一种低成本氮化硅陶瓷的生产方法[发明专利]

专利名称：一种低成本氮化硅陶瓷的生产方法专利类型：发明专利
发明人：陈海*,王亦臣,刘军
申请号：CN201310241572.4
申请日：20130618
公开号：CN103319181A
公开日：
20130925
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种热压烧结生产氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述氮化硅陶瓷原材料各组分及质量百分比含量为：独居石6～9％，氮化硅91％～94％，上述各组分的成分分别为：独居石中氧化铈和氧化镧质量百分比含量大于65％，氮化硅中α相氮化硅质量百分比含量大于94％，上述各组分的粒径分别为：独居石1～5μm，氮化硅0.4～0.7μm，将上述各组分混合制坯，将所得坯体在氮气氛围下热压烧结。

烧结温度为1600～1650℃，保温时间1～1.5h，压力12MPa。

由于本发明以独居石作为烧结助剂，价格低廉，烧结温较低，节约了能耗，其综合效应是降低了生产成本。

本发明生产的氮化硅陶瓷致密程度高，力学性能好。

申请人：上海中耐高温材料有限公司
地址：201108 上海市闵行区申北路168弄51号402室
国籍：CN
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