实验一扩展存储器读写实验
存储器扩展实验
实验一存储器扩展实验
1 实验目的
1)、熟悉存储器扩展方法。
2)、掌握存储器的读/写
2 实验预习要求
1)、复习教材中存储器扩展的有关内容，熟悉存储器扩展时地址总线、控制总线及数据总线的连接方法，
了解静态RAM的工作原理。
2)、预先编写好实验程序。
3 实验内容
1)、连接电路
2)、编写程序，将字母‘A’~‘Z’循环存储在扩展的SRAM 62256存储器芯片D8000H开始的单元中，然
后再将其从62256中读出并在屏幕上显示。
4 实验提示
1）、62256芯片的容量为32K⨯8位，芯片上的地址引脚A0~A14（共15根）连接至系统的地址总线A1~A15，用来对片内32K个存储单元进行寻址。
片选信号CS接至实验台的MY0。
芯片上的8个数据引脚D0~D7直接与系统的数据引脚相连。
控制信号RD、WR分别连接到实验台的MRD#和MWR#。
写操作时，芯片上的控制信号CS=0，WR=0，RD=1；读操作时，CS=0，RD=0，WR=1。
2）、实验程序流程图如图所示。
5 实验报告要求
1)、根据流程图编写实验程序，并说明在实验过程中遇到了哪些问题，是如何处理的。
2)、总结存储器系统的基本扩展方法。
3)、写出实验小结，内容包括实验心得（收获）、不足之处或今后应注意的问题等。
实验一：扩展RAM及FLASH读写实验报告
《C2000 DSP技术及应用》实验报告实验一：扩展RAM及FLASH读写实验班级: 姓名:学号: 日期:成绩表一、预习报告12．在F28335开发板上查找RAM芯片位置和型号，并描述外扩RAM芯片与F28335的连接关系。
RAM芯片位置在开发板的（）。
（填左上、右下、中间等）；RAM 芯片型号为（）。
3．在F28335开发板上查找FLASH芯片位置和型号，并描述外扩FLASH芯片与F28335的连接关系。
FLASH芯片位置在开发板的（）。
（填左上、右下、中间等）；FLASH芯片型号为（）。
4．阅读main_EXRAM.C 和main_NOR_FLASH.C文件，编写函数：RAM1数据复制到RAM2函数原型：void copyRAM1toRAM2(Uint32 RAM1Start, Uint32 RAM2Start, Uint16 Length)// RAM1起始偏移地址：RAM1Start// RAM2起始偏移地址：RAM2Start// 复制数据个数：Length5．画出main_EXRAM.C 和main_NOR_FLASH.C文件的主程序流程图。
二、实验记录（一）新建实验项目《C2000 DSP技术及应用》实验报告（三）扩展FLASH实验三、编程作业及调试先备份程序，然后修改代码。
依次完成以下操作：1、将数值0x1234写入到存储器区间0xF000~0xF3FF中；2、将存储器区间0xF000~0xF3FF中的值对应地复制到存储器区间0x100000~0x1003FF 中；3、将存储器区间0x100000~0x1003FF中的值对应地复制到存储器区间0x200000~0x2003FF中；4、将存储器区间0x200000~0x2003FF中的值对应地复制到存储器区间0xF000~0xF3FF 中；查看存储器区间0xF000~0xF3FF的数值情况。
（一）调试后的程序（可附页）（二）实验结果及分析。
存储器扩展实验｜计算机原理存储器扩展实验word版
存储器扩展实验
一、实验目的
掌握单片机系统中存储器扩展方式。
二、实验设备
TDN86/51教学实验系统一台
三、实验内容及步骤
1、实验电路如图所示，扩展的外部数据存储器6264的地址范围为
6000H-7FFFH,共8K字节。
将片内
RAM40H-4FH单元中的6个数据，传送到外部RAM7000H-7FFFH单元中，然后翻读到片内RAM的50H-5FH单元中。
2、实验程序如下
ORG 0000H
LJMP MAIN
ORG 1000H MAIN: MOV R0, #40H MOV R2, #10H MOV DPTR, #7000H L1: MOV A, @R0 MOVX @DPTR, A INC R0
INC DPTR
DJNZ R2, L1
MOV R0, #50H
MOV DPTR, #7000H MOV R2, #10H
L2: MOVX A, @DPTR MOV @R0, A
INC R0
INC DPTR
DJNZ R2, L2
L3: SJMP L3
END
实验步骤
（1）按图接线。
（2）输入程序检查无错误，经汇编、连接后装入系统。
（3）在101AH处设断点。
（4）用R07**命令在40H-4FH单元中送入16个数。
（5）GB=0000运行程序。
（6）用R07**命令检查50H-5FH单元中的内容是否与40H-4FH单元一致。
微机原理实验---存储器的扩展实验
深圳大学实验报告课程名称：_____________ 微机计算机设计__________________实验项目名称：静态存储器扩展实验______________学院：_________________ 信息工程学院____________________专业：_________________ 电子信息工程____________________指导教师：____________________________________________报告人：________ 学号：2009100000班级：＜1＞班实验时间：_______ 2011.05. 05实验报告提交时间：2011. 05. 31教务处制一、实验目的1. 了解存储器扩展的方法和存储器的读/ 写。
2. 掌握CPU寸16位存储器的访问方法。
二、实验要求编写实验程序，将OOOOH H OOOFH共16个数写入SRAM的从0000H起始的一段空间中，然后通过系统命令查看该存储空间，检测写入数据是否正确。
三、实验设备PC 机一台，TD-PITE 实验装置或TD-PITC 实验装置一套。
四、实验原理1、存储器是用来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM是由MOS 管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1 位信息。
只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。
此，静态RAM工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。
2、本实验使用两片的62256芯片，共64K字节。
本系统采用准32位CPU具有16 位外部数据总线，即D0 D1、…、D15,地址总线为BHE^(#表示该信号低电平有效)、BLE#、A1、A2、…、A20。
存储器分为奇体和偶体，分别由字节允许线BH四和BLE#选通。
存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。
处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BH即和BLE #同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。
存储器扩展及读写实验
华北电力大学
实验报告|
｜
实验名称存储器扩展及读写实验
课程名称微机原理
｜
|
图1
四、实验结果
五、
图二
六、第一次搭载得硬件电路图如图二所示,图二与图一得区别之处如红框
所示,在图一中,入口地址为８00０ｈ，则ＡL中内容可以成功写入扩展存储器内，在图二中，将入口地址改为0０00ｈ，则AL中内容不能成功写入扩展存储器,至今我也没能想明白这就是为什么，希望老师解答一下。
图三
在图三中，ＡL中没有成功写入存储器中得原因有：
１、我忘了将总线得引脚AD［0、、1５]与A［16、、１９］引出。
2、在设置引脚M/IO得lａbｅl时，将两个需要连接得引脚分别设置成了‘Ｍ/IO’与‘M/I0’。
一时得疏忽害我查了好久得错.
