闸管的符号主要包含有源极（A）、控制极（G）和负极（K）三个引脚，具体解析如下：2.1 引脚A（Anode）引脚A是晶闸管的正极，也称为阳极。
当正向电压施加在晶闸管的A端时，晶闸管将导通电流。
2.2 引脚G（Gate）引脚G是晶闸管的控制极，也称为栅极。
通过控制引脚G的电压，可以控制晶闸管的导通和关断。
2.3 引脚K（Cathode）引脚K是晶闸管的负极，也称为阴极。
在晶闸管导通时，负载电流将从K端流过。
三、晶闸管的工作原理晶闸管是一种可控硅器件，其工作原理基于PN结、P型绝缘层和N型底座构成的结构。
3.1 PN结晶闸管的PN结是由P型半导体和N型半导体通过扩散形成的。
当PN结正向偏置时，P区的空穴和N区的电子会相互扩散，形成电荷互补，导致PN结形成导电通道。
3.2 P型绝缘层晶闸管的P型绝缘层起到隔离PN结的作用。
在晶闸管的正常工作状态下，P型绝缘层会阻止PN结间的电流流动。
3.3 N型底座晶闸管的N型底座是承载PN结和P型绝缘层的基片，同时也是晶闸管的导电部分。
四、晶闸管的导通和关断过程晶闸管的导通和关断过程均需要通过控制引脚G的电压来实现。
4.1 晶闸管的导通当控制引脚G施加正向电压时，晶闸管的导通过程如下： 1. 正向电压施加在A端，使得PN结的正向偏置电压得以克服。
2. 在一定条件下，晶体中形成一个PNPN四层结构，其中PNPN结相当于一个开关。
3. 当PNPN结得到足够的驱动电流时，它将进入导通状态，导通电流从A端到K端流过。
4.2 晶闸管的关断当控制引脚G施加反向电压时，晶闸管的关断过程如下： 1. 反向电压施加在A端，使得PN结的反向偏置电压得以克服。
2. 在反向电压下，晶体中的PNPN结无法形成导通状态。
2.1 晶闸管
iB 2
β 2 iG
+ T2 EA _
iC 2 2 iG iB1 i C 1 β 1 iC 2 1 2 iG iB 2
在极短时间内使两个三极管均 饱和导通，此过程称触发导通。
i B 2 iG
K EA > 0、EG > 0
A
形成正反馈过程
β1β2 iG
T1 G
R
iG
(2) 工作波形(未加续流二极管)
u
O
ug
t1
2
t2
t
uO
O
t
t t
uT
O
O
二、晶闸管工作原理
为了说明晶闸管的工作原理，可将晶闸管等效地看成由PNP和NPN型两个三极 管连接而成，每个三极管基极与另一个三极管的集电极相连，如图所示，阳极a 相当于PNP型三极管T2的发射极，阴极k相当于NPN型T1三极管的发射极。
晶闸管开通
A
形成正反馈过程
β 1β 2 iG
T1
R
iG
EG
K
G
2)
在控制极和阴极间加正向触发电压。
A
晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反馈， 晶闸管仍可维持导通状态
晶闸管关断
晶闸管关断的条件：
1. 必须使阳极电流减小,直到正反馈效应不 能维持。 2. 将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和 阴极间加反相电压。
K G
A
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
三、晶闸管的伏安特性
I
维持电流
正向平均电流
1. UFRM：正向重复峰值电压（晶闸管耐压值）
A
1）晶闸管控制极开路且正向阻断情况下，允许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。
晶闸管（可控硅）参数符号说明
晶闸管（可控硅）参数符号说明晶闸管(可控硅)参数符号说明以下参数符号说明的1～11符合1985年颁布的国家标准GB4940-851、断态及反向重复峰值电压VDRM和VRRM控制极断路，在⼀定的温度下，允许重复加在管⼦上的正向电压为断态重复峰值电压，⽤VDRM表⽰。
这个数值是不重复峰值电压VDSM的90％，⽽不重复峰值电压即为正向伏安特性曲线急剧弯曲点所决定的断态峰值电压。
反向重复峰值电压⽤VRRM表⽰，它也是在控制极开路条件下，规定⼀定的温度，允许重复加在管⼦上的反向电压，同样，VRRM为反向不重复峰值电压VRSM的90％。
“重复”是指重复率为每秒50次．持续时间不⼤于10ms。
VDRM和VRRM随温度的升⾼⽽降低，在测试条件中，将对温度作严格的规定。
