习题解答 1篇2 三极管
(完整版)第二章三极管练习题(2)
第二章练习题一、填空题：1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。
2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。
3.三极管是___________控制器件。
4.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
5．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。
6.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
7．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。
8．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
8、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的型的三极管。
9、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。
二、选择题：1、下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。
A、V BE>0,V BE<V CE时B、V BE<0，V BE<V CE时C、V BE>0，V BE>V CE时D、V BE<0，V BE>V CE时2、工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为。
A、10B、50C、80D、1003、NPN型和PNP型晶体管的区别是。
A、由两种不同的材料硅和锗制成的B、掺入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同D、管脚排列方式不同4、三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是A、B、C、D、5、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将A、增大B、减少C、反向D、几乎为零6、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏7、对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为U B=2.7V，U E=2V，U C=6V，则该管工作在。
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。
2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。
3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。
4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。
三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。
（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。
（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。
（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。
（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。
2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。
3. 解释什么是三极管的放大作用。
4. 简述二极管整流电路的工作原理。
五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。
2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。
3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。
六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。
2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。
《电子电路基础》习题解答第1章
第一章习题解答题1.1 电路如题图1.1所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压ＵＡＯ。
设二极管是理想的。
解：分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。
正偏时硅管的导通压降为0.6～0.8V 。
锗管的导通压降为0.2～0.3V 。
理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。
