共源极放大器电路及原理
(完整word版)放大电路的工作原理和三种基本放大组态
放大电路的工作原理和三种基本放大组态放大电路里通常是晶体三极管、场效应管、集成运算放大器等，这些器件也称为有源器件。
共射放大电路如图所示。
V cc是集电极回路的直流电源，也是给放大电路提供能量的，一般在几伏到几十伏范围，以保证晶体三极管的发射结正向偏置、集电结反向偏置，使晶体三极管工作在放大区。
R c是集电极电阻，一般在几 K 至几十K 范围，它的作用是把集电极电流i C的变化变成集电极电压u CE的变化。
V BB是基极回路的直流电源，使发射结处于正向偏置，同时通过基极电阻R b提供给基极一个合适的基极电流I BQ，使三极管工作在放大区中适当的区域，这个电流I BQ常称为基极偏置电流，它决定着三极管的工作点，基极偏置电流I BQ是由V BB和基极电阻R b共同作用决定的，基极电阻R b一般在几十KΩ至几百KΩ范围。
如在输入端加上一个较小的正弦信号u i , 通过电容C1加到三极管的基极，从而引起基极电流i B在原来直流I BQ的基础上作相应的变化，由于u i是正弦信号，使i B随u i也相应地按正弦规律变化，这时的i B实际上是直流分流I BQ和交流分量i b迭加后的量。
同时i B的变化使集电极电流 i C 随之变化，因此i C也是直流分量I C和交流分量i c的迭加，但i C要比i B大得多（即β倍）。
电流i C在电阻R C上产生一个压降，集电极电压u CE =V CC－i C R L，这个集电极电压u CE也是由直流分量I C和交流分量 i C两部分迭加的。
这里的 u CE和 i C相位相反，即当 i C增大时, u CE减少。
由于C 2的隔直作用，使只有 u CE的交流分量通过电容C2作为放大电路的输出电压u O。
如电路参数选择适当，u O要比 u I的幅值要大得多，同时 u I与 u O的相位正好相反。
电路中各点的电流、电压波形如图所示。
放大电路的图解法放大电路有三种主要分析方法：一是图解法，二是微变等效电路法，三是计算机辅助分析法。
共源共栅放大器电路 增益90db
共源共栅放大器电路增益90db的文章在现代电子技术领域中，放大器被广泛应用于信号处理、音频放大、通信等许多领域。
其中，共源共栅放大器在各种放大器电路中具有独特的特点，被广泛应用于各种领域。
在本文中，我将针对共源共栅放大器电路的概念、原理、特点，以及增益90db的情况下进行全面的评估，并撰写一篇有价值的文章。
1. 共源共栅放大器电路的概念共源共栅放大器是一种常见的场效应管放大器电路，通常由一个MOS 场效应管组成。
在这种电路中，输入信号通过栅极加到场效应管的栅极，输出信号则从源极获取。
栅极也通过RC耦合电路与源极相连，形成共源共栅的电路结构。
这种电路的特点是具有高输入阻抗和低输出阻抗。
2. 共源共栅放大器电路的原理共源共栅放大器电路通过栅极的输入信号来控制场效应管的导通，进而在源极获得放大后的输出信号。
栅极与源极之间的耦合电路可以提供恰当的电压偏置，使得场效应管在工作点上能够正常放大输入信号。
由于栅极和源极之间是共源共栅的结构，这种放大器电路具有较高的增益和较低的失真。
3. 共源共栅放大器电路的特点共源共栅放大器电路具有许多特点，包括高输入阻抗、低输出阻抗、较高的增益、良好的线性度和较小的失真。
这些特点使得共源共栅放大器电路在各种领域，尤其是需要高质量音频放大和精密信号处理的应用中得到广泛的应用。
4. 共源共栅放大器电路增益90db的评估在具体应用中，共源共栅放大器电路的增益可以根据具体的电路设计和参数选择进行调整。
如果需要实现高增益的放大器电路，可以通过精心设计和合理选择电路元件来实现。
一些需要大幅度放大的音频放大器或者精密仪器放大器，就需要较高的增益。
在这种情况下，我们可以根据具体需求，调整放大器电路的设计参数，以达到增益90db的要求。
5. 个人观点和理解在我看来，共源共栅放大器电路是一种非常有价值的放大器电路，它不仅具有较高的增益和良好的线性度，而且还具有稳定的工作特性和较小的失真。
