东北大学专利申请表

一种快速、大量富集硝化菌的方法及应用[发明专利]

专利名称：一种快速、大量富集硝化菌的方法及应用

专利类型：发明专利

发明人：胡筱敏,刘芳,周鑫,赵鑫,林鑫,郭惠宣,游泽华,潘玉瑾申请号：CN201710385505.8

申请日：20170526

公开号：CN107055816A

公开日：

20170818

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明涉及一种快速、大量富集硝化菌的方法，主要通过在SBR反应器中添加粉煤灰作为填料，不断提高进水中氨氮浓度的方法进行硝化菌的富集，采用所有溶液均为无机溶液；富集过程中控制DO为4～6mg/L，pH为7.5～8.5，温度为20～30℃，采用1mol/L碳酸氢钠调节pH。无机碳源的添加会导致异养微生物的生长缓慢，使自养菌逐渐成为优势菌。经40天富集，最终硝化菌相对丰度达到46.38％，当进水氨氮浓度高达1000mg/L时，12小时后出水氨氮稳定低于1mg/L以下。本发明方法富集得到的硝化菌在处理污水方面具有很好的应用前景。

申请人：东北大学

地址：110819 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号

国籍：CN

代理机构：北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：齐胜杰

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东北大学奖学金评定办法

东北大学本科生奖学金评定实施办法

为进一步调动广大同学刻苦学习、奋发向上的积极性，引导学生在业务学习、社会工作、科技创新、文化活动、寝室卫生、社会实践和维护安全稳定等方面得到全面提高，根据《东北大学学生奖学金评定与发放办法》及《东北大学本科生德智体综合考核实施办法》，结合我院实际，特制定本办法。

第一项：总则

1．一等奖学金由学院统一评定，各专业按班级数提交与专业班数相等的参评人员，按其综合成绩排名，最终确定年级总人数3%的人数为一等奖学金获得者。

2．二等奖学金、三等奖学金（二等10%，三等20%）按照专业分配名额，根据专业内综合成绩排名进行评定。

3．获得奖学金的学生必须在年级排名40%（包括40%）内，若不满足该条件则其奖学金名额顺次转给年级排名靠前而在专业内未获得奖学金的同学。

4．个人得分的计算公式如下：

个人得分(综合成绩)=学业成绩平均分×70%+德育分×30%×班级排名系数+特殊贡献分

第二项：参评对象

凡东北大学资源与土木工程学院全日制本科生均有参评资格，但有下

列情况者取消其该学期的奖学金评定资格。

1．受到严重警告（或两次警告）以上纪律处分者。

2．本学期学习成绩有不及格者。

3．考试违纪者。

以上人员不参与奖学金评定，但要计算综合成绩，毕业综合测评时使用。

1 / 10

第三项：学业成绩的计算

本学期所学科目的分数由学分加权所得的平均分作为计算公式中所

用的学业成绩平均分。其中考试成绩为百分制的分数直接使用；分档评定成绩的，优、良、中、及格和不及格分别

95、

5、

5、55分来计算；只有及格、不及格或通过、不通过的科目不记入，人文选修课的成绩不计入。

一种新型交错并联双管正激变换器及其调制策略[发明专利]

专利名称：一种新型交错并联双管正激变换器及其调制策略专利类型：发明专利

发明人：褚恩辉,包建群,宋奇,张洋,周越,陈志方,谢昊霖

申请号：CN201910732665.4

申请日：20190809

公开号：CN110445392A

公开日：

20191112

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供一种新型交错并联双管正激变换器及其调制策略，涉及变换器技术领域。本发明包括变换器包括第一双管正激变换器、第二双管正激变换器、无源辅助回路、滤波电路、负载电路和直流电源。本发明采用移相PWM调制策略，第一双管正激变换器与第二双管正激变换器相位互差180°电角度互补运行。本发明可实现交错并联双管正激变换器第一、第二主开关管的ZVZCS开通和准ZVS关断以及第三、第四主开关管准ZCS开通和近似ZCS关断。该发明有效缩短变换器一次侧电流复位时间，降低了环流损耗，降低了整流二极管的反向恢复损耗。