分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P 端）与阴极（N 端）的电位差。
若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。
如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。
一般情况下，对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（N 端）连在一起的电路，只有阳极（P 端）电位最高的处于导通状态；对于阳极（P 端）连在一起的二极管，只有阴极（N 端）电位最低的可能导通。
图（a ）中，当假设二极管的VD 开路时，其阳极（P 端）电位P U 为-6V ，阴极（N 端）电位N U 为-12V 。
VD 处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。
理想情况为零，相当于短路。
所以V U AO 6-=；图（b ）中，断开VD 时，阳极电位V U P 15-=，阴极的电位V U N 12-=， ∵ N PUU < ∴ VD 处于反偏而截止∴ VU AO 12-=； 图（c ），断开VD1,VD2时∵ V U P 01= V U N 121-= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U<∴ VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止V U AO 0=；或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起∴ 阳极电位高的VD1就先导通，则A 点的电位V U AO 0=，而 A N P U UV U =<-=2215∴ VD2处于反偏而截止 图（d ），断开VD1、VD2，∵ V U P 121-= V U N 01= 11N P U U < V U P 122-= VU N 62-= 22N P U U <；∴ VD1、VD2均处于反偏而截止。
电气工程半导体三极管及其电路分析习题及解答
第二章半导体三极管及其电路分析题 有二个晶体管，一个β=200，I CEO =200µA；另一个β=50，I CEO =10µA 其余参数大致相同。
你以为应选用哪个管子较稳固？解： 选β=50,I CEO =10μA 的管子较稳固。
题 有甲、乙两个三极管一时识别不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压别离为：甲管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =；乙管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =。
试分析三个电极中，哪个是发射极、基极、集电极？它们别离是NPN 型仍是PNP 型，是锗管仍是硅管？解： 甲管为NPN 型硅管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极；乙管为PNP 型锗管， 其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极。
题 共射电路如图题所示。
现有以下各组参数：（1） V CC =15V ，R b =390k Ω，R c =Ω，β=100（2） V CC =18V ，R b =310k Ω，R c =Ω，β=100（3） V CC =12V ，R b =370k Ω，R c =Ω，β=80（4） V CC =6V ，R b =210k Ω，R c =3 k Ω，β=50判定电路中三极管T 的工作状态（放大、饱和、截止）。
图题解： (1)工作在放大状态(工作在放大区)；(2)工作在饱和状态(工作在饱和区)；(3)工作在放大状态(工作在放大区)；(4)工作在放大状态(工作在放大区)。
题 从图题所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。
（1） 是锗管仍是硅管？（2） 是NPN 型仍是PNP 型？（3） 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断仍是短路？）[提示：注意在放大区，硅管V V V V E B BE 7.0≈-=，锗管V V BE 3.0≈，且E C CE V V V -=>；而处于饱和区时，V V CE 7.0≤。
§2.3 双极性晶体三极管综合习题1与参考答案-2018-6-10
§2.3 双极性晶体三极管综合习题1与答案考核内容1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。
2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。
双极性晶体三极管综合习题1一、填空题1、晶体三极管（Transistor）是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。
在模拟电子电路中，它起放大作用；在脉冲和数字电路中，它起开关作用，逻辑门电路中的三极管则工作在截止状态和饱和状态。
