三极管
三极管字母代用符号
三极管字母代用符号
三极管的符号表示通常由三个线条组成，代表了三个电极：基极（B），集电极（C）和发射极（E）。
在电路图中，三极管的符号表示可以用以下几种方式来表示：
1. 可以用字母U来表示，其中U的第三部分表示功能。
具体来说，U的下部分表示放大或开关电路中的低频小功率管；U的上部分表示高频小功率管；U的整个表示低频大功率管；带一个斜杠的U表示高频大功率管。
2. 也可以用图形符号表示，其中NPN型三极管的符号中箭头指向表示发射结处在正向偏置时的电流流向。
此外，根据三极管的功能和类型，还有其他一些符号表示方式，例如PNP型三极管，场效应管等。
三极管
Q点的影响因素有很多，如电源波动、偏
置电阻的变化、管子的更换、元件的老化等等，
不过最主要的影响则是环境温度的变化。三极
管是一个对温度非常敏感的器件，随温度的变 化，三极管参数会受到影响，具体表现在以下 几个方面。
• 1.温度升高，三极管的反向电流增大
• 2.温度升高，三极管的电流放大系数β增大
• 3.温度升高，相同基极电流IB下，UBE减小，
2.2 共射放大电路
一、 放大的概念
电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成
较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。
电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网
络表示，如图。
ui
Au
uo
1、放大体现了信号对能量的控制作用，放大的信
号是变化量。
2、放大电路的负载所获得的随信号变化的能量要
比信号本身所给出的能量大得多，这个多出的
②电感视为短路
共射电路的直流通路
用图解法分析放大器的静态工作点
直流负载线 UCE=UCC–ICRC
U CC RC
ICQ
IC Q
IB UCE
与IB所决 定的那一 条输出特 性曲线的 交点就是 Q点
UCEQ UCC
2、动态分析
计算动态参数Au、Ri、Ro时必须依据交流通路。 交流通路：是指ui单独作用（UCC=0）时，电路 中交流分量流过的通路。 画交流通路时有两个要点：
有以下两种。
IC
IB A RB
V
mA C
B E
UBE
RC USC V
UC（1）输入特性曲线
它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管 的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。实 验测得三极管的输入特性曲线如下图所示。
三极管三个电流的关系
三极管三个电流的关系三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于各种电路中。
它是由一块半导体材料制成的，具有三个引脚，分别是发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
三极管的工作原理和特性是电子学领域中的重要基础知识，在理解三极管的三个电流关系之前，我们先来了解一下三极管的基本结构和工作原理。
三极管是一种双极型晶体管，其内部结构由两个PN结构组成。
PN 结构是一种半导体器件，其中P代表正性，N代表负性。
在三极管中，发射极与基极之间形成一个PN结，而基极与集电极之间形成另一个PN结。
PN结具有单向导电特性，当施加正向电压时，电流可以通过，而当施加反向电压时，电流则无法通过。
根据三极管的工作原理，我们可以得知三极管中的三个电流关系。
首先，发射极电流（IE）是三极管中最大的电流，也是控制三极管工作的重要参数。
发射极电流由基极电流（IB）和集电极电流（IC）共同决定。
基极电流是通过基极输入的电流，而集电极电流是通过集电极输出的电流。
在正常工作状态下，三极管的发射极电流等于基极电流加上集电极电流，即IE = IB + IC。
这是因为基极电流是通过PN结注入到发射区的电流，而集电极电流是从发射区流向集电区的电流。
因此，发射极电流是由基极电流控制的，同时也受到集电极电流的影响。
在三极管中，基极电流起着控制发射极电流的作用。
通过调节基极电流的大小，可以改变发射极电流的大小。
当基极电流增大时，发射极电流也会相应增大。
而集电极电流则是由发射极电流和基极电流的比例关系决定的。
当基极电流较小时，集电极电流较小。
而当基极电流较大时，集电极电流也会相应增大。
三极管的三个电流关系对于电子电路的设计和分析非常重要。
在实际应用中，我们需要根据具体的要求来选择合适的三极管，以满足电路对电流的需求。
同时，合理控制三极管的电流，可以保证电路的正常工作，提高电路的效率和可靠性。
三极管的三个电流关系是电子学中的重要知识点。
三极管手册介绍
三极管手册介绍
