3.4二极管的基本电路及其分析方法
14电子信息工程专业《专业综合》考试大纲
十四、电子信息工程专业《专业综合》考试大纲一、考试课程:《模拟电子技术》、《数字电子技术》(总分150分)二、考核目标:本大纲适用于电子信息工程专业专升本考核,主要考核学生掌握模拟电子技术和数字电子技术的基础知识、常用电路结构特征、基本电路及分析、设计方法和电子技术操作基本技能。
三、考核内容:课程一:《模拟电子技术基础》考核内容和考核要求(90分)第一章绪论考核内容:1.四种类型的放大电路模型及方框图表示法。
2.四种增益的物理意义。
3.放大电路的主要性能指标及其含义。
考核要求:熟悉四种增益的物理意义、放大电路的主要性能指标及其含义;了解四种类型的放大电路模型。
第二章运算放大器考核内容:1.放大器模型;2.理想运算放大器;3.基本运算电路:加法电路、减法电路、积分电路、微分电路。
考核要求:掌握放大电路模型及其结构、特性;掌握基本运算电路的构成及其信号运算关系分析计算;掌握运算放大器线性应用与非线性应用的特点。
第三章半导体二极管及其基本电路考核内容:1.PN结的单向导电性。
2.伏安特性曲线与方程。
3.二极管基本电路及分析方法。
考核要求:掌握半导体二极管的伏安特性、主要参数、等效电路分析方法;掌握二极管整流滤波电路波形及分析计算方法。
第四章场效应管放大电路考核内容:场效应管类型及其放大电路的组态、结构、工作原理和分析方法。
考核要求:掌握场效应管基本放大电路的组态、结构、工作原理和分析方法。
第五章半导体三极管及放大电路基础考核内容:1.双极型三极管的输出特性、主要参数、电流分配关系。
2.共射基本放大电路的组成及放大作用。
3.三极管的放大条件。
4.电流分配关系和放大原理,输入特性,输出特性,主要参数。
5.图解分析法。
6.微变等效电路分析法。
7.射极偏置电路稳定工作点的分析与计算。
8.共集电极电路和共基极电路。
9.多级放大电路的分析。
考核要求:掌握共射极、共集电极、共基极放大电路的结构、工作原理和基本特点;掌握基本放大器的图解分析法、微变等效电路分析法;掌握多级放大电路的分析方法;了解影响放大器性能的主要因素;了解其他形式的放大电路。
模电知识点复习总结
第一章
绪论
主讲: 杨庆
湖北民族学院信息工程学院
1.2 放大电路基本知识
一、放大电路的表示方法
放大电路主要用于放大微弱的电信号,输出电压或电流
在幅度上得到了放大。放大电路为双口网络,即一个信号 输入口和一个信号输出口。
1.3 放大电路的主要技术性能指 标
1.放大倍数(增益)——表征放大器的放大能力
N型半导体——掺入五价杂质元素(如磷)的 半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素(如硼)的 半导体。
3.2.1 载流子的漂移与扩散
漂移运动:
由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。
扩散运动: 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。
3.2.2 PN结形成
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质, 分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半 导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散
实际特性
u + - u-
-Uo(sat)
理想运算放大器
理想运放及其分析依据 1)开环电压放大倍数 Auo→∞ 理想化条件: 2)差模输入电阻 rid→∞ 3)开环输出电阻 ro→0 4)共模抑制比 KCMRR→∞
+ +
Vp
- -
vN
+
-
+
Avo(vp-vN)
-
vo
理想运算放大器的特性
理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性, 这两个特性对分析线性运用的运放电路十分有用。为 了保证线性运用,运放必须在闭环(负反馈)下工作。
︱V(BR) ︱> ︱V︱ > 0 ︱V︱> ︱U(BR) ︱
二极管基本电路与分析方法
二极管基本电路与分析方法二极管是一种最简单的半导体器件,具有只能单向导电的特点。
在电子电路中,二极管通常用于整流、限流、调制和混频等功能。
本文将介绍二极管的基本电路和分析方法。