⽣产⼚把VDRM和VRRM中较⼩的⼀个数值作为管⼦的额定电压。
2、断态漏电流IDRM和反向漏电流IRRM对应VDRM和VRRM的漏电流为断态漏电流和反向漏电流，分别⽤IDRM 和IRRM表⽰。
这个数值⽤峰值表⽰。
3、额定通态电流IT在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，在单相⼯频(即50Hz)正弦半波电路中，导通⾓为不⼩于170°，负载为电阻性，当结温稳定且不超过额定结温时，管⼦所允许的最⼤通态电流为额定通态电流。
这个值⽤平均值和有效值分别表⽰。
4、通态电压VTM在规定环境温度和标准散热条件下，管⼦在额定通态电流IT时所对应的阳极和阴极之间的电压为通态电压，即⼀般称为管压降。
此值⽤峰值表⽰。
这是⼀个很重要的多数，晶闸管导通时的正向损耗主要由IT与VTM之积决定，希望VTM越⼩越好。
5、维持电流IH在室温下，控制极开路，晶闸管被触发导通后，维持导通状态所必须的最⼩电流。
也就是说，在室温下，在控制极回路通以幅度和宽度都⾜够⼤的脉冲电流，同时在阳极和阴极之间加上电压，使管⼦完全开通。
然后去掉控制极触发信号，缓慢减⼩正向电流，管⼦突然关断前瞬间的电流即为维持电流。
可控硅（晶闸管）符号及含义
可控硅（晶闸管）符号及含义
可控硅(晶闸管)符号及含义
转载▼I2t 电流平⽅时间积 di/dt 通态电流临界上升率
I d直流输出电流 dv/dt 断态电压临界上升率
I DRM 断态重复峰值电流 Q rr 反向恢复电荷
I F(AV) 正向平均电流 R T 通态斜率电阻
I FM 正向输出电流 R F 正向斜率电阻
I F(RMS) 正向电流有效值 R th 热阻抗
I FSM ⼀周波正向不重复浪涌电流 R th(j-c) 结⾄壳热阻抗
I G 门极电流 R th(j-hs) 结⾄散热器热阻抗
I GD 门极不重复电流 R th(c-hs) 壳⾄散热器热阻抗
I GT 门极电流 R th(h-a) 散热器⾄环境热阻抗
I H 维持电流 T a 环境温度
I RRM 反向重复峰值电流 T HS 散热器温度
I T(AV) 通态平均电流 T j 结温
I T(RMS) 通态电流有效值 T jm 最⾼额定结温
I TM 通态峰值电流 T vjm 最⾼等效结温
I TSM ⼀周波通态不重复浪涌电流 t p 脉冲时间
V DRM 断态重复峰值电压 t q 关断时间
V DSM 断态不重复峰值电压 t r 上升时间
V FM 正向峰值电压 t rr 反向恢复时间
V G 门极电压 t d 延迟时间
V GT 门极触发电压
V GD 门极不触发电压
V ISO 绝缘电压
V RRM 反向重复峰值电压
V FO 正向门槛电压
V TO 通态门槛电压
V RGM 门极反向峰值电压
V RSM 反向不重复峰值电压
V TM 通态峰值电压。
晶闸管的命名
晶闸管的命名
国产晶闸管的型号命名由4个部分构成，具体如下所示:
1.晶闸管主称部分符号、意义对照表如表9-1所示。
表9-1晶闸管主称部分符号、意义对照表
符号
10
10A
300
300A
20
20A
400
400AΒιβλιοθήκη 3030A500500A
50
50A
4.晶闸管重复峰值电压级数符号、意义对照表如表9-4所示。
符号
意义
符号
意义
1
100V
7
700V
2
200V
8
800V
3
300V
9
900V
4
400V
10
1000V
5
500V
12
1200V
6
600V
14
1400V
晶闸管有单向晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管、光控晶闸管等多种类型。应用最多的是单向晶闸管和双向晶闸管。
意义
K
晶闸管（可控硅）
2.晶闸管类别符号、意义对照表如表9-2所示。
表9-2晶闸管类别符号、意义对照表
符号
意义
P
普通反向阻断型
K
快速反向阻断型
S
双向型
3.晶闸管额定通态电流符号、意义对照表如表9-3所示。
表9-3晶闸管额定通态电流符号、意义对照表
符号
意义
符号
意义
1
1A
100
100A
可控硅（晶闸管）基础知识
可控硅（晶闸管）基础知识可控硅（晶闸管）基础知识可控硅符号：可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极A，阴极K和控制极G。