三极管，也称为晶体三极管，是一种常用的电子器件，被广泛应用于电子电路中。
它由三个区域相互夹杂的半导体材料构成，通常被标记为E（发射极）、B（基极）和C（集电极）。
三极管是一种双极型晶体管，其主要特点是能够控制电流放大倍数。
通过控制基极电流，可以控制集电极电流的放大倍数。
因此，三极管广泛用于放大、开关、电子开关、振荡器等电路中。
三极管手册是一本关于三极管的详细介绍和应用指南。
该手册通常包括以下内容：
1. 三极管的基础知识：介绍三极管的结构、工作原理和基本参数。
包括器件标记和引脚配置，以及不同类型的三极管（如NPN型和PNP型）。
2. 三极管的电路应用：包括放大电路、开关电路、电源电路、振荡电路和稳压电路等。
每个电路应用都会介绍其原理、设计方法、常用电路图和计算公式。
3. 三极管的参数与曲线特性：包括直流参数（如最大集电流、最大功耗、最大电压等）和交流参数（如频率响应、增益、噪声系数等）。
手册中通常会给出参数的定义、测量方法和典型数值。
4. 三极管的选型与应用：介绍如何根据特定的应用需求选择合
适的三极管。
包括选择参数的考虑因素、常用的选型指南和技术手段。
5. 三极管的常见故障排除：介绍三极管常见的故障原因及排除方法。
包括电压过高、电流过大、温度过高等故障的检测和解决方法。
综上所述，三极管手册是一本提供关于三极管结构、工作原理、电路应用、参数与曲线特性、选型与应用和故障排除等方面知识的参考指南，旨在帮助工程师和电子爱好者更好地理解和应用三极管。
三极管
Vceo
在选择晶体管时， 大约为所用电源电压2倍 在选择晶体管时，Vceo大约为所用电源电压 倍 S8050的Vceo为25V 的
S8050 NPN型三极管参数 型三极管参数
c
Ic
b
Ib Ie
Vce
+
e
最大集电极电流， 最大集电极电流，即流过三极管集电极的最大电流
Icm
在选择晶体管时， 在选择晶体管时，Icm大约为三极管正常工作时流过 集电极最大电流的2倍 集电极最大电流的 倍 S8050的Icm为0.5A 的
Ec = Ic x Rc + Vce
三极管仿真电路分析
Ib、Ic、Vce 波形 波形?
集电极电压V 集电极电压 c
NPN 型 集电极电源Ec 集电极电源
基极电源E 基极电源 b
三极管仿真电路分析
Vo 集电极电压（V） 集电极电压（ Ic 集电极电流（mA） 集电极电流（
集电极电压V 集电极电压 c
驱动继电器(工作原理 驱动继电器 工作原理) 工作原理
+Vcc
3.R1、R2电阻取值
D IN4007
例如： 例如： 若Vcc=+5V,Ics=50mA,β=100， 且R2=4.7kΩ，计算R1取值。 Vcc-Vbe . . I . b= R 1 5V-0.7V R1 . . . Vbe R2 Ic > β
+Vcc
释放
D IN4007
继电器
c
输入Vi 输入 +Vcc OFF 0V R2 4.7K R1
续流二极管
S8050
b e
用NPN三极管驱动继电器电路图 三极管驱动继电器电路图
驱动继电器(工作原理 驱动继电器 工作原理) 工作原理
三极管的工作原理
三极管的工作原理
三极管是一种常用的电子器件，其工作原理是基于PN结的导电特性。
它由三个控制端分别为基极（B）、发射极（E）和集电极（C）构成。
当三极管的基极与发射极之间施加一个正向电压时，即基极的电势高于发射极，此时PN结会被正向偏置。
由于PN结的导电特性，电子会从N区域注入到P区域，并与P区域中的空穴重新组合。
在基极注入的电子数量足够多时，P区域会形成一个“电子云”，这就是基区。
基区的电荷状态会对P区和N
区的导电特性产生影响。
当外部施加的电压继续增大，足够大以让基极与发射极之间的电压达到饱和值时，三极管就进入了饱和区。
在饱和区，电流可以从集电极流向发射极，这时三极管的电流放大特性可以得到利用。
当外部电压减小时，三极管将退出饱和区。
另一种情况是，当基极与发射极之间施加一个反向电压时，即基极的电势低于发射极，此时PN结会被反向偏置。
在这种情况下，三极管处于截止区，几乎没有电流通过。
总之，通过控制三极管的基极电压，可以实现对集电极和发射极之间电流的控制和调节。
这使得三极管成为了很多电子电路中非常重要的元件之一。
三极管工作原理详解
03
电流放大作用是三极管最基本 的特性，也是其在电子电路中 广泛应用的原因之一。
载流子的传
1
在三极管中，载流子主要包括空穴和电子。
2
当基极电压发生变化时，基极中的载流子会受到 电场力的作用而发生运动，形成基极电流。
3
集电极电流的形成是由于基极电流在集电结上产 生电场，使得集电极中的载流子发生运动而形成 的。
三极管工作原理详解
目录
• 三极管简介 • 三极管的工作原理 • 三极管的特性曲线 • 三极管的应用 • 三极管的常见问题与解决方案
01
三极管简介
定义与类型
定义
三极管是一种半导体器件，具有 电流放大和开关控制的功能。