一、二极管基本电路1.正向偏置电路正向偏置电路是将二极管的P端连接到正电压,N端连接到负电压的电路。
这种电路可以使二极管处于导通状态,实现电流流动。
2.逆向偏置电路逆向偏置电路是将二极管的P端连接到负电压,N端连接到正电压的电路。
这种电路可以使二极管处于截止状态,即不导电。
二、二极管分析方法1.静态分析静态分析是指在稳态条件下分析二极管的工作状态。
在正向偏置电路中,如果二极管被接入电路且正向电压大于二极管的正向压降时,二极管处于导通状态;反之,二极管处于截止状态。
在逆向偏置电路中,无论接入电路与否,二极管都处于截止状态。
2.动态分析动态分析是指在变化条件下分析二极管的工作状态。
例如,当正向电压瞬时增加时,二极管可能处于导通状态。
此时,需要考虑二极管的导通压降和电流变化情况。
三、常见二极管电路1.整流电路整流电路是将交流信号转换为直流信号的电路。
常见的整流电路有半波整流电路和全波整流电路。
半波整流电路只利用了交流信号的一半,而全波整流电路则利用了交流信号的全部。
整流电路中的二极管起到了只允许电流在一个方向上流动的作用。
2.限流电路限流电路是通过限制电流的大小来保护其他元件不受损坏的电路。
常见的限流电路有稳压二极管电路和过载保护电路。
稳压二极管电路利用二极管的电流-电压特性,使得二极管具有稳定的电流输出能力;过载保护电路则通过限制电流大小来保护负载电路。
3.调制电路调制电路是将低频信息信号调制到高频载波信号上的电路。
常见的调制电路有调幅电路和调频电路。
在调制电路中,二极管起到了快速改变电流或电压的作用,实现信号的调制效果。
4.混频电路混频电路是将两个不同频率的信号进行混合,得到新的频率信号的电路。
在混频电路中,二极管可以起到信号选择和调谐的作用,实现频率混合。
电子技术基础模拟部分第六版
32
精选ppt
32
例R1 3.4.1 电路如图所示,已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电 阻R,求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。
R
iD
+
VDD
D
vD
-
解:由电路的KVL方程,可得
iD
VDDvD R
即 iDR 1vDR 1VDD是一条斜率为-1/R的直线,称为负载线
一些典型的数据如下:
1 T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n=p
=21.掺4×杂1后010N/cm型3半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3
3 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3
以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。
11
精选ppt
11
3.2 PN结的形成及特性
当vs为正半周时,二极管导通,且导通压降为0V,vo = vs
vs
+
D
+
vs
R
vo
-
-
(a)
O
2 3
4 t
vo
O
2 3
4 t
39
精选ppt
39
2.模型分析法应用举例
(2)静态工作情况分析
当VDD=10V 时, (R=10k ) 理想模型
VD 0V
恒压模型
IDVDD /R1mA (a)简单二极管电路 (b)习惯画法
在一定的温度条件下,由本征激
反向偏 置特性
iD = -IS
-1.0
-0.5
iD/mA
发决定的少子浓度是一定的,故少
1.0
正向偏 子形成的漂移电流是恒定的,基本
宜春学院2020年普通专升本《模拟电路》课程考试大纲
《模拟电路》课程考试大纲一、适用专业:电子信息工程二、考试的基本要求:要求考生掌握电子技术必要的基本理论、基本知识、基本分析方法和基本技能,了解电子技术发展的概况及前景,具有一定的分析问题与解决问题的能力三、教材及主要参考书康华光主编,《电子技术基础-模拟部分》(第五版),高教出版社四、试卷题型:1、选择题2、填空题3、判断题4、分析计算题五、课程主要内容第一章绪论考试内容第三节:模拟信号与数字信号考试要求:了解模拟信号与数字信号的定义,能区分模拟信号与数字信号第二章运算放大器考试内容第二节:理想运算放大器第三节:基本线性运放电路第四节:同相输入和反相输入放大电路的其他应用考试要求1、熟练运用虚短与虚断概念对运放进行分析计算2、初步了解运放的平衡电阻问题。