可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，而且动作快、寿命长、可靠性好。
在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。
可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。
单向可控硅有三个PN结，由最外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极。
单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。
一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。
要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。
双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列（电极引脚向下，面对有字符的一面时）。
加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时，就能改变其导通电流的大小。
与单向可控硅的区别是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时，其导通方向就随着极性的变化而改变，从而能够控制交流电负载。
而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通，所以可控硅有单双向之分。
电子制作中常用可控硅，单向的有MCR－100等，双向的有TLC336等。
可以查看:世界可控硅参数大全 ,这是TLC336的样子：向强电冲击的先锋—可控硅可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。
实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。
可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
晶闸管
晶闸管只有导通和关断两种状态，这种开关特 性需要在一定条件转化，如下表所示：
状态 条 件 说明 从关断 1、阳极电位高于阴极电位 两者缺一不可 到导通 2、控制极有足够的正向电压和电流
维持 导通
1、阳极电位高于阴极电位 2、阳极电流大于维持电流
两者缺一不可 任一条件都可
从导通 1、阳极电位低于阴极电位 到关断 2、阳极电流小于维持电流
7.2.3 单相可控整流电路
1. 单相半波可控制整流电路 (1) 电路 + u – T + uT – io + RL uo –
u > 0 时： 若ug = 0，晶闸管不导通， uo 0, uT u 。 控制极加触发信号，晶闸管承受正向电压导 通， u < 0 时: 晶闸管承受反向电压不导通, uo = 0, uT = u ，故称可控整流。
2、 工作原理
灯不亮
由此晶闸管导通和关断实验电路可知：如果阳极或控制极 外加的是反向电压，晶闸管就不会导通。
控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却 不能使它关断。
观察单向晶闸管的工作特性
晶闸管导通的条件： 1. 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向 电压。 2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向 电压或正向脉冲(正向触发电压)。 晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反 馈，晶闸管仍可维持导通状态。 晶闸管关断的条件： 1. 必须使阳极电流减小,直到正反馈效应不能 维持。 2. 将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极 间加反相电压。
uo u , uT 0 。
(2) 工作原理 u
O
ug
O
t1
2
t
t
u > 0时:0 ~ t 1, ug 0 , 晶闸管不导通。
《电工电子技术》课件——晶闸管
电流 参数
维持电流 IH
