功率半导体器件[发明专利]

专利名称：功率半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：古川彰彦,香川泰宏,三浦成久,日野史郎,中田修平,大塚健一,渡边昭裕,今泉昌之
申请号：CN201080067692.1
申请日：20100624
公开号：CN102947934A
公开日：
20130227
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：在具备感测焊盘的进行高速转换的功率半导体器件中，由于在进行转换时流过位移电流并与该电流通路的阻抗相互作用，而在感测焊盘下部的阱区产生高电压，有时由于高电压而导致如栅绝缘膜那样的薄的绝缘膜被介质击穿从而破坏功率半导体器件。

本发明的功率半导体器件具备设置在感测焊盘下部的阱区之上、并贯通比栅绝缘膜厚的场绝缘膜来与源极焊盘连接的感测焊盘阱接触孔，因此能够提高可靠性。

申请人：三菱电机株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：李渤
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