这使得它在各种高要求的放大应用中都能发挥重要作用。
mos管共源、共漏、共栅三种组态放大电路
mos管共源、共漏、共栅三种组态放大电路下载温馨提示：该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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共源极放大器
Symbol 2N5457 2N5458 V GS(off)
Min -0.5 -1.0 Min 1.0 2.0
Typ Typ 3.0 6.0
Max -6.0 -7.0 Max 5.0 9.0
Unit Vdc
Symbol 2N5457 2N5458 I DSS
Unit mAdc
摘要
共源極放大器
分析CS放大器，你需要從直流值開始，估算 ID 值根據典型值；具 體電路從估計值變化。
VDD +12 V
對一個典型的 2N5458， 汲 極電流是多少？
C1
RD 2.7 kΩ Vout
2N5458
由規格表得到典型值 IDSS = 6.0 mA且 VGS(off) = −4 V。繪出負 載線可得到圖形解。
0.1 μF Vin 100 mV RG 10 MΩ RS 470 Ω C2 10 μF
摘要
疊接放大器 疊接放大器是組合CS和 CG的放大器，形成一個 好的高頻放大器。此電 路10 MHz的輸入信號和 輸出信號，顯示在下一 張投影片…
摘要
疊接放大器
疊接放大器的輸入信號 用紅色顯示，輸出用藍 色，增益是多少？
輸入的峰值電壓是 24.7 mV。 輸出的峰值電壓是 2.33 V。 AV = 94.3
+VDD RD C2 C1 RL Vin RG
Vout
摘要
增強型 E-MOSFET
E-MOSFET 是一個平常關閉的元件。這個 N通道的元件的偏壓在相 對源極的閘極是正電壓。如圖顯示是一個分壓器偏壓的E-MOSFET 放大器。
ID
增強模式
+VDD
RD R1 C1
共射放大电路、共集放大电路、共基放大电路
共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路是电子电路中常见的三种基本放大电路结构。
它们在放大器设计中扮演着重要的角色，具有各自特点和适用范围。
本文将从深度和广度的角度，对这三种放大电路进行全面评估，并据此撰写有价值的文章，让读者能更全面、深刻地了解这些电路结构。
1. 共射放大电路共射放大电路是一种常用的放大器电路结构，它具有电压增益大、输入阻抗低、输出阻抗高等特点。
在共射放大电路中，晶体管的发射极作为输入端，集电极作为输出端，而基极则连接输入信号源。
这种结构使得共射放大电路在信号放大方面表现出色，尤其适用于需要高电压增益和较低输出阻抗的场合。
然而，由于其输入端与输出端之间存在反相放大，因此在直流工作状态下需要进行偏置设置，以保证工作在正常放大区域。
2. 共集放大电路共集放大电路又称为源跟随器，是一种特殊的放大器电路结构。
在共集放大电路中，晶体管的栅极作为输入端，漏极作为输出端，而源极则连接输入信号源。
这种结构使得共集放大电路在输出端能够提供比较低的输出阻抗，从而能够驱动负载电路，适用于需要驱动能力强的场合。
由于其输入端与输出端之间存在同相放大，因此在直流工作状态下较为简单，不需要复杂的偏置设置。
3. 共基放大电路共基放大电路是放大器电路结构中的一种特殊形式，它具有电压增益大、输入阻抗低、输出阻抗高等特点。
在共基放大电路中，晶体管的集电极作为输入端，基极作为输出端，而发射极则连接输入信号源。
这种结构使得共基放大电路在信号放大方面表现出色，适用于需要高电压增益和较低输出阻抗的场合。
然而，由于其输入端与输出端之间存在反相放大，因此在直流工作状态下需要进行偏置设置，以保证工作在正常放大区域。