晶闸管被触发导通以后，在室温和门极开路条件下，减小阳极电流，使晶闸 管维持通态所必需的最小阳极电流。
擎住电流 IL
晶闸管一经触发导通就去掉触发信号，使晶闸管保持导通所需要的最小阳极 电流。
总结
晶闸管的工作原理 晶闸管的特性 晶闸管的参数
iA
IH
UBR
0
反向 击穿
正向 导通
Ig2>Ig1>0
Ig2 Ig1
阻断 状态
Ig=0
uAK UBO
图3 晶闸管的伏安特性
晶闸管稳态特性——伏安特性
1
当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极是否加上触发信号，晶闸管
总是处于反向阻断状态，只流过很小的反向漏电流。
2
反向电压增加，反向漏电流也逐渐增大。
3
反向电压增加到反向转折电压UBR时，晶闸管反向击穿，反向漏电流
晶闸管广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种大功 率电能转换场合。
晶闸管的基本结构
电气符号
GK
N2 P2 N2 N1 P1
钼片 硅片 钼片
A
内部管芯结构
四层半导体结构
图1 晶闸管的内部管芯结构图与电气符号
晶闸管工作原理
(a)双晶体管模型
图2 晶闸管双晶体模型与等效电路
晶闸管工作原理
A
Ig2>Ig1>0
Ig2 Ig1
阻断 状态
Ig=0
uAK UBO
图3 晶闸管的伏安特性
晶闸管稳态特性—的增大，正向转折电 压下降，导通后管压降很小，IA 的大小取 决于外加电压和负载。
➢ 减小阳极电压 uAK ， IA也不断减小，直 到小于维持电流 IH 后，晶闸管会关断。
快速晶闸管的电气符号
快速晶闸管的电气符号快速晶闸管，简称FST（Fast Switching Thyristor），是一种用于高频开关的新型半导体器件。
相较于常规晶闸管，FST具有更高的开关速度和更低的开关损耗，广泛应用于大功率电子变频器、电力电子控制器、变压器、冶金电炉等领域。
在使用中，需要了解FST的电气符号及其意义。
1. 控制极（G）FST的控制极为G，也称为门极。
当一个正电压脉冲加到G极时，会触发G极到阳极电流的通道开启。
2. 阳极（A）FST的阳极为A，也称主极或正极。
它是控制电流流向的通道。
当G极到阳极的电流导通时，阳极电流才能够通过FST。
3. 阴极（K）FST的阴极为K，也称负极或从极。
它是用来引出控制电信号的引脚。
4. 通道（P）FST的通道为P，也称为UT2。
它是由阳极、N区、P区三者共同组成的开关通道，只有当G极到阳极的电流导通时，通道中才会有电流流过。
5. 导通时向阳极带负电压（VAK）FST在导通时向阳极带负电压，也就是在通道开启时，要求阳极的电压比阴极低一个电平，才能确保FST正常工作。
如果阳极电压过高，就容易产生堆积电荷，会对FST造成严重损坏。
6. 导通时的门极电压（VGT）在导通状态下，FST的门极电压为VGT。
FST的导通状态是由G极中加入的正电压脉冲触发的，当G极到阳极之间的电流达到一定电平时，通道就会开启，FST就处于导通状态。
7. 阻断时的峰值反向电压（VDRM）FST在阻断状态下，可以承受一定的峰值反向电压VDRM。
这个值也是设计FST时需要考虑的一个重要参数。
一般而言，VDRM值越高，FST就越能承受高电压应用。
总体而言，FST的电气符号体现了其高速开关、低损耗等优势特点，同时也切实反映了FST在实际应用中的相关参数和意义。
对于需要应用FST的人员和单位来说，理解并合理运用FST的电气符号，是确保FST正常、稳定工作的关键。
晶闸管(可控硅)参数符号说明
晶闸管(可控硅)参数符号说明以下参数符号说明的1～11符合1985年颁布的国家标准GB4940-851、断态及反向重复峰值电压VDRM和VRRM控制极断路，在一定的温度下，允许重复加在管子上的正向电压为断态重复峰值电压，用VDRM表示。
这个数值是不重复峰值电压VDSM的90％，而不重复峰值电压即为正向伏安特性曲线急剧弯曲点所决定的断态峰值电压。
反向重复峰值电压用VRRM表示，它也是在控制极开路条件下，规定一定的温度，允许重复加在管子上的反向电压，同样，VRRM为反向不重复峰值电压VRSM的90％。
“重复”是指重复率为每秒50次．持续时间不大于10ms。
VDRM和VRRM随温度的升高而降低，在测试条件中，将对温度作严格的规定。
