TRI-518测试原理
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• 如圖(3.22)所示，在IC上蓋一Sensor Plate，則IC
內Lead Frame與Sensor Plate之間會產生一微小 的電容效應，此時若在IC測試腳上輸入一300mV、 10KHz信號，則時信號透過此電容效應由Lead Frame Coupling 到Sensor Plate上，Sensor Plate 接收此信號經濾波及放大後送給系統作處理；若 此測試腳焊接不良(Solder Open)，信號將無法傳 到Lead Frame，系統接收到的信號將趨近於零。
可通過測其DIODE來判定插反,空焊,漏件,開/短 路以及IC保護DIODE不良等情形, 但對IC內部 的電性不良則必須仰賴功能測試
TestJet測試原理(Lead Frame的電容效應)
• 如图（3.21）所示，IC之內部主要結構為晶片本
身(Die)、細小的金線(Bond Wire)、較粗的連接線 (Lead Frame)、以及外接焊腳的接點(Solder Joint)。
0V-10V可程式電壓源(Programmable Voltage)直 接加在二極體兩端，並輸入該二極體正向導通所 需電壓來測試
左图为二極體測試原理
齊納二極體(Zener Diode)測試原理
• 齊納二極體的測試原理是量測其崩潰電壓，
與二極體的差異性是在測試電壓源不同， 其電壓源為0V- -10V及0V- -48V可程式電壓 源兩種
齊納二極體測試原理
電晶體(Transistor)測試原理
• 對於電晶體測試需要三步驟(Step)測試，其中(1)B-E腳
(2)B-C腳測試是使用二極體測試方式(3)E-C腳使用Vcc的飽 和電壓值及截止電壓值的不同，來測試電晶體是否反插。 電晶體反插測試方法為：在電晶體的B-E腳及E-C腳兩端各 提供一個可程式電壓源，並測量出電晶體E-C腳正向的飽 和電壓值為Vce=0.2V左右，若該電晶體反插時，則Vce電 壓將會變成截止電壓，並大於0.2V，如此即可測出電晶體 反插的錯誤
LED
• 此時, 將ACT_V及
STD_V均設為2V或更 高, 這樣可看到LED發 光. 不然, 要適當延時, 亦可看見發光.
◎ 電容極性測試
• 電容極性測試的另一方
法是三端測試, 須在上 方加一探針觸及殼體. 在電容的正負極加載直 流電壓, 至充飽后測量 殼體電壓. 由于正負極 與殼體間的阻抗差異, 故對于插反的電容所測 量到的殼體電壓會與正 確時不同. 據此可判別 電容的極性.
• 交流相位(AC phase)測試模式(Mode3、Mode4、Mode5 )
由於電路設計關係，被測試電阻，將會並聯著電感等元件， 對於此電阻值測量，若使用固定電流源方式測試，電阻值 將會偏低而無法測量出真正的電阻值，故使用AC電壓源， 利用相位角度的領先，及落後方式而得知被測電阻值。故 其測試方式為：提供一個適當頻率的AC電壓源V，同時在 被測電阻兩端測量出Iz，由於V=Iz*Zr1，因為V及Iz已知， 故可得知Zr1，又因為R=Zr1*cosθ，而Zr1及cosθ已知， 故即可得知被測電阻R值
• 快速(High-Speed)測試模式(Mode2)
假如被測電阻並聯一顆0.3μF以上的電容時，若使用上述固 定電流源測試時，需要花費很長的時間，讓電容充飽電荷， 再去測量出Vr值，而得知R值，如此測試方法將增加ICT測 試時間，為解決此問題，可以將固定DC電流源改為0.2V DC固定電壓源，直接接於被測電阻兩端，如此電容將會 在短暫時間內使其Ic=0，故電路上所有電流將流經電阻R。 其測量方式為：提供一個0.2V DC電壓源，當Ic=0時，再 測試流經電阻端的Ir，因為V=IrR，而V及Ir已知，即可得 知電阻R值
FET
• 以N型溝道增強型絕緣
柵場效應管(MOSFET) 為例. 7.1 由于柵極(g)處于不 導電(絕緣)狀態, 通常, 源極(s)與襯底連在一起, 故在漏極(d), 源極(s)存 在一PN結, 可將其當作 D來測.
• 7.2 三點測試, 類似三
極體的三點測試方式.
