NAND FLASH在储存测试系统中的应用

NAND FLASH 在储存测试系统中的应用
0 引言
计算机技术的高速发展，存储系统容量从过去的几KB 存储空间，到现
在的T8；乃至不久的将来要达到的PB 存储空间，其数据存取的能力在飞速扩展。

随之而来产生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage 和数据生命周期管理等崭新的领域，更给计算机技术和网络技术赋予了蓬勃的生命力。

存数性能的
提升通常是通过在基础结构上增加更多的物理磁盘驱动数目或者采用更快转速
的磁盘驱动器来完成。

机载存储设备要求具有高的可靠性和高抗撞击、抗震、防潮、耐高压和
承受高温的特点，而磁盘驱动器存取数据时有机械转动，其抗冲击，抗震动性
不强，所以不适用于航空航天等恶劣环境下使用。

基于半导体存储芯片闪存的
固态存储器(SSD)的出现很好的解决了以上问题。

SSD 作为储存介质，没有机
械转动部件、存储密度高、可靠性高、体积小、重量轻，并且抗震动、抗冲击、温度适应范围宽，具有很强的环境适应性，可以满足苛刻条件下的数据储存要求，因此，高性能大容量固态存储器已成为军用重大项目中的只要数据储存方式。

1 NAND FLASH Memory 的控制要求
1．1 NAND FLASI-1 存储器结构功能介绍
我们选用的是三星公司的K9K8G08UOM 型FLASH 芯片作为存储系统
的介质，该款NAND F1ash 存储容量为8448Mbit，其中主数据区为8192M bit，辅助数据区为256Mbit，工作电压为2．7V~3．6V，I／O 端口的宽度为8 位。

NAND FLASH 不同于NOR FLASH，NOR FLASH 在出厂时不容许芯片有坏块存在，而NAND FLASH 容许成品中存在坏块，这是NAND 技术所特有的。