晶体常用参数振荡器
晶体振荡原理
石英晶体、晶振介绍文摘2010-10-25 23:36:39 阅读50 评论0 字号：大中小订阅石英晶体振荡器是高精度和高稳定度的振荡器，被广泛应用于彩电、计算机、遥控器、手机等各类振荡电路中，以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。
可以说只要需要稳定时钟的地方，就必需要有晶体振荡器。
一：认识晶体、晶振常见晶体振荡器有两类，一类是无源晶体，也叫无源晶振，另一类是有源晶振，也叫钟振。
无源晶体外形如下图：（HC-49S 插脚）（HC-49S/SMD 贴片）无源晶体以以上两种封装的晶体最为常用，广泛应用于普通设备上，尤其是嵌入式设备，若对体积大小有要求，可以选择更小的贴片封装，如下图：（XG5032 贴片）（XS3225 贴片1，3脚有效，2，4脚为空脚）当前消费类电子如手机，MP4，笔记本等，XS3225封装最为常用。
具体关于晶体的封装及参数信息，请参考国内最大的高端晶体晶振厂家：浙江省东晶电子股份有限公司网站提供的信息：/product.aspx/23无源晶体说穿了就是封装了一下晶体，在晶体两面镀上电极引出两根线即可，那么有源晶振就是在无源晶体的基础上加了一个晶体振荡电路，，比如采用一个74HC04或者54HC04之类的非门与晶体勾通三点式电容振荡电路，所以它具有电源，地，时钟输出三个脚，有些还会增加一个脚，就是晶振工作控制脚，当不需要工作的时候，可以关掉晶振降低功耗。
如下图：（OS3225 与XS3225外形一样，只是脚位定义不同1：EN控制脚，2：GND地，3：OUT信号输出，4：VCC电源，一般为3.3V 或者5V）。
晶振内部振荡电路等效图如下：非门5404的输出脚2就是信号输出脚。
二：晶体振荡电路原理分析（本篇由东晶电子网上独家代理创易电子提供技术文档）我们以最常见得MCU振荡电路为例,参考电路如下：很多人做MCU51单片机得时候，不明白晶体两边为什么要加两个电容，大小一般在15pF～33pF之间，有些特殊的，还需要在晶体上并联一个大电阻，一般老师的解释是提高晶体振荡电路的稳定性，有助于起振,而对于其根本原理没有解释。
晶振选型与应用知识
石英晶振选型与应用知识石英晶体是压电晶体的一种，沿着特定的方向挤压或拉伸，它的两端会产生正负电荷，这种效应称为正压电效应；相反，对晶体施加电场导致晶体形变的效应，称为逆压电效应。
所以在石英晶片两面施加交变电场，晶片就会产生形变，而形变又会产生电场，这是一个周期转换的过程。
对于特定的晶片，这个周期是固定的，我们利用这个周期来产生稳定的基准时钟信号。
石英晶体元器件，是利用石英晶体的压电效应实现频率控制、稳定或选择的关键电子元器件。
包括石英晶体谐振器、石英晶体振荡器和石英晶体滤波器。
在石英晶片的两面镀上电极，经过装架、调频、封装等工序后制成石英晶体元件。
石英晶体元件与集成电路等其它电子元件组合成石英晶体器件。
本文主要介绍石英晶振：即所谓石英晶体谐振器（无源晶振）和石英晶体振荡器（有源晶振）的统称。
一般的概念中把晶振就等同于谐振器理解了，振荡器就是通常所指钟振。
石英晶振是一种用于稳定频率和选择频率的电子元件，已被广泛地使用在无线电话、载波通讯、广播电视、卫星通讯、仪器仪表等各种电子设备中.一、石英晶振的型号命名方法1.国产石英晶体谐振器的型号由三部分组成：–第一部分：表示外壳形状和材料，B表示玻璃壳，J表示金属壳，S表示塑料封型；–第二部分：表示晶片切型，与切型符号的第一个字母相同，A表示AT切型、B表示BT切型，–第三部分：表示主要性能及外形尺寸等，一般用数字表示，也有最后再加英文字母的。
JA5为金属壳AT切型晶振元件，BA3为玻壳AT切型晶振元件。
2石英晶体振荡器的型号命名有四部分组成：.–第一部分：主称用大写字母Z表示石英晶体振荡器；–第二部：类别用大写字母表示，其意义见下表：–第三部分：频率稳定度等级用大写字母表示，其意义见下表：–第四部分：序号用数字表示，以示产品结构性能参数的区别从型号上无法知道晶振元件的主要电特性，需查产品手册或相关资料才行。
二、石英晶振的结构特点1.石英晶体谐振器一般由外壳、晶片、支架（金属座）、外引线、引线等组成。
讲讲关于无源晶体的几个重要参数
讲讲关于无源晶体的几个重要参数
前言
很多工程师选择无源晶体时，会对它的参数有点模糊，每个厂家标定的又有些区别。
尤其很多人常常搞混负载电容的意思。
今天我们把复杂的问题简单化，说说晶体的主要参数。
首先我们要清楚晶振它是干什幺的，它全称晶体振荡器，它能够产生中央处理器（CPU）执行指令所必须要的时钟频率信号，CPU一切指令的执行都是建立在这个基础上的，其信号频率越高，通常CPU的运行速度也就越快。
你买的手机CPU显示的主频，都是基于晶振能力说明的。
凡是包含CPU的电子产品，其中至少含有一个时钟源，包括许多其他的震荡器，即使你没有看见，那也是晶振在芯片内部被集成了。
往往晶振被人们称之为电路系统的心脏。
一旦心脏停止跳动，整块电路板可能出现瘫痪的状况。
因此晶振的质量问题是很多厂商放在第一位的最终抉择的考虑基础！
那幺晶振质量的好坏由什幺决定了呢？有的人说，频率精度，功耗水平，使用寿命，温度漂移，外包装，又或者产品印字标识等等。