2、晶体三极管是一个三端器件，根据其构造的不同，大体上可分双极型晶体管BJT（Bipolar Junction Transistor）和场效应管FET（Field Effect Transistor）。
3、双极晶体管（BJT）是一种电流控制器件，“双极”的含义是指其工作时电子和空穴这两种载流子都同时参与导电。
双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管。
4、场效应管（FET）是电压控制型元件，利用场效应原理工作的晶体管，具有输入阻抗高，热稳定性好，抗辐射能力较强，集成度较高特点。
5、场效应晶体管又包含两种主要类型：结型场效应管（Junction FET，缩写为JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide Semiconductor FET，缩写为MOS-FET）。
其中，MOS管还分为增强型和耗尽型两种。
与BJT不同的是，FET只由一种载流子（多数载流子）参与导电，因此场效应管也称为单极型晶体管。
*6、场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
7、双极晶体管（BJT）是由两个相距很近的PN结，通过一定的工艺制作成的一种半导体器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管。
8、晶体三极管两个PN结两个PN结，一个PN结为发射结，另一个PN结为集电结。
将发射极与基极之间的PN 结称为发射结；集电极与基极之间的PN结称为集电结。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、选择题1. 三极管的三个主要极是发射极、基极和______。
A. 集电极B. 栅极C. 门极D. 源极答案：A2. 在NPN型三极管中，基极电流增加时，集电极电流的变化趋势是______。
A. 减少B. 增加C. 不变D. 先增加后减少答案：B3. 三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对______电流的控制。
A. 基极B. 发射极C. 集电极D. 栅极答案：C二、填空题4. 三极管的工作原理是基于______效应。
答案：PN结5. 在三极管放大电路中，基极与发射极之间的电压称为______电压。
答案：正向偏置三、判断题6. 三极管可以工作在截止、饱和和放大三种状态。
（）答案：正确7. 所有的三极管都可以用作开关。
（）答案：错误四、简答题8. 简述三极管放大电路的基本工作原理。
答案：三极管放大电路的基本工作原理是利用三极管的电流放大作用，通过控制基极电流，实现对集电极电流的放大。
当基极电流增加时，由于基极与集电极之间的电流放大倍数（β值），集电极电流也会相应增加，从而达到放大信号的目的。
9. 什么是三极管的饱和状态？答案：三极管的饱和状态是指在三极管的集电极与发射极之间电压达到最大值，使得集电极电流达到最大，此时三极管的放大作用达到极限，无法进一步放大信号。
五、计算题10. 已知NPN型三极管的β值为100，基极电流为20μA，求集电极电流。
答案：根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，集电极电流IC = 100 * 20μA = 2mA。
六、分析题11. 某三极管放大电路的基极电流为50μA，若要使集电极电流增加到5mA，需要调整基极电流到多少？答案：首先，根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，可以求出基极电流IB = IC / β。
已知IC为5mA，β值未知，设β值为X，则有5mA = 50μA * X。
解得X = 100。
因此，基极电流需要增加到50μA * 100 = 5mA。
三极管复习题及答案
三极管复习题及答案三极管是电子技术中常用的一种器件，广泛应用于放大、开关和稳压等电路中。
它由三个掺杂不同材料的半导体区域组成，分别是基区、发射区和集电区。
三极管的工作原理是基于PN结的导电特性，通过控制基区的电流来控制发射区和集电区之间的电流。
在学习三极管的过程中，我们需要通过复习题来巩固所学的知识。
下面是一些常见的三极管复习题及其答案，希望对大家的学习有所帮助。
1. 什么是三极管的放大倍数？答：三极管的放大倍数是指集电极电流变化与基极电流变化之间的比值。
一般用β表示，也叫做电流放大倍数或直流放大倍数。
2. 三极管的三个区域分别是什么？答：三极管的三个区域分别是基区、发射区和集电区。
其中，基区位于发射区和集电区之间，发射区连接基区和集电区。
3. 三极管的工作原理是什么？答：三极管的工作原理是基于PN结的导电特性。
当基极电流为零时，三极管处于截止状态，没有集电极电流。
当基极电流大于零时，三极管处于饱和状态，有较大的集电极电流。
4. 什么是共射放大电路？答：共射放大电路是一种常见的三极管放大电路，也是最常用的一种。
在共射放大电路中，输入信号与基极之间串联，输出信号与集电极之间并联。
5. 三极管的工作状态有哪些？答：三极管的工作状态分为截止状态、饱和状态和放大状态。
截止状态下，三极管的集电极电流为零；饱和状态下，三极管的集电极电流较大；放大状态下，三极管的集电极电流受到基极电流的控制。
6. 三极管的常见应用有哪些？答：三极管在电子技术中有广泛的应用。
它可以用于放大电路、开关电路、振荡电路、稳压电路等。