类型
根据结构和工作原理的不同，三 极管可分为NPN型和PNP型。
三极管的结构
组成
在振荡电路中的应用
振荡器
三极管可以作为振荡电路中的核心元 件，通过正反馈和选频网络实现高频 或低频振荡，用于产生特定频率的信 号。
波形发生器
调频/调相
在无线通信系统中，利用三极管的振 荡功能可以实现信号的调频和调相， 用于实现无线信号的调制和解调。
利用三极管的振荡特性，可以产生三 角波、矩形波等波形，用于信号处理、 测试测量等领域。
在开关电路中的应用
逻辑门电路
三极管可以作为逻辑门电 路中的开关元件，实现高 低电平的转换，用于构建 逻辑运算和电路控制。
继电器驱动
在自动化控制系统中，三 极管可以用于驱动继电器 或其他开关元件，实现电 路的通断控制。
电机驱动
在电机驱动电路中，三极 管可以用于控制电机的启 动、停止和转向，实现自 动化控制。
三极管由三个区（发射区、基区和集 电区）和两个结（集电极与基极之间 的集电结和发射极与基极之间的发射 结）组成。
三极管
I / mA
600 0 20
60
40 20
0 0.4 0.8 U / V
iC
温度对输入特性的影响 600 200
负温度系数。
3、温度每升高 1C， 增 加 0.5%~1.0%。
结论：温度升高，三极 管输入特性曲线左移， 输出特性曲线上移且间 距增大。
iB
O
温度对输出特性的影
uCE
六、三极管的命名方法
三极管的命名由5部分组成，如图1.21所示。其中第二、三 部分各字母含义如表1.10所示。
表1.10 第 二 部 分
第二、三部分各字母含义 第 三 部 分
字
A B C D
母
在以后的计算中，一般作近似处理： = 。
2.集-基极反向截止电流 ICBO
ICBO –
A
+
EC
ICBO是由少数载流子的 漂移运动所形成的电流， 受温度的影响大。 温度ICBO
3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO – A + IB=0 ICEO ICEO受温度的影响大。 温度ICEO，所以IC 也相应增加。三极管的 温度特性较差。
截止
反偏 反偏
放大
正偏 反偏
饱和
正偏 正偏
解：
对NPN管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE 对PNP管而言，放大时VC ＜ VB ＜VE （1）放大区 （2）截止区 （3）饱和区
五、 主要参数
表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参 数也是设计电路、选用晶体管的依据。
1. 电流放大系数，
三极管ppt课件
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力，当输入信号频率接近或超过截止 频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影 响，使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具 有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用 于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、 高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
三极管 详解
三极管详解
三极管是一种具有三个电极的半导体器件，通常由两个PN结构成，共用的一个电极称为基极（用字母b表示），其他两个电极分别称为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。
根据PN结的组合方式，三极管可以分为NPN型和PNP型两种。
三极管的核心结构是两个背对背的PN结，其中一个PN结位于发射区和基区之间，称为发射结；另一个PN结位于集电区和基区之间，称为集电结。
三极管的工作原理基于电流控制，当在基极上施加一个微小的电流时，可以在集电极上得到一个放大了的电流，即集电极电流是基极电流的b倍（b为电流放大系数）。
集电极电流随基极电流的变化而变化，且基极电流微小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。
三极管有三种工作状态：截止、放大和饱和。
在放大状态下，三极管主要应用于模拟电路中。
此外，三极管还可以作为电子开关使用，配合其他元件构成振荡器等。
三极管详细讲解
§1、3半导体三极管（第一页）三极管是组成各电子电路的核心器件，它由三个电极。
它是我们学习的重点一：三极管的结构及类型通过工艺的方法,把两个二极管背靠背的连接起来级组成了三极管。