这一切真的能有助于我们分辨晶振的好坏吗？一般像晶振这样的电子元器件拿在手上我们是。
进口石英晶体振荡器完整料号
进口石英晶体振荡器完整料号本文由 编辑整理电子技术日益发达具奇美电内部透露明年所有产品线,包括电视,监视器,平板电脑,手机等产品都要达到20%市占率的目标,智能手机大量出货,可能而知现在电子产品在市场的地位,而支撑这些产品顺利出货的幕后CEO电子元器件贴片晶振是其中之一,每部手机必须用到的32.768K晶体,石英振荡器3225就这二个元件也足以带动整个行业销量.各个品牌手机结构不同设计的电路板也有大同小异,CDMA智能手机必须用到石英晶体3225 26MHZ蓝牙也一样,ATM一般用12MHZ 3225振荡器,振荡器可能有很多人会混淆一连串的字母不知道哪个是哪个,可能有些采购商工程跟他说找有源晶振DSV就给了他这三个字母,而采购又是刚刚上任不久不知道这是什么东西只知道带电压有源晶振,这里列举一些比较常用的进口日产石英晶体振荡器料号.日本株式大真空晶体振荡器DSO开头属于普通振荡器料号(SPXO)料号频率范围产品尺寸封装DSO321SBM 0.7 to 90MHz 3.2×2.5×1.1 3K/盘装DSO321SBN 0.7 to 90MHz 3.2×2.5×1.1 3K/盘装DSO323SD 13.5 to 212.5MHz 3.2×2.5×1.1 3K/盘装DSO323SK 13.5 to 212.5MHz 3.2×2.5×1.1 3K/盘装DSO321SW 3 to 60MHz 3.2×2.5×0.9 3K/盘装DSO211AR 0.4 to 80MHz 2.0×1.6×0.72 3K/盘装DSO221SBM 3.25 to 52MHz 5×2.0×0.815 3K/盘装DSO221SR 0.2 to 167MHz 2.5×2.0×0.815 3K/盘装DSO531SBM 0.7 to 90MHz 5.0×3.2×1.1 1K/盘装DSO533SJ 13.5 to 212.5MHz 5.0×3.2×1.1 1K/盘装DSO533SK 13.5 to 212.5MHz 5.0×3.2×1.1 1K/盘装DSO751SBM 0.7 to 90MHz 7.3×4.9×1.5 1K/盘装DSO751SR 0.2 to 167MHz 7.3×4.9×1.5 1K/盘装DSO753HK 212.5 to 350MHz 7.0×5.0×2.0 1K/盘装DSO753SD 13.5 to 212.5MHz 7.3×4.9×1.5 1K/盘装DSO753SJ 13.5 to 212.5MHz 7.3×4.9×1.5 1K/盘装DSB开头属于温补振荡器(TCXO)料号频率范围产品尺寸封装DSB321SDA 9.6 to 52 MHz 3.2×2.5×0.9 3K/盘装DSB321SCL 9.6 to 52 MHz 3.2×2.5×0.9 3K/盘装DSB211SCL 13 to 52 MHz 2.1×1.7×0.63 3K/盘装DSB211SDB 13 to 52 MHz 2.1×1.7×0.63 3K/盘装DSB221SCL 9.6 to 52 MHz 2.5×2.0×0.8 3K/盘装DSB221SDA 9.6 to 52 MHz 2.5×2.0×0.8 3K/盘装DSB535SD 9.6 to 40 MHz 5.0×3.2×1.05 1K/盘装DSB535SC 10 to 30MHz 5.0×3.2×1.35 1K/盘装DSB535SG 10 to 40 MHz 5.0×3.2×1.35 1K/盘装DSV开头属于压控振荡器(VCXO)料号频率范围产品尺寸封装DSV531SB 5 to 50MHz 5.0×3.2×1.2 1K/盘装DSV531SV 1.25 to 80MHz 5.0×3.2×1.2 1K/盘装DSV532SV 1.25 to 80MHz 5.0×3.2×1.1 1K/盘装DSV753SB 4 to 50MHz 7.0×5.0×2.0 1K/盘装DSV753SK 40 to 170MHz 7.3×4.9×1.5 1K/盘装DSV753SD 80 to 170MHz 7.3×4.9×1.5 1K/盘装DSV321SR 6.75 to 90MHz 3.2×2.5×1.1 3K/盘装DSV323SJ 80 to 170MHz 3.2×2.5×1.1 3K/盘装DSV323SK 40 to 170MHz 3.2×2.5×1.1 3K/盘装DSV221SR 7.5 to 60MHz 2.5×2.0×0.815 3K/盘装DSV221SV 6.75 to 90MHz 2.5×2.0×0.815 3K/盘装DSV211AV 12 to 80MHz 2.0×1.6×0.72 3K/盘装DSA开头属于压控温补振荡器(VC-TCXO)料号频率范围产品尺寸封装DSA211SCL 13 to 52 MHz 2.1×1.7×0.63 3K/盘装DSA221SDA 9.6 to 52 MHz 2.5×2.0×0.8 3K/盘装DSA221SJ 10 to 40 MHz 2.5×2.0×0.8 3K/盘装DSA221SCL 9.6 to 52 MHz 2.5×2.0×0.8 