IC
• 大部分IC在I/O PIN中, 會加上保護DIODE. 故
右图AC相位測試方法
DC固定電流(DC Constant Current)測試模式(Mode4, Mode8)
• 對於3μF以上電容值的電容，若使用上述AC電壓源模式測試時，將需
要較低頻率來測試，而增加ICT測試時間，故可利用電容充電曲線的 斜率方式得知電容值，故其測試方式為：提供一個固定的DC電流源， 並在T1時間測量電容兩端的V1值，及T2時間測量電容兩端的V2值， 由於Slope=(V2-V1)/(T2-T1)=△V/△T，而V1、V2及T1、T2已知，故 得知Slope，又因Slope*C=Constant，VTV2 V1T1 T2VcCISlope=(V2-V1)/(T2-T1)=ΔV/ΔT Slope*C=Constant而Slope及Constant已知，故即可得電容C值
右图固定AC電壓源測試方法)
2、向位(AC PHASE)測量模式(Mode5、Mode6、Mode7 ) 對於電容的測試，若並聯電阻時，則利用相位角度的 落後方式來測量出阻抗值，故其測量方式為：提供一個 適當頻率的AC電壓源並在被測元件兩端測量出Iz，由於 V=Iz*Zrc，而V及Iz已知，故可得知Zrc，又因 Zc=Zrc*sinθ，而Zrc及sinθ已知，故可得知Zc，又因 Zc=1/2*π*f*c，而Zc及f已知，故即可得知電容C值
電容測試原理
1、固定AC電壓源測試模式(Mode0、Mode1、Mode2、Mode3)
• 對於不同阻抗的電容，ICT本身會自動選擇一個適當頻
率(frequency)的AC電壓源，作為測試使用，其頻率計有： 1KHZ，10KHZ，100KHZ，1MHZ，對於極小阻抗值的電 容將需要較高頻率的AC電壓源，再測量被測元件兩端的 電壓源，由於V=Ic*Zc，而V及Ic已知，故得知 Zc=1/2π*f*c，又因f已知，故即可得知電容C
1、在短路群中任何一點與非短路群中任一點之阻抗小於5Ω。 2、不同短路群中任兩點之阻抗小於5Ω。 3、非短路群中任兩點之阻抗小於5Ω
GUARDING原理
GUARDING测试图
电阻测试
一、固定電流源(Constant Current) 對於不同的電阻值，ICT本身會自動限制一個 適當的固定電流源做為測試的訊號源使用，如 此才不會因使用者的選擇不當，因而產生過高 的電壓而燒壞被測試元件，故其測試方式為： 提供一個適當的固定電流源I，流經被測電阻R， 再於被測電阻R兩端，測量出Vr，由於Vr及I已 知，利用Vr=IR公式，即可得知被測電阻R
阻抗值X≦5Ω5Ω＜X≦25Ω25Ω＜X≦55ΩX＞55Ω機器辨視值0、1、2、3螢 幕顯示值1、1、3、4在開路/短路學習時，會將測試針點之間阻抗小於 25Ω的點自動聚集成不同的短路群(Short Groups)。需要學習的時間隨著 量測點數的增加而增加。自我學習時必須確定電路板是良好的，否則學 習到的資料可能是錯誤的。
Die (圖3.21：IC內部結構圖)
Bond Wire Lead Frame
Solder Joint
Sensor Probe
Sensor Plate Lead Frame
300mV, 10KHz
～
(圖3.22：Lead Frame與Sensor Plate)之電容效應)
Cfault
A Cframe
G-P1 : 5
Cap.