按PN结的组合方式有PNP型和NPN型，它们的结构示意图和符号图分别为：如图（1）、（2）所示不管是什麽样的三极管，它们均包含三个区：发射区，基区，集电区，同时相应的引出三个电极：发射极，基极，集电极。
同时又在两两交界区形成PN结，分别是发射结和基点结。
二：三极管的放大作用（这一问题是重点）我们知道，把两个二极管背靠背的连在一起，是没有放大作用的，要想使它具有放大作用，必须做到一下几点：发射区中掺杂基区必须很薄基电结的面积应很大工作时：发射结应正向偏置，集电结应反向偏置载流子的传输过程因为发射结正向偏置，且发射区进行重掺杂，所以发射区的多数载流子扩散注入至基区，又由于集电结的反向作用，故注入至基区的载流子在基区形成浓度差，因此这些载流子从基区扩散至集电结，被电场拉至集电区形成集电极电流。
而留在基区的很少，因为基区做的很薄。
我们再用图形来说明一下，如图（3）所示：电流的分配关系由于载流子的运动，从而产生相应电流，它们的关系如下：其中：I CEO为发射结少数载流子形成的反向饱和电流；I CBO为I B=0时，集电极和发射极之间的穿透电流。
为共基极电流的放大系数，为共发射极电流的放大系数。
它们可定义为：放大系数有两种（直流和交流），但我们一般认为，它们二者是相等的，不区分它们。
三：三极管的特性曲线它的特性曲线与它的接法有关，在学习之前，我们先来学习一下它的三种不同接法。
（1）共基极，如图（1）所示（2）共发射极如图（2）所示（3）共集电极如图（3）所示我们以NPN管共发射极为例：1.输入特性它与PN结的正向特性相似，三极管的两个PN结相互影响，因此，输出电压U CE对输入特性有影响，且U CE>1,时这两个PN结的输入特性基本重合。
三极管主要的参数
三极管主要的参数
三极管的参数包括：
1、功率额定值：功率额定值定义了三极管在一定温度和额定电源电
压下可以承受的最大功率输出，通常有最大输出功率（Pd）、期望功率（Pc）和阻止功率（Pz）三种，其中最大输出功率是三极管运行时可输出
的最大功率，期望功率是正常工作时的额定功率，而阻止功率是在特定电
流和电压时的最大功率。
2、集电极-发射极电压：集电极-发射极电压（也称为正向伏安数）
是三极管在正向偏压下的集电极与发射极之间的电压，通常被简写为VCE，它受到多种因素的影响，包括正向偏压、温度和负向偏压等。
3、发射极-基极电压：发射极-基极电压（也称为负向伏安数）是三
极管在负向偏压下的发射极与基极之间的电压，通常被简写为VEB，它受
多种因素的影响，包括负向偏压、温度和正向偏压等。
4、集电极穿透电流：集电极穿透电流是三极管在集电极和发射极之
间的电流，它在正向偏压下会出现，通常被简称为ICEO。
它依赖于正向
偏压的大小，通常随着偏压的增大而增大，但随着偏压增大到一定程度时
会突然减小，这是由三极管在饱和区域的特性决定的。
三极管参数详解
三极管参数详解三极管是一种常见的电子器件，用于放大和控制电流。
它是现代电子设备中的关键组成部分，广泛应用于放大电路、开关电路、逻辑门以及各种集成电路中。
要深入理解三极管的工作原理和性能，有必要详细了解其参数。
在本文中，我将对三极管的参数进行详解，并分享我的观点和理解。
1. 最大耗散功率（Maximum Power Dissipation，Pdmax）：最大耗散功率是指三极管能够承受的最大功耗。
当超过这个值时，三极管可能会过热并失效。
在设计电路时，我们需要确保三极管的耗散功率不会超过其额定值。
2. 最大集电极电压（Maximum Collector-Emitter Voltage，Vceo max）：最大集电极电压指的是在正常工作条件下，集电极和发射极之间最大可承受的电压。
当超过这个值时，三极管可能发生击穿，导致电路故障。
3. 最大集电极电流（Maximum Collector Current，Ic max）：最大集电极电流是指在正常工作条件下，三极管能够承受的最大电流。
当超过这个值时，三极管可能受到损坏，并影响电路的正常工作。
4. 最小直流电流增益（Minimum DC Current Gain，hfe min）：最小直流电流增益用于衡量输入和输出电流之间的倍数变化。
它反映了三极管在放大信号时的效果，值越大表示放大能力越强。
以上是三极管常见的参数，它们是评估三极管性能和应用范围的重要指标。
通过对这些参数的深入了解，我们可以更好地选择适合特定应用的三极管，并正确设计电路。
还有一些其他参数，如噪声系数、输入电压范围等，也对三极管的性能有着重要影响。
我的观点和理解是，三极管参数的选择和了解对于电子设备的设计和应用至关重要。
不同应用场景下，我们需要根据具体要求来选择合适的参数。
在需要大功率和高电压的场合，我们需要选择具有较大耗散功率和集电极电压的三极管。
而在需要放大小信号的场合，我们则需要选择具有较大直流电流增益的三极管。
三极管
1.3.4 T的主要参数 的主要参数