3K/盘装DSA321SDA 9.6 to 52 MHz 3.2×2.5×0.9 3K/盘装DSA321SCL 9.6 to 52 MHz 3.2×2.5×0.9 3K/盘装DSA535SG 10 to 40 MHz 5.0×3.2×1.35 1K/盘装DSA535SC 10 to 30MHz 5.0×3.2×1.35 1K/盘装DSA535SD 9.6 to 40 MHz 5.0×3.2×1.05 1K/盘装日产爱普生振荡器系列TCO开头温补振荡器料号频率范围产品尺寸封装TCO-7087 1.5 to 160.00MHZ 7.0×5.0×1.6 1K/盘装TCO-710X 1.5 to 75MHZ 5.0×3.2×1.0 1K/盘装SG-310 2.0 to 80.0MHZ 3.2×2.5×1.05 3K/盘装TG-5035CE 10.0 to 40.0MHZ 3.2×2.5×0.9 3K/盘装VG开头压控振荡器料号频率范围产品尺寸封装VG-4232CA 60 to 80.0MHZ 7.0×5.0×1.4 1K/盘装VG-4231CB 1.0 to 80.0MHZ 5.0×3.2×1.2 1K/盘装VG-4231CA 1.0 to 60.0MHZ 7.0×5.0×1.4 1K/盘装日产西铁城振荡器系列CSX开头压控振荡器料号频率范围产品尺寸封装CSX532T 12.8 to 26.0MHZ 3.2×2.5×1.0 1K/盘装CSX-750V 2.0 to 4.0MHZ 7.0×5.0×1.6 1K/盘装CSX750F 1.0 to 80.0MHZ 7.0×5.0×1.6 1K/盘装CSX325T 1.0 to 38.0MHZ 3.2×2.5×1.0 3K/盘装CSX325P 1.0 to 125.0MHZ 3.2×2.5×1.0 3K/盘装CSX-252T 19.2 to 38.4MHZ 2.5×2.0×1.0 3K/盘装振荡器根据振荡形式不同又可分很多种,比如石英晶体振荡器,环形振荡器,石英晶体多谐振荡器,通过电容的充电和放电使两个暂稳态相互交替,不用触发来产生自激振荡输出周期性的矩形脉冲信号又含有丰富的谐波分量这种叫做多谐振荡器,多谐振荡器主要利用谐振原理实现的振荡器.而石英晶体振荡器则利用压电效应,在石英晶片受到外加交变电场的作用下产生机械振动,当交变电场的频率与石英晶体的固有频率相同时，振动变得更强烈这就是晶体谐振特性的反应.因此信号发生电路上要产生方波时主要的起振元件大多会采用晶体振荡器.。
晶振主要参数
晶振主要参数频率准确度在标称电源电压、标称负载阻抗、基准温度(252℃)以及其他条件保持不变，技术'＞晶体振荡器的频率相对与其规定标称值的最大允许偏差，即(f⅛aχ-fπιin)∕fθ;温度稳定度其他条件保持不变，在规定温度范围内晶体振荡器输出频率的最大变化量相对于温度范围内输出频率极值之和的允许频偏值，即(fmaχ-fmin)/(fmax+fmin)；频率调节范围通过调节晶振的某可变元件改变输出频率的范围。
调频(压控)特性包括调频频偏、调频灵敏度、调频线性度。
①调频频偏：压控晶体振荡器控制电压由标称的最大值变化到最小值时输出频率差。
②调频灵敏度：压控晶体振荡器变化单位外加控制电压所引起的输出频率的变化量。
③调频线性度：是一种与理想直线(最小二乘法)相比较的调制系统传输特性的量度。
负载特性其他条件保持不变，负载在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称负载下的输出频率的最大允许频偏。
电压特性其他条件保持不变，电源电压在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称电源电压下的输出频率的最大允许频偏。
杂波输出信号中与主频无谐波(副谐波除外)关系的离散频谱分量与主频的功率比，用dBc表示。
谐波谐波分量功率Pi与载波功率PO之比，用dBc表示。
频率老化在规定的环境条件下，由于元件(主要是石英谐振器)老化而引起的输出频率随时间的系统漂移过程。
通常用某一时间间隔内的频差来量度。
对于高稳定晶振，由于输出频率在较长的工作时间内呈近似线性的单方向漂移，往往用老化率(单位时间内的相对频率变化)来量度。
日波动指振荡器经过规定的预热时间后，每隔一小时测量一次,连续测量24小时,将测试数据按S=(fmaχ-fmin)∕fθ式计算，得到日波动。
开机特性在规定的预热时间内，振荡器频率值的最大变化，用V=(fmaχ-fmin)∕fθ表示。
相位噪声短期稳定度的频域量度。
用单边带噪声与载波噪声之比？(f)表示，？(f)与噪声起伏的频谱密度S6(f)和频率起伏的频谱密度Sy(f)直接相关，由下式表示：f2S(f)=fO2Sy(f)=2f2?(f)f—傅立叶频率或偏离载波频率；f0一载波频率。
石英晶体谐振频率和q值
石英晶体谐振频率和q值
石英晶体谐振频率和Q值是石英晶体振荡器的重要参数，它们直接决定了振荡器的性能。
首先，我们来了解一下石英晶体的谐振频率。
石英晶体是一种具有特殊性质的物质，它具有高度的非线性，并且在其特定的温度范围内，其机械性能表现出强烈的弹性。
当外部机械压力作用于石英晶体时，其内部原子结构会产生强烈的振动。