申请人：东北大学

地址：110819辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号

国籍：CN

代理机构：沈阳东大知识产权代理有限公司

代理人：李在川

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一种连铸中间包钢液加热方法[发明专利]

(10)申请公布号 CN 102814494 A

(43)申请公布日 2012.12.12C N 102814494 A

*CN102814494A*

(21)申请号 201210284788.4

(22)申请日 2012.08.10

B22D 41/60(2006.01)

(71)申请人沈阳东北大学冶金技术研究所有限

公司

地址110004 辽宁省沈阳市和平区文化路三

号巷11号

申请人沈阳东大高温材料有限公司

(72)发明人孙中强于景坤邢国成

(74)专利代理机构沈阳东大专利代理有限公司

21109

代理人

李运萍

(54)发明名称

一种连铸中间包钢液加热方法

(57)摘要

本发明涉及冶金技术领域，具体涉及一种连

铸中间包钢液加热方法。首先将长水口安装在钢

包与中间包之间，然后将电磁感应器安装在长水

口周围，通过测定水口处的温度，自动控制电磁感

应器的功率，对流经长水口的钢液实施加热，调

节中间包钢液温度；所述的电磁感应器采用分体

式，通过对拉式或门轴式进行合拢和分离；在更

换长水口或浇注末期拆卸长水口时，以对拉式或

门轴式将电磁感应器分离开，并移到一定工位，以

方便相关连铸工艺操作的进行；自动控制电磁感

应器的功率范围是700～1200kW ；调节中间包钢

液温度为目标温度的±5℃范围内。本方法加热

效率高、操控性能好、维护方便，不污染钢液，实现

了恒温恒速浇注，提高了铸坯的质量。

(51)Int.Cl.

权利要求书1页说明书2页附图1页

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请

权利要求书 1 页说明书 2 页附图 1 页

一种全光的光声内窥成像装置及方法[发明专利]

专利名称：一种全光的光声内窥成像装置及方法专利类型：发明专利

发明人：王毅,彭斌扬,胡瀛心,周红仙,马振鹤

申请号：CN201910587192.3

申请日：20190702

公开号：CN110169758A

公开日：

20190827

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供了一种全光的光声内窥成像装置及方法，属于光声成像技术领域。该光声内窥成像装置包括光学干涉检测系统、激光光源、波分复用器、光纤和内窥镜。本发明使用光学干涉检测系统，并使用3×3光纤耦合器来解调由初始光声压力引起的探测光束的反射变化，结合使用高通滤波器消除探测光从不同深度反向散射的影响。本发明克服了目前用于内窥镜光声成像的PAI方法所存在的相关困难，提高了系统灵敏度；本发明解决了基于换能器的PAEM的小空间内集成光学和声学元件的困难及探头的内部和外部空间必须填充声匹配介质的困难；本发明使用全光结构，有利于光声内窥探头的小型化。

申请人：东北大学

地址：110819 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号

国籍：CN

代理机构：大连理工大学专利中心

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一种用于镁合金加锆的复合锆盐及其制备方法[发明专利]

(10)申请公布号 CN 102605200 A

(43)申请公布日 2012.07.25C N 102605200 A

*CN102605200A*

(21)申请号 201210064960.5

(22)申请日 2012.01.13

C22C 1/02(2006.01)

C22C 23/00(2006.01)

(71)申请人东北大学

地址110819 辽宁省沈阳市和平区文化路3

号巷11号

(72)发明人乐启炽张志强崔建忠

(74)专利代理机构沈阳东大专利代理有限公司

21109

代理人李在川

(54)发明名称

一种用于镁合金加锆的复合锆盐及其制备方

法

(57)摘要

本发明属于冶金技术领域，具体涉及一种

用于镁合金加锆的复合锆盐及其制备方法。本

发明的复合锆盐以KZrF 5为基，按质量百分

比，含有53%KZrF 5，20~25%LiCl ，5%~10%CaF 2和

12%~17%KCl ，理论Zr 含量为21.46%。将KZrF 5

与卤化物分别熔化，之后再掺混，并在加热到

650~680℃时，将其浇铸到铁板上，冷却至室温，得

到本发明的复合锆盐。将本发明的复合锆盐分批

加入到温度为700~730℃的镁合金熔体中，并充

分搅拌，直至熔体表面不再冒火星为止。本发明

的复合锆盐制备方法简单，原料廉价，成品价格不

高，同时有较高的锆实收率。

(51)Int.Cl.