一、直数 β 2. 共基直流电流放大系数 直流电流放大系数 α 3. 极间反向电流
___
___
___
IC β ≈ IB ___ IC α ≈ IE
I CBO I CEO
I CBO — e极开路时 结的反向饱和电流 极开路时c结的反向饱和电流 极开路时
E
ICEO = (1 + β ) ICBO
二、交流参数 交流参数
1. 共射交流电流放大系数 2. 共基交流电流放大系数 交流电流放大系数 3. 特征频率
∆iC β≈ ∆iB
∆iC α≈ ∆iE
数值下降到1的信号频率称为 使 β 数值下降到 的信号频率称为 特征频率
例：UCE=6V时：IB = 40 µA, IC =1.5 mA； 时 ； IB = 60 µA, IC =2.3 mA。求共射极放大电路的直 。 流放大倍数和交流放大倍数
4 3 2 1
IC(mA ) 此区域中U 100µA 此区域中 CE<UBE, µ 集电结正偏， 集电结正偏， βIB>IC，UCE≈0.3V 80µA µ ， 饱和区。 称为饱和区 称为饱和区。 60µA µ 40µA µ 20µA µ IB=0 12 UCE(V)
3
6
9
IC(mA ) 4 3 2 1 3 6 9
2011-10-13
1.3.1 结构与符号(Structures and Circuit Symbol)
一、结构 两种: 两种 NPN PNP
发射区 集电区
三极: 三极 e(Emitter) ：发射极 b(Base） ：基极 c(Collector)：集电极 三区: 三区 e,b,c 特点:b区薄 e区掺杂多 c区面积大 两节: 两节 Je,Jc
三极管
（3）反向击穿电压 BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种：
① U（BR）EBO——集电极开路时，加在基极与发射极之间的最大 反向电压。其值一般几伏～十几伏。 ② U（BR）CBO——发射极开路时，集电极与基极之间允许的最大 反向电压。其值一般为几十伏～几百伏。 ③ U （ BR ） CEO—— 基极开路 时，集电极与发射极之间 允许的最大反向电压。 在 实 际 使 用 时 ， 还 有 V(BR)CER 表示 BE 间接有电阻， V(BR)CES 表示 BE 间是短路的。
IB
c
I CBO
IC I CN
N
RC
ICIE ICBO IE
所以:
b
I EN I EP
P
VCC
IC IE
Rb V BB
N
三个电极上的电流关系:
e
IE
IE =IC+IB≈IC
10/62
(2)IC与I B之间的关系：
联立以下两式：
IC＝ IE＋ICBO
I E＝IC＋I B
c
I CBO
IC ＝ IE
iC ＝ iE
18/62
2.极间反向电流
（1）集电极基极间反向饱和电流ICBO
发射极开路时，在其集电结上加反向电压，得到反向电流。 它实际上就是一个PN结的反向电流。其大小与温度有关。 锗管：I CBO为微安数量级，
硅管：I CBO为纳安数量级。
+
ICBO b
c
+
（2）(集电极发射极间的)穿透电流
14/62
(2)输出特性曲线 iC=f(uCE) iB=const
输出特性曲线是指三极管基极电流iB为某一固定值时， 输出端集电极极电流iC和集电极-发射极间的电压偏压 uCE之间的关系曲线。iB不同曲线不同，曲线族。
三极管的极限参数
三极管的极限参数1. 介绍三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于电子电路中。
它由三个控制区域（基极、发射极和集电极）组成，通过在基极输入小信号来控制从集电极到发射极的大信号输出。
在设计和使用三极管时，了解其极限参数是非常重要的。
本文将详细介绍三种常见的三极管类型：NPN型、PNP型和场效应晶体管（FET），并讨论它们的主要极限参数。
2. NPN型三极管NPN型三极管是最为常见和广泛使用的一种类型。
它由两个正向偏置的PN结构组成，其中一个是基结，另一个是发射结。
以下是NPN型三极管的主要极限参数：2.1 最大集电-发射电压（VCEO）最大集电-发射电压指在特定条件下，可以安全工作的最大集电-发射电压。
超过这个值会导致器件损坏。
对于NPN型三级管，VCEO通常在20V至1000V之间。
2.2 最大集电-基础电压（VCBO）最大集电-基础电压指在特定条件下，可以安全工作的最大集电-基础电压。
超过这个值会导致器件损坏。
对于NPN型三级管，VCBO通常在30V至1200V之间。
2.3 最大发射-基础电压（VEBO）最大发射-基础电压指在特定条件下，可以安全工作的最大发射-基础电压。
超过这个值会导致器件损坏。
对于NPN型三级管，VEBO通常在5V至10V之间。
2.4 最大集电电流（IC）最大集电电流指通过三极管的最大连续集电极电流。
超过这个值会导致器件损坏。