3、虚短虚断概念使用的条件第三章二极管及其基本放大电路考试内容第一节:半导体的基本知识第二节:PN结的形成及特性第三节:二极管第四节:二极管的基本电路及其分析方法第五节:特殊二极管考试要求1、能区分硅与锗二种半导体材料的优劣2、熟练掌握PN结的形成过程与导电原理3、熟练掌握PN结在不同偏置电压下的反应4、熟练掌握PN结的伏安特性及二极管的主要参数5、掌握二极管的等效电路分析方法6、重点掌握稳压管和变容管的工作状态,了解发光二极管与光电二极管的知识第四章三极管及放大电路考试内容第一节:三极管第三节:放大电路的分析方法第四节:放大电路静态工作点的稳定问题第五节:共集与共基放大电路第六节:组合放大电路第七节:放大电路的频率响应,仅需掌握RC电路的频率响应和三极管的高频小信号模型考试要求1、掌握三极管的电流分配规律,能熟练使用三极管的特性曲线2、熟悉温度对三极管的影响结果,并能判断三极管的工作点是否稳定3、了解三极管的图解分析,重点掌握三极管的等效电路分析方法4、对比三种基本放大电路的性能,并掌握三种电路在放大电路中各自起何作用?5、了解组合放大电路的二种分析方法,重点掌握复合管的复合原则、复合后的处理及复合原因6、掌握RC电路的相频特性,三极管的频率特性,重点掌握通频带的定义及三极管的高频等效电路第五章模拟集成电路考试内容第一节:模拟集成电路中的直流偏置技术第三节:差分式放大电路的传输特性第四节:集成运放,仅需了解741型集成运放第六节:模拟乘法器考试:1、掌握三种基本电流源各自的优点与缺点2、掌握电路中三种耦合方式阻容耦合、变压器耦合与直接耦合各自的优缺点3、掌握集成电路的特点,为什么集成电路只能选择最差的直接耦合方式,采用直接耦合会带来什么问题,如何解决?4、掌握差分放大器四种输入与输出组合下的分析计算方法,尤其要掌握射极电阻在差模输入与共模输入下的不同处理方式5、了解差分放大电路的传输特性,即何种情况下差放工作于线性区何时工作于非线性区6、掌握双平衡式模拟乘法器X与Y输入端的动态范围,了解乘法器的应用第六章、反馈放大电路考试内容第一节:反馈的基本概念与分类第二节:负反馈放大电路的四种组态第三节:负反馈放大电路增益的一般表达式第四节:负反馈对放大电路性能的影响第五节:深度负反馈条件下的近似计算考试要求1、掌握反馈的组成框图2、熟练掌握反馈正负及组态的判断方法3、熟练掌握负反馈对放大器性能的影响4、掌握深负反馈下放大电路的近似计算方法第七章功率放大电路考试内容第一节:功率放大电路的一般问题第二节:射极输出器-甲类放大的实例第三节:乙类双电源互补对称功率放大电路第四节:甲乙类互补对称功率放大电路考试要求1、掌握线性功放的分类方法2、掌握线性功放提高效率的措施3、掌握功放的主要参数及计算方法4、OTL与OCL的比较第八章信号处理与信号产生电路考试内容第五节:正弦波振荡电路的振荡条件第六节:RC正弦波振荡电路第七节:LC正弦波振荡电路考试要求1、掌握正弦振荡的平衡条件与起振条件2、掌握正弦振荡的产生原理3、掌握正弦波振荡器的分类,掌握各振荡器的频率高低4、能快速判断一个电路能否振荡5、熟悉RC串并联网络及LC并联谐振电路的频率特性6、熟悉石英晶体的等效电路及工作状态7、掌握电容三点式的二个改进型电路即Clapp与Sillar振荡器的改进过程。
2二极管及其基本电路
• 随着反向电压的增大,阻挡层内部的电场增强,阻挡层中 载流子的漂移速度相应加快,致使动能加大。当反向电压 增大到一定数值时,载流子获得的动能足以把束缚在共价 键中的价电子碰撞出来,产生自由电子—空穴对。新产生 的载流子在强电场作用下,再去碰撞其它中性原子,又产 生新的自由电子-空穴对。如此连锁反应使得阻挡层中载 流子的数量急剧增多,因而流过PN结的反向电流也就急 剧增大。因增长速度极快,象雪崩一样,所以将这种碰撞 电离称为雪崩击穿(Avalanche Multiplication )
门坎电压Vth(在正向电压的起始部分,由于正向电压较小, 外电场还不足以克服PN结的内电场,因而这时的正向电 压几乎为零,二极管呈现出一个大电阻,好像有一个门坎) 硅管的Vth 约为0.5V,锗管的Vth 约为0.1V 当正向电压大于Vth时,内电场大为削弱,电流因而迅速增 长,二极管正向导通。硅管的正向导通压降约为0.7V,锗 管约为0.2V
(1)杂质半导体就整体来说还是呈电中性的。
(2)杂质半导体中的少数载流子虽然浓度不高,但对温度、 光照十分敏感。
(3)杂质半导体中的少数载流子浓度比相同温度下的本征 半导体中载流子浓度小得多。
§3.2 PN结的形成及特性