权利要求书1页说明书4页附图2页

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请

权利要求书 1 页说明书 4 页附图 2 页

1/1页

1.一种用于镁合金加锆的复合锆盐，其特征在于：以KZrF 5为基，添加有LiCl 、CaF 2和KCl 的复合盐，按质量百分比，含有53%KZrF 5，20~25%LiCl ，5%~10%CaF 2和12%~17%KCl ，所述的复合锆盐的理论Zr 含量为21.46%。

东北师范大学授权专利推介表

12CaO·7Al2O3:Dy 1% mol真空热处理前后的XRD

为热处理改性后的XRD。

7Al2O3:Dy 1% mol热处理改性后的激发和发射光谱。从图中可以看出该荧光粉的有效激发范围为340-400 nm、最佳激发波长为

光谱的发光主峰分别位于484 nm和575 nm。

投资规模及条件（不超过100字）：

软件学院硕士研究生奖助学金评定细则

东大软件院字〔2016〕15号

关于修订《软件学院硕士研究生

奖助学金评定细则》的通知

学院各部门：

为规范我院研究生奖助学金评审工作,鼓励研究生勤奋学习、刻苦钻研、锐意进取、全面发展，根据《东北大学研究生培养机制改革实施方案（试行）》、《东北大学研究生奖助学金实施方案（试行）》结合学院实际，学院对《软件学院硕士研究生奖助学金评定细则》进行了修订。修订后的评定细则从公布之日起实施。

—1—

东大软件院字[2016]5号文件同时废止。

二○一六年十一月十八日

软件学院硕士研究生奖助学金评定细则

为规范我院研究生奖助学金评审工作,鼓励研究生勤奋学习、刻苦钻研、锐意进取、全面发展，根据《东北大学研究生培养机制改革实施方案（试行）》、《东北大学研究生奖助学金实施方案（试行）》，结合学院实际，特制定本细则。

一、评选范围

参评硕士研究生奖助学金的范围为免试推荐和全国统考录

取的在读硕士研究生，其中，委培硕士生不享受助学金，但可参评奖学金。单独考试、强军计划生、少数民族高层次骨干计划生不参与奖助学金评定。

二、基本条件

1.热爱祖国，拥护中国共产党的领导，政治上积极要求进步；

2.学风端正，成绩优良，积极参加学术科研活动；

3.诚实守信，文明遵纪，遵守学术道德和社会公德；

—2—

4.尊敬师长，团结同学，关心集体，具有良好的团队和奉献精神；

5.积极参加集体活动、社会实践和社会公益活动。

三、奖助学金的评定

（一）评定程序

1.填写《软件学院奖助学金申报表》，按要求提供必要的材料；

2.按照量化标准，学院初审并公示初审结果；

3.报研究生院复审并最终评定。

国内高校的专利合作申请现状分析

中国技术交易所@凌赵华-IPer

一、引言

科研成果转化率低、产学研合作难一直是国内高校亟待解决的两大问题，近期，国家以及一些地方政府密集出台和修改了一些相关的法律法规，试图从政策入手改善上述两大问题，本文作者相信政策上的鼓励和放开加上市场的导向必然会逐渐改善上述问题，在国内创造一个更加友好的产学研合作环境和合作机制。

专利的合作申请属于产学研合作中的一个环节，可以从某个侧面反映高校的产学研合作状况。另外，一般而言，高校与企业合作申请的专利往往具有更高的科研成果转化概率。因此，本文作者试图从教育部科技发展中心于今年2月份发布的一份有关国内高校有效发明专利量排名的名单入手，去扩展分析一下国内高校的专利合作申请现状。