总结回顾从以上对共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路的评估中可以看出，这三种放大电路各具特点，在不同的应用场合有着不同的表现和适用范围。
共射放大电路适用于需要高电压增益和较低输出阻抗的场合，而共集放大电路则适用于需要驱动能力强的场合，共基放大电路适用于需要高电压增益和较低输出阻抗的场合。
共射放大电路放大倍数
共射放大电路的原理与计算共射放大电路是一种利用晶体管的共射极特性来实现信号放大的电路。
它具有电压放大倍数高、输入电阻低、输出电阻高、通频带宽等优点，是最常用的基本放大电路之一。
本文将介绍共射放大电路的基本结构、性能指标、动态分析、交流负载线和非线性失真等内容，并给出相关的计算公式和示例。
共射放大电路的基本结构共射放大电路的基本结构如下图所示：E_S|R_S||----+----+----+----+| | | | |R_B1 R_B2 C_1 C_2 R_C| | | | |+----+----+----B +----+| | |C E || | |R_E C_E || | |+---------+---------+|C_3|+其中，E_S 是信号源，R_S 是信号源内阻，R_B1 和 R_B2 是分压式偏置电阻，R_C 是集电极负载电阻，R_E 是发射极稳定电阻，C_1 和 C_2 是耦合电容，C_E 是旁路电容，C_3 是旁路滤波电容。
晶体管的发射极E、基极B和集电极C 分别与地相连，形成共射极连接方式。
共射放大电路的工作原理是：当输入信号为正半周时，基极电压增加，使晶体管导通程度增强，集电极电流增加，集电极电压降低；当输入信号为负半周时，基极电压减小，使晶体管导通程度减弱，集电极电流减小，集电极电压升高；因此，输出信号与输入信号相位相反，实现了信号的反向放大。
共射放大电路的性能指标共射放大电路的主要性能指标有：电压放大倍数 A_u：表示输入电压和输出电压幅值和相位间的关系；输入电阻 r_i：表示放大电路对信号源的负载作用；输出电阻 r_o：表示放大电路对负载或后级放大器的影响；通频带 BW：表示放大电路对不同频率信号的放大能力；失真：表示输出波形与输入波形之间的差异。
这些指标可以通过动态分析来计算。
共射放大电路的动态分析动态分析是指在有信号输入时，分析放大电路各极间交流分量的变化关系。
由于晶体管是非线性元件，所以要对其进行线性化处理，得到微变等效电路。
放大电路的原理
放大电路的原理
放大电路的原理是基于利用放大器来增加输入信号的幅度。
放大器是一种能够增加信号电压、电流或功率的电子器件，其作用是将输入信号放大到所需的输出水平。
一种常见的放大电路是电压放大电路。
在这种电路中，输入信号经过放大器，放大器根据其设计原理（如共集电极、共射极或共基极）将输入电压放大，并输出到负载上。
放大器的输出信号的幅度将比输入信号的幅度大，从而实现信号的放大。
放大器一般由晶体管、场效应晶体管或操作放大器等器件构成。
通过调整放大器的电阻、电容或电感等元件的数值，可以实现不同程度的放大。
放大器的增益是一个重要参数，它衡量了输入信号放大后的增加倍数。
放大电路的原理也与反馈有关。
反馈通常用于控制放大器的增益和稳定性。
通过引入反馈回路，放大器的输出信号可以与输入信号进行比较，并调整放大器的增益来达到所需的放大效果。
总的来说，放大电路的原理是通过放大器将输入信号放大到所需的幅度。
放大器的类型和参数、反馈机制等都会影响放大电路的性能。
这些原理在各种电子设备和通信系统中起着重要作用，使得信号能够被有效地放大和传输。
cascode共源共栅单级放大电路的增益 输出电阻 输入输出电压范围
cascode共源共栅单级放大电路的增益输出电阻输入输出电压范围以下是关于cascode共源共栅单级放大电路的增益、输出电阻和输入输出电压范围的详细解释。
I. cascode共源共栅单级放大电路的结构和工作原理cascode共源共栅单级放大电路是一种常用的放大电路结构，由两个场效应管（M1和M2）组成，M2是M1的上级器件。