漂移电流与扩散电流
1、漂移电流 载流子在电场作用下有规则的运动-------漂移运动 形成的电流-------漂移电流
+4
+4
空穴运动的实质是共有电 子依次填补空位的运动。
+4
+4
二、本征半导体
2、本征半导体的导电机理 (3)结论
①电子和空穴总是成对出现的------本征激发。 电子和空穴也可以复合而消失。
②本征半导体在外电场的作用下,形成两种电流------空穴电 流和电子电流,外电路的总电流等于两种电流的代数和。 ③电子--空穴对的数目对温度、光照十分敏感。 ④本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。
6电第03章二极管及其基本电路(康华光) (2)共49页文档
- -- - - - + + + + + +
I
外电场
R
内电场
E
当内外电场相互抵消时,PN相当于短接:正向电流I≈E/(R1-11)
2、PN 结反向偏置(加反向电压) ——P区加负、N 区加正电压。
PN结变厚
内电场被加强,扩散受抑 制。漂移加强,形成较小
- - - - - - + + + 的现+反高向电+ 漂阻+移,电PN流结≈0截。止呈。
极管反向击穿电压VBR的一半或三分之二。二极管击穿 后单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。
3. 反向峰值电流IRM 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电
流大,说明管子的单向导电性差,IRM受温度的影响, 温度越高IRM越大。硅管的反向电流较小( nA级),锗管 的反向电流较大(A级),为硅管的几十到几百倍。
(1-14)
其中iD、
vD
的关系为:
iD
vD
IS(e VT
1)
vD ——PN结两端的电压降 iD——流过PN结的电流 IS ——为反向饱和电流
VT =kT/q ——称为温度的电压当量
其中k为玻耳兹曼常数:1.38×10-23 J/K q 为电子电荷量1.6×10-9 C T 为热力学温度,单位为K 对于常温(相当T=300 K)时:则有VT=0.026V
二极管相同。
IZmax
稳压管反向击穿时,
只要IZ<IZmax
,
就不会永久击穿。 (1-41)
3、实际稳压管工作原理
I
(1)当稳压管正向偏置时
E
E < 0.5V时:
I =0,处在死区。稳压管尚未导通。
模拟电路授课计划56学时
湖北民族学院
2008年秋季
授课计划
课程名称模拟电路班级0307(5678)班
主讲教师杨庆、来国红辅导教师_杨庆、来国红
教研室主任签字_______ 年月日
系主任签字_______ 年月日
单位(盖章)_______ 年月日
授课计划说明
1、授课计划一式3份,一份教师自存,一份交院、部教学科存档,一份交教务处备案;
2、同一年级、同一专业、同一门课程,有多个班,由教研室组织讨论后一位主讲教师主笔形成该门课程的授课计划;
3、同一门课程,同一份授课计划有多位教师分章节讲授者,在授课计划中要注明各自所讲授的章节、学时。
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图 3-5
解:(1)二极管恒导通,在恒压降模型情形下,有 vo 2VD 1.4 V 。
则电路中的电流为
(2)小信号模型等效电路如图 3-6 所示,小信号模型中, 阻为
。 ,二极管的微变电
。 由图 3-6 可知, 故
即有 VB>VA,所以 D 截止。 图(c),根据分压公式,有
即有 VB<VA,所以 D 正偏导通。
3.4.7 二极管电路如图 3-10(a)所示,设输入电压 vI(t)波形如图 3-10(b)所示, 在 0<t<5 ms 的时间间隔内,试绘出 vo(t)的波形,设二极管是理想的。
图 3-10
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第 3 章 二极管及其基本电路
3.2 PN 结的形成及特性
3.2.1 在室温(300 K)情况下,若二极管的反向饱和电流为 1 nA,问它的正向电流为
因此,输出电压 vo 的变化范围为 1.394 V~1.406 V。
图 3-6
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3.4.4 在图 3-5 的基础上,输出端外接一负载 RL=1 kΩ时,问输出电压的变化范围是多
少?