二、分析方法

本文采用《至2013年底高校有效发明专利量前50名》这一份名单作为原始数据，扩展检索了上述名单中50所高校的专利申请公开总量，并进一步检索分析了该50所高校各自的专利共同申请人，共同申请量最多的共同申请人以及该共同申请量占该高校专利申请公开总量的百分比等。

三、分析结果

表1与最佳共同申请人共同申请的专利数量排名前10位的高校

*：最佳共同申请人是指与某高校共同申请专利数量最多的共同申请人；共同申请率是指最佳共同申请人的共同申请量占该高校专利申请公开总量的百分比。

由表1可以看到，排名前10位高校的最佳共同申请人均来自企业或企业下属研究院。其中，排名第一的清华大学与其最佳共同申请人富士康的共同申请量达到了1052件，其共同申请率为5.4%，成为唯一一所超过千件共同申请的高校。据作者了解，清华大学与富士康的产学研合作最早始于2000年，该1052件共同申请基本都产出于清华-富士康纳米科技研究中心。排名第二的北京大学与其最佳共同申请人北大方正的共同申请量达到了764件，其共同申请率更是达到了12.84%，北大方正为北京大学的校办企业，这也从一方面验证了高校办企业是促进科研成果转化的一条可行之路。

【CN110179651A】仿针刺手法的电针治疗仪器及其设计方法【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910384866.X

(22)申请日 2019.05.09

(71)申请人东北大学秦皇岛分校

地址 066004 河北省秦皇岛市经济技术开

发区泰山路143号

(72)发明人巴斯迪　赵宇晴　邹极灿　张心悦　

(74)专利代理机构北京科亿知识产权代理事务

所(普通合伙) 11350

代理人李兴林

(51)Int.Cl.

A61H 39/00(2006.01)

A61N 1/36(2006.01)

G06F 17/50(2006.01)

(54)发明名称

仿针刺手法的电针治疗仪器及其设计方法

(57)摘要

本发明公开了一种仿针刺手法的电针治疗

仪器及其设计方法，该仪器包括微控制单元、信

号调节电路、按键模块和显示模块，电针探头上

设置有贴片电极，贴片电极作用于皮肤表面，微

控制单元分别与电源电路、按键模块和显示模块

电性连接，微控制单元内部设置有定时器模块、

D/A转换模块和A/D转换模块，信号调节电路的输

入端与D/A转换模块电性连接，信号调节电路的

输出端与电针探头电性连接，A/D转换模块的输

入端与电针探头电性连接，构成反馈电路。本发

明提供的仿针刺手法的电针治疗仪器及其设计

方法，科学地将针刺手法要素与电刺激信号参数

建立起一一对应的映射关系，实现波形参数频

率、幅值等的调节，操作方便、灵活，易于精确调

节参数。权利要求书1页说明书6页附图3页CN 110179651 A 2019.08.30

C N 110179651

一种生物遗态结构SbC电池负极材料及其制备方法[发明专利]

专利名称：一种生物遗态结构SbC电池负极材料及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：王庆,闫绳学,周萌,高成林,罗绍华,刘延国,张亚辉,王志远,郝爱民

申请号：CN201910862744.7

申请日：20190912

公开号：CN110697717A

公开日：

20200117

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明涉及一种生物遗态结构SbC电池负极材料及其制备方法，通过对分心木进行酸液浸泡,得到保留了原材料结构的生物遗态碳，再通过对生物遗态碳复合方法制备出SbC复合材料，本发明具有以下有益效果：1、与碳复合提高了Sb的电子导电性；2、较大的孔道将会为K+的移动提供更为快速的扩散通道，而不同孔道之间所存在的胞状薄壁结构则可缩短K+在SbC复合材料内的传输距离，从而提高其离子导电性；3、众多的微小孔道也可让材料的比表面积得到提高，随着其比表面积的提高，其电池的比容量也会随之增加；4、通过KOH活化亦可控调节生物遗态碳中的孔道结构，从而可以进一步研究不同结构与性能之间存在的关系。

申请人：东北大学秦皇岛分校

地址：066000 河北省秦皇岛市经济技术开发区泰山路143号

国籍：CN

代理机构：北京君有知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：夏娟娟

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一种钛和钛合金熔炼用坩埚的制备方法[发明专利]