例如，三极管可以用于放大音频信号，使得声音更加清晰；它还可以用于开关电路，控制其他器件的开关状态。
通过对这些复习题的学习，我们可以更好地理解和掌握三极管的工作原理和应用。
同时，我们也要多做一些实际的电路设计和调试，加深对三极管的理解。
当然，除了以上的复习题，还有很多其他的问题和知识点需要我们去学习和掌握。
《模拟电子技术》胡宴如主编耿苏燕版(第四版)习题解答第2章
第2章放大电路中某三极管三个管脚○1○2○3测得对地电位-8V ，-3V,和3V 、12V 、，试判别此管的三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，是硅管还是锗管解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为，对锗管则为。
（1）三极管工作在放大区时，U B 值必介于U C 和U E 之间，故对应的管脚○3为基极，U B =，○2脚电位与○3脚基极电位差为，所以○2脚为发射极，则○1脚为集电极，该管为PNP 锗管。
（2）由于○3脚电位为介于3V 和12V 之间，故○3脚为基极，○1脚电位低于○3脚，故○1脚为发射极，则○2脚为集电极，该管为NPN 硅管。
对图所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，估算其β值。
解：（a ）因为i B <i C <i E ，故①、②、③脚分别为集电极、发射极和基极。
由电流流向可知是NPN 管：4904.096.1==≈mAmAi i B C β （b ）①、②、③脚分别为基极、集电极和发射极。
由电流流向知是PNP 管10001.01==≈mAmA i i B C β 图所示电路中，三极管均为硅管，β=100，试判断各三极管的工作状态，并求各管的图图I B 、I C 、U CE 。
解：（a ）mA k VV I B 1.0517.06≈Ω-=设三极管工作在放大状态，则 I C =βI B =100×=10mA U CE =16V －10mA ×1k Ω=6V由于U CE =6V>U CE =，三极管处于放大状态，故假设成立。
因此三极管工作在放大状态，I B =，I C =10 mA ，U CE =6V 。
（b ）mA k VI B 077.056)7.05(=Ω-=设三极管工作在放大状态，则得 I C =βI B =100×= 则U CE =-(5V －×3k Ω)=-(5V － ＞0说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为mA k V R U V I I C CES CC CS C 57.13V3.0-5=Ω=-==因此三极管的I B=，I C=，U CE=U CES≈（c）发射结零偏置，故三极管截止，I B=0，I C=0，U CE=5V。
3极管的三种工作状态判断例题及解析
3极管的三种工作状态判断例题及解析
三极管有三个工作状态：截止状态、放大状态和饱和状态。
以下是一些判断三极管工作状态的例题及解析：
例题1：
题目：已知某晶体管处于放大状态，测得其三个电极的电位分别为6V、9V 和，则9V电位的电极应为（）。
A. 基极
B. 集电极
C. 发射极
解析：根据三极管放大电路的特点，基极电位处于两个集电极电位之间，且基极电位比发射极电位高左右。
根据给定的电位值，可以判断出6V为发射极电位，为基极电位，剩下的9V则为集电极电位。
因此，正确答案是B. 集电极。
例题2：
题目：已知某晶体管处于饱和状态，测得其三个电极的电位分别为、和，则电位的电极应为（）。
A. 基极
B. 集电极
C. 发射极
解析：根据三极管饱和状态的特点，基极电位与集电极电位接近或相等，且均高于发射极电位。
根据给定的电位值，可以判断出为发射极电位，为基极电位，剩下的则为集电极电位。
因此，正确答案是B. 集电极。
例题3：
题目：已知某晶体管处于截止状态，测得其三个电极的电位分别为5V、0V 和5V，则0V电位的电极应为（）。
A. 基极
B. 集电极
C. 发射极
解析：根据三极管截止状态的特点，基极电位和集电极电位均为高电位，而发射极电位为低电位。
根据给定的电位值，可以判断出5V为两个集电极电位中的一个，而另一个5V则为基极电位，剩下的0V则为发射极电位。
因此，正确答案是C. 发射极。
电子技术第二章习题及答案
第二章晶体三极管及其放大电路一、填空题1.三极管有二个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏，结必须反偏。
2.三极管有型和型，前者的图形符号是后者的图形符号是。
3.三极管各电极电流的分配关系是。
4.三极管输出特性，曲线可分为三个区域，即区、区和区。
当三极管工作在区时，关系式IC =βIB才成立；当三极管工作在区时，IC =0；当三极管工作在区时，UCE=05.有两只三极管，A管的β=200，ICEO =100μA；B管的β=60，ICEO=15μA；管比管性能好。
6.三极管的反向饱和电流ICBO 随温度升高而，穿透电流ICEO随温度升高而，β值随温度的升高而。
7.某三极管的管压降UCE 保持不变，基极电流IB=30uA时，IC=1.2mA,则发射极电流IE=如果基极电流IB 增大到50uA时，IC增加到2mA，则三极管的电流放大系数β= 。
8.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件。