解:外接负载后,二极管中的直流电流为: ID
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解 : 当 输 入 电 压 v(I t) 6 V 时 , 二 极 管 截 止 , 输 出 电 压 vO 6 V ; 当 输 入 电 压
二极管基本电路及其分析方法 ppt课件
VD
(DmA)
R6
15 R3 R4
R4
3.5V
VA VB 二极管截止
R4
R2
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15
1) 整流电路
例3.4.2
2 工作波形
P _ vD + N
vs
2U
+
D
+
O
vs _
R vO
_
vo
2U
1 工作原理
O
D断开 ,VP=VS,VN = 0
vD
vS>0(正半周),即VP>VN,D通,v0 = vs O vS<0(负半周),即VN>VP,D止, v0 = 0 2U
uD
电路模型
S
S
ppt课件
6
2)恒压降模型 :信号幅度远大于二极管压降
二极管导通后,其管压降认为是恒定的,且不 随电流而变化,典型值是 0.7V。不过,这只有当二 极管的电流iD近似等于或大于1mA时才正确。
iD
电路模型
+ vD
_
vD
0.7V
0.7V
iD
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7
3) 折线模型 :信号幅度不能远大于二极管压降
3.4 二极管基本电路及其分析方法
3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法
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1
3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法
二极管是一种非线性器件,因而其电路一 般要采用非线性电路的分析方法,相对来说比 较复杂,而图解分析法则较简单,但前提条件
是已知二极管的V -I 特性曲线。
二极管的管压降不
iD
是恒定的,而是随着通
上海理工大学703《生物医工综合》考试大纲2021年考研专业课初试大纲
《生物医工综合》参考书目和考试大纲《生物医工综合》考试内容包括《电子技术基础》、《机械设计基础》和《微机原理及应用》三个部分。
满分300分,《电子技术基础》100分,《机械设计基础》100分,《微机原理及应用》100分。
一、参考书目(一)《电子技术基础》电子技术基础,模拟部分(第5版),高等教育出版社,康华光电子技术基础,数字部分(第5版),高等教育出版社,康华光(二)《机械设计基础》《机械设计基础》,北京交通大学出版社2005.4刘颖,马春荣主编(三)《微机原理及应用》《微型计算机原理与接口技术》,周荷琴冯焕清编,第5版,中国科技大学出版社2015《微型计算机系统原理及应用》,周明德,第5版,清华大学出版社,2012二、考试内容(一)《电子技术基础》(标注*号的部分不作考试要求)Ⅰ电子技术基础模拟部分1 绪论 1.1 信号 1.2 信号的频谱 1.3 模拟信号和数字信号 1.4 放大电路模型 1.5 放大电路的主要性能指标 2 运算放大器 2.1 集成电路运算放大器 2.2 理想运算放大器 2.3 基本线性运放电路 2.3.1 同相放大电路 2.3.2 反相放大电路 2.4 同相输入和反相输入放大电路的其他应用 2.4.1 求差电路 2.4.2 仪用放大器 2.4.3 求和电路 2.4.4 积分电路和微分电路 *2.5 SPICE仿真例题3 二极管及其基本电路 3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 *3.2.4 PN结的反向击穿 *3.2.5 PN结的电容效应 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的V-I特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管(SBD) 3.5.4 光电子器件 *3.6 SPICE仿真例题4 双极结型三极管及放大电路基础 4.1 BJT 4.2 基本共射极放大电路 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应 4.8 单级放大电路的瞬态响应 *4.9 SPICE仿真例题5 