【优化方案】高三物理专题复习攻略 第三部分 考前第3天 电磁感应与电磁波课件 新人教(重庆专用)

A．导线框做自由落体运动 B．导线框通过磁场区域后做曲线运动 C．导线框通过磁场区域时机械能减小 D．导线框在穿过磁场区域时，下面的导线 受到的磁场力向上，上面的导线受到的磁场 力向下
解析:选C.导线框通过磁场区域时,根据安培定则 和左手定则知,导线框要受到竖直向上的安培力 作用,导线框既不能做自由落体运动,也不能做曲 线运动,选项A、B错.导线框通过磁场区域时要 克服安培力做功,机械能减少,选项C正确.根据楞 次定律,导线框在穿过磁场区域时,上下两个导线 受到的安培力方向都向上,选项D错误.
2.如图所示,匀强磁场区域为一个等腰直角三角形, 其直角边长为L,磁场方向垂直纸面向外,磁感应强 度大小为B,一边长为L、总电阻为R的正方形导线 框abcd,从图示位置开始沿x轴正方向以速度v匀速 穿过磁场区域.取沿a→b→c→d→a的感应电流为 正,则下图表示线框中电流i随bc边的位置坐标x变 化的图象正确的是( )
通过小灯泡的电流 IL＝RE总＝0.1 A.
(2)当棒在磁场区域中运动时,由导体棒切割磁感线产 生感应电动势,电路为 R 与 RL 并联,再与 r 串联,此时 电路的总电阻 R总′＝r＋RR＋RRLL＝2＋44× ＋22＝130 (Ω) 由于灯泡亮度不变,所以灯泡的电流 IL＝0.1 A,则流过 棒的电流为 I′＝IL＋IR＝IL＋RRLIL＝0.3 A 电动势 E′＝I′R′ 总＝Bdv
5．电磁波的波速公式 v＝λf，电磁波 LC 振荡
频率
f＝2π
1 ，振动周期 LC
T＝2π
LC.
易混易错天天清
1.应用公式E＝BLv计算电动势大小时,不能正确 判断B、L、v方向关系及L的有效长度. 2.在公式Φ＝BS中错误的认为面积越大,磁通量越 大. 3.应用楞次定律判断感应电流方向时,误认为“感 应电流的磁场方向”与“原磁场方向”相反.
(3)能量问题
①安培力的功是电能和其他形式的能之间相互转 化的“桥梁”，用框图表示如下：
②明确功能关系，确定有哪些形式的能量发生了 转化．如有摩擦力做功，必有内能产生；有重力 做功，重力势能必然发生变化；安培力做负功， 必然有其他形式的能转化为电能． ③根据不同物理情景选择动能定理，能量守恒定 律，功能关系，列方程求解问题．
过程中，通过线圈的电荷量为 0
解析：选 A.当线框从图示的位置顺时针转动
135°时，产生的感应电动势最大值为：Em＝
2B
ω 2L
22L＝2BωL2，所以产生的感应电流最大值为：Im＝BRωL2，A 选项正确；从图示的
位置开始顺时针转动 180°的过程中，由楞次定
律结合右手定则可知线框中感应电流方向先逆
•11、凡为教者必期于达到不须教。对人以诚信，人不欺我;对事以诚信，事无不成。 •12、首先是教师品格的陶冶，行为的教育，然后才是专门知识和技能的训练。
第三部分·考前给力14天
•13、在教师手里操着幼年人的命运，便操着民族和人类的命运。2021/12/142021/12/14December 14, 2021
时针后顺时针，B 选项错误；
从图示的位置开始顺时针转动 90°到 180°这段时 间内线圈处在两种不同的磁场里，磁通量不断变 化，始终有感应电流，C 选项错误；从图示的位 置开始顺时针方向转动 180°的过程中，由 q＝ΔRΦ 可知由于 ΔΦ≠0，所以通过线圈的电荷量不为 零，D 选项错误．
4.如图甲所示,水平面上的两光滑金属导轨平行固 定放置,间距d＝0.5 m,电阻不计,左端通过导线与阻 值R＝2 Ω的电阻连接,右端通过导线与阻值RL＝4 Ω的小灯泡L连接.在CDFE矩形区域内有竖直向上 的匀强磁场,CE长l＝2 m,有一阻值r＝2 Ω的金属棒 PQ放置在靠近磁场边界CD处.CDFE区域内磁场的 磁感应强度B随时间变化如图乙所示.在t＝0至t＝4 s时间内,金属棒PQ保持静止,在t＝4 s时使金属棒 PQ以某一速度进入磁场区域并保持匀速运动.
解析:选C.0～L过程中无电流,从L～2L的过程中,线 圈bc边切割磁感线的有效长度在线性增加,当完全 进入时i应当达到最大,且方向沿a→b→c→d→a,为 正方向,所以D错;从2L～3L过程中ad边切割磁感线, 有效长度也在线性增加,但方向为a→d→c→b→a为 反方向,故只有C正确.