9.处于放大状态的三极管，IC 与IB的关系是，处于饱和状态的三极管IC不受I B 控制，了放大作用，处在截止状态的三极管IC。
10.PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中极电位最高，极电位最低。
11.放大电路的功率放大倍数为100，功率增益为。
12.输入电压为400mV，输出电压为4V，放大电路的电压增益为。
13.晶体三极管放大电路中，当输入信号达到一定时，静态工作点设置太低将使信号产生失真。
14.在共射极放大电路中，当RC减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变。
共射极放大电路的输出信号是取自于三极管的极。
15.用NPN管的分压式偏置放大电路中，如果把上偏置电阻减小而其它不变，则三极管的集电极电流将。
16.在NPN管放大电路中，当集电极电流减少时，它的UCE电压是。
17.两级放大电路第一级电压放大倍数为100，第二极电压放大倍数为60，则总的电压放大倍数为。
18、多级放大电路常用的耦和方式有、和三种形式。
2章习题答案
2 半导体三极管自我检测题一．选择和填空1. 三极管工作在放大区时，发射结为_A_，集电结为_B_，工作在饱和区时，发射结为_A_，集电结为_A_。
（A ．正向偏置，B ．反向偏置，C ．零偏置） 2. NPN 和PNP 型三极管的区别取决于 D 。
（A ．半导体材料硅和锗的不同，B ．掺杂元素的不同，C ．掺杂浓度的不同，D ．P 区和N 区的位置不同）3. 三极管的共射交流电流放大系数定义为I C 变化量（或ΔI C ）与I B 变化量（或ΔI B ）之比，共基交流电流放大系数定义为I C 变化量（或ΔI C ）与I E 变化量（或ΔI E ）之比。
已知某三极管的＝，那么该管的99 。
4. 三极管的I CBO 是指_发射_极开路时，集电_极与 基 极间的反向饱和电流；I CEO 是指基 极开路时，_集电_极与_发射__极之间的穿透电流。
5. 随着温度升高，晶体管的穿透电流CEO I A 。
（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）6．对于同一个三极管来说，CBO I A CEO I ；BR(CBO)V B BR(CEO)V 。
（A ．小于， B ．大于，C ．等于）7. V CE 增加时，晶体管的共射极输入特性曲线_ A __，V CE 达到1V 以后，输入特性曲线_C___。
（A ．右移， B ．左移，C ．不变）8. 已知某三极管的P CM ＝800mW ，I CM ＝500mA,，BR(CEO)V ＝30V 。
若该管子在电路中工作电压V CE ＝10V ，则工作电流I C 不应超过 80 mA ；若V CE ＝1V ，则I C 不应超过 500 mA 。
若管子的工作电流I C ＝10mA ，则工作电压V CE 不应超过 30 V ；若I C ＝200mA ，则V CE 不应超过 4 V 。
9. N 沟道和P 沟道场效应管的区别在于 C 。
（A ．衬底材料前者为硅，后者为锗， B ．衬底材料前者N 型，后者为P 型，C ．导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴）10. 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流小；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的小。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 三极管的三个极分别是：A. 基极、发射极、集电极B. 基极、阴极、阳极C. 基极、发射极、阴极D. 基极、阳极、集电极答案：A2. NPN型三极管的基极电压相对于发射极电压：A. 必须高于B. 必须低于C. 可以相等D. 无要求答案：A3. 三极管放大作用的实质是：A. 电流放大B. 电压放大C. 功率放大D. 电阻放大答案：C4. 在三极管的三种工作状态中，放大状态的特点是：A. 基极电流变化引起集电极电流变化B. 基极电流变化引起发射极电流变化C. 基极电流变化引起基极电流变化D. 基极电流变化引起阳极电流变化答案：A5. 要使三极管工作在放大区，其基极电流与发射极电流的关系是：A. 基极电流大于发射极电流B. 基极电流小于发射极电流C. 基极电流等于发射极电流D. 基极电流与发射极电流无关答案：B6. 三极管的放大倍数β表示的是：A. 基极电流与集电极电流的比值B. 基极电流与发射极电流的比值C. 发射极电流与集电极电流的比值D. 集电极电流与基极电流的比值答案：D7. 三极管的饱和区是指：A. 基极电流很小，集电极电流很大B. 基极电流很大，集电极电流很小C. 基极电流很小，集电极电流很小D. 基极电流很大，集电极电流很大答案：D8. 为了减小三极管的热稳定性，可以采取的措施是：A. 增加基极电流B. 降低基极电流C. 增加集电极电流D. 降低集电极电流答案：B9. 三极管的截止状态是指：A. 基极电流为零B. 基极电流很大C. 集电极电流为零D. 集电极电流很大答案：A10. 三极管的开关特性是指：A. 三极管可以作为开关使用B. 三极管可以作为放大器使用C. 三极管可以作为整流器使用D. 三极管可以作为稳压器使用答案：A二、填空题（每题2分，共10分）1. 三极管的放大作用是通过______来实现的。