M1是共源放大器，M2是共栅放大器。
该电路通过共源共栅的结构实现了高增益、宽带宽和低失真的放大效果。
在工作时，输入信号加到M1的栅极上，M1的漏极与输出端连接，而M1的源极接地。
M2的源极与M1的漏极相连，同时也与输出端相连。
M2的栅极通过共栅电容与M1的漏极相连接，M2的漏极则与稳定的直流电压源相连。
II. 增益cascode共源共栅单级放大电路的增益取决于M1和M2的放大倍数。
在这种电路中，M1主要负责的是电流放大，而M2主要负责的是电压放大。
因此，总增益是两个放大器的增益之积。
M1的增益可以用其跨导gm1来表示。
M1的增益公式为：Av1 = -gm1 * Rd1其中，Rd1是由M1的漏极电阻和输出端电阻组成的总电阻。
M2的增益可以用其跨导gm2来表示。
M2的增益公式为：Av2 = gm2 * (Rd1 Rg2)其中，Rd1是由M1的漏极电阻和输出端电阻组成的总电阻，而Rg2是由M2的栅极电阻和输入端电阻组成的总电阻。
因此，总增益Av为：Av = Av1 * Av2 = -gm1 * gm2 * (Rd1 Rg2)III. 输出电阻输出电阻是指在输出端口变化一个单位信号时，输出端口电压变化的比例。
在cascode共源共栅单级放大电路中，输出电阻主要由M1和M2的漏极电阻决定。
输出电阻公式为：Ro = Rd1 Rd2其中，Rd1和Rd2分别是M1和M2的漏极电阻。
IV. 输入输出电压范围输入电压范围是指在不失真的情况下，输入信号的幅值范围。
输出电压范围是指输出信号的幅值范围。
nmos共源极放大电路
nmos共源极放大电路1. 概述nmos共源极放大电路是一种常用的放大电路，利用场效应管（nmos）工作在共源极极性的放大模式下，可以实现信号的放大功能。
本文将从工作原理、电路结构、放大特性等方面对nmos共源极放大电路进行全面深入的探讨。
2. 工作原理nmos共源极放大电路的工作原理基于场效应管（nmos）的放大效应。
当输入信号加在栅极上时，栅极电压会控制沟道的导电性，从而决定源漏之间的电流是否流过。
在共源极模式下，当输入信号的幅度变化时，栅极电压也会相应发生变化，从而控制导通的沟道的电流大小。
通过合适的偏置电压和输入信号，可以实现信号的放大。
3. 电路结构nmos共源极放大电路由nmos管、负载电阻和电源构成。
其中nmos管是放大器的核心部件，负载电阻用于提供放大信号的输出，电源则为整个电路提供工作电压。
3.1 nmos管 nmos管由栅极、漏极和源极三个引脚组成。
栅极和源极之间的电压用于控制沟道导通，漏极和源极之间的电压则决定通过沟道的电流大小。
在共源极模式下，输入信号作用在栅极上，漏极和源极之间的电流通过负载电阻输出。
3.2 负载电阻负载电阻通常被连接在漏极和电源之间，起到输出信号放大的作用。
负载电阻的大小会影响输出电压的幅度和增益。
在选择电阻的数值时，需要根据具体的应用场景和放大要求进行合理的设计。
3.3 电源电源为nmos共源极放大电路提供工作电压，通常为直流电源。
在选择电源电压时，需要考虑到nmos管的工作范围和负载电阻的要求。
4. 放大特性nmos共源极放大电路有以下几个重要的放大特性：4.1 增益增益是衡量放大器性能的重要指标，可以用来描述输出信号幅度与输入信号幅度之间的比值关系。
在nmos共源极放大电路中，增益可以通过输出电压与输入电压的比值来计算。
4.2 频率响应频率响应描述了放大器对不同频率的输入信号的响应能力。
对于nmos共源极放大电路来说，频率响应受到电容和电感的影响，需要通过合理的设计和补偿来优化。
cmos模拟电路基本电路详解
cmos模拟电路基本电路详解CMOS模拟电路是一种基于CMOS技术的电路设计方法，它具有低功耗、高集成度、高可靠性等优点，在现代电子设备中得到广泛应用。
本文将详细介绍CMOS模拟电路的基本电路结构和工作原理。
一、CMOS模拟电路的基本电路结构CMOS模拟电路由三个基本单元构成：输入电路、放大电路和输出电路。