生产厂把VDRM和VRRM中较小的一个数值作为管子的额定电压。
2、断态漏电流IDRM和反向漏电流IRRM对应VDRM和VRRM的漏电流为断态漏电流和反向漏电流，分别用IDRM 和IRRM表示。
这个数值用峰值表示。
3、额定通态电流IT在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，在单相工频(即50Hz)正弦半波电路中，导通角为不小于170°，负载为电阻性，当结温稳定且不超过额定结温时，管子所允许的最大通态电流为额定通态电流。
这个值用平均值和有效值分别表示。
4、通态电压VTM在规定环境温度和标准散热条件下，管子在额定通态电流IT时所对应的阳极和阴极之间的电压为通态电压，即一般称为管压降。
此值用峰值表示。
这是一个很重要的多数，晶闸管导通时的正向损耗主要由IT与VTM之积决定，希望VTM越小越好。
5、维持电流IH在室温下，控制极开路，晶闸管被触发导通后，维持导通状态所必须的最小电流。
也就是说，在室温下，在控制极回路通以幅度和宽度都足够大的脉冲电流，同时在阳极和阴极之间加上电压，使管子完全开通。
然后去掉控制极触发信号，缓慢减小正向电流，管子突然关断前瞬间的电流即为维持电流。
6、控制极触发电流IGT和触发电压VGT在室温条件下，晶闸管阳极和阴极间施加6v或12v的直流电压，使管子完全开通所必须的最小控制极直流电流为控制极触发电流IGT。
晶闸管的电路符号和图片识别
之蔡仲巾千创作晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅。
它是由PNPN四层半导体构成的元件,有三个电极、阳极A、阴极K和控制极G，晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,而且不象继电器那样控制时有火花发生,而且动作快、寿命长、可靠性好.在调速、调光、调压、调温以及其他各种中都有它的身影.可控硅分为单向的和双向的,符号也分歧.单向可控硅有三个PN结,由最外层的P极和N极引出两个电极,分别称为阳极和阴极,由中间的P极引出一个控制极.一、晶闸管的种类晶闸管有多种分类方法。
（一）按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。
（二）按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。
（三）按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。
其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。
（四）按电流容量分类晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。
通常，大功率晶闸管多采取金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采取塑封或陶瓷封装。
（五）按关断速度分类晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。
二：晶闸管的工作条件：1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。
2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不管门极电压如何，晶闸管坚持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。
如何识别晶闸管的引脚？
如何识别晶闸管的引脚？晶闸管又称可控硅，其在电路中常作为电子开关使用，通过在其控制端加触发电压即可控制其通断。
晶闸管有单向晶闸管和双向晶闸管两种，下面分别介绍一下用数字万用表识别单向和双向晶闸管引脚的方法。
▲ TO-92封装的小功率单向晶闸管BT169。
上图为TO-92封装的小功率单向晶闸管BT169的外形及引脚排列。
这种晶闸管外形与小功率三极管一样，在各种声控开关及调光电路中较常用，其耐压值为400V，电流为0.8A。
这种单向晶闸管的电路符号及等效电路如下图所示。
▲ 单向晶闸管电路符号及等效电路。