图四
正确结果如图四所示.采用两片6216芯片,采用全译码法，扩展存储器地址空间范围为000０:8０00Ｈ～0000：８FFFH,共４KＢ得内存空间。
五、遗留问题
1、上面两个程序块都有错误,我想把内容写入附加段内,但就是怎么也行
不通，我得程序中得段超越就是不就是用错了。
瞧了一下老师得硬件电路连接,
我发现入口地址改为8000h应该
也可以,可就是运行时发现内容写
不进去,我就是不就是哪里弄错了。
存储器扩展实验.
实验一存储器扩展实验一、实验目的1、学习掌握存储器扩展方法和存储器读/写。
2、掌握存储器地址译码方法。
3、了解6264RAM特性。
二、实验设备1、TDN86/51或TDN86/88教学实验系统一套2、排线、导线若干三、实验内容及步骤（共2个实验）1、扩展存储器的地址编码2、存储器扩展实验（1）、按实验（1）线路图所示编写程序，通过8255产生适当的时序对6264RAM进行读/写。
实验程序如下：STACK SEGMENT STACK DW 64 DUP(?) STACK ENDSCODE SEGMENTASSUME CS:CODESTART: MOV BX,3000H MOV DX,0E010HMOV CX,0010HMOV AL,80HOUT 63H,ALA1: MOV AL,DHOUT 62H,ALMOV AL,DLOUT 61H,ALMOV AL,[BX]OUT 60H,ALMOV AL,0CHOUT 63H,ALMOV AL,0DHOUT 63H,ALINC BXINC DXLOOP A1MOV AL,90HOUT 63H,ALMOV BX,3000HMOV CX,0010HMOV DX,0E010HMOV SI,4000HA2: MOV AL,DHOUT 62H,ALMOV AL,DLOUT 61H,ALMOV AL,0EHOUT 63H,ALIN AL,60HMOV [SI],ALCMP AL,[BX]JNZ A4MOV AL,0FHOUT 63H,ALINC SIINC BXINC DXLOOP A2MOV AX,014FHINT 10HMOV AX,014BHINT 10HA3: JMP A3A4: MOV AX,0145HINT 10HA5: JMP A5CODE ENDSEND START实验步骤：①分析线路图，画出参考程序流程图；②按图（1）连接实验线路；③输入程序并检查无误，经汇编、连接后装入系统；④在3000～300FH单元中填入16个数；⑤运行程序，在“OK”（正确）或“E”（错误）提示出现后，用CTRL＋C来终止程序运行；⑥用D命令检查4000～400FH单元中的内容和3000～300FH中的数据是否一致。
实验1 存储器读写实验-实验报告
信息与机电工程学院
实验报告
（20—20学年第1学期）
课程名称微机原理与接口技术
实验名称实验1存储器读写实验
专业
年级
组号1
成员1学号成员1姓名张XX
成员2学号成员2姓名
指导教师
实验日期
实验目的与要求：
1.掌握PC机外存扩展的方法。
2.熟悉6264芯片的接口方法。
3.掌握8086十六位数据存储的方法。
实验设备（环境）：
MUT—Ⅲ型实验箱、8086CPU模块。
实验内容：
向02000～020FFH单元的偶地址送入AAH，奇地址送入55H。
实验步骤：
1、程序源码
2、
3、
实验结果分析
实验总结（包括过程总结、心得体会及实验改进意见等）：
1、ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ程总结：
2、心得体会：
指导教师评语：
成绩评定
教师签字
年月日
备注：
注：1、报告内的项目或设置，可根据实际情况加以补充和调整
存储器扩展实验报告
存储器扩展实验报告存储器扩展实验报告引言：存储器是计算机系统中至关重要的组成部分，对于数据的存储和读取起着至关重要的作用。
在计算机科学领域中，存储器扩展是一项重要的技术，可以提高计算机系统的性能和容量。
本实验旨在通过对存储器扩展的探索和实践，深入了解存储器的工作原理和扩展方法。
一、存储器的基本原理存储器是计算机中用于存储和检索数据的硬件设备。
它可以分为主存储器和辅助存储器两种类型。
主存储器是计算机系统中最重要的存储器，它用于存储正在运行的程序和数据。
辅助存储器则用于存储大量的数据和程序，常见的辅助存储器包括硬盘、光盘和闪存等。
二、存储器的扩展方法存储器的扩展方法有很多种，本实验主要探索两种常见的扩展方法：内存条扩展和虚拟内存扩展。
1. 内存条扩展内存条扩展是通过增加计算机内部的内存条数量来扩展存储器容量的方法。
在实验中，我们使用了两根相同规格的内存条，将其插入计算机主板上的内存插槽中，从而增加了系统的内存容量。
通过这种扩展方法，我们可以提高计算机的运行速度和处理能力。
2. 虚拟内存扩展虚拟内存是一种将计算机内存和硬盘空间结合起来使用的技术。
在实验中，我们通过调整计算机系统的虚拟内存设置，将部分数据和程序存储在硬盘上，从而扩展了存储器的容量。
虚拟内存的扩展方法可以有效地提高计算机的性能和运行效率。
三、实验过程与结果在实验中，我们首先进行了内存条扩展的实践。
通过将两根内存条插入计算机主板上的内存插槽中，我们成功地扩展了计算机的内存容量。
在进行实际操作时，我们注意到计算机的运行速度明显提高，程序的加载和执行时间也大大缩短。
接着，我们进行了虚拟内存扩展的实验。
通过调整计算机系统的虚拟内存设置，我们将部分数据和程序存储在硬盘上。
在实际操作中，我们发现虚拟内存的扩展使得计算机可以同时运行更多的程序，且不会出现内存不足的情况。
这大大提高了计算机的运行效率和多任务处理能力。
四、实验总结与心得通过本次实验，我们深入了解了存储器的工作原理和扩展方法。
存储器读写实验