对于NPN型三级管，IC通常在100mA至10A之间。
2.5 最大功耗（Pd）最大功耗指三极管可以承受的最大功耗。
超过这个值会导致器件过热并损坏。
对于NPN型三级管，Pd通常在500mW至500W之间。
3. PNP型三极管PNP型三极管与NPN型三极管相似，但是其结构和工作原理有所不同。
以下是PNP 型三极管的主要极限参数：3.1 最大集电-发射电压（VCEO）与NPN型三极管相似，最大集电-发射电压指在特定条件下，可以安全工作的最大集电-发射电压。
超过这个值会导致器件损坏。
三级管的工作原理
三级管的工作原理三极管的工作原理三极管，也被称为晶体三极管或晶体管，是一种半导体器件，广泛应用于电子电路中。
它的工作原理基于PN结的导电特性，通过对基区施加不同电压来控制集电极与发射极之间的电流。
三极管是现代电子设备中不可或缺的元件，其工作原理的了解对于理解电子电路的运作机制至关重要。
我们来了解三极管的基本结构。
三极管由三个掺杂不同的半导体区域组成：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
发射极和集电极之间形成PN结，而基极则位于PN结之间。
当在基极-发射极之间施加正向偏置电压时，PN结会被击穿，电子会从发射极注入到基极中。
这些电子会通过基极-集电极之间的PN结，最终流向集电极，形成集电极电流。
三极管的工作原理是基于基极-发射极之间的电压控制集电极电流的大小。
当在基极-发射极之间施加不同的电压时，会改变PN结的导电特性，从而影响集电极电流。
具体来说，当基极-发射极之间施加正向偏置电压时，PN结导通，集电极电流增大；当施加反向偏置电压时，PN结截止，集电极电流减小。
因此，通过控制基极电压，可以在集电极和发射极之间实现电流的放大或截断。
三极管的工作原理可以帮助我们理解它在电子电路中的应用。
例如，在放大电路中，三极管可以作为信号放大器，将微弱信号放大到足以驱动喇叭或产生其他效果所需的电压。
通过控制基极电压，可以调节放大器的增益，实现对信号的放大。
此外，在开关电路中，三极管也可以用作开关，通过控制基极电压来控制电路的通断状态。
总的来说，三极管的工作原理基于PN结的导电特性，通过对基极施加不同电压来控制集电极和发射极之间的电流。
三极管在电子电路中起着至关重要的作用，了解其工作原理有助于我们更好地理解和设计电子电路。
希望通过本文的介绍，读者能对三极管的工作原理有更深入的了解。
三极管生产执行标准
三极管生产执行标准
1. 产品分类和命名规则：根据三极管的结构和功能，将其分为NPN型和PNP型两大类。
同时，对不同类型的三极管进行命名，如放大管、开关管等。
2. 外观检查：要求三极管表面无划痕、凹陷、气泡等缺陷，引脚无氧化、锈蚀现象，封装无破损。
3. 尺寸和公差：规定三极管的长度、直径、引脚间距等尺寸参数，以及允许的公差范围。
4. 电气性能指标：包括三极管的放大倍数、输入电阻、输出电阻、最大耗散功率等参数，以及在不同工作状态下的性能要求。
5. 可靠性和寿命：要求三极管在规定的工作条件下，能够稳定可靠地工作一定的时间，如温度循环试验、振动试验等。
6. 环境适应性：规定三极管在各种环境条件下（如温度、湿度、气压等）的工作性能和可靠性要求。
7. 安全性：要求三极管在正常使用过程中，不会对人体和设备造成危害，如绝缘电阻、漏电流等参数的要求。
8. 包装和标识：规定三极管的包装方式、标识内容和位置，以便用户识别和使用。
9. 检验方法和验收标准：提供三极管的检验方法，如外观检查、尺寸测量、电气性能测试等，以及验收标准，如合格率、不良品处理等。
10. 质量保证和售后服务：要求生产厂家对三极管的质量负责，并提供相应的售后服务，如技术支持、维修更换等。
三极管
输出特性曲线上一般可分为三个区：
IC /mA 饱和区。当发射结和 集电结均为正向偏置 IB=100 A 4 时，三极管处于饱和 0.3V，锗管约为0.1V, 状态。此时集电极电 管子深度饱和时，硅管的VCE约为 80 A 3 流IC与基极电流IB之 由于深度饱和时 VCE约等于0，晶体管在电路中犹如一个 间不再成比例关系， 闭合的开关。 放 60 A 2.3 IB的变化对IC的影响 2 大 40 A 很小。 截止区。当基极电 IB=0 流IB等于0时，晶体 UCE / V 0 管处于截止状态。 实际上当发射结电 此时 UCE小于UBE,规定： UCE=UBE晶体管工作在放大状态时，发射结正 时， 压处在正向死区范 VCC VCES I CS VCC / RC 围时，晶体管就已 偏，集电结反偏。在放大区，集电极电 为临近饱和状态，用 UCES（0.3 或 RC 经截止，为让其可 流与基极电流之间成β倍的数量关系， 0.1）表示，此时集电极临近饱和 靠截止，常使UBE 小于和等于零。 即晶体管在放大区时具有电流放大作用。 临近饱和基极电流 I BS I CS / 电流是