这种振动在特定的频率下会引发谐振，即谐振频率。
对于石英晶体振荡器，其谐振频率通常以兆赫兹（MHz）或千兆赫兹（GHz）为单位。
接下来，我们来看一下Q值。
Q值是衡量石英晶体振荡器性能的一个重要参数，它表示了振荡器的品质因数。
Q值的大小取决于多个因素，包括晶体的切割角度、温度、频率等。
Q值越高，振荡器的频率稳定性和相位噪声性能就越好。
因此，高Q值的石英晶体振荡器通常被用于需要高精度和高稳定性的应用中，如通信、导航和时钟生成等。
在实际应用中，石英晶体振荡器的谐振频率和Q值会受到多种因素的影响。
例如，环境温度的变化、机械冲击、老化等都可能引起这些参数的变化。
因此，对于一些高精度和高稳定性的应用，需要对石英晶体振荡器的谐振频率和Q值进行精确的控制和监测。
总之，石英晶体谐振频率和Q值是衡量石英晶体振荡器性能的重要参数。
了解这些参数的含义及其影响因素有助于我们更好地理解和使用石英晶体振荡器。
对于需要高精度和高稳定性的应用，需要对这些参数进行精确的控制和监测。
随着科技的不断发展，我们期待着更加先进的石英晶体振荡器能够在未来得到广泛应用。
晶体振荡器 MEMS振荡器
晶振的缺点
受石英晶体自身的特性限制，比较脆弱，抗 震性能差； 由于切割尺寸难以继续缩小，频率难以继续 提高； 受封装限制，体积、价格难以继续降低。
石英晶体振荡器市场规模TAM
据统计报道，目前全球石英晶体振荡器市场年 规模约为30亿美元，每年生产90亿颗石英晶体 振荡器，应用涉及汽车、电视、摄像机、个人 电脑、便携式设备等等几乎一切电子设备。
石英晶体的等效电路
影响振荡器工作的环境因素
影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰 (EMI)、机械震动与冲击、温度和湿度。这些 因素会增大输出频率的变化，增加不稳定性， 并且在有些情况下，还会造成振荡器停振。 所以，晶振的封装很讲究，金属、陶瓷外壳 起屏蔽和机械稳定作用。
无源晶振和有源晶振
市场上晶体振荡器分为无源有源晶振两种类型。无源晶 振与有源晶振（谐振）的英文名称不同，无源晶振为 crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡 器）。无源晶振实际上是一颗石英晶体，需要借助于时 钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以 “无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振--振荡器模 块，才是一个完整的振荡器。 振荡器的性能受环境条件和电路元件选择的影响较大。 需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。相比 之下，有源晶振（钟振）更加稳定，工程应用更加方便。
MEMS 振荡器结构原理
MEMS谐振器是采用深度离子蚀刻技术在晶圆 上生成极细小且坚硬的机械结构，从而制成 谐振器。 MEMS 振荡器由下面部分组成
雕刻在硅片上面的谐振腔体 真空密封Cap 振荡器、PLL ASIC电路 封装
Build a MEMS Oscillator
1) Resonator
2) Packaged Resonator
晶振(crystal)与谐振荡器(oscillator)有何区别(精)
谐振振荡器包括石英（或其晶体材料）晶体谐振器，陶瓷谐振器，LC谐振器等。
晶振与谐振振荡器有其共同的交集有源晶体谐振振荡器。
石英晶片所以能做振荡电路（谐振）是基于它的压电效应，从物理学中知道，若在晶片的两个极板间加一电场，会使晶体产生机械变形；反之，若在极板间施加机械力，又会在相应的方向上产生电场，这种现象称为压电效应。
如在极板间所加的是交变电压，就会产生机械变形振动，同时机械变形振动又会产生交变电场。
一般来说，这种机械振动的振幅是比较小的，其振动频率则是很稳定的。
但当外加交变电压的频率与晶片的固有频率（决定于晶片的尺寸）相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为压电谐振，因此石英晶体又称为石英晶体谐振器。
其特点是频率稳定度很高。
它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关. 应用石英晶体振荡器是高精度和高稳定度的振荡器，被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。
石英晶体振荡器的结构石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。
其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
谐振频率从石英晶体谐振器的等效电路可知，它有两个谐振频率，即（1）当L、C、R支路发生串联谐振时，它的等效阻抗最小（等于R）。
串联揩振频率用fs表示，石英晶体对于串联揩振频率fs呈纯阻性，（2）当频率高于fs时L、C、R支路呈感性，可与电容C。
发生并联谐振，其并联频率用fd表示。
根据石英晶体的等效电路，可定性画出它的电抗—频率特性曲线。