实验一存储器读写实验一、实验目的1. 熟悉静态RAM 的使用方法，掌握8088 微机系统扩展RAM 的方法；2. 掌握静态RAM 读写数据编程方法。
二、实验内容对指定地址区间的RAM（4000H～43FFH）先进行写数据55AAH，然后将其内容读出再写到5000H～53FFH 中。
三、实验接线图（系统中已连接好）四、实验步骤1. 在PC 机和实验系统联机状态下，编辑源程序。
2. 从存储器窗口检查和记录4000H～43FFH 中的内容和5000～53FFH 中的内容。
3. 对源程序进行编译和装载，生成可执行文件。
4. 对可执行文件进行调试，调试方法有：单步，宏单步，自动单步，自动宏单步，注意这些方法之间的区别。
5. 连续运行实验程序。
6. 从存储器窗口检查和记录4000H～43FFH 中的内容和5000～53FFH 中的内容，比较程序运行前、后存储器内容的变化情况。
五、实验程序清单CODE SEGMENT ;RAM.ASMASSUME CS:CODEPA EQU 0FF20H ;字位口PB EQU 0FF21H ;字形口PC EQU 0FF22H ;键入口ORG 1850hSTART: JMP START0BUF DB ?,?,?,?,?,?data1:db0c0h,0f9h,0a4h,0b0h,99h,92h,82h,0f8h,80h,90h,88h,83h,0c6h,0a1hdb 86h,8eh,0ffh,0ch,89h,0deh,0c7h,8ch,0f3h,0bfh,8FH START0: MOV AX,0HMOV DS,AX ;写数据段地址MOV BX,4000H ;内存首址MOV AX,55AAH ;要写入的字MOV CX,0200H ;数据长度RAMW1: MOV DS:[BX],AX ;写数据ADD BX,0002H ;下一个单元LOOP RAMW1 ;循环写MOV AX,4000H ;首址MOV SI,AX ;SI置源首址MOV AX,5000HMOV DI,AX ;DI置目首址MOV CX,0400H ;数据长度CLD ;增址REP MOVSB ;串传送call buf1 ;写”62256-”mov cx,0ffhcon1: push cxcall disp ；显示pop cxloop con1call buf2 ;写”--good”con2: call disp ;显示jmp con2DISP: MOV AL,0FFH ;显示子程序 ,5msMOV DX,PAOUT DX,ALMOV CL,0DFH ;20H ;显示子程序 ,5msMOV BX,OFFSET BUFDIS1: MOV AL,[BX]MOV AH,00HPUSH BXMOV BX,OFFSET DATA1ADD BX,AXMOV AL,[BX]POP BXMOV DX,PBOUT DX,ALMOV AL,CLMOV DX,PAOUT DX,ALPUSH CXDIS2: MOV CX,00A0HLOOP $POP CXCMP CL,0FEH ;01HJZ LX1INC BXROR CL,1 ;SHR CL,1JMP DIS1LX1: MOV AL,0FFHMOV DX,PBOUT DX,ALRETBUF1: MOV BUF,06H ;写”62256-”MOV BUF+1,02HMOV BUF+2,02HMOV BUF+3,05HMOV BUF+4,06HMOV BUF+5,17HRETBUF2: MOV BUF,17H ;写”--good”MOV BUF+1,17HMOV BUF+2,09HMOV BUF+3,00HMOV BUF+4,00HMOV BUF+5,0dHRETCODE ENDSEND START六、实验总结这个自己实现！！！。
实验一 存储器读写实验
动态调试工具DEBUG 的常用命令
1. U命令(反汇编) 2. G命令(执行) 3. T命令(跟踪执行) 4. D命令(显示内存) 5. R命令(修改寄存器)
三、实验内容
1、将字符A-Z逐个存入RAM中，然后再将 这些内容读出来显示在实验箱的屏幕上。
2、用一片6116作为内存扩展，向8000H： 0H至8000H：100H单元的偶地址单元送 入0AAH（扩充）
WRITE: MOV AL,0AAH STOSB MOV AL,55H STOSB LOOP WRITE
MOV CX,50H MOV SI,0000H
READ: LODSW CMP AX,55AAH JNZ NOT_RIGHT LOOP READ MOV AL,'R' MOV DX,88H OUT DX,AL JMP $
实验程序与流程图
程序开始
向6116 写数据
从 6116 中8000H ：0H 开始 的地址逐 次读出字符比较
并显示相应字符 程序结束退出
CODE SEGMENT ASSUME
CS:CODE START:
MOV CX,50H MOV DI,0 MOV AX,8000H MOV DS,AX MOV ES,AX
1、将字符A-Z逐个存入RAM中， 然后再将这些内容读出来显示在实验箱的屏幕上。
程序开始 从当前的RAM中申请一个
26字节的缓冲区
将字符逐次写入缓冲区
从缓冲区中逐次读出字符显示
程序结束
RAMDUXIE.ASM
CODE SEGMENT ASSUME CS:CODE
START: JMP START_ DAT DB 26 DUP(?) CHAR DB 'ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ'
存储器读写实验
三、实验步骤 (1) 根据原理图正确连接好实验线路 (2) 正确理解实验原理 (3) 运行实验程序 在系统接上电源，显示"DVCC－86H"后，按任意键，显示器显 示"－"。 按GO键， 显示"1000 XX" 输入 0000 ：1000 再按EXEC键，在DVCC－8086H显示器上显示 "0832 － 1"。用 示波器测量DAC0832 左下AOUT插孔，应有方波输出，方波的周 期约为1ms。