ΔIC
当IB一定时，从发射区扩散到基区 的电子数大致一定。当UCE超过1V以 后，这些电子的绝大部分被拉入集 电区而形成集电极电流IC 。之后即 使UCE继续增大，集电极电流IC也不 会再有明显的增加，具有恒流特性。
UCE / V
0
当IB增大时，相应IC也增大，输出特性曲线上移， 且IC增大的 幅度比对应IB大得多。这一点正是晶体管的电流放大作用。 从输出特性曲线可求出三极管的电流放大系数β。 取任意再两条特性曲线上的平坦段，读出其基极电流之差； 再读出这两条曲线对应的集电极电流之差ΔIC=1.3mA； 于是我们可得到三极管的电流放大倍数： β=ΔIC/ΔIB=1.3÷0.04=32.5
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型号 2N109 2N1304 2N1305 2N1307 2N1613 2N1711 2N1893 2N2102 2N2148 2N2165 2N2166 2N2219A 2N2222A 2N2223 2N2223A 2N2243A 2N2369A 2N2857 2N2894 2N2905A 2N2906A 2N2907A 2N2917 2N2926 2N2955 2N3019 2N3053 2N3054 2N3055 2N3055 2N3055H 2N3251 2N3375 2N3439 2N3440 2N3441 2N3442 2N3495 2N3502 2N3553 2N3571 2N3583 2N3632 2N3646 2N3700 2N3707
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SI-P 80V 1A 30W SI-N 80V 1A 30W SI-N 150V 20A 140W 0.5us SI-N 55V 0.4A 4W 5mA SI-N 40V 0.5A 2.5W 1.5GHz P-FET 30V 5mA 150E Up<4V SI-N 100V 2A 10W SI-N 20V 50mA 0.2W >1GHz SI-N 80V 4A 40W 2MHz SI-N 375V 5A 100W >2MHz SI-N 80V 4A 36W >0.8MHz N-DARL 40V 0.3A 0.4W B>7K SI-N 100V 2A 10W AFSWITCH SI-P 100V 2A 10W AFSWITCH SI-P 160V 0.6A 0.31W SI-P 350V 1A 10W 15MHz N-FET 25V 0.4A 0.3W 7E N-FET 25V 1mA Up<6V N-FET 25V 2.9mA UNI P-FET 40V 5mA Up<6V GEN.P P-FET 40V 9mA 0.31W P-FET 40V 16mA Up<9V GEN. N-FET 25V 5mA 0.31W P-FET 25V 4mA Up<4V SI-N 180V 0.6A 0.31W VID. SI-N 36V 0.6A 3W 175MHz N-FET 30V 10mA 310mW SI-N 150V 30A 140W 0.5us SI-P 120V 1A 1W SI-N 120V 1A 1W >30MHz SI-P 80V 50A 200W SI-N 80V 50A 300W >2MHz SI-N 30V 0.05A 0.7W >900MHz SI-P 15V 50mA 625mW >850MHz SI-P 80V 10A 150W >4MHz SI-N 80V 10A 150W >4MHz SI-N 60V 10A 150W >4MHz SI-P 80V 25A 200W AFPOWSW SI-N 80V 25A 200W >4MHz SI-P 140V 16A 200W 1MHz P-DARL+D 60V 12A 100W SI-N 100V 12A 150W SI-N 36V 5A PQ=30W 175MHz SI-N 70V 10A 75W AFPOWSWITCH SI-N 70V 10A 75W AFPOWSWITCH SI-P 60V 7A 40W 10MHz SI-P 45V 4A 40W
