晶体二极管总结
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T
晶 体 二 极 管
导 电 机 理 ¦ P N 结
v
温度效应
5、击穿特性：�雪崩击穿：当反向电压很大时，使载流子的动能增大，当反向电压增大到一定程度时，载流子足以将共价键的电子撞出来，产 生新的电子和空穴，新的电子再去撞其他的原子，如此连续下去，使载流子的数量急剧增多，产生电流；此现象类似雪崩，所以叫做雪崩击穿 。 （击穿电压随温度的升高而增大） Na Nd VB ≈ VT In 电场很大，则不要电子的撞击就可将电子直接打出来， �齐纳击穿：当两边的掺杂浓度很高时，阻挡层很薄，则使加反向电压时 ni2 能产生大量的载流子产生反向电流。 （击穿电压随温度的升高而减小） 6、温度效应：利用击穿特性可制成稳压二极管 VT ≈ 26 mV 7、电容效应： 势垒电容(可制成变容二极管 )、扩散电容
半 导 体 基 础 知 识
1. 本征半导体：半导体的单质晶体；受光或热激发，产生自由电子和空穴，因趋向稳定放出热量，而伴随着复合. 导电原理：依靠填补空位的自由电子和反向作用的空穴两种载流子有相同的作用效果。
3/ 2 缺陷：本征激发和复合达到热平衡 ni = AT
− Eg 0
e2kT
.
2. 杂质半导体：N 型：掺入 5 价元素，产生自由电子（多子） ，空穴为少子； P 型：掺入 3 价元素，产生空穴（多子） ，自由电子为少子。 多子和少子的热平衡浓度： n0 p0
C j = CT + C D
模 型 & 分 析 方 法 及
四大主要模型 1、数学模型
三大分析方法
1、图解法分析法 2、伏安特性曲线模型 3、大信号模型 4、小信号模型 1、整流电路 2、大信号模型分析法 3、小信号模型分析法
应 2、稳压电路 用 3、限幅电路
= ni2 ， T 一定； （载流子浓度增加，导电能力增强）
3. 先扩散：在浓度差的作用下，多子定向运动，使中间产生电场区，并逐渐增强； 后漂移：当中间产生电场区的时候，于是少子就电场的作用下定向运动，并逐渐增强；最终达到动态平衡ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ 1、形成：当两块掺有杂质的半导体接触时，两边的多子就进行扩散运动；在接触面的两侧留下了杂质离子（受主离子和施主离子） ，于是形成了 2、空间电荷区（PN 结） ；该电荷区使两边的少子进行漂移运动，随着扩散减弱，漂移增强，最终达到动态平衡。 （期间形成的电流方向相同， 于 是半导体有单向导电原理） 3、单向导电性：PN 结正偏，内电场变弱，多子运动增强，PN 结导通。 PN 结反偏，内电场增强，少子运动增强，PN 结截止。 4、伏安特性： I = I S (e v −1)
晶 体 二 极 管
导 电 机 理 ¦ P N 结
v
温度效应
5、击穿特性：�雪崩击穿：当反向电压很大时，使载流子的动能增大，当反向电压增大到一定程度时，载流子足以将共价键的电子撞出来，产 生新的电子和空穴，新的电子再去撞其他的原子，如此连续下去，使载流子的数量急剧增多，产生电流；此现象类似雪崩，所以叫做雪崩击穿 。 （击穿电压随温度的升高而增大） Na Nd VB ≈ VT In 电场很大，则不要电子的撞击就可将电子直接打出来， �齐纳击穿：当两边的掺杂浓度很高时，阻挡层很薄，则使加反向电压时 ni2 能产生大量的载流子产生反向电流。 （击穿电压随温度的升高而减小） 6、温度效应：利用击穿特性可制成稳压二极管 VT ≈ 26 mV 7、电容效应： 势垒电容(可制成变容二极管 )、扩散电容
半 导 体 基 础 知 识
1. 本征半导体：半导体的单质晶体；受光或热激发，产生自由电子和空穴，因趋向稳定放出热量，而伴随着复合. 导电原理：依靠填补空位的自由电子和反向作用的空穴两种载流子有相同的作用效果。
3/ 2 缺陷：本征激发和复合达到热平衡 ni = AT
− Eg 0
e2kT
.
2. 杂质半导体：N 型：掺入 5 价元素，产生自由电子（多子） ，空穴为少子； P 型：掺入 3 价元素，产生空穴（多子） ，自由电子为少子。 多子和少子的热平衡浓度： n0 p0
C j = CT + C D
模 型 & 分 析 方 法 及
四大主要模型 1、数学模型
三大分析方法
1、图解法分析法 2、伏安特性曲线模型 3、大信号模型 4、小信号模型 1、整流电路 2、大信号模型分析法 3、小信号模型分析法
应 2、稳压电路 用 3、限幅电路
= ni2 ， T 一定； （载流子浓度增加，导电能力增强）
3. 先扩散：在浓度差的作用下，多子定向运动，使中间产生电场区，并逐渐增强； 后漂移：当中间产生电场区的时候，于是少子就电场的作用下定向运动，并逐渐增强；最终达到动态平衡ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ 1、形成：当两块掺有杂质的半导体接触时，两边的多子就进行扩散运动；在接触面的两侧留下了杂质离子（受主离子和施主离子） ，于是形成了 2、空间电荷区（PN 结） ；该电荷区使两边的少子进行漂移运动，随着扩散减弱，漂移增强，最终达到动态平衡。 （期间形成的电流方向相同， 于 是半导体有单向导电原理） 3、单向导电性：PN 结正偏，内电场变弱，多子运动增强，PN 结导通。 PN 结反偏，内电场增强，少子运动增强，PN 结截止。 4、伏安特性： I = I S (e v −1)