D/A转换实验内容（二）
一、实验目的 1、熟悉DAC0832数模转换器的特性和接口方法，掌握D/A 输出程序的设计和调试 方法 二、实验内容 １. 硬件线路连接 (1)0832片选信号0832CS插孔和译码输出FE20插孔相连
２. 产生锯齿波程序 0832芯片输出产生锯齿波，只须由AL中存放数据的增减来控制。 当AL中数据从00逐渐增加到FF产生溢出，再从00增大到FF，不 断循环，从而产生连续不断的锯齿波。
实验六 Ｄ／Ａ 转 换 实 验
一、实验目的 1、熟悉DAC0832数模转换器的特性和接口方法，掌握D/A 输出程序 的设计和调试方法。 二、 实 验内容 1、实验原理 实验原理如图 5－5所示，由于DAC0832有数据锁存器、选片、读 、写控制信号线，故可与 8088CPU 总线直接接口。图中是只有一 路模拟量输出， 且为单极型电压输出。DAC0832工作于单缓冲方 式，它的ILE接+5V，/CS和/XFER相接后作为0832芯片的片选 0832CS。这样， 对DAC0832执行一次写操作就把一个数据直接 写入DAC寄存器、模拟量输出随之而变化。
2、实验线路连接 （1） 8255A芯片PC0~ PC7插孔依次接K1~ K8。 （2） 8255A芯片PB0~PB7插孔依次接L1 ~ L8。 （3） 8255A的CS插孔接译码输出070H－07FH插孔。
存储器的扩展实验总结
存储器的扩展实验总结：
一、实验目的
本次实验旨在通过实际操作，深入了解存储器的扩展原理和方法，掌握存储器扩展的基本技能，提高对计算机存储系统的认识和理解。
二、实验原理
存储器扩展主要涉及地址线的扩展和数据线的扩展。
通过增加地址线和数据线的数量，可以增加存储器的容量。
此外，还可以采用位扩展、字扩展和字位同时扩展的方法来扩展存储器。
三、实验步骤
1.准备实验材料：包括存储器芯片、地址线、数据线等。
2.搭建实验电路：将存储器芯片与地址线和数据线连接，形成完整的存储器扩展电路。
3.初始化存储器：对存储器进行初始化操作，设置初始地址和数据。
4.读取和写入数据：通过地址线和数据线，对存储器进行读取和写入操作。
5.验证结果：比较写入的数据与读取的数据，确保数据的正确性。
四、实验结果
通过实验，我们成功实现了存储器的扩展，并验证了数据的正确性。
实验结果表明，通过增加地址线和数据线的数量，可以有效地扩展存储器的容量。
五、实验总结
通过本次实验，我们深入了解了存储器的扩展原理和方法，掌握了存储器扩展的基本技能。
同时，我们也认识到在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的扩展方法，以确保存储器的容量和性能满足要求。
此外，我们还应注意数据的正确性和稳定性，确保存储器的可靠性和稳定性。
存储器读写实验实验总结
存储器读写实验实验总结
存储器读写实验是一种常见的电子实验，通过这个实验，我们可以了解存储器的读写原理以及存储器的工作方式。
本次实验中，我们使用了Arduino UNO开发板和24C02 EEPROM存储器芯片，下面对实验进行总结。
实验目的：
本次实验的目的是了解存储器的读写原理、存储器芯片的类型、接口方式、存储器操作等基本概念，并通过实验掌握使用Arduino控制EEPROM存储器读写操作的方法。
实验步骤：
1. 准备材料，包括Arduino UNO开发板、24C02 EEPROM存储器芯片、杜邦线等。
2. 将EEPROM存储器芯片与Arduino开发板连接，具体连接方式可以参考实验指导书。
3. 编写程序，在程序中定义存储器读写操作所需的引脚和操作函数。
4. 将程序烧录到Arduino开发板中。
5. 运行程序，进行存储器读写操作。
实验结果：
我们通过实验成功地实现了对EEPROM存储器芯片的读写操作，确认了存储器
芯片的工作状态和数据存储情况。
通过查看串口输出信息，我们可以看到读取的数据和写入的数据以及相应的内存地址信息。
实验体会：
本次实验让我们更加深入地了解了存储器的读写原理和存储器芯片的类型、接口方式、存储器操作等基本概念。
同时，我们通过实验也掌握了使用Arduino控制EEPROM存储器读写操作的方法，对我们今后的学习和工作都将有很大帮助。
总之，存储器读写实验是一项非常有意义的实验，通过实验的学习，我们可以更好地理解存储器的工作原理，为今后的学习和工作打下坚实的基础。
实验一：扩展RAM及FLASH读写实验指导
实验一：扩展RAM及FLASH读写实验一、实验目的1. 理解F28335在硬件上如何扩展RAM内存。
2. 理解F28335在扩展RAM存储器上的编程。
二、实验设备1．装有CCS5.2的计算机一台。
2．ZQ28335开发板、XDS100V2 USB仿真器、USB接口线及5V电源。
三、实验原理F28335的片上存储器和片外存储器采用统一编址方式。
当片内RAM存储器不够用时，可外接芯片扩展。
扩展存储器只能在0x00 4000~0x00 5000的XINF 区域0、0x10 0000~0x20 0000的XINF 区域6和0x20 0000~0x70 0000的XINF 区域7，如图1所示。
1．外扩RAM电路选用的RAM型号为IS61LV25616AL，256K×16bit大小。
这里使用A17~A0，共18根地址线，最大为256K；数据线为D15~D0。
片选信号CE接F28335的XZCS7引脚，写WE 由XWE提供，RD（OE，Output Enable）信号均XRD提供。
有硬件电路可知，外扩的RAM 地址范围为0x20 0000~0x23 FFFF。
