用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长

用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长
王琦;王荣华;夏冬梅;郑有炓;韩平;谢自力
【期刊名称】《稀有金属》
【年(卷),期】2007()z1
【摘要】用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SjC外延层和应变Si薄膜.结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的sic薄层,在此条件下外延生长了高质量的SiC薄膜.在该SiC薄膜上外延获得了具有单一晶向的应变sj薄膜,其霍尔迁移率明显高于相同掺杂浓度的体Si材料,电学性能得到了有效改善.
【总页数】4页(P13-16)
【关键词】碳化;SiC;应变Si
【作者】王琦;王荣华;夏冬梅;郑有炓;韩平;谢自力
【作者单位】南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093
【正文语种】中文
【中图分类】TN304.055
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