输入电路负责将外部的模拟信号转换为数字信号，放大电路将数字信号放大为模拟信号，输出电路将模拟信号输出到外部。
1. 输入电路输入电路通常由输入电阻、差动对和电流镜组成。
输入电阻用于接收外部模拟信号，差动对将输入信号进行差分放大，电流镜则用来提供差分对的偏置电流。
2. 放大电路放大电路是CMOS模拟电路的核心部分，它负责将输入信号放大。
放大电路通常由差动放大器和级联的共源极放大器组成。
差动放大器将输入信号进行差分放大，共源极放大器对差动放大器的输出信号进行进一步放大。
3. 输出电路输出电路负责将放大后的模拟信号输出到外部。
输出电路通常由输出级和负载电阻组成。
输出级将放大后的信号进行电压变换，负载电阻用于限制电流大小。
二、CMOS模拟电路的工作原理CMOS模拟电路的工作原理是利用MOS管的导通和截止特性来实现不同信号的放大和处理。
1. 差动放大器的工作原理差动放大器是CMOS模拟电路的核心，它通过差分放大器将输入信号进行放大。
当输入信号到达差动对时，MOS管的导通和截止状态将决定输出信号的大小。
当输入信号的电压高于某个阈值时，一个MOS管导通，另一个截止，输出信号为高电平；当输入信号的电压低于阈值时，两个MOS管的导通和截止状态相反，输出信号为低电平。
通过这种方式，差动放大器可以将输入信号放大。
2. 共源极放大器的工作原理共源极放大器是放大电路的第二级，它对差动放大器的输出信号进行进一步放大。
共源极放大器利用MOS管的电流放大特性，通过改变输入信号的电流大小来实现信号的放大。
当输入信号的电压高于阈值时，MOS管导通，电流增大，输出信号放大；当输入信号的电压低于阈值时，MOS管截止，电流减小，输出信号减小。
nmos共源极放大电路
nmos共源极放大电路
NMOS共源极放大电路是一种常见的放大电路，它由一个NMOS管和一个负载电阻组成。
该电路的输入信号通过NMOS管的栅极输入，经过放大后输出到负载电阻上。
本文将介绍NMOS共源极放大电路的工作原理、特点和应用。
一、工作原理
NMOS共源极放大电路的工作原理如下：当输入信号为正电压时，NMOS管的栅极电压增加，导致NMOS管的导通电阻减小，电流增大，从而使输出电压增大。
当输入信号为负电压时，NMOS管的栅极电压减小，导致NMOS管的导通电阻增大，电流减小，从而使输出电压减小。
因此，NMOS共源极放大电路可以将输入信号放大，并输出到负载电阻上。
二、特点
1.简单：NMOS共源极放大电路由一个NMOS管和一个负载电阻组成，结构简单，易于实现。
2.放大性能好：NMOS管的导通电阻随着栅极电压的变化而变化，因
此可以实现对输入信号的放大。
3.输出电阻小：NMOS共源极放大电路的输出电阻小，可以有效地驱
动负载电阻。
4.输入电阻大：NMOS共源极放大电路的输入电阻大，可以减小对输
入信号源的影响。
三、应用
NMOS共源极放大电路广泛应用于各种电子设备中，如音频放大器、功率放大器、信号放大器等。
其中，音频放大器是最常见的应用之一。
在音频放大器中，NMOS共源极放大电路可以将微弱的音频信号放大到足够的电平，从而驱动扬声器发出声音。
总之，NMOS共源极放大电路是一种简单、放大性能好、输出电阻小、输入电阻大的放大电路，广泛应用于各种电子设备中。
共源共漏放大电路
共源共漏放大电路
共源共漏放大电路是一种常见的放大电路，它采用共源共漏的结构，具有高增益、低失真、宽带等优点。
该电路的输入信号经过共源放大器放大后，再经过共漏放大器的放大，最终输出一个较大的信号。
该电路的特点是输入电阻较低，输出电阻较高，具有较好的抗干扰性能。
同时，该电路的工作频率范围较宽，适用于大多数放大器的应用场合。
共源共漏放大电路的设计需要考虑一系列参数，例如放大倍数、带宽、输入阻抗、输出阻抗等。
在实际应用中，需要根据具体场合进行调整和优化，以达到最佳的放大效果。
总之，共源共漏放大电路是一种重要的放大器结构，在电子电路设计中应用广泛，有着广泛的应用前景和发展空间。