可见当频率低于串联谐振频率fs或者频率高于并联揩振频率fd时，石英晶体呈容性。
石英晶体谐振器原理特点和参数
石英晶体谐振器原理特点和参数石英晶体振荡器的基本工作原理及作用（1）石英晶体振荡器（简称晶振）的结构石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化矽的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。
其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑胶封装的。
⑵压电效应若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形。
反之，若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应。
如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振动，同时晶片的机械振动又会产生交变电场。
在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。
它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。
（3）符号和等效电路石英晶体谐振器的符号和等效电路如图所示。
当晶体不振动时，可把它看成一个平板电容器称为静电电容C,它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关，一般约几个pF到几十pF。
当晶体振荡时，机械振动的惯性可用电感L來等效。
一般L的值为几十mH到几百mH晶片的弹性可用电容C來等效，C的值很小，一般只有0.0002〜O.lpF。
晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R來等效，它的數值约为100Q。
由于晶片的等效电感很大，而C很小，R也小，因此回路的品质因數Q很大，可达1000〜10000。
加上晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切割方式、几何形状、尺寸有关，而且可以做得精确，因此利用石英谐振器组成的振荡电路可获得很高的频率稳定性。
晶体符号等效电路频率特性曲线图石英晶体振荡器外形图片（4）谐振频率从石英晶体谐振器的等效电路可知，它有两个谐振频率，即a、当L、C、R支路发生串联谐振时，它的等效阻抗最小（等于R）。
石英晶体振荡器
⽯英晶体振荡器⽯英晶体振荡器⽯英晶体振荡器是⼀种⽤于频率稳定和选择频率的电⼦器件，它的主要作⽤是提供频率基准，由于它具有⾼稳定的物理化学性能、极⼩的弹性震动损耗以及频率稳定度⾼的特点，因此被⼴泛⽤于远程通信、卫星通信、移动电话系统、全球定位系统（GPS）、导航、遥控、航空航天、⾼速计算机、精密计测仪器及消费类民⽤电⼦产品中，是⽬前其它类型的振荡器所不能替代的.⼀、⽯英晶体谐振器的结构、振荡原理1、⽯英晶体振荡器的结构⽯英晶体振荡器是利⽤⽯英晶体（⼆氧化硅的结晶体）的压电效应制成的⼀种谐振器件，它的基本构成⼤致是：从⼀块⽯英晶体上按⼀定⽅位⾓切下薄⽚（简称为晶⽚，它可以是正⽅形、矩形或圆形等），在它的两个对应⾯上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊⼀根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了⽯英晶体谐振器，简称为⽯英晶体或晶体、晶振。
其产品⼀般⽤⾦属外壳封装，也有⽤玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
下图是⼀种⾦属外壳封装的⽯英晶体结构⽰意图。
2、压电效应若在⽯英晶体的两个电极上加⼀电场，晶⽚就会产⽣机械变形。
反之，若在晶⽚的两侧施加机械压⼒，则在晶⽚相应的⽅向上将产⽣电场，这种物理现象称为压电效应。
如果在晶⽚的两极上加交变电压，晶⽚就会产⽣机械振动，同时晶⽚的机械振动⼜会产⽣交变电场。
在⼀般情况下，晶⽚机械振动的振幅和交变电场的振幅⾮常微⼩，但当外加交变电压的频率为某⼀特定值时，振幅明显加⼤，⽐其他频率下的振幅⼤得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象⼗分相似。
它的谐振频率与晶⽚的切割⽅式、⼏何形状、尺⼨等有关。
⼆、⽯英晶体振荡器的等效电路与谐振频率1、等效电路⽯英晶体谐振器的等效电路如下图所⽰。
当晶体不振动时，可把它看成⼀个平板电容器称为静电电容Co，它的⼤⼩与晶⽚的⼏何尺⼨、电极⾯积有关，⼀般约⼏个PF到⼏⼗PF。
当晶体振荡时，机械振动的惯性可⽤电感L1来等效。
⼀般L1的值为⼏⼗mH 到⼏百mH。
晶振知识大普及
晶振术语解释1、晶振：即所谓石英晶体谐振器和石英晶体时钟振荡器的统称。
不过由于在消费类电子产品中，谐振器用的更多，所以一般的概念中把晶振就等同于谐振器理解了。
后者就是通常所指钟振。
2、分类。
首先说一下谐振器。
谐振器一般分为插件（Dip）和贴片（SMD）。