3.如图所示，虚线为磁感应强度大小均为B的两 匀强磁场的分界线，实线MN为它们的理想下边 界．边长为L的正方形线圈电阻为R，ab边与MN 重合，且可以绕a点在线圈平面内以角速度ω匀 速转动，则下列说法正确的是( )
已知从t＝0开始到金属棒运动到磁场边界EF处 的整个过程中,小灯泡的亮度没有发生变化,求:
(1)通过小灯泡的电流； (2)金属棒PQ在磁场区域中运动速度大小．
解析：(1)在 t＝0 至 t＝4 s 时间内,金属棒 PQ 保 持静止,磁场变化导致电路中产生感应电动势. 电路为 r 与 R 并联,再与 RL 串联,电路的总电阻 R 总＝RL＋RR＋r r＝5 Ω 此时感应电动势 E＝ΔΔΦt ＝dlΔΔBt ＝0.5×2×0.5 V＝0.5 V
4.在电磁感应的电路问题中,将电动势和路端 电压混淆. 5.误认为含有自感线圈的“断电自感”中的 灯泡都会“闪亮”一下． 6.不能正确理解麦克斯韦的电磁场理论,误认 为电(磁)场一定能产生磁(电)场.
考前预测成绩升 1.如图所示，竖直光滑的墙面上有 一闭合导线框，在导线框的下方有 一面积比导线框稍小的磁场区域． 导线框从图示位置自由下落，在其整个下落过程 中，下列说法正确的是( )
4．几种常见感应问题的分析方法 (1)电路问题
①将切割磁感线导体或磁通量发生变化的回路作 为电源，确定感应电动势和内阻．
②画出等效电路．
③运用闭合电路欧姆定律，串、并联电路特点， 电功率公式，焦耳定律公式等求解．
(2)动力学问题
③在力和运动的关系中,要注意分析导体受力,判断 导体加速度方向、大小及变化;加速度等于零时,速 度最大,导体最终达到稳定状态是该类问题的重要 特点.
(由于 ab、cd 所在区域磁场方向相反，这两条边 切割磁感线产生的感应电动势相当于电源的串 联)，并且原来只有 ab 边受安培力作用，在 ab 边越过 ff′以后变为 ab、cd 两边都受到安培力 的阻碍作用． 在 ab 边越过 ff′之前，因为线框做匀速运动， 故有
mgsinθ＝BBRlvl
在 ab 边越过 ff′之后瞬间， 回路中感应电动势 E＝2Blv 根据牛顿第二定律有：2B2BRlvl－mgsinθ＝ma 解得 a＝3gsinθ，方向沿斜面向上． (2)在 ab 边越过 ff′边界以后，线框将做减速运 动，但加速度会变小．设线框再次做匀速直线运 动时速度为 v′，则 mgsinθ＝2B2BlRv′l
解以上各式得棒 PQ 在磁场区域中运动的速度大小
v＝1 m/s.
答案：(1)0.1 A (2)1 m/s
5.如图所示,在倾角为θ的光滑斜面上,存在两个磁 感应强度相等的匀强磁场,方向一个垂直斜面向 上,另一个垂直斜面向下,宽度均为l,一个质量为m 、边长为l的正方形线框以速度v进入上边磁场时 ,恰好做匀速直线运动.求：
•18、人自身有一种力量，用许多方式按照本人意愿控制和影响这种力量，一旦他这样做，就会影响到对他的教育和对他发生作用的环境。
2021/12/142021/12/14
•
(4)图象问题
①常见图象有I－t、B－t、Φ－t、E－t.有时还 有E－x、I－x图象．
②分析图象问题，先分析初始条件，再确定方
向对应，再确定物理量大小变化趋势的对应．
(1)当ab边刚越过ff′时线框的加速度多大？方向 如何？
(2)当ab边到达gg′与ff′中点位置时，线框又恰 好做匀速直线运动，求线框从开始进入到ab边到 达gg′与ff′中点时，产生的热量是多少？
解析:(1)线框abcd的ab边进入磁场以后以速度v做 匀速直线运动至ab边越过ff′边界为止,在ab边刚 越过ff′边界时,线框速度并不发生突变,不过原来 只有一条边ab切割磁感线变为ab、cd两条边切割 磁感线
A．从图示的位置顺时针转动 135°的过程中， 线框中感应电流的最大值为2BRωL2 B．从图示的位置开始顺时针转动 180°的过程 中，线框中感应电流方向始终为逆时针 C．从图示的位置开始顺时针转动 90°到 180° 这段时间内，线圈完全在磁场中无感应电流
D．从图示的位置开始顺时针方向转动 180°的
考前第3天 电磁感应与电磁波
公式方法记心中
1．磁通量的计算：Φ＝BS⊥ 2．电动势大小的计算：E＝nΔΔΦt 或 E＝Blv(切割类) 3．应用楞次定律判断感应电流方向的方法 (1)确定穿过回路的原磁场的方向； (2)确定原磁场的磁通量是“增加”、还是“减小”；
(3)确定感应电流磁场的方向(与原磁场“增则反 、减则同”)； (4)根据感应电流的磁场方向，由安培定则判断感 应电流的方向．
按ESC键退出全屏播放
•14、孩子在快乐的时候，他学习任何东西都比较容易。
•15、纪律是集体的面貌，集体的声音，集体的动作，集体的表情，集体的信念。
•16、一个人所受的教育超过了自己的智力，这样的人才有学问。
•17、好奇是儿童的原始本性，感知会使儿童心灵升华，为其为了探究事物藏下本源。2021年12月2021/12/142021/12/142021/12/1412/14/2021
解得 v′＝v4 线框从刚进入磁场到 ab 边到达 gg′与 ff′中 点时，利用能量守恒关系有：
mg·32lsinθ－Q＝12mv′2－12mv2
解得 Q＝32mglsinθ＋1352mv2. 答案：(1)3gsinθ 方向沿斜面向上 (2)32mglsinθ＋1352mv2
本部分内容讲解结束