DRAM产业技术转型期成本下降趋势放缓

DRAM产业技术转型期成本下降趋势放缓

据IHS iSuppli 公司的研究，随着DRAM 市场过渡到效率更高的低纳

米技术，该产业的成本削减及节省步伐从2012 年开始将放缓。

虽然最近几个季度DRAM 产业在推低光刻节点方面比较积极，但在今

年剩余时间内力度将逐渐减弱。今年第一季度该产业的加权平均节点从2010

年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推动DRAM 技术迁移的力度增大。在此

期间，成本降幅从7.8%增大至14.2%，晶圆成本下降情况与光刻工艺的变化相

符。

IHS iSuppli 公司的研究显示，但从第二季度开始，预计DRAM 产业对

于光刻工艺迁移的态度将不再那么积极，成本下降速度也将变慢。第二季度lithography reduction 将下降到5.2%，第三季度下降到4.8%，第四季度降到3.7%。相应地，成本削减幅度也将在第二季度下降到12%，第三和第四季度分别降至

9 和4%。

确实，DRAM 产业正在经历几种转变，例如许多供应商进行战略性调整，

摆脱商品类DRAM;建立新的制造与代工联盟;继续向40 纳米及更先进的工艺迁

移。IHS 公司认为，所有这些因素都将对供需关系产生影响，进而影响利润率

和供应商的利润。

令人意外的是，由于上一个繁荣周期利润率大幅上升，第一季度DRAM

产业保持盈利状态。上一个繁荣周期始于2009 年第二季度，持续到一年以后

结束。尽管DRAM 平均销售价格持续下降，但目前的周期符合历史形态，随

着需求的起伏变化，芯片价格与DRAM 厂商的利润也随之波动。

尤其是，预期中的成本下降将来自技术变化，DRAM 芯片将越来越多地

采用新型光刻设备和技术制造。从2010 年第四季度到今年第一季度，推动光