由于没有使用A19~A18地址线，在仿真时，凡低18位地址相同的单元，读出的内容都是同一个单元内容,如0x240000~0x27FFFF，0x280000~0x2BFFFF和0x2C0000~0x2FFFFF上读出的内容与0x200000~0x23FFF的内容相同。
2．外扩FLASH电路FLASH存储器掉电后数据不会丢失，用于存放程序和需要保存的数据。
本实验板选用的FLASH型号为SST39VF800，512K×16bit大小。
这里使用A18~A0，共19根地址线，最大为512K；数据线为D15~D0。
片选信号CE接F28335的XZCS6引脚，写WE由XWE 提供，RD（OE，Output Enable）信号均XRD提供。
有硬件电路可知，外扩的FLASH地址范围为0x10 0000~0x17 FFFF。
存储器扩展实验
存储器扩展实验1．实验目的1. 了解存储器的扩展方法及其对存储器的读/写。
2. 掌握CPU对8/16位存储器的访问方法。
2．实验设备PC机一台，TD-PITC实验箱。
3．实验内容编写程序，往扩展存储器中传送有规律的数据（如5555H、AAAAH或顺序递增的数据等，以便于观察写入是否正确），然后通过Tdpit软件中的“扩展存储区数据显示窗口”查看该存储空间，检测写入数据是否正确。
1）循环传送16位规则字到扩展存储器（共32768个字）；2）循环传送16位非规则字到扩展存储器（共32768个字）；3）循环传送字节数据到扩展存储器（共32768个字节）。
关于规则字和非规则字的含义见以下16位存储器操作的说明。
4．实验原理1）SRAM 62256介绍SRAM（静态RAM）的基本存储元是由MOS管组成的触发器电路构成，每个触发器可以存放1位信息。
只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。
目前较常用的SRAM有6116（2K×8），6264（8K×8）和62256（32K×8）。
TD-PITC实验箱内使用了2片62256构成32K×16的扩展存储器模块。
62256的引脚如图1所示。
图1 62256引脚图2）16位总线的存储器接口TD-PITC实验箱中的16位系统总线提供了XA1～XA20、#BHE、#BLE、MY0等信号用于扩展存储器的读写操作。
MY0是系统为扩展存储器提供的片选信号，其地址空间为D8000H～DFFFFH，XA1～XA20提供了16位（2字节）存储单元的地址，#BHE和#BLE用来确定访问16位存储单元中的低8位还是高8位，#BLE有效时允许访问低8位（D7-D0），#BHE有效时允许访问高8位（D15-D8）。
其对应关系如表1所示。
表1 #BHE和#BLE与数据总线的关系TD-PITC实验箱中的2片62256所构成的16位存储器分为两个存储体（BANK）：0体（BANK0）和1体（BANK1），这两个BANK分别使用字节使能线#BLE和#BHE选通。
微机原理实验
试验一存储器读写实验一、存储器读写实验目的1、熟悉静态RAM的使用方法，掌握8088微机系统扩展RAM的方法。
2、掌握静态RAM读写数据编程方法。
二、实验内容对指定地址区间的RAM(2000H~27FDH)先进行写数据55AAH，然后将其内容读出再写到3000H~33FEH中。
三、实验步骤(运行实验程序)1、运行实验程序；2、稍后按RESET键退出，用存贮器读方法检查2000H~27FDH中的内容和3000~33FF中的内容应都是55AA。
四、实验程序CODE SEGMENTASSUME CS:CODESTART: MOV AX,0HMOV DS,AXMOV BX,2000HMOV AX,55AAHMOV CX,03FFHRAMW1: MOV DS:[BX],AXADD BX,0002HLOOP RAMW1MOV AX,2000HMOV SI,AXMOV AX,3000HMOV DI,AXMOV CX,03FFHCLDREP MOVSBRAMW2: JMP RAMW2CODE ENDSEND START实验二继电器控制实验一、实验目的：掌握用继电器控制的基本方法和编程。
二、实验内容1、利用8255A PB0输出高低电平，控制继电器的开合，以实现对外部装置的控制。
2、硬件线路原理如图5－23所示3、实验预备知识：现代自动化控制设备中都存在一个电子与电气电路的互相联结问题，一方面要使电子电路的控制信号能够控制电气电路的执行元件(电动机、电磁铁、电灯等)；一方面又要为电子电路的电气提供良好的电隔离，以保护电子电路和人身的安全，电子继电器便能完成这一桥梁作用。
三、连线方法1、8255A的PB0连JIN插孔。
2、将CS－8255连到Y6。
四、实验步骤1、按图连好实验线路图。
2、运行实验程序，继电器应循环吸合，L-13和L-14交替亮灭。
五、硬件线路接线图六、试验程序CODE SEGMENTASSUME CS:CODEIOCONPT EQU 0063HIOCPT EQU 0061HSTART: MOV AL,80HMOV DX,IOCONPTOUT DX,ALNOPNOPNOPIOLED1: MOV DX,IOCPTIODE2: MOV AL,01HOUT DX,ALCALL DELAYMOV AL,00HOUT DX,ALCALL DELAYJMP IODE2DELAY: MOV CX,0FFFFHDELY: LOOP DELYRETCODE ENDSEND START实验三小直流电机调速实验一、实验目的1、掌握直流电机的驱动原理。
存储器扩展实验
实验说明
教学计算机存储器系统由ROM RAM两个 教学计算机存储器系统由ROM 和RAM两个 存储区组成， 芯片（ 存储区组成，分别由 EPROM 芯片（或 EEPROM芯片 芯片） RAM芯片构成 TEC芯片构成。 EEPROM芯片）和 RAM芯片构成。TEC-XP 教学计算机中还安排了另外几个存储器 器件插座， 器件插座，可以插上相应存储器芯片以 完成存储器容量扩展的教学实验。 完成存储器容量扩展的教学实验。