答案：基极电流控制集电极电流2. 在三极管的放大区，基极电流与集电极电流的比值称为______。
半导体二极管和三极管习题及答案
半导体二极管和三极管习题及答案一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后，（）。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由（）构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在（）。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是（）器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流12、场效应管是（）器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是（）。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的作用是（）。
A.限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C.防止信号源被短路D.保护直流电压源EC15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位（）。
电子技术习题解答.第2章.基本放大电路及其分析习题解答
第 2 章基本放大电路及其分析习题解答2.1 三极管放大电路为什么要设置静态工作点，它的作用是什么？解：防止产生非线性失真。
2.2 在分压式偏置电路中，怎样才能使静态工作点稳定，发射极电阻的旁路电容C E 的作用是什么，为什么？解：使静态工作点稳定条件l2»l B和V B»U B E。
称为发射极电阻的旁路电容C E 对直流而言，它不起作用，电路通过R E 的作用能使静态工作点稳定；对交流而言，它因与R E并联且可看成短路，所以R E不起作用，保持电路的电压放大倍数不会下降。
2.3 多级放大电路的通频带为什么比单级放大电路的通频带要窄?解：因为多级放大电路的电压放大倍数大于单级放大电路的电压放大倍数，而放大电路的电压放大倍数和通频带的乘积基本为常数，所以多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要窄。
2.4 对于共集电极放大电路，下列说法是否正确?(1) 输出信号方向与输入信号方向相反。
(2) 电压放大倍数小于且约等于1。
(3) 输入电阻大。
(4) 输出电阻小。
解：(1) 不正确。
(2) 、(3) 和(4) 正确。
2.5 放大电路的甲类、乙类和甲乙类三种工作状态各有什么优缺点？解：甲类：静态工作点Q大致落在交流负载线的中点，功率损耗大效率低，不失真。
乙类：静态工作点Q下移到截止区处，功率损耗很小，效率高。
但此时将产生严重的失真。
甲乙类：静态工作点Q下移到接近截止区，功率损耗较小，失真也较小。
2.6 什么是交越失真？如何克服交越失真，试举例说明？解：放大电路工作于乙类状态，因为三极管的输入特性曲线上有一段死区电压，当输入电压尚小，不足以克服死区电压时，三极管就截止，所以在死区电压这段区域内(即输入信号过零时)输出电压为零，将产生失真，这种失真叫交越失真。
为了避免交越失真，可使静态工作点稍高于截止点，即避开死区段，也就是使放大电路工作在甲乙类状态。
2.7为什么增强型绝缘栅场效应管放大电路无法采用自给偏压电路？ 解：因为增强型绝缘栅场效应管的U GS 为正，所以，自给偏压电路不适应增强型绝缘栅场效应管，只适应耗尽型绝缘栅场效应管。
二极管三极管练习题(学生用)
一、填空题1．纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
2．本征半导体的主要特性有、、。
3．杂质半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。
4．N型半导体是在本征半导体中掺入__ _价元素，其多数载流子是_ ___，少数载流子是__ _。
5．P型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数载流子是____ _，少数载流子是__ __ _。
6．已知杂质半导体中的载流子和离子如图0001所示，请指出各为何种类型的杂质半导体：(a)为；(b为。
图0001 杂质半导体中的载流子和离子7．PN结正向偏置时，内、外电场方向；PN结反向偏置时，内、外电场方向。
8．PN结具有性，______偏置时导通，______偏置时截止。
9．PN结的电击穿包括和两类。
10．按材料不同，二极管可分为和两类。
11．按制造工艺及结构不同，二极管可分为、两类。
12．二极管P区接（高，低）电位端，N区接（高，低）电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
13．U T为温度的电压当量，当温度为室温时，U T≈mV。
14．三极管属控制型器件。
15．在构建放大电路时，双极型三极管应工作于区，即发射结应为偏置，集电结应为偏置。