[19]

中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[11]公开号CN 101381242A

[43]公开日2009年3月11日

[21]申请号200810228030.2[22]申请日2008.10.10

[21]申请号200810228030.2

[71]申请人东北大学

地址110004辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷1

1号

[72]发明人戴文斌王新丽于景坤 [51]Int.CI.C04B 35/66 (2006.01)

权利要求书 1 页说明书 4 页

[54]发明名称

一种钛和钛合金熔炼用坩埚的制备方法

[57]摘要

本发明涉及一种钛和钛合金熔炼用坩埚的制备

方法。本方法以氧化钇和适量的添加剂为主要原料，

利用等静压法或浇注法成型后，1300℃－1800℃的

温度范围内利用合理的烧结制度获得钛及钛合金熔

炼用坩埚。利用本发明制备的氧化钇基坩埚具有良

好的耐侵蚀性能和抗热震性等使用性能，可用于钛

和钛合金的熔炼和浇铸，制备出具有良好性能的钛

和钛合金铸件。本方法烧结温度较低，既节能环保，

又提高生产效率。使用过程中在氧化钇坩埚外设置

氧化铝坩埚、石墨坩埚等保护措施，或者加入钛粉、

镁粉等防氧化剂，能够提高坩埚的寿命和熔炼钛和

钛合金的质量。另外，可采用浇注等方法将损坏的

坩埚进行修补，延长坩埚的使用寿命。

200810228030.2权利要求书第1/1页 1、一种制备钛和钛合金熔炼用坩埚的方法，利用本发明制备的氧化钇基坩埚具有良好的耐侵蚀性能和抗热震性等使用性能，可用于钛和钛合金的熔炼和浇铸，制备出具有良好性能的钛和钛合金铸件。本方法包括成型方法，原料选择、烧结助剂及添加量、烧结制度及修补方法。其特征在于：

制备单相纳米ε-FeN或γ'-FeN粉体的方法和装置[发明专利]

专利名称：制备单相纳米ε-FeN或γ＇-FeN粉体的方法和装置专利类型：发明专利

发明人：佟伟平,王长久,赫冀成

申请号：CN200910013292.1

申请日：20090821

公开号：CN101628712A

公开日：

20100120

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：一种制备单相纳米ε－FeN或γ′－FeN粉体的方法和装置，装置由等离子体蒸发制粉系统、粉体收集及改性系统、真空系统和循环系统组成。制备单相纳米ε－FeN或γ′－FeN粉体的工艺步骤为：抽真空、强制气体循环，然后进行等离子体蒸发制粉，再进行粉体改性，控制氨、氢体积流量比为(1.4～1.6)∶1，粉体捕集室温度为345～355℃，保温5～7小时，获得纳米单相γ′－FeN粉体；控制氨、氢体积流量比为(2.4～2.6)∶1，粉体捕集室温度为445～455℃，保温1～3小时，获得纳米单相ε－FeN粉体。通过精确的反应气氛控制，可确保产品为高纯度、单相、纳米氮化铁粉体。

申请人：东北大学

地址：110004 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号

国籍：CN

代理机构：沈阳东大专利代理有限公司

代理人：罗洪杰

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一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法[发明专利]

专利名称：一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法专利类型：发明专利

发明人：王海钱,苏豪凯,温刘平,吴智升,王伯宇,王晓强

申请号：CN201710089165.4

申请日：20170220

公开号：CN106958008A

公开日：

20170718

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，包括以下步骤：取经过预处理的基材放入磁控溅射仪的反应室中，反应室抽真空后，充入纯度为99.95％的Ar作为工作气体和纯度为99.95％的O作为反应气体，调节溅射工作气压，设置溅射功率，溅射Ta靶材，在基材上获得氧化钽薄膜。本发明提供的一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，所得TaOx薄膜具有优良的离子传输性能、低的电导率和较高的透过率。氧化钽膜层致密性良好。

申请人：东北大学秦皇岛分校

地址：066004 河北省秦皇岛市经济技术开发区泰山路143号东北大学秦皇岛分校

国籍：CN

代理机构：北京联创佳为专利事务所(普通合伙)

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