17
总结
58c65p（EEPROM） 58c65p（EEPROM）芯片在读写的过程中 需要一定的时间大约为1ms 不能够采用A 1ms， 需要一定的时间大约为令在其上编写程序（A命令写入的指令可 能占有多个存储单元写入），但可以通过D 能占有多个存储单元写入），但可以通过D ），但可以通过 命令写入内容（ 命令为字写入）。 ）。但是该 命令写入内容（D命令为字写入）。但是该 芯片能够在断电重启后仍能保存数据。 芯片能够在断电重启后仍能保存数据。
8
实验准备步骤（ 实验准备步骤（续）
2．将扩展芯片右边的插针按下列方式短接： 将扩展芯片右边的插针按下列方式短接： 芯片右上方的标有“WE” 将 EXTROML 芯片右上方的标有“WE”和 A11”的插针下面两个短接， “A11”的插针下面两个短接，将它右边 标有“TEC”“/CS”“FPGA” ”“/CS”“FPGA 标有“TEC”“/CS”“FPGA”的三个插 针左边两个短接，标有XTROMLCS XTROMLCS的插针 针左边两个短接，标有XTROMLCS的插针 短接， 短接，标有 TEC”“OE”“GND”“ FPGA” ”“OE”“GND “TEC”“OE”“GND”“ FPGA”的四个 插针上边一排左边的两个短接； 插针上边一排左边的两个短接；
实验RAM的扩展实验报告
实验RAM的扩展实验报告实验RAM的扩展实验报告一、引言随着计算机技术的不断发展，人们对于计算机存储器的需求也越来越高。
为了满足这一需求，研究人员不断努力开发新的存储器技术。
在本次实验中，我们将探究实验RAM的扩展实验，以探索如何提高计算机的存储器性能。
二、实验目的本次实验的主要目的是通过扩展实验RAM来提高计算机的存储器性能。
我们将通过增加RAM的容量，以及优化数据访问方式来实现这一目标。
三、实验步骤1. 扩展RAM容量：我们首先将原有的RAM容量扩大两倍，以增加计算机的存储空间。
通过增加RAM的容量，可以提高计算机处理大量数据的能力。
2. 优化数据访问方式：我们将尝试使用不同的数据访问方式，以提高计算机的存储器性能。
例如，我们可以使用缓存技术来减少数据访问的延迟时间。
此外，我们还可以尝试使用预取技术，提前将可能需要的数据加载到RAM中，以减少数据访问的等待时间。
3. 实验数据收集：在实验过程中，我们将记录不同数据访问方式下的存储器性能指标，如访问延迟时间、数据吞吐量等。
通过对比不同数据访问方式下的性能指标，我们可以评估扩展RAM对计算机性能的影响。
四、实验结果与分析根据我们的实验数据，我们发现扩展RAM的容量可以显著提高计算机的存储器性能。
当RAM容量增加时，计算机可以存储更多的数据，从而减少了数据的交换和加载时间，提高了计算机的运行速度。
此外，通过优化数据访问方式，我们也取得了一定的性能提升。
使用缓存技术可以减少数据访问的延迟时间，提高数据的读取速度。
使用预取技术可以提前将可能需要的数据加载到RAM中，减少了数据访问的等待时间。
这些优化措施都对计算机的存储器性能产生了积极的影响。
然而，我们也发现在实验过程中存在一些挑战。
扩展RAM的容量需要更高的成本投入，而且对于某些应用场景来说，并不一定能够带来明显的性能提升。
此外，优化数据访问方式也需要考虑到不同的应用需求，选择合适的优化策略。
五、结论通过本次实验，我们深入探究了实验RAM的扩展实验。
实验一 扩展存储器读写实验
实验一扩展存储器读写实验
一、实验要求
1.对片内RAM、寄存器编程进行读写和逻辑操作，利用开发平台查看读写结果。
2.使用62256，作为数据空间0000H～7FFFH，编程对其进行读写。
3.使用三种方法对累加器A进行清零，分析各种方法的优缺点
二、实验目的
1.熟悉单片机开发平台硬件、软件环境
2.学习片外存储器扩展方法
3.学习数据存储器不同的读写方法
三、实验电路及连线
四、实验说明
1.对片内数据存储器、寄存器、累加器进行赋值和逻辑操作，通过软件的单步调试，
查看运行过程中的执行情况。
2.在读写数据的选用，作为验证性实验，可以采用55（0101，0101）与AA（1010，
1010）。
通过这两个数据的读写操作，一般可以查出数据总线的短路、断路等，在
实际调试用户电路时，非常有效。
3.执行本实验程序，对实验机数据进行读写，若L1灯亮说明RAM读写正常，L2灯
亮说明不正常。
五、实验框图
六、实验代码
七、实验数据
八、实验小结。
存储器读写实验报告
存储器读写实验报告以下是一篇存储器读写实验报告的范文，供参考：一、实验目标本实验旨在探究存储器的读写原理，通过实际操作，掌握存储器的读写过程，并理解存储器在计算机系统中的重要地位。
二、实验原理存储器是计算机系统中的重要组成部分，负责存储程序和数据。
根据存取速度、容量和价格等因素，计算机系统中通常包含多种类型的存储器，如寄存器、高速缓存、主存储器和辅助存储器等。
本实验主要涉及主存储器的读写原理。
主存储器通常由多个存储单元组成，每个存储单元可以存储一个字节或一个字的数据。
每个存储单元都有一个唯一的地址，通过地址码可以唯一确定一个存储单元。
在读写存储器时，需要提供相应的地址码以确定要访问的存储单元。
三、实验步骤1.准备实验环境：准备一台计算机、一个存储器模块、一根数据线和一根地址线。
2.连接存储器模块：将数据线连接到计算机的数据总线上，将地址线连接到计算机的地址总线上。
3.编写程序：使用汇编语言编写一个简单的程序，用于向存储器中写入数据并从存储器中读取数据。
4.运行程序：将程序加载到计算机中并运行，观察存储器模块的读写过程。
