西南科技大学2011年《810电子技术基础(B卷)》考研专业课真题试卷

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精品文档《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】:本课程《电子技术基础》(编号为 08001)共有单选题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型,其中,本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。

一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ,U =0.5V ,U =3V,该三极管处在()B E C状态。

A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特性是()。

A. 放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在 N 型半导体中()。

A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是()。

A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管,当输入电流 I B=10μA时,I C=1mA;而 I B=20μA时,IC=1.8mA,则该三极管的交流电流放大系数为()。

A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在()。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V,则该管为()。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为:U B=2.8V , U E=2.1V , U C= 3.6V ,则该管处于()状态。

精品文档10.P 型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。

A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入()。

A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是()。

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82.电路如图所示,晶体管的=80, =100Ω。分别计算RL=∞时的Q点、 、Ri和Ro。
83.已知图所示电路中晶体管的=100,rbe=1kΩ。
(1)现已测得静态管压降UCEQ=6V,估算Rb约为多少千欧;
(2)若测得 和 的有效值分别为1mV和100mV,则负载电阻RL为多少千欧?
84.放大电路如图所示,已知图中Rb1=10kΩ, Rb2=2.5kΩ,Rc=2kΩ,Re=750Ω,RL=1.5kΩ,Rs=10kΩ,Vcc=15V,β=150。设Cl,C2,C3都可视为交流短路,试用小信号分析法计算电路的电压增益AV,源电压放大倍数AVS,输入电阻Ri,输出电阻Ro。
21.如果三极管的发射结反偏,则三极管处于的状态是( )
A.放大B.饱和C.截止D.倒置
22.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为( )失真。
A.饱和B.截止C.交越D.频率
23.射极输出器的主要特点是( )
A.电压放大倍数无穷大,输出电阻高,输入电阻低
B.电压放大倍数接近1,输出电阻低,输入电阻高
A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零
16.以下电路中,可用作电压跟随器的是( )。
A.差分放大电路B.共基放大电路C.共射放大电路D.共集放大电路
17.共模抑制比KCMRR是( )。
A. 差模输入信号与共模输入信号之比
B. 输入量中差模成份与共模成份之比
C. 差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比
C.除放大电路以外还有信号通道 D.输出与输入信号成非线性的关系
40.对于放大电路,所谓开环是指( )。
A.无信号源 B.无反馈通路 C.无电源 D.无负载
41.整流的目的是( )。
A.将交流变为直流 B.将高频变为低频 C.将正弦波变为方波D.将直流变为交流

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一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V,U E=0.5V,U C=3V,该三极管处在()状态。

A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是()。

A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中()。

A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是()。

A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管,当输入电流I B=10μA时,I C=1mA;而I B=20μA时,I C=1.8mA,则该三极管的交流电流放大系数为()。

A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在()。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V,则该管为()。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为:U B=2.8V,U E=2.1V,U C=3.6V,则该管处于()状态。

A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入()。

A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是()。

A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结反偏,集电结正偏C.发射结正偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是()。

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