场效应管放大电路5.1 金属—氧化物—半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属—半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.6 SPICE仿真例题6 模拟集成电路 6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.2 差分式放大电路 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响 6.6 变跨导式模拟乘法器 6.7 放大电路中的噪声与干扰 *6.8 SPICE仿真例题7 反馈放大电路 7.1 反馈的基本概念与分类 7.2 负反馈放大电路的四种组态 7.3 负反馈放大电路增益的一般表达式 7.4 负反馈对放大电路性能的影响 7.5 深度负反馈条件下的近似计算 7.6 负反馈放大电路设计 7.7 负反馈放大电路的频率响应 7.8 负反馈放大电路的稳定性*7.9 SPICE仿真例题8 功率放大电路 8.1 功率放大电路的一般问题 8.2 射极输出器——甲类放大的实例 8.3 乙类双电源互补对称功率放大电路 8.4 甲乙类互补对称功率放大电路 *8.5 集成功率放大器 *8.6 SPICE仿真例题9 信号处理与信号产生电路 9.1 滤波电路的基本概念与分类 9.2 一阶有源滤波电路 9.3 高阶有源滤波电路 *9.4 开关电容滤波器 9.5 正弦波振荡电路的振荡条件 9.6 RC正弦波振荡电路 9.7 LC正弦波振荡电路 9.8 非正弦信号产生电路*9.9 SPICE仿真例题10 直流稳压电源 10.1 小功率整流滤波电路 10.2 串联反馈式稳压电路 10.3 开关式稳压电路 *10.4 SPICE仿真例题*11 电子电路的计算机辅助分析与设计 11.1 电子电路SPICE程序辅助分析 11.2 电子电路SPICE程序辅助设计Ⅱ电子技术基础数字部分(第5版)1 数字逻辑概论 1.1 数字电路与数字信号 1.2 数制 1.3 二进制数的算术运算 1.4 二进制代码 1.5 二值逻辑变量与基本逻辑运算 1.6 逻辑函数及其表示方法2 逻辑代数与硬件描述语言基础 2.1 逻辑代数 2.2 逻辑函数的卡诺图化简法 *2.3 硬件描述语言Verilog HDL基础 3 逻辑门电路 3.1 MOS逻辑门电路 3.2 TTL逻辑门电路 *3.3 射极耦合逻辑门电路 *3.4 砷化镓逻辑门电路 3.5 正负逻辑问题 3.6 逻辑门电路使用中的几个实际问题 *3.7 用Verilog HDL描述逻辑门电路4 组合逻辑电路 4.1 组合逻辑电路的分析 4.2 组合逻辑电路的设计 4.3 组合逻辑电路中的竞争冒险 4.4 常用组合逻辑集成电路 *4.5 组合可编程逻辑器件 *4.6 用Verilog HDL描述组合逻辑电路5 锁存器和触发器 5.1 双稳态存储单元电路 5.2 锁存器 5.3 触发器的电路结构和工作原理 5.4 触发器的逻辑功能 * 5.5 用Verilog HDL描述锁存器和触发器6 时序逻辑电路 6.1 时序逻辑电路的基本概念 6.2 同步时序逻辑电路的分析 6.3 同步时序逻辑电路的设计 6.4 异步时序逻辑电路的分析 6.5 若干典型的时序逻辑集成电路 *6.6 用Verilog HDL描述时序逻辑电路 6.7 时序可编程逻辑器件7 存储器,复杂可编程器件和现场可编程门阵列 7.1 只读存储器 7.2 随机存取存储器 *7.3 复杂可编程逻辑器件 *7.4 现场可编程门阵列 7.5 EDA技术和可编程器件的设计例题8 脉冲波形的变换与产生 8.1 单稳态触发器 8.2 施密特触发器 8.3 多谐振荡器 8.4 555定时器及其应用9 数模与模数转换器 引言 9.1 D/A转换器 9.2 A/D转换器10 数字系统设计基础 10.1 数字系统概述 10.2 算法状态机 10.3 寄存器传输语言 10.4 用可编程逻辑器件实现数字系统(二)《机械设计基础》(无标记章节一般了解、不考,打*号标记章节要求掌握,打**号标记章节要求重点掌握)0. 绪论机器与机构的概念;*从功能上对机器进行分类;*机械设计的一般过程。
chapter3二极管2
ui 18V 8V
t
中原工学院信息商务学院
3. 限幅电路 它是用来让信号在预置的电平范围内,有选择地传输一部 分,常用来对各种信号进行处理。 例:R=1kΩ,VREF=3V。 (1)vi=0V、4V、6V时相 应的输出电压vo;