插件中又分为HC-49U、HC-49U/S、音叉型（圆柱）。
HC-49U一般称49U，有些采购俗称“高型”，而HC-49U/S一般称49S，俗称“矮型”。
音叉型按照体积分可分为3*8，2*6，1*5，1*4等等。
贴片型是按大小和脚位来分类。
例如7*5（0705）、6*3.5（0603），5*3.2（5032）等等。
脚位有4pin和2pin之分。
而振荡器也是可以分为插件和贴片。
插件的可以按大小和脚位来分。
例如所谓全尺寸的，又称长方形或者14pin，半尺寸的又称为正方形或者8pin。
不过要注意的是，这里的14pin和8pin都是指振荡器内部核心IC的脚位数，振荡器本身是4pin。
而从不同的应用层面来分，又可分为OSC(普通钟振)，TCXO（温度补偿），VCXO（压控），OCXO（恒温）等等。
3、基本术语。
我想这也是很多采购同学比较模糊的地方。
这里我选了一些常用的谐振器术语拿来做一下解释。
Frequency Tolerance（调整频差）：在规定条件下，在基准温度（25±2℃）与标称频率允许的偏差。
一般用PPm（百万分之）表示。
Frequency Stability(温度频差)：指在规定的工作温度范围内，与标称频率允许的偏差。
用PPm 表示。
Aging（年老化率）：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。
以年为时间单位衡量时称为年老化率。
Shunt Capacitance（静电容）：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用C0表示。
Load Capacitance（负载电容）：与晶体一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容，通常用CL表示。
三极管9011-9018的参数
三极管9011-9018的参数三极管9011-9018是一种常用的晶体管器件，具有不同的参数和特性。
下面将分别介绍这些参数及其应用。
1. 9011型三极管9011型三极管是一种NPN型晶体管，其主要参数如下：- 最大集电极电压（Vceo）：-50V- 最大发射极电流（Ic）：-500mA- 最大功率耗散（Pd）：-625mW- 最大封装功率温度（Tj）：-150℃9011型三极管具有高频特性，适用于射频放大器、中频放大器、混频器、振荡器等电路。
2. 9012型三极管9012型三极管也是一种NPN型晶体管，其主要参数如下：- 最大集电极电压（Vceo）：-40V- 最大发射极电流（Ic）：-500mA- 最大功率耗散（Pd）：-625mW- 最大封装功率温度（Tj）：-150℃9012型三极管具有高电流放大倍数和低噪声特性，适用于低噪声放大器、音频放大器、振荡器等电路。
3. 9013型三极管9013型三极管是一种PNP型晶体管，其主要参数如下：- 最大集电极电压（Vceo）：-20V- 最大发射极电流（Ic）：-500mA- 最大功率耗散（Pd）：-625mW- 最大封装功率温度（Tj）：-150℃9013型三极管具有低噪声、高电流放大倍数和高电流能力的特性，适用于音频放大器、功率放大器、开关电路等。
4. 9014型三极管9014型三极管也是一种PNP型晶体管，其主要参数如下：- 最大集电极电压（Vceo）：-40V- 最大发射极电流（Ic）：-100mA- 最大功率耗散（Pd）：-300mW- 最大封装功率温度（Tj）：-150℃9014型三极管具有低噪声、高电流放大倍数和低功耗的特性，适用于音频放大器、功率放大器、开关电路等。
5. 9015型三极管9015型三极管是一种PNP型晶体管，其主要参数如下：- 最大集电极电压（Vceo）：-20V- 最大发射极电流（Ic）：-100mA- 最大功率耗散（Pd）：-300mW- 最大封装功率温度（Tj）：-150℃9015型三极管具有低噪声、高电流放大倍数和低功耗的特性，适用于音频放大器、功率放大器、开关电路等。
晶振设计指南
前言很多设计者都知道晶体振荡器都是基于皮尔斯振荡器，但不是所有人都知道具体是如何工作的，只有一部分人能掌握具体如何设计。
在实践中，对振荡器设计的关注有限，直到发现它不能正常运行（通常是在最终产品已经在生产时），这会导致项目延迟。
振荡器必须在设计阶段，即在转向制造之前，得到适当的关注，以避免产品在应用中失败的噩梦场景。
1、石英晶体的特性及模型石英晶体可以将电能转化为机械能的东西，也可以将机械能转化为电能。
这种转化主要发生在谐振频率上。
石英晶体的等效模型可以用Figure1来表示：C0并联电容：两个电极间形成的电容。
Lm 动态等效电感：代表机型振动的惯性。
Cm 动态等效电容：代表晶振的弹性。
Rm 动态等效电阻：代表电路的损耗。
晶振的阻抗表达式如下（假设Rm 可以忽略不记）：下图Figure 2说明了晶振的阻抗与频率的关系晶振设计指南其中Fs是当Z=0时的串联谐振频率，其表达式如下：Fa是当电抗Z趋于无穷大时的并联谐振频率，假如Fs为已知量，那么其表达式如下：fs和fa之间的区域（图2中的阴影区域）是并联谐振的区域。
在这一区域晶振工作在并联谐振状态，并且在此区域晶振呈电感特性，从而带来了相当于180 °的相移。