通过上图所示的等效电路可以看出，单向晶闸管的G极（控制极）与K极（阴极）之间是一个PN结，而G极与A极（阳极）是两个背靠背串联的PN结，所以使用数字万用表的二极管档可以很方便的识别出它们的引脚。
识别引脚时，将数字万用表调至二极管档，红表笔接触单向晶闸管的某个引脚，黑表笔分别接触另外两个引脚，此时若万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降，则红表笔接触的引脚为G极，黑表笔接触的引脚为K极，剩下的那个引脚即为A极。
▲ 双向晶闸管的电路符号及等效电路。
上图为双向晶闸管的电路符号及等效电路。
这种双向晶闸管可以双向导通，故不再像单向晶闸管那样分为A极和K极，而是用T1极和T2极表示。
由于双向晶闸管的G极与T1极靠近，而离T2极较远，其G极与T1极之间的正反向电阻皆很小（数百Ω），而G极与T2极、T1极与T2极之间的正反向电阻皆为∞，故用数字万用表的2K电阻档测量双向晶闸管的任意两个引脚之间的电阻时，若某个引脚与其它引脚之间显示的读数皆为“1”，那么该引脚即为T2极。
由于G极与T1极之间的正反向电阻相差很小（几Ω以下），故用万用表较难区分这两个引脚，只有通过搭一个简单的电路来区分这两个引脚了。
若想了解更多的电子电路及元器件知识，请关注本头条号，谢谢。
各种功率半导体器件和igbt电路符号
各种功率半导体器件和IGBT的电路符号二极管是最简单的功率器件。
以下各图以二极管为基础，说明晶闸管、晶体管以及IGBT的开关。
二极管：
晶闸管（SCR）：
晶闸管导通必须具备在阳极加正向偏置电压E和向门极提供控制脉冲信号电压v与擎住电流iG。
晶闸管不能靠控制门极脉冲信号来关断元件，要靠反向偏置电压来关断元件。
晶体管（NPN ）：
晶体管导通是靠控制基极电流iB来达到对元件的控制目的。
MOSFET (Nch)：
MOSFET导通是靠在门极施加正向偏置脉冲电压VGS来控制元件的，仅在导通和关断的瞬间有门极电流iG流动。
该元件在漏极-源极之间的芯片中，有内置寄生与漏极电流相反方向的续流二极管。
IGBT：
IGBT导通是靠在门极施加正向偏置脉冲电压VGE来达到对元件的控制目的，该元件仅在导通和关断瞬间有门极电流iG流动。
在某些IGBT模块中，另外增加了超快恢复二极管芯片，以达到反向续流的目的。
晶闸管(俗称可控硅整流元件.
前言1957年，晶闸管（俗称可控硅整流元件，简称可控硅）问世，到了60年代，已生产出成套的晶闸管整流装置，使变流技术产生根本性的变革，开始进入晶闸管时代。
到今天，晶闸管－电动机调速系统（简称V-M系统）已经成为直流调速系统的主要形式。
直流电动机双闭环调速系统在工程中应用广泛，为了使系统具有良好的动态性能必须对系统进行设计。
特别是大型的钢铁行业和材料生产行业，为达到很高的控制精度，速度的稳定性，调速范围等要求，又由于交流调速在当时尚未解决好调速控制问题，调速范围不大，控制精度低，快速性差等性能指标不满足生产工艺的要求，所以当时大量使用的是直流电动机调速系统，尤其是直流双闭环调速系统，它具有调速性能好，范围宽，动态性能好等优点，特别是设计简单方便，虽然随着控制技术以及电力电子技术的的发展，制造工艺技术的提高，大量出现交流调速的传动系统，但直流传动所具有的优点特征，至今仍大量广泛地使用直流调速。
在此本人就飞机生产制造行业中的对必不可少的四辊压压延机主传动直流电机的调速，作了以下设计，以满足飞机轮胎制造工艺的生产要求。
目录1．设计任务与要求1．1 设计任务1．2设计要求与技术指标1．3方案比较论证1．3．1 总体方案比较1．3．2 单元方案比较2．主电路设计2．1 主电路工作设备设计2．2 主电路保护设备3．控制电路设计3．1 电流调节控制器（ACR）设计3．2 速度调节控制器（ASR）设计4．实验验证4．1 实验目的、内容、参数的整定4．2 实验数据与曲线4．3 实验结论5．总结6．参考文献1． 设计任务与要求1.1 设计任务四辊压延机主传动直流调速系统的设计压延机生产线主要是生产飞机轮胎的生产线，而四辊压延机又是飞机轮胎生产厂家的最关键的生产设备。
它运行的质量直接影响生产出来的飞机轮胎的质量的好坏，也同时直接对对飞机安全性有重大的影响，所以对四辊压延机的控制是至关重要的。