(2)vi=6sinωt V时,绘出 相应的输出电压vo的波形。
解:由于输入电压不高,选用折线模型来分析电路,其等效电 路如下图,其中Vth=0.5V,rD=200Ω。
rD 0 .7 V 0 .5 V 1 mA 200
+
vD Vth
折线模型
-
rD
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4. 小信号模型
vs
0
R VDD + vS
-
当Vs=0时,电路中只有直流 分量,二极管两端电压和流 过二极管的电流就是图中的 Q点的值。电路处于直流工 作状态,也称静态,Q点也 称为静态工作点。
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例: 已知: u i 18 sin t V 二极管是理想的,试画出 uo 波形。 解:把二极管断开,则
R + ui D 8V + uo
–
–
参考点
二极管阳极电位为ui,阴极电位为 8 V ui > 8V,二极管导通 uo = 8V ui < 8V,二极管截止 uo = ui
恒压降模型
+
0 . 931 mA
vD Vth rD
折线模型
V D V th I D r D 0 . 69 V
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同理:(2)V=1V a. 理想模型
VD 0 V
ID I V R 0 . 1 mA
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晶体二极管电路的分析方法
R + VDD D
分析方法有: 分析方法有:
1.数学模型:计算机求解 数学模型: 数学模型 2.伏安特性曲线:图解分析法 伏安特性曲线: 伏安特性曲线 3.简化电路模型:电路分析方法 简化电路模型: 简化电路模型 4.外加微小增量的响应:小信号电路模型 外加微小增量的响应: 外加微小增量的响应
5V
3V
D2
二极管电路分析方法—例3 二极管电路分析方法 例
例3 把对称三角波分别加到下
图的输入端, 图的输入端,已知
VD = 0.7V ,
画出各电路输出端的波形。 画出各电路输出端的波形。
D1 D2
+
Vi R VO
Vo
0.7V 0 -0.7V
Vo
t
0.7V 0 -0.7V
t
二极管应用电路分析—整流电路 二极管应用电路分析 整流电路
3V
D2
二极管电路分析方法—例2 二极管电路分析方法 例
(3)当VA=3V,VB=0时 ) 时 设D1、D2截止,则等效电路为 截止, 由电路, 由电路,有 VD1=3-(-5)=8>0 VD2=0-(-5)=5>0 优先导通, 则D1优先导通,电路可等效为
3V D1 3V VD1 VD2
R 5V
二极管电路分析—例8 二极管电路分析 例
解:
① VA<25V, 即VI<25V 时, D1 、 D2均截至 均截至, VO=25V 增长使V ② 当VI增长使 A=100V 导通, 临界导 时, D1导通, D2临界导 通状态, 通状态,此时有
VI − VA VA − 25 = 100 200
0V A
晶体二极管电路的图解分析方法
R + VDD D + VDD R I + V + V I D
步骤: 步骤:
1.将二极管从电路中分离出来 将二极管从电路中分离出来 2.写出各自的回路方程 写出各自的回路方程 管外电路方程: 管外电路方程:V = VDD − IR 二极管伏安特性方程: 二极管伏安特性方程:I = f (V ) 3.作各自的特性曲线,交点即 作各自的特性曲线, 作各自的特性曲线 为解。 为解。
rd
id
+
R
(2)交流分析 )
+
vs
+ vd -
VT 26 微变电阻 rd = = ≈ 30Ω = 0.03kΩ I D 0.86 R 5 vo = × vs = × 0.1 sin ωt R + rd 5 + 0.03
vO
-
= 0.0994sinωt(V)
总输出电压为: 总输出电压为: v O = VO + v o = 4.3 + 0.0994 sin ωt (V )
二极管电路分析—例8 二极管电路分析 例
图示电路中, 例8:图示电路中,已知二极管的 试画出V 变化的传输特性。 试画出 O随VI变化的传输特性。
可忽略
VD = 0.7V , RD = 100Ω
A
D2 + VDD1 100V D1 R2
200k
分析: 分析:
通,何时截至? 何时截至?