具体谐振频率FP（可理解为晶振实际工作的频率）表达式如下：根据这个方程，可以通过改变负载电容CL来调整晶体的振荡频率。
这就是为什么，在晶体规格书中，晶体制造商指出了使晶体在标称频率下振荡所需的确切CL。
下面Table2给出了一个8Mhz标称频率的等效晶体电路元件值的示例：使用前面的3个公式，可以计算出Fs和Fa：Fs=7988768HzFa=8008102Hz如果负载电容CL=10pF，则其振荡频率为：FP = 7995695Hz。
要使其达到准确的标称振荡频率8MHz，CL应该为4.02pF。
2、振荡器的原理振荡器由一个放大器和反馈网络组成，反馈网络起到频率选择的作用。
Figure 3通过一个框图来说明振荡器的基本原理。
石英晶体谐振器原理特点和参数
石英晶体谐振器原理特点和参数石英晶体振荡器的基本工作原理及作用(1)石英晶体振荡器（简称晶振）的结构石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化矽的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。
其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑胶封装的。
(2)压电效应若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形。
反之，若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应。
如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振动，同时晶片的机械振动又会产生交变电场。
在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。
它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。
(3)符号和等效电路石英晶体谐振器的符号和等效电路如图所示。
当晶体不振动时，可把它看成一个平板电容器称为静电电容C，它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关，一般约几个pF到几十pF。
当晶体振荡时，机械振动的惯性可用电感L來等效。
一般L的值为几十mH到几百mH。
晶片的弹性可用电容C來等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1pF。
晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R來等效，它的數值约为100Ω。
由于晶片的等效电感很大，而C很小，R也小，因此回路的品质因數Q很大，可达1000～10000。
加上晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切割方式、几何形状、尺寸有关，而且可以做得精确，因此利用石英谐振器组成的振荡电路可获得很高的频率稳定性。
晶体符号等效电路频率特性曲线图石英晶体振荡器外形图片(4)谐振频率从石英晶体谐振器的等效电路可知，它有两个谐振频率，即a、当L、C、R支路发生串联谐振时，它的等效阻抗最小（等于R）。
晶振大全
VCXOVCXO即：Voltage Controlled X'tal(crystal) Oscillator压控钟振的简称VCXO：是压控振荡器，是通过电压控制晶振的频率输出陶瓷晶振陶瓷晶振陶瓷晶振[1]是属于压电材料频率元件，目前常规分为两种压电材料，1：压电陶瓷材料，2：压电石英材料。
陶瓷晶振别名又叫陶振[2]；在中国晶振厂家经常这样叫法。
陶瓷晶振是根据他内部的芯片采用的“压电陶瓷芯片材料[3]”而得名，封装一般采取塑封外形尺寸为7.5*9*3.5（单位：毫米），代表产品：455KHZ系列；还有一种是采取环氧树脂和酚醛混合物作为包封材料，经过高温固化形成为硬质陶瓷材料的外壳，一般为棕色和蓝色，代表产品：ZTT4.0MHZ。
频率精度按照国际通用标准表示为：千分之三和千分之五[3]TCXOTCXO(Temperature Compensate X'tal (crystal) Oscillator) TCXO是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。
1.TCXO 的温度补偿方式，温度补偿型石英晶体谐振器，具有精度高等特点。
在TCXO中，对石英晶体振子频率温度漂移的补偿方法主要有直接补偿和间接补偿两种类型。
直接补偿型直接补偿型TCXO是由热敏电阻和阻容元件组成的温度补偿电路，在振荡器中与石英晶体振子串联而成的。
在温度变化时，热敏电阻的阻值和晶体等效串联电容容值相应变化，从而抵消或削减振荡频率的温度漂移。
该补偿方式电路简单，成本较低，节省印制电路板（PCB）尺寸和空间，适用于小型和低压小电流场合。
但当要求晶体振荡器精度小于±1ppm 时，直接补偿方式并不适宜。
间接补偿型间接补偿型又分模拟式和数字式两种类型。