16．根据器件的符号填上器件的名称：7．某三极管，当测得A I B μ30=时，mA I C 2.1=，则发射极电流=E I mA18．根据图0014填空（设晶体管处于放大状态）。
图001419．某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2=-6V ，U 3=-6.2V ，则三极管为 型管。
单项选择题1．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷2．当环境温度降低时，二极管的反向电流（ ）A. 不变B. 增大C. 减小D. 无法判断3．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1k Ω，说明该二极管（ ）。
数字电路和集成逻辑门电路习题解答
思考题与习题1-1 填空题1）三极管截止的条件是U BE ≤0V。
三极管饱和导通的条件是I B≥I BS。
三极管饱和导通的I BS是I BS≥（V CC－U CES）/βRc。
2）门电路输出为高电平时的负载为拉电流负载，输出为低电平时的负载为灌电流负载。
3）晶体三极管作为电子开关时，其工作状态必须为饱和状态或截止状态。
4） 74LSTTL电路的电源电压值和输出电压的高、低电平值依次约为 5V、2.7V、0.5V 。
74TTL电路的电源电压值和输出电压的高、低电平值依次约为 5V、2.4V、0.4V 。
5）OC门称为集电极开路门门，多个OC门输出端并联到一起可实现线与功能。
6） CMOS 门电路的输入电流始终为零。
7） CMOS 门电路的闲置输入端不能悬空，对于与门应当接到高电平，对于或门应当接到低电平。
1-2 选择题1）以下电路中常用于总线应用的有 abc 。
A.TSL门B.OC门C.漏极开路门D.CMOS与非门2）TTL与非门带同类门的个数为N，其低电平输入电流为1.5mA，高电平输入电流为10uA，最大灌电流为15mA，最大拉电流为400uA，选择正确答案N最大为 B 。
A.N=5B.N=10C.N=20D.N=403）CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是 ACD 。
A.微功耗B.高速度C.高抗干扰能力D.电源范围宽4）三极管作为开关使用时，要提高开关速度，可 D 。
A.降低饱和深度B.增加饱和深度C.采用有源泄放回路D.采用抗饱和三极管5）对于TTL与非门闲置输入端的处理，可以 ABD 。
A.接电源B.通过电阻3kΩ接电源C.接地D.与有用输入端并联6）以下电路中可以实现“线与”功能的有 CD 。
A.与非门B.三态输出门C.集电极开路门D.漏极开路门7）三态门输出高阻状态时， ABD 是正确的说法。
A.用电压表测量指针不动B.相当于悬空C.电压不高不低D.测量电阻指针不动8）已知发光二极管的正向压降U D = 1.7V ，参考工作电流I D = 10mA ， 某TTL 门输出的高低电平分别为U OH = 3.6V ，U OL = 0.3V ，允许的灌电流和拉电流分别为 I OL = 15mA ，I OH = 4mA 。
二极管、三极管放大电路练习题
R
Ui
D
VD＋ = Ui = 5V
+
U0
_
VD－ =0V
R
+
Ui
D U0
_
(2)求出断开两点间的 电位差VD 。
VD= VD＋ － VD－ =5V
例1：设二极管为理想二极管，试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
(3)判断二极管的导通状态
R
+
Ui
D
U0
_
∵ VD= 5V>0 ∴ 二极管D导通
R
+
UD+－UD－≥UF，二极管导通，等效为UF恒压源； UD+－UD－<UF，二极管截止，等效为断路。 • 折线模型
UD+－UD－≥Uth，二极管导通，等效为Uth恒压源串联电阻； UD+－UD－<Uth，二极管截止，等效为断路。
例1：设二极管为理想二极管，试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
解:(1)断开二极管D
二极管及其基本电路、三极管练习
二极管复习
1、二极管基本电路的分析方法：
关键是判断二极管的导通与截止
首先假设二极管断开，然后求得二极管正极和负极之 间的电压。如该电压大于导通电压，则说明该二极管导通， 两端的实际电压为二极管的导通电压；如果该电压小于导 通电压，则说明该二极管截止。然后进一步计算所要求的 各物理量。
可见，二极管接入后，反向偏置，VD处于截止状态。电 路中电流为0，电阻上压降为0，所以
Vo=VB=VC=-5V
3：设二极管为理想二极管，试判断各个二极管 的工作状态，求输出电压U0的大小。
(1)设D1、D2都断开，设0电位点
三极管例题解析
3.电路如图所示，已知三极管的β=100，VBE=-0.7V（1）试计算该电路的Q点；（2）画出简化的H参数小信号等效电路；（3）求该电路的电压增益AV，输入电阻RI,输出电阻RO。
（4）若VO中的交流成分出现如图所示的失真现象，问是截止失真还是饱和失真？为消除此失真，应调节电路中的哪个元件，如何调整？解：(1)ＩB=ＶCC/Ｒb=40μAＶCE=-(ＶCC-ＩC.ＲC)=-4V(2)步骤：先分别从三极管的三个极（b、e、c）出发，根据电容和电源交流短接，画出放大电路的交流通路；再将三极管用小信号模型替代；并将电路中电量用瞬时值或相量符号表示，即得到放大电路的小信号等效电路。
注意受控电流源的方向。