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共源级放大器的电路设计及版图实现
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引言 . (1)1 TANNER TOOLS软件简介 (2)1.1T ANNER T OOLS软件的组成 (2)1.2T ANNER T OOLS设计综合流程 (3)2 共源级放大器电路图和版图设计及其仿真 (4)2.1电阻负载共源级放大器电路原理分析 (4)2.1.1 电阻负载共源级放大器电路图设计 (5)2.1.2 电阻负载共源级放大器电路图SPICE文件设置 (5)2.1.3 电阻负载共源级放大器电路图仿真图 (7)2.1.4 电阻负载共源级放大器版图设计 (7)2.1.5 DRC规则检查 (8)2.1.6 电阻负载共源级放大器版图spice文件设置 (8)2.1.7 电阻负载共源级放大器版图仿真图 (9)2.2二极管连接负载的共源级放大器电路原理分析 (9)2.2.1 二极管负载共源级放大器电路图设计 (10)2.2.2 电路图验证 (10)2.2.3 二极管负载共源级放大器电路图SPICE文件设置 (11)2.2.4 二极管连接负载的共源级放大器电路图仿真图 (11)2.2.5 二极管负载共源级放大器版图设计 (12)2.2.6 DRC规则检查 (12)2.2.7 二极管负载共源级放大器版图spice文件设置 (13)2.2.8 二极管负载共源级放大器版图仿真图 (14)2.3电流源负载共源级放大器电路原理分析 (14)2.3.1 电流源负载共源级放大器电路图设计 (14)2.3.2 电路图验证 (15)2.3.3 电流源负载共源级放大器电路图SPICE文件设置 (15)2.3.4 电流源负载共源级放大器电路图仿真图 (16)2.3.5 电流源负载共源级放大器版图设计 (17)2.3.6 DRC规则检查 (17)2.3.7 电流源负载共源级放大器版图spice文件设置 (18)2.3.8 电流源负载的共源级放大器版图仿真图 (19)3 LVS对比 (19)3.1电阻负载共源级放大器电路LVS对比 (19)3.2二极管连接负载的共源级放大器电路LVS对比 (20)3.3电流源负载共源级放大器电路LVS对比 (21)4 结束语 (21)参考文献 (23)引言1947年在美国的新泽西州的贝尔实验室诞生世界上第一个晶体管，自此开始了集成电路的发展，在1958年，基尔比德州仪器工程师发明了世界上第一个集成电路（IC）。
共源极放大器电压增益
共源極JFET放大器
+VDD
C1 G
Vin
R D C3 D
+
Vout
S
RL
RS
C2
圖14-6 JFET共源極放大器
電子學實驗 陳瓊興編
直流分析
ID
I DSS 2
ID
I
DSS
1
VGS VGS ( off
)
2
VS VGS I D RS
VD VDD ID RD
VDS VD VS
圖14-13 JFET放大器的應用-前置放大器
電子學實驗 陳瓊興編
電子學實驗 陳瓊興編
FET等效電路
D
rg s G
gmVg s
rd s
S
(a)完整模式
D
G Vg s
g mVg s
S
(b)簡化的模式 圖14-3 FET等效電路
電子學實驗 陳瓊興編
FET等效電路
D
G Id= gmVg s
Vo ut = Vd s
Rd
Vm= Vg s
S
圖14-4 FET等效電路與外在汲極電阻器
因為輸出電壓是在源極，因此和閘極輸入電壓為同 相位。
電子學實驗 陳瓊興編
實驗說明
分析各種放大器，基本上須先分析 其工作點，即直流偏壓電路各項直 流值，確保其工作在作用區，能適 當的放大輸入信號，且需觀察輸入 與輸出的相位關係。
電子學實驗 陳瓊興編
實驗說明
和電晶體(BJT)做比較，JFET的最大優點是 具相當高的輸入阻抗。然而其仍然有低增益 和非線性的缺點。為互補兩者的優點，通常 採取場效電晶體(JFET)與電晶體(BJT)二者 搭配使用。