关键参数 GE-P 35V 0.15A 0.165W GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz GE-P 30V 0.3A 0.15W B>60 SI-N 75V 1A 0.8W 60MHz SI-N 75V 1A 0.8W 70MHz SI-N 120V 0.5A 0.8W SI-N 120V 1A 1W <120MHz GE-P 60V 5A 12.5W SI-P 30V 50mA 0.15W 18MHz SI-P 15V 50mA 0.15W 10MHz SI-N 40V 0.8A 0.8W 250MHz SI-N 40V 0.8A 0.5W 300MHz 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50 SI-N 120V 1A 0.8W 50MHz SI-N 40V 0.2A .36W 12/18ns SI-N 30V 40mA 0.2W >1GHz SI-P 12V 0.2A 1.2W 60/90ns SI-P 60V 0.6A 0.6W 45/100 SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100 SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100 SI-N 45V 0.03A >60Mz SI-N 25V 0.1A 0.2W 300MHz GE-P 40V 0.1A 0.15W 200MHz SI-N 140V 1A 0.8W 100MHz SI-N 60V 0.7A 5W 100MHz SI-N 90V 4A 25W 3MHz SI-N 100V 15A 115W 800kHz SI-N 100V 15A 115W 800kHz SI-N 100V 15A 115W 800kHz SI-P 50V 0.2A 0.36W SI-N 40V 0.5A 11.6W 500MHz SI-N 450V 1A 10W 15MHz SI-N 300V 1A 10W 15MHz SI-N 160V 3A 25W POWER SI-N 160V 10A 117W 0.8MHz SI-P 120V 0.1A 0.6W >150MHz SI-P 45V 0.6A 0.7W 200MHz SI-N 65V 0.35A 7W 500MHz SI-N 30V 0.05A 0.2W 1.4GHz SI-N 250/175V 2A 35W >10MHz SI-N 40V 0.25A 23W 400MHz SI-N 40V 0.2A 0.2W SI-N 140V 1A 0.5W 200MHz SI-N 30V 0.03A 0.36W 100MHz
SI-N 30V 0.03A 0.36W 80MHz SI-N 100V 10A 150W 4MHz SI-N 80V 0.5A 1W 35/60ns SI-P 60V 4A 25W >4MHz SI-N 80V 4A 25W >4MHz SI-N 300V 0.05A 1W >30MHz SI-N 100V 4A 20W >10MHz SI-N 50V 30A 150W POWER SI-N 100V 20A 150W POWER SI-N 160V 16A 150W POWER SI-P 80V 10A 150W 4MHz N-FET 25V 20mA 0.36W P-FET 20V 15mA 0.36W N-FET 50V 2.5mA 0.3W N-FET 50V 10mA 0.3W <250E SI-N 55V 0.4A 1W 175MHz SI-N 60V 0.2A .35W 300MHz SI-P 40V 0.2A .35W 250MHz P-FET 20V 10MA 0.3W N-FET 50V 5mA 0.25W SI-P 80V 0.2A 0.36W >40MHz N-FET 40V 50mA 1.8W SI-N 100V 1A 15W 40MHz SI-P 80V 1A 0.8W 150MHz SI-P 90V 1A 1W 60MHz GE-P 13V 15mA 80mW 6.8MHz SI-P 25V 200mA HF N-FET 30V 0.2A SI-P 80V 3A 1W >3MHz GE-P 30V 0.4A 0.15W B>40 GE-P 30V 0.4A 0.15W B>60 SI-N 30V 0.05A 0.25W SI-N 45V 0.1A 0.25W 40MHz SI-P 40V 0.2A 0.25W 150MH N-FET 30V 0.5mA 0.3W SI-N 140V 5A 100W 0.8MHz SI-N 140V 10A 120W >0.2MHz N-FET 30V 30mA 0.3W 140KHz N-FET 40V 50mA 30E Up<10V N-FET 40V 25mA 60E Up<5V N-FET 40V 5mA 100E Up<3V SI-N 60V 0.6A 200MHz SI-P 40V 0.6A 200MHz N-FET 30V 15mA VHF/UHF SI-N 40V 0.2A 0.36W SI-N 40V 0.4A 1W 175MHz SI-P 80V 5A 87.5W >4MHz