5.记录实验结果：记录下每次读写操作的结果，以及实验过程中遇到的问题和解决方法。
6.分析实验结果：分析实验结果，理解存储器的读写原理，总结实验经验。
四、实验结果及分析实验结果：在实验过程中，我们成功地向存储器中写入了数据，并从存储器中读取了数据。
每次读写操作都成功完成了预期的任务。
分析：实验结果表明，通过提供正确的地址码，我们可以准确地访问存储器中的任意一个存储单元，并进行读写操作。
在读写过程中，我们需要遵循一定的时序要求，以确保数据的正确传输。
此外，我们还发现，存储器的读写速度受到多种因素的影响，如数据总线宽度、存储单元大小、存取周期等。
因此，在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的存储器类型和规格，以满足系统性能和成本的要求。
五、结论通过本次实验，我们深入了解了存储器的读写原理，掌握了存储器的读写过程。
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实验一：扩展存储器读写实验一.实验要求编制简单程序，对实验板上提供的外部存贮器（62256）进行读写操作。
二.实验目的1．学习片外存储器扩展方法。
2．学习数据存储器不同的读写方法。
三.实验电路及连线将P1.0接至L1。
CS256连GND孔。
四.实验说明1．单片机系统中，对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。
用户藉此来熟悉MCS51单片机编程的基本规则、基本指令的使用和使用本仿真实验系统调试程序的方法。
用户编程可以参考示例程序和流程框图。
本示例程序中对片外存贮器中一固定地址单元进行读写操作，并比较读写结果是否一致。
不一致则说明读写操作不可靠或该存储器单元不可靠，程序转入出错处理代码段（本示例程序通过熄灭一个发光二极管来表示出错）。
读写数据的选用，本例采用的是55（0101，0101）与AA（1010，1010）。
一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实际调试用户电路时非常有效。
用户调试该程序时，可以灵活使用单步、断点和变量观察等方法，来观察程序执行的流程和各中间变量的值。
2．在I状态下执行MEM1程序，对实验机数据进行读写，若L1灯亮说明RAM读写正常。
3．也可进入LCA51的调试工具菜单中的对话窗口，用监控命令方式读写RAM，在I状态执行SX0000↓ 55，SPACE，屏幕上应显示55，再键入AA，SPACE，屏幕上也应显示AA，以上过程执行效果与编程执行效果完全相同。
注：SX是实验机对外部数据空间读写命令。
4．本例中，62256片选接地时，存储器空间为0000~7FFFH。
五.实验程序框图实验示例程序流程框图如下：六.实验源程序：ORG 0000HLJMP STARTORG 0040HSTART:MOV SP,#60HMOV DPTR,#0000H ;置外部RAM读写地址MOV A,#55H ;测试的数据一MOV B,AMOVX @DPTR,A ;写外部RAMMOVX A,@DPTR ;读外部RAMXRL A,B ;比较读回的数据JNZ ERRORMOV A,#0AAH ;测试的数据二MOV B,AMOVX @DPTR,AMOVX A,@DPTRXRL A,BJZ PASS ;测试通过ERROR: SETB P1.0 ;测试失败,点亮LEDSJMP $PASS: CPL P1.0 ;LED状态(亮/灭)转换MOV R1,#00H ;延时DELAY: MOV R2,#00HDJNZ R2,$DJNZ R1,DELAYLJMP START ;循环测试END实验二P1口输入、输出实验一.实验要求1.P1口做输出口，接八只发光二极管，编写程序，使发光二极管循环点亮。
2.P1口做输入口，接八个扭子开关，以实验机上74LS273做输出口，编写程序读取开关状态，将此状态，在发光二极管上显示出来。
二.实验目的1.学习P1口的使用方法。
2.学习延时子程序的编写和使用。
三.实验电路及连线实验一时，P1.0-P1.7接L1-L8。
实验二时，P1.0-P1.7接K1-K8，PO0-PO7接L1-L8。
CS273接8300H。
四.实验说明1.P1口是准双向口。
它作为输出口时与一般的双向口使用方法相同。
由准双向口结构可知当P1口作为输入口时，必须先对它置高电平使内部MOS管截止。
因为内部上拉电阻阻值是20KΩ~40KΩ，故不会对外部输入产生影响。
若不先对它置高，且原来是低电平，则MOS 管导通，读入的数据是不正确的。
2.延时子程序的延时计算问题对于程序DELAY:MOV R0，#00HDELAY1:MOV R1，#0B3HDJNZ R1，$DJNZ R0，DELAY1查指令表可知MOV，DJNZ 指令均需用两个机器周期，而一个机器周期时间长度为12／11.0592MHz，所以该段程序执行时间为：（（0B3＋1）×256＋1）×2×12÷11059200＝100.002mS五.实验程序框图主程序框图(1)：程序框图(2)：六.1、主程序ORG 0000HLJMP STARTORG 0040HSTART:MOV SP,#60HMOV A,#0FEHROTA TE: MOV P1,A ;写P1口RL A ;循环左移LCALL DELAY ;延时NOPSJMP ROTATEDELAY: ;延时子程序(1秒)MOV R0,#0AHDELAY1: MOV R1,#00HDELAY2: MOV R2,#0B2HDJNZ R2,$DJNZ R1,DELAY2DJNZ R0,DELAY1RETEND2、读P1口程序框ORG 0000HLJMP STARTORG 0040HSTART:MOV DPTR,#8300H ;并行输出口地址MOV P1,#0FFH ;因P1口是准双向口,所以把P1口作为;输入口时,应先置高电平.READ:MOV A,P1 ;读开关状态MOVX @DPTR,A ;把读入的数据输出AJMP READEND实验三P3口输出控制继电器实验一.实验要求利用P3.5输出高低，控制继电器的开合，实现对外部装置的控制。