共源极放大器电路及原理
共源极放大器电路及原理1)静态工作点的测试上图为场效应管共源极放大器实验电路图。
该电路采用的自给偏压的方式为放大器建立静态工作点，栅极通过R1接地，因R1中无电流流过，所以栅极与地等电位。
即VG=0，可用万用表测出静态工作点IDQ和VDSQ值。
２）输入输出阻抗的测试（1）输入阻抗的测量上图是伏安法测试放大电路的连接图。
其在输入回路中串接一取样电阻R，输入信号调整在放大电路用晶体管毫对地的交流电压VS与Vi，这样求得两端的电压为VR=VS－Vi，流过电阻R的电流实际就是放大电路的输入电流Ii。
根据输入电阻的定义得2）输出阻抗的测量放大器输出阻抗的大小，说明该放大器带负载的能力。
用伏安法测试放大电路的输出阻抗的测试电路如下图所示。
放大器输出阻抗的大小，说明该放大器带负载的能力。
用伏安法测试放大电路的输出阻抗的测试电路如下图所示。
输入信号的频率仍选择在放大电路的中频段，输入信号的大小仍调整到确保输出信号不失真为条件，因此仍须用示波器监视输出信号的波形。
第一步在不接负载RL的情况下，用毫伏表测得输出电压V01。
第二步在接上负载RL的情况下，用毫伏表测得输出电压V02。
则3）高输入阻抗Ｚｉ的测试.前面讲了一般放大器输入阻抗的测量方法，下面以场效应管源极跟随器为例，介绍高输入放大器的输入阻抗的测试方法。
类似于源极跟随器这样的高输入阻抗放大器的输入阻抗．往往可以等效成一个输入电阻Zｉ和一个输入电容Ｃｉ的并联形式，因此，必须分辨测出Ｒｉ和Ｃｉ的值才能确定输入阻抗Ｚｉ的值。
测量Ｒｉ，由于被测电路的输入阻抗很高，可以和毫伏表的输入阻抗相比拟，若将毫伏表直接接到被测放大电路的输入端，会引起严重的测试误差．为了减少小毫伏表并联接入引起的测量误差，要求毫伏表的输入电阻远大于被测电路的输入电阻，一般要求大于２０倍以上．对于一般的毫伏表来说，是无法满足这样的要求的．但是被测电路是一的源极跟随器．具有高输入阻抗，低输出阻抗的特点，因而，可以不直接测试放大电路的输入电压，而是测其输出电压。
4.3 基本共源极放大电路的组成
vi
VDD
Rg1
iD
iG 0
Rg 2
v+–GS
Rd
+ vo –
VDD
Rg1
Rd
iD
iG 0
+
+
Rg 2 vGS
–
v vDS
o RL
––
基本共源极放大电路的组成
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1、晶体管MOSFET管——放大电路的心脏 2、电源和偏置电路——保证FET工作在放大区 3、偏置电阻Rd——输出信号转换 4、输入输出电路加入大电容——隔直传交
iD
Rd
iG 0
vi
vG+S
VGG
–
+ vo VDD
–
图a
Rg1
iD
Rd
iG 0
Rg 2
+ vG–S
+ vo VDD
–
图b
VDD
Rg1
iD
iG 0
+ – Rg 2 vGS
Rd
+ vo –
图c
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基本共源极放大电路的组成
输入输出电路两点要求 ①要求信号能顺畅的输入输出 ②直流信号不影响信号源和负载 隔直传交——使用大电容 注意：电解电容有正负极，正极靠近电源正极。
vi
VDD
Rg1
Rd
iD
iG 0
+
+
Rg 2 vGS
–
v vDS
o RL
––
奉献教育店铺基本共源极放大电路的组成晶体管mosfet管放大电路的心脏电源和偏置电路保证n沟mosfet工作在放大区偏置电阻r输出信号转换作用gs基本共源极放大电路的组成输入输出电路两点要求要求信号能顺畅的输入输出直流信号不影响信号源和负载隔直传交使用大电容注意
npn三极管共基极放大电路
npn三极管共基极放大电路共基极放大电路是一种基于NPN三极管的放大电路，其中输入信号通过三极管的发射极和基极输入，而输出信号则从集电极和基极之间获得。
这种放大电路在高频放大或振荡电路中常被使用，特别是在电流缓冲或高频电路中。
