LED术语和实际应用指南 压电电场(piezoelectric fields)

LED 术语和实际应用指南压电电场（piezoelectric
fields）
根据结晶构造的应力而产生的压电极化而发生的电场。

是导致以InGaN 等GaN 类半导体为发光层的蓝色LED 和绿色LED 的外部量子效率降低的原因之一。

该现象不仅限于LED，作为降低蓝紫色半导体激光器耗电量的技术、以及实现绿色半导体激光器的技术如何避免压电电场的出现备受关注。

市场上销售的InGaN 类LED 产品以GaN 结晶的极性面c 面（0001）为生长面，以其法线方向（c 轴）为生长轴，在基片上层积InGaN 层等。

此时，生长轴c 轴方向就会产生压电电场。

由于该原因，注入发光层的电子和空穴分离，导致促成发光的再结合的出现率下降。

内部量子效率由此降低，从而导致外部量子效率降低。

c 轴方向产生压电电场，是因为InGaN 层的结晶构造歪曲变形导致出现了压电极化。

构成InGaN 层的InN 和GaN 的a 轴方向的晶格常数存在的差距是产生变形的原因。

除了发生压电极化外，InGaN 层在结晶构造上还会产生自发极化。

不过，压电极化产生的电场较大，自发极化产生的电场与压电电场相比非常小。

在半极性面和非极性面上制作LED 时的优点。