_ HiP: 1
+ LoP: 3
• 測試程式
• PartNameAct_VStd_VHlim%Llim%ModeTypeHipLopDlyG-P1CE10.20.12V-
1208PX1305CE110.20.001V-12018PX1113015
• Act_V：Source voltage，建議值為 0.2V • Std_V：Sense Voltage (Threshold)，依實際Debug後決定 • Hlim ：固定為 –1 (Don,t care) • Llim ：建議值為20，可依實際Debug後決定 • Mode : 固定為 8或18(適用於防爆電容) • Type ：固定為 PX • Hip ：電容負端 (source pin) • Lop ：電容正端 • Dly ：依實際Debug後決定 • G-P1 ：Sense Pin
上图DC固定電流測試方法
JUMP測試原理
• ICT提供一個0.1mA的直流電流源量測兩測
試點之間的阻抗值，測量出Vx，由於Vx及I 已知，利用Vx=IR公式，即可得知被測兩端 之量測電阻值(簡稱X)，系統把兩測試點間 之阻抗值，於不同MODE，分別顯示如下
二極體(Diode)測試原理
• 測量方式為：提供一個3mA或20mA的固定電流及
被測電阻於電路上若有並聯(Parallel)著二極體 (Diode)或是IC保護二極體(IC Clamping Diode)時， 對於該電阻兩端測量電壓值若超過0.5V至0.7V左 右時，因為二極體導電的關係，該電阻兩端電壓 將被維持在0.5V至0.7V左右，固無法量測出真正 的Vr值，為解決此問題，只要將原先的電流源降 低一級即可
OPEN PASS
l 短路測試( 在不在同 一SHORT GROUPS的点与 点之間進行 )
SHORT PASS
5Ω
SHORT FAIL
open/short测试原理
基本測試原理: 1開路及短路(Open/Short)的量測原理
ICT提供一個直流電流源到兩個量測點，以確認兩個量測點之間的阻抗值。 电脑會把兩測試針點之間的阻抗值分為四組:
TR-518FE可以在測試參數做開/短路區間設定1. <5,25,55> 2.<15,55,85> 3.<5,20,80>選擇開/短路區間。
開路測試(Open Test)時，在任一短路群(Short Group)中任何兩點之阻抗不得大 於55Ω，否則即是開路測試不良(Open Fail)。
短路測試(Short Test)時分成三種情況，若有以下其中之一的情況發生，則判定 短路測試不良(Short Fail)：
TR-518测试原理
德律泰電子(苏州)有限公司 ICT
OPEN/SHORT測試原理 示意图
• 開/短路學習 • 凡兩兩之間電阻 ≦
25Ω的針號歸入一個 SHORT GROUP, 反之 亦然.
OPEN
25 Ω
SHORT
l 開路測試( 在
SHORT GROUP內的点 与点之间進行 )
OPEN FAIL 55 Ω
模式(Mode0)见右图
• 電阻測試
系统依标准值（STD_V）选取相应大小的电流 源。被測電阻愈大, 測試電流須更小, 以確保 量回被測電阻兩端的電壓VO在規定的範圍 (0.15~1.5V)之內.
低固定電流源(Low Constant Current)模式(Mode1)
• 該測試方法和上述固定電流源模式一樣，只是在
AC電壓源 ～ 0.3V, 10KHz
檢測器
Cframe Cfault 等效電路
內Lead Frame與Sensor Plate之間會產生一微小 的電容效應，此時若在IC測試腳上輸入一300mV、 10KHz信號，則時信號透過此電容效應由Lead Frame Coupling 到Sensor Plate上，Sensor Plate 接收此信號經濾波及放大後送給系統作處理；若 此測試腳焊接不良(Solder Open)，信號將無法傳 到Lead Frame，系統接收到的信號將趨近於零。
可通過測其DIODE來判定插反,空焊,漏件,開/短 路以及IC保護DIODE不良等情形, 但對IC內部 的電性不良則必須仰賴功能測試
TestJet測試原理(Lead Frame的電容效應)
• 如图（3.21）所示，IC之內部主要結構為晶片本
身(Die)、細小的金線(Bond Wire)、較粗的連接線 (Lead Frame)、以及外接焊腳的接點(Solder Joint)。
0V-10V可程式電壓源(Programmable Voltage)直 接加在二極體兩端，並輸入該二極體正向導通所 需電壓來測試
左图为二極體測試原理
齊納二極體(Zener Diode)測試原理
• 齊納二極體的測試原理是量測其崩潰電壓，
與二極體的差異性是在測試電壓源不同， 其電壓源為0V- -10V及0V- -48V可程式電壓 源兩種
齊納二極體測試原理
電晶體(Transistor)測試原理
• 對於電晶體測試需要三步驟(Step)測試，其中(1)B-E腳
(2)B-C腳測試是使用二極體測試方式(3)E-C腳使用Vcc的飽 和電壓值及截止電壓值的不同，來測試電晶體是否反插。 電晶體反插測試方法為：在電晶體的B-E腳及E-C腳兩端各 提供一個可程式電壓源，並測量出電晶體E-C腳正向的飽 和電壓值為Vce=0.2V左右，若該電晶體反插時，則Vce電 壓將會變成截止電壓，並大於0.2V，如此即可測出電晶體 反插的錯誤
LED
• 此時, 將ACT_V及
STD_V均設為2V或更 高, 這樣可看到LED發 光. 不然, 要適當延時, 亦可看見發光.