在这个电路中，发射极作为输入端，集电极作为输出端，基极为共用端，可能接地或是接到电源。
这种电路与场效晶体管的共栅极电路类似。
总的来说，共基极放大电路是一种具有特定应用特点的放大电路，主要用于高频或振荡电路。
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共源极放大器电路及原理
1)静态工作点的测试
上图为场效应管共源极放大器实验电路图。
该电路采用的自给偏压的方式为放大器建立静态工作点，栅极通过R1接地，因R1中无电流流过，所以栅极与地等电位。
即VG=0，可用万用表测出静态工作点IDQ和VDSQ值。
２）输入输出阻抗的测试
（1）输入阻抗的测量
上图是伏安法测试放大电路的连接图。
其在输入回路中串接一取样电阻R，输入信号调整在放大电路用晶体管毫对地的交流电压VS与Vi，这样求得两端的电压为VR=VS－Vi，流过电阻R的电流实际就是放大电路的输入电流Ii。
根据输入电阻的定义得
2）输出阻抗的测量
放大器输出阻抗的大小，说明该放大器带负载的能力。
用伏安法测试放大电路的输出阻抗的测试电路如下图所示。
放大器输出阻抗的大小，说明该放大器带负载的能力。
用伏安法测试放大电路的输出阻抗的测试电路如下图所示。
输入信号的频率仍选择在放大电路的中频段，输入信号的大小仍调整到确保输出信号不失真为条件，因此仍须用示波器监视输出信号的波形。
第一步在不接负载RL的情况下，用毫伏表测得输出电压V01。
第二步在接上负载RL的情况下，用毫伏表测得输出电压V02。
则
3）高输入阻抗Ｚｉ的测试.
前面讲了一般放大器输入阻抗的测量方法，下面以场效应管源极跟随器为例，介绍高输入放大器的输入阻抗的测试方法。
类似于源极跟随器这样的高输入阻抗放大器的输入阻抗．往往可以等效成一个输入电阻Zｉ和一个输入电容Ｃｉ的并联形式，因此，必须分辨测出Ｒｉ和Ｃｉ的值才能确定输入阻抗Ｚｉ的值。
测量Ｒｉ，由于被测电路的输入阻抗很高，可以和毫伏表的输入阻抗相比拟，若将毫
伏表直接接到被测放大电路的输入端，会引起严重的测试误差．为了减少小毫伏表并联接入引起的测量误差，要求毫伏表的输入电阻远大于被测电路的输入电阻，一般要求大于２０倍以上．对于一般的毫伏表来说，是无法满足这样的要求的．但是被测电路是一的源极跟随器．具有高输入阻抗，低输出阻抗的特点，因而，可以不直接测试放大电路的输入电压，而是测其输出电压。
如图３.３.４所示，电路中串入一个阻值较大的取样电阻R，测试时先将电阻Ｒ短路，测出放大器的输出电压，Ｕ０１＝Ａｕ．Ｕi．再拆除Ｒ的短路线，测出输出电压Ｕ０２，则由于两次测试中Ａｕ和Ｕi都不变，从而可以从上面两方程中求得放大电路的输入电阻为
1.基本要求
（1）结型场效应管的特性曲线测试
a.转移特性曲线测试
按上图接线,调节VDD使VDS=5V，然后调节RW（10KΩ）
电位器，分别使VGS为0V ,－, －，－v,－,
－, －, －1 V ,－2 V, 相应测出对应的各个漏极电
流ID并记录之，在坐标纸上画出一条VDS=5V的转换特性曲线。
b. 结型场效应管漏极特性曲线测试
调节Rw电位器，固定VGS=0V,调节VDD分别使场效应管漏源电压VDS为0V，1V，2V，4V，6V，8V,10V，测出各对应的ID值，然后在坐标纸上将各点连成一条光滑的曲线。
即可得VGS=0V时的一条漏极特性曲线。
c. 调节RW，分别固定VGS为－，－，重复上述
步骤，即可得出VGS=－，VGS=－时的另外两条特性曲线。
d. 跨导gm的测试
根据转移特性曲线数值，求出VGS在和之间时的跨导：
（2）按照本课件图3-7连接一个结型场效应管共源放大电路。
调节Rs使VGSQ=，测量并记录VDSQ、IDQ。
已知输入正弦波信号有效值Vi=150mv f=1000HZ VDD=12V RL=20kΩ，选2SK163（N沟道耗尽型场效应管）。
（3）测量电路的放大倍数Av、输入阻抗Ri、输出阻抗Ro并记录。