模拟式间接温度补偿是利用热敏电阻等温度传感元件组成温度－电压变换电路，并将该电压施加到一支与晶体振子相串接的变容二极管上，通过晶体振子串联电容量的变化，对晶体振子的非线性频率漂移进行补偿。
晶振与晶体的参数详解
晶振与晶体的参数详解1. 晶振与晶体的区别1) 晶振是有源晶振的简称，又叫振荡器。
英文名称是oscillator。
晶体则是无源晶振的简称，也叫谐振器。
英文名称是crystal.2) 无源晶振(晶体)一般是直插两个脚的无极性元件，需要借助时钟电路才能产生振荡信号。
常见的有49U、49S封装。
3) 有源晶振(晶振)一般是表贴四个脚的封装，内部有时钟电路，只需供电便可产生振荡信号。
一般分7050、5032、3225、2520几种封装形式。
2. MEMS硅晶振与石英晶振区别MEMS硅晶振采用硅为原材料，采用先进的半导体工艺制造而成。
因此在高性能与低成本方面，有明显于石英的优势，具体表现在以下方面：1) 全自动化半导体工艺(芯片级)，无气密性问题，永不停振。
2) 内部包含温补电路，无温漂，-40—85℃全温保证。
3) 平均无故障工作时间5亿小时。
4) 抗震性能25倍于石英振荡器。
5) 支持1-800MHZ任一频点，精确致小数点后5位输出。
6) 支持1.8V、2.5V、2.8V、3.3V多种工作电压匹配。
7) 支持10PPM、20PPM、25PPM、30PPM、50PPM等各种精度匹配。
8) 支持7050、5032、3225、2520所有标准尺寸封装。
9) 标准四脚、六脚封装，无需任何设计改动，直接替代石英振荡器。
10) 支持差分输出、单端输出、压控(VCXO)、温补(TCXO)等产品种类。
11) 300%的市场增长率，三年内有望替代80%以上的石英振荡器市场。
3. 晶体谐振器的等效电路上图是一个在谐振频率附近有与晶体谐振器具有相同阻抗特性的简化电路。
其中：C1为动态电容也称等效串联电容;L1为动态电感也称等效串联电感;R1为动态电阻也称等效串联电阻;C0为静态电容也称等效并联电容。
这个等效电路中有两个最有用的零相位频率，其中一个是谐振频率(Fr)，另一个是反谐振频率(Fa)。
当晶体元件实际应用于振荡电路中时，它一般还会与一负载电容相联接，共同作用使晶体工作于Fr和Fa之间的某个频率，这个频率由振荡电路的相位和有效电抗确定，通过改变电路的电抗条件，就可以在有限的范围内调节晶体频率。
晶振r25参数
晶振r25参数
晶振是一种电子元器件，主要用于振荡电路中，产生高频信号。
晶振r25是一种常用的振荡器，它的参数包括共振频率、频率稳定度、温度特性等。
以下是晶振r25的具体参数介绍：
1. 共振频率：晶振r25的共振频率一般在10MHz左右，这个值是由晶体的物理结构和尺寸决定的。
2. 频率稳定度：频率稳定度指的是晶振输出的信号频率在工作温度范围内的波动程度，通常用ppm（百万分之一）来表示。
晶振r25的频率稳定度一般在±30ppm左右，这个值与晶体的质量、晶振的制造技术等因素有关。
3. 温度特性：晶振r25的温度特性是指在不同的温度下，晶振输出的信号频率的变化情况。
晶振r25的温度特性一般在±10ppm/℃左右，这个值与晶体的材料、尺寸等因素有关。
总之，晶振r25是一种常见的振荡器元件，它的参数包括共振频率、频率稳定度、温度特性等，这些参数的优劣将直接影响到振荡电路的性能和稳定性。
- 1 -。
电路中的振荡器介绍振荡器的种类和应用领域
电路中的振荡器介绍振荡器的种类和应用领域电路中的振荡器是指能够在不受外部信号源驱动下，在电路内自行产生周期性信号的电子设备。
振荡器在电子设备中广泛应用，例如无线电、雷达、计算机等领域，因此，了解振荡器的种类及其应用领域是十分重要的。
本文将介绍振荡器的种类及其应用。
1. 晶体振荡器晶体振荡器是常用的一种振荡器，它利用压电效应产生振荡。
晶体振荡器主要由压电石英晶片、放大器、反馈电路、电源和输出电路等组成。
晶体振荡器振荡频率的稳定性高，且精确度高，应用于频率稳定要求高的电路，例如计算机、通讯设备等领域。
2. 电感耦合振荡器电感耦合振荡器是利用电路中的电感和电容进行产生振荡的一种振荡器。
电感耦合振荡器主要由电容、电感、晶体管等元器件组成。
电感耦合振荡器的振荡频率范围广，应用于频率要求不高的电子设备，例如音频放大器、调谐器等领域。
3. 集成电路振荡器集成电路振荡器是可以直接集成在电路板上的一种振荡器。
集成电路振荡器主要由电容、电感、晶体管等元器件组成。
由于集成电路振荡器可以大规模生产，成本相对较低，因此在数字电路、计算机等领域应用最为广泛。
4. RC振荡器RC振荡器是利用电路中的电容和电阻形成的RC环路产生振荡的一种振荡器。
RC振荡器主要由电容、电阻、晶体管等元器件组成。
RC 振荡器的频率不稳定，但由于成本低廉，应用于一些低频率要求的电子设备，例如弱电信号接收与放大器。
5. 摆线振荡器摆线振荡器是利用物理学中的摆线定理产生振荡的一种振荡器。
摆线振荡器主要由模拟计算器、捷克电池表、过氧化银光源等元器件组成。
摆线振荡器的频率通常在几十千赫范围内，应用于高精度计时和频率测量等领域。
总之，电路中的振荡器种类多样，根据不同的应用领域和需求选择合适的振荡器是十分重要的。
对于电子爱好者来说，学习振荡器的原理和应用也是提高技能的一个重要方向。