◎ 電容極性測試
• 電容極性測試的另一方
法是三端測試, 須在上 方加一探針觸及殼體. 在電容的正負極加載直 流電壓, 至充飽后測量 殼體電壓. 由于正負極 與殼體間的阻抗差異, 故對于插反的電容所測 量到的殼體電壓會與正 確時不同. 據此可判別 電容的極性.
• 交流相位(AC phase)測試模式(Mode3、Mode4、Mode5 )
由於電路設計關係，被測試電阻，將會並聯著電感等元件， 對於此電阻值測量，若使用固定電流源方式測試，電阻值 將會偏低而無法測量出真正的電阻值，故使用AC電壓源， 利用相位角度的領先，及落後方式而得知被測電阻值。故 其測試方式為：提供一個適當頻率的AC電壓源V，同時在 被測電阻兩端測量出Iz，由於V=Iz*Zr1，因為V及Iz已知， 故可得知Zr1，又因為R=Zr1*cosθ，而Zr1及cosθ已知， 故即可得知被測電阻R值
• 快速(High-Speed)測試模式(Mode2)
假如被測電阻並聯一顆0.3μF以上的電容時，若使用上述固 定電流源測試時，需要花費很長的時間，讓電容充飽電荷， 再去測量出Vr值，而得知R值，如此測試方法將增加ICT測 試時間，為解決此問題，可以將固定DC電流源改為0.2V DC固定電壓源，直接接於被測電阻兩端，如此電容將會 在短暫時間內使其Ic=0，故電路上所有電流將流經電阻R。 其測量方式為：提供一個0.2V DC電壓源，當Ic=0時，再 測試流經電阻端的Ir，因為V=IrR，而V及Ir已知，即可得 知電阻R值
FET
• 以N型溝道增強型絕緣
柵場效應管(MOSFET) 為例. 7.1 由于柵極(g)處于不 導電(絕緣)狀態, 通常, 源極(s)與襯底連在一起, 故在漏極(d), 源極(s)存 在一PN結, 可將其當作 D來測.
• 7.2 三點測試, 類似三
極體的三點測試方式.
IC
• 大部分IC在I/O PIN中, 會加上保護DIODE. 故
右图AC相位測試方法
DC固定電流(DC Constant Current)測試模式(Mode4, Mode8)
• 對於3μF以上電容值的電容，若使用上述AC電壓源模式測試時，將需
要較低頻率來測試，而增加ICT測試時間，故可利用電容充電曲線的 斜率方式得知電容值，故其測試方式為：提供一個固定的DC電流源， 並在T1時間測量電容兩端的V1值，及T2時間測量電容兩端的V2值， 由於Slope=(V2-V1)/(T2-T1)=△V/△T，而V1、V2及T1、T2已知，故 得知Slope，又因Slope*C=Constant，VTV2 V1T1 T2VcCISlope=(V2-V1)/(T2-T1)=ΔV/ΔT Slope*C=Constant而Slope及Constant已知，故即可得電容C值
右图固定AC電壓源測試方法)
2、向位(AC PHASE)測量模式(Mode5、Mode6、Mode7 ) 對於電容的測試，若並聯電阻時，則利用相位角度的 落後方式來測量出阻抗值，故其測量方式為：提供一個 適當頻率的AC電壓源並在被測元件兩端測量出Iz，由於 V=Iz*Zrc，而V及Iz已知，故可得知Zrc，又因 Zc=Zrc*sinθ，而Zrc及sinθ已知，故可得知Zc，又因 Zc=1/2*π*f*c，而Zc及f已知，故即可得知電容C值
電容測試原理
1、固定AC電壓源測試模式(Mode0、Mode1、Mode2、Mode3)
• 對於不同阻抗的電容，ICT本身會自動選擇一個適當頻
率(frequency)的AC電壓源，作為測試使用，其頻率計有： 1KHZ，10KHZ，100KHZ，1MHZ，對於極小阻抗值的電 容將需要較高頻率的AC電壓源，再測量被測元件兩端的 電壓源，由於V=Ic*Zc，而V及Ic已知，故得知 Zc=1/2π*f*c，又因f已知，故即可得知電容C
1、在短路群中任何一點與非短路群中任一點之阻抗小於5Ω。 2、不同短路群中任兩點之阻抗小於5Ω。 3、非短路群中任兩點之阻抗小於5Ω
GUARDING原理
GUARDING测试图
电阻测试
一、固定電流源(Constant Current) 對於不同的電阻值，ICT本身會自動限制一個 適當的固定電流源做為測試的訊號源使用，如 此才不會因使用者的選擇不當，因而產生過高 的電壓而燒壞被測試元件，故其測試方式為： 提供一個適當的固定電流源I，流經被測電阻R， 再於被測電阻R兩端，測量出Vr，由於Vr及I已 知，利用Vr=IR公式，即可得知被測電阻R
阻抗值X≦5Ω5Ω＜X≦25Ω25Ω＜X≦55ΩX＞55Ω機器辨視值0、1、2、3螢 幕顯示值1、1、3、4在開路/短路學習時，會將測試針點之間阻抗小於 25Ω的點自動聚集成不同的短路群(Short Groups)。需要學習的時間隨著 量測點數的增加而增加。自我學習時必須確定電路板是良好的，否則學 習到的資料可能是錯誤的。
Die (圖3.21：IC內部結構圖)
Bond Wire Lead Frame
Solder Joint
Sensor Probe
Sensor Plate Lead Frame
300mV, 10KHz
～
(圖3.22：Lead Frame與Sensor Plate)之電容效應)
Cfault
A Cframe
G-P1 : 5
Cap.