R1
① D1、D2的何时导
I
VDD R
IQ
Q
O
VQ
V DD V
晶体二极管电路简化分析方法( ) 晶体二极管电路简化分析方法(1)
确定管 子的工 子的工 作状态 根据工作状 态用不同的 模型代替二 模型代替二 极管 在等效后的 线性电路中 线性电路中 作相应的分 析
导通
+ + + +
D D + D +
Vth
截止
-
VD
-
-
-
rD
B1 B2
D1 D2
VAB1 = VA − VB1 = 15 − 0 = 15V VAB2 > VAB1 > VD
VAB2 = VA − VB2 = 15 − (−10) = 25V
②、由
A
+ 10V + R + 15V
得, D2管优先导通 优先导通
VO
-
VA = −10 + VD = −9.3V
③、重复步骤① 重复步骤① 得, D1管截至 截至
限幅电路又称消波电路, 限幅电路又称消波电路,是用来 又称消波电路 限制输出信号电压范围的电路 。 VIH:上门限电压 VIL:下门限电压
二极管构成的限幅电路—例 二极管构成的限幅电路 例5
R
VIH = V1 + VD
D1 + V1 D2
+
vI
+
vO
VIL = − (V2 + VD )
vO VIH VIL
D2
V0
R D1 V0 5V
此时, 此时,V0=3V D2截至
D2
结论: 导通, 截止。 结论:D1导通,D2截止。
二极管电路分析方法—例2 二极管电路分析方法 例
(4)当VA=0,VB=3V时 ) 时
R
同理可得: 截止, 导通。 同理可得:D1截止,D2导通。 所以, 所以,V0=3V
D1 V0
O VIH
V2 +
-
-
-
导通, 截止, 当vI>VIH , D1导通,D2截止,vo=VIH 导通, 截止, 当vI<VIL,D2 导通,D1截止,vo=VIL 当VIL<vI<VIH,D1、D2均截止,vo=vI 均截止,
vI VIL
二极管应用电路分析—开关电路 二极管应用电路分析 开关电路
例6:二极管开关电路如图所示,利用二极管的理 :二极管开关电路如图所示, 想模型求解:当vI1和vI2为0或5V时,求vI1和vI2的值 想模型求解: 或 时 不同组合情况下,输出电压v 的值。 不同组合情况下,输出电压 o的值。
== V
th
+ IrD
反向饱和电流= 反向饱和电流=0
反向饱和电流= 反向饱和电流=0
三、晶体二极管小信号电路模型
iD I
V = VD + ∆V , I = I D + ∆I
Q(VD , I D ) ,为静态工作点
ID
Q
rd
vD
则,增量电阻
∆V ∂V rd = = ∆I ∂I
O
VD
V
Q
rD 是二极管特性曲线上工作 点Q 附近电压的变化与电流
-
VAB1 = VA − VB1 = −9.3 − 0 = −9.3V < VD
VO = VA = −9.3V
二极管电路分析方法—例2 二极管电路分析方法 例
二极管D1、D2的状态,并求V0的值。
D2
R 5V
D1 U0
例2:图示电路中,分析当VA与VB分别为0与3V的不同组合时, VD1
VD2 D1 VA V0 R 5V
VCC = 5V
vI1 0V
vI2 0V 5V 0V 5V
vo 0V 0V 0V 5V
D1
4.7 kΩ
vI1 vI2
D2 R
vo
0V 5V 5V
二极管小信号工作情况分析
图中, 例7:图中, VDD = 5V , R = 5kΩ, 二极管采用恒压降模型 , VD = 0.7V,vs = 0.1sin ωt (V )
(2)当VA=VB=3V时 ) 时 设D1、D2截止,则等效电路为 截止, 由电路, 由电路,有 VD1=3-(-5)=8>0 VD2=3-(-5)=8>0
D1 3V 3V VD1 VD2
R 5V
D2
V0
R
处于导通状态, 则D1、D2处于导通状态,电路可等效为
3V
D1 V0
5V
所以, 所以,V0=3V
+
vs
D
iD
+
R
+ vD -
-
的交流量和总量。 求输出电压 vO 的交流量和总量。VDD
vO
-
解:( )直流分析ຫໍສະໝຸດ :(1)ID = V DD − V D 5 − 0.7 = = 0.86mA R 5kΩ
VDD
D
ID
VD
R
+
VO = I D R = 0.86mA × 5kΩ = 4.3V
VO
-
二极管小信号工作情况分析
-
晶体二极管电路简化分析方法(2) 晶体二极管电路简化分析方法( ) 如何判断二极管的工作状态
1、假设二极管断开,求其两端的电位差 ∆V 、假设二极管断开, 2、 2、 若 若
∆V > VD
,则二极管导通,其两端的电压为 VD 则二极管导通, ,二极管截至,其所在支路开路。 二极管截至,其所在支路开路。
3.4 二极管基本电路及其分析方法
学习要领: 学习要领: 在掌握晶体二极管的外特性——单向导 在掌握晶体二极管的外特性 单向导 电性的基础上熟练掌握简化电路分析方法 的基础上熟练掌握简化电路分析方法。 电性的基础上熟练掌握简化电路分析方法。
一、晶体二极管数学模型
伏安特性曲线: 伏安特性曲线: 为晶体二极管的曲线 模型,一般实测得到。 模型,一般实测得到。 数学模型: 数学模型: 理想指数模型: 理想指数模型:
+
-
-
VO + VDD2 25V
-
-
二极管电路分析—例9 二极管电路分析 例
例9:如图所示电路,已知 :如图所示电路,
I Q = 0.93mA, R = 10kΩ, ∆VDD = sin 2π × 10t (V ) 求△V