二.实验目的掌握继电器控制的基本方法和经验。
三.实验电路及连线P3.5 接JD。
R-MID接L1灯，R-CLOSE接GND。
四.实验说明现代自动控制设备中，都存在一个电子电路与电气电路的互相连接问题，一方面要使电子电路的控制信号能够控制电气电路的执行元件（电动机，电磁铁，电灯等），另一方面又要为电子线路的电气电路提供良好的电隔离，以保护电子电路和人身的安全。
电子继电器便能完成这一桥梁作用。
继电器电路中一般都要在继电器的线圈两头加一个二极管以吸收继电器线圈断电时产生的反电势，防止干扰。
本电路的控制端为JD，当JD为高电平时，继电器不工作，当JD为低电平时，继电器工作，常开触点吸合。
执行时，对应的LED将随继电器的开关而亮灭。
五.实验程序框图六.源程序ORG 0000HLJMP STARTORG 0040HSTART:MOV SP,#60HJD: CPL P3.5 ;P3.5取反LCALL DELAY ;延时NOPSJMP JDDELAY: ;延时子程序(1秒)MOV R0,#0AHDELAY1: MOV R1,#00HDELAY2: MOV R2,#0B2HDJNZ R2,$DJNZ R1,DELAY2DJNZ R0,DELAY1RETEND实验四简单I/O实验（交通灯控制）一.实验要求以74LS273作为输出口，控制4个双色LED灯（可发红，绿，黄光），模拟交通灯管理。
二.实验目的1.学习在单片机系统中扩展简单I/O接口的方法。
2.学习数据输出程序的设计方法。
3.学习模拟交通灯控制的方法。
4.学习双色灯的使用。
三.实验电路及连线PO0-PO3接DG1-DG4,PO4-P07接 DR1-DR4。
CS273 接8300H。
四.实验说明1.因为本实验是交通灯控制实验，所以要先了解实际交通灯的变化规律。
假设一个十字路口为东西南北走向。
初始状态0为东西红灯，南北红灯。
然后转状态1南北绿灯通车，东西红灯。
过一段时间转状态2，南北绿灯闪几次转亮黄灯，延时几秒，东西仍然红灯。
再转状态3，东西绿灯通车，南北红灯。
过一段时间转状态4，东西绿灯闪几次转亮黄灯，延时几秒，南北仍然红灯。
最后循环至状态1。
2.双色LED是由一个红色LED管芯和一个绿色LED管芯封装在一起，公用负端。
当红色正端加高电平，绿色正端加低电平时，红灯亮；红色正端加低电平，绿色正端加高电平时，绿灯亮；两端都加高电平时，黄灯亮。
五.实验程序框图程序框图：六.源程序ORG 0000HLJMP STARTORG 0040HSTART:MOV SP,#60HLCALL STATUS0 ;初始状态(都是红灯) CIRCLE: LCALL STATUS1 ;南北绿灯,东西红灯LCALL STATUS2 ;南北绿灯闪转黄灯,东西红灯LCALL STATUS3 ;南北红灯,东西绿灯LCALL STATUS4 ;南北红灯,东西绿灯闪转黄灯LJMP CIRCLESTATUS0: ;南北红灯,东西红灯MOV DPTR,#8300HMOV A,#0FHMOVX @DPTR,AMOV R2,#10 ;延时1秒LCALL DELAYRETSTATUS1: ;南北绿灯,东西红灯MOV DPTR,#08300HMOV A,#5AH ;南北绿灯,东西红灯MOVX @DPTR,AMOV R2,#50 ;延时5秒LCALL DELAYRETSTATUS2: ;南北绿灯闪转黄灯,东西红灯MOV DPTR,#8300HMOV R3,#03H ;绿灯闪3次FLASH: MOV A,#5FHMOVX @DPTR,AMOV R2,#03HLCALL DELAYMOV A,#5AHMOVX @DPTR,AMOV R2,#03HLCALL DELAYDJNZ R3,FLASHMOV A,#0AH ;南北黄灯,东西红灯MOVX @DPTR,AMOV R2,#10 ;延时1秒LCALL DELAYRETSTATUS3: ;南北红灯,东西绿灯MOV DPTR,#8300HMOV A,#0A5HMOVX @DPTR,AMOV R2,#50 ;延时5秒LCALL DELAYRETSTATUS4: ;南北红灯,东西绿灯闪转黄灯MOV DPTR,#8300HMOV R3,#03H ;绿灯闪3次FLASH1: MOV A,#0AFHMOVX @DPTR,AMOV R2,#03HLCALL DELAYMOV A,#0A5HMOVX @DPTR,AMOV R2,#03HLCALL DELAYDJNZ R3,FLASH1MOV A,#05H ;南北红灯,东西黄灯MOVX @DPTR,AMOV R2,#10 ;延时1秒LCALL DELAYNOPRETDELAY: ;延时子程序PUSH 2PUSH 1PUSH 0DELAY1: MOV 1,#00HDELAY2: MOV 0,#0B2HDJNZ 0,$DJNZ 1,DELAY2 ;延时 100 mSDJNZ 2,DELAY1POP 0POP 1POP 2RETEND实验五外部中断实验（急救车与交通灯）一.实验要求在实验四内容的基础上增加允许急救车优先通过的要求。
有急救车到达时，两向交通信号为全红，以便让急救车通过。
假定急救车通过路口时间为10秒，急救车通过后，交通灯恢复中断前状态。
本实验以按键为中断申请，表示有急救车通过。
二.实验目的1.学习外部中断技术的基本使用方法。
2.学习中断处理程序的编程方法。
三.实验电路及连线PO0-PO3接DG1-DG4,PO4-P07接 DR1-DR4。