_ HiP: 1
+ LoP: 3
• 測試程式
• PartNameAct_VStd_VHlim%Llim%ModeTypeHipLopDlyG-P1CE10.20.12V-
1208PX1305CE110.20.001V-12018PX1113015
• Act_V：Source voltage，建議值為 0.2V • Std_V：Sense Voltage (Threshold)，依實際Debug後決定 • Hlim ：固定為 –1 (Don,t care) • Llim ：建議值為20，可依實際Debug後決定 • Mode : 固定為 8或18(適用於防爆電容) • Type ：固定為 PX • Hip ：電容負端 (source pin) • Lop ：電容正端 • Dly ：依實際Debug後決定 • G-P1 ：Sense Pin
上图DC固定電流測試方法
JUMP測試原理
• ICT提供一個0.1mA的直流電流源量測兩測
試點之間的阻抗值，測量出Vx，由於Vx及I 已知，利用Vx=IR公式，即可得知被測兩端 之量測電阻值(簡稱X)，系統把兩測試點間 之阻抗值，於不同MODE，分別顯示如下
二極體(Diode)測試原理
• 測量方式為：提供一個3mA或20mA的固定電流及
被測電阻於電路上若有並聯(Parallel)著二極體 (Diode)或是IC保護二極體(IC Clamping Diode)時， 對於該電阻兩端測量電壓值若超過0.5V至0.7V左 右時，因為二極體導電的關係，該電阻兩端電壓 將被維持在0.5V至0.7V左右，固無法量測出真正 的Vr值，為解決此問題，只要將原先的電流源降 低一級即可
OPEN PASS
l 短路測試( 在不在同 一SHORT GROUPS的点与 点之間進行 )
SHORT PASS
5Ω
SHORT FAIL
open/short测试原理
基本測試原理: 1開路及短路(Open/Short)的量測原理
ICT提供一個直流電流源到兩個量測點，以確認兩個量測點之間的阻抗值。 电脑會把兩測試針點之間的阻抗值分為四組:
TR-518FE可以在測試參數做開/短路區間設定1. <5,25,55> 2.<15,55,85> 3.<5,20,80>選擇開/短路區間。
開路測試(Open Test)時，在任一短路群(Short Group)中任何兩點之阻抗不得大 於55Ω，否則即是開路測試不良(Open Fail)。
短路測試(Short Test)時分成三種情況，若有以下其中之一的情況發生，則判定 短路測試不良(Short Fail)：
TR-518测试原理
德律泰電子(苏州)有限公司 ICT
OPEN/SHORT測試原理 示意图
• 開/短路學習 • 凡兩兩之間電阻 ≦
25Ω的針號歸入一個 SHORT GROUP, 反之 亦然.
OPEN
25 Ω
SHORT
l 開路測試( 在
SHORT GROUP內的点 与点之间進行 )
OPEN FAIL 55 Ω
模式(Mode0)见右图
• 電阻測試
系统依标准值（STD_V）选取相应大小的电流 源。被測電阻愈大, 測試電流須更小, 以確保 量回被測電阻兩端的電壓VO在規定的範圍 (0.15~1.5V)之內.
低固定電流源(Low Constant Current)模式(Mode1)
• 該測試方法和上述固定電流源模式一樣，只是在
AC電壓源 ～ 0.3V, 10KHz
檢測器
Cframe Cfault 等效電路