（图略）(3)ｒbe=200+(1+β)26mA/ＩEQ =857ΩＡV=-β(ＲC//ＲL)/ｒbe=-155.6(4)因为ＶEB=-ｖi+ＶCb1=-ｖi+ＶEB从输出波形可以看出，输出波形对应ｖs正半周出现失真，也即对应ＶEB减小部分出现失真，即为截止失真。
减小Ｒb，提高静态工作点，可消除此失真。
例4.电路如图所示为一两级直接耦合放大电路，已知两三极管的电流放大倍数均为β，输入电阻为ｒbe，电路参数如图，计算放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
解：本放大电路为一两级直接耦合放大电路，两极都是共集电极组态。
计算其性能指标时，应注意级间的相互影响。
（1）求电压放大倍数ＡV=ＶO/Ｖi画出放大电路的小信号等效电路。
ＡV1=ＶO1/Ｖi=（1+β）（Re1//RL1）/[ｒbe+（1+β）（Re1//RL1）]ＡV2=ＶO/ＶO1=（1+β）（Re2//RL）/[ｒbe+（1+β）（Re2//RL）]ＡV=ＶO/Ｖi=ＡV1*ＡV2其中：RL1为第一级放大电路的负载电阻，RL1=ｒbe+（1+β）（Re2//RL）（2）输入电阻RiRi=Ｖi/I i=Rb1//[ｒbe+（1+β）（Re1//RL1）（3）输出电阻RoRo=Re2//[（ｒbe+Ro1）/（1+β）]其中：Ro1为第一级放大电路的输出电阻，Ro1=Re1//[（ｒbe+（Rb1//Rs））/（1+β）]例．分析共源放大电路解：1.静态分析对于耗尽型场效应管，当工作在饱和区时，其漏极电流和漏源间电压由下式近似决定又ＶGS=ＩD．Ｒs将上两式联立，求得ＩD和ＶGS，则ＶGS=ＶDD-ＩD(Ｒd+Ｒs)2.动态分析（1）画出微变等效电路（2）电压放大倍数Ａv=-ｇm(Ｒd//ＲL)，式中符号表示输出电压与输入电压反相。
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集成电子技术基础
〖题1.2.3〗 从图示各三极管电极上测得的对地电压数据中， 分析各管的类型和电路中所处的工作状态。
（1）是锗管还是硅管？
（2）是NPN型还是PNP型？ （3）是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？ 或是已经损坏？
浙江大学 蔡忠法
集成电子技术基础
〖解〗
NPN 硅管 饱和状态
PNP 锗管 放大状态
浙江大学 蔡忠法
集成电子技术基础
PNP 锗管 b-e结已开路
NPN 硅管 放大状态
注：类型可根据型号得Байду номын сангаас 。
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集成电子技术基础
PNP 锗管 截止状态
PNP 锗管 放大状态
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集成电子技术基础
NPN 硅管 放大状态
PNP 硅管 临界饱和状态 注：短路是指管子已坏 。
集成电子技术基础
〖题1.2.6(b)〗 已知β＝50，求IC＝？ 〖解〗
6.7 V 0.7 V IE 6 mA Re
I C I E 6 mA
VCE [12 I E ( Rc Re )] 0 V
不正确。因为|VCE|＞0.7V(或VCE＜ – 0.7V)时， 才为放大区。可见，三极管实际上工作在饱和区。
浙江大学 蔡忠法
集成电子技术基础
饱和区时，IC IE，因 此需重新计算。
12V - I E Re | VCES | IC Rc 12 6 0.3 1 5.7 mA
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集成电子技术基础
蔡忠法 Ver1.0
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浙江大学 蔡忠法
集成电子技术基础
（3）S接通A时，为使管子饱和，求Rc范围
15 0.7 IB 100 0.143 mA
I C I B 50 0.143 7.1 mA
VCE 15 IC Rc 0.7 V
15 0.7 Rc 2 k IC
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I C I B 50 0.143 7.1 mA
VCE 15 IC RC 20.5 V
因为VCE < 0V，所以管子为饱和区。
VCE VCES 0.3 V
15 VCES IC 2.94 mA RC
浙江大学 蔡忠法
集成电子技术基础
S接通C时：
因为VBE < 0V（发 射结反偏），所以管子 截止。 IB＝IC＝0 VCE=15 V
浙江大学 蔡忠法
集成电子技术基础
〖题1.2.4〗 图示电路中，设晶体管 β＝50，VBE＝0.7V 。 （1）试估算开关S分别接通A、B、C时的 IB、 IC、VCE ，并说明管子处于什么工作状态。 （3）在开关置 于A时，为使管子工 作在饱和状态，Rc的 值不应小于多少？
浙江大学 蔡忠法
集成电子技术基础
〖解〗 （1）S接通B时：
15 0.7 IB 500 0.0286 mA
I C I B 50 0.0286 1.43 mA
VCE 15 IC RC 7.85 V
因为VCE > 0.7V，所以管子为放大区。
浙江大学 蔡忠法
集成电子技术基础
S接通A时：
15 0.7 IB 100 0.143 mA