（一） 生产工艺流程以及控制的要求（1） 生产工艺流程帘布放布机储布机 四辊压延主机（主机1， 2仓库放 接 前 储 前 干 四 后 2布 头 三 布 四 燥 辊 四 套机 疏 辊 架 辊 辊 压 辊 卷化 电 电 延 电 取机 动 机 主 机 机机 机（2） 控制要求1）在压延前，必须给干燥辊加热60~80度，给主辊加热到70度左右（不至于使得橡胶冷却硬化）。
晶闸管课件PPT
V2
K
（1）控制极不加电压 时IG=0，尽管这时晶闸 管的阳极和阴极之间 加有正向电压，由于 V1没有基极电流输入， 因此V1和V2中只有很 小的漏电流，晶闸管 处于阻断状态。
A β1 I G V2 β1 β2 IG + UG － K S G IG V1 RA + UA －
0
π
2π
3π
t 4π ω
输出电压的平均值：
1 Uo = 2π
∫ 2U 2 sin ωtd(ωt )
π α
2U 2 = (1 + cos α ) 2π 1 + cos α = 0.45U 2 2
输出电流的平均值：
Io = Uo U 1 + cos α = 0.45 2 RL RL 2
晶闸管承受的最高正向和反向电压：
VT + u2 － iD VD RL － io + uo
L
2. 单相半控桥式整流电路
uo ，io uo
+ u1 －
+ u2 －
VT 1 a
VT 2 + RL b
io
0 uVT1
io
ωt
uo －
VD 1
VD2
0 uVT2
u2的正半周VT1和VD2承受正 向电压。这时如对晶闸管 VT1引入触发信号，则VT1和 VD2导通，电流通路为： a→VT1→RL→VD2→b 这 时 VT2 和 VD1 都 因 承 受 反 向电压而截止。
10.1.3 晶闸管的工作特性与主要参数
1.正向特性 正向特性 UAK>0，IG=0时，晶 闸管正 向阻断，对应特性曲线的0A 段。此时晶闸管阳极和阴极 之间呈现很大的正向电阻， 只有很小的正向漏电流。当 UAK增加到正向转折电压UBO 时，PN结J2 被击穿，漏电流 突然增大，从A点迅速经B点 跳到C点，晶闸管转入导通 状态。晶闸管正向导通以后 工作在BC段，电流很大而管 压降只有1V左右，此时的伏 安特性和普通二极管的正向 特性相似。
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晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅。
它是由PNPN四层半导体构成的元件,有三个电极、阳极A、阴极K和控制极G，晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,并且不象继电器那样控制时有火花产生,而且动作快、寿命长、可靠性好.在调速、调光、调压、调温以及其他各种中都有它的身影.
可控硅分为单向的和双向的,符号也不同.单向可控硅有三个PN结,由最外层的P极和N极引出两个电极,分别称为阳极和阴极,由中间的P极引出一个控制极.
一、晶闸管的种类
晶闸管有多种分类方法。
（一）按关断、导通及控制方式分类
晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。
（二）按引脚和极性分类
晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。
（三）按封装形式分类
晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。
其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。
（四）按电流容量分类
晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。
通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。
（五）按关断速度分类
晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。
二：晶闸管的工作条件：
1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。
2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。
4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。
三：晶闸管的电路符号。