2021年晶闸管的导通条件是什么
1使晶闸管导通的条件是什么
1使晶闸管导通的条件是什么1﹒使晶闸管导通的条件是什么？2﹒维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？3﹒图1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id1﹑Id2﹑Id3与电流有效值I1﹑I2﹑I3.图14﹒上题中如果不考虑安全裕量，问100A的晶闸管能送出的平均电流Id1﹑Id2﹑Id3各为多少？这时，相应的电流最大值Im1﹑Im2﹑Im3各为多少？5﹒GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？6﹒如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏？7﹒IGBT﹑GTR﹑GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？8﹒全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析RCD缓冲电路中各元件的作用。
9﹒试说明IGBT﹑GTR﹑GTO和电力MOSFET各自的优缺点1、单相半波可控整流电路对电感负载供电，L＝20mH，U2=100,求当a＝0°和60°时的负载电流I d，并画出u d与i d波形。
2、图1为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，问该变压器还有直流磁化问题吗？试说明：②当负载为电阻和电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控时相同。
图13、单相桥式全控整流器电路，其中，U2=100V，负载中R＝2Ω,L值极大，当a＝30°时，要求：①作出ud、i d和i2的波形；②求整流输出平均电压Ud、电流I d变压器二次电流有效值I2;，③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
4、单相桥式半控整流电路，电阻性负载，画出整流二极管在一周期内承受的电压波形。
5、单相桥式全控整流电路，U2＝100V，负载中R=20Ω,L值极大，反电动势E＝60V，当a＝30°时，要求：①作出u d、i d和i2的波形；②求整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次电流有效值I2 ;10、有两组三相半波可控整流电路，一组是共阴极接法，一组是共阳极接法，如果它们的触发角都是a，那么共阴极组的触发脉冲与共阳极组的触发脉冲对同一相来说，例如都是a相，在相位上差多少度？11、三相半波可控整流电路，U2＝100V，带电阻电感负载，R=5Ω,L值极大，当a＝60°时，要求：①画出u d、i d和i VT的波形；I dVT和I VT .②计算U d、I d、12、在三相桥式全控整流电路中，电阻负载，如果有一个晶闸管不能导通，此时的整流电压u d波形如何？如果有一个晶闸管被击穿而短路，其它晶闸管受什么影响？13、三相桥式全控整流电路，U2＝100V，带电阻电感负载，R=5Ω,L值极大，当a＝60°时，要求：①画出u d、i d和i VT的波形；I dVT和I VT。
晶闸管的导通条件和关断条件
晶闸管的导通条件和关断条件
晶闸管的导通条件
晶闸管是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成，它有三个极：阳极，阴极和门极。
晶闸管在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。
晶闸管和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
上面了解到晶闸管的原理，我们就接着来看看晶闸管的导通和关断的条件及方法。
晶闸管的导通条件：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。
门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流IL以上。
导通后的晶闸管管压降很小，使导通了的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至一个小的数值，即维持电流IH一下。
闸管导通的方法如下：。
电力电子技术第五版课后简答题(1)
1、晶闸管导通的条件是什么？（1）晶闸管阳极和阴极之间施加正向阳极电压（2）晶闸管门极和阴极之间必须施加适当的正向脉冲电压和电流2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
3. 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。
002π2π2ππππ4π4π25π4a)b)c)图1-430图1-43 晶闸管导电波形解：a) I d1=π21⎰ππωω4)(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1=⎰ππωωπ42)()sin (21t d t I m =2m I π2143+≈0.4767 I m b) I d2 =π1⎰ππωω4)(sin t td I m =πm I (122+)≈0.5434 I m I 2 =⎰ππωωπ42)()sin (1t d t I m =22m I π2143+≈0.6741I m c) I d3=π21⎰20)(πωt d I m =41 I m I 3 =⎰202)(21πωπt d I m =21 I m 4. GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，为什么GTO 能够自关断，而普通晶闸管不能？答：GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，由P 1N 1P 2和N 1P 2N 2构成两个晶体管V 1、V 2,分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶闸管的分析可得，1α+2α=1是器件临界导通的条件。
1α+2α＞1，两个等效晶体管过饱和而导通；1α+2α＜1，不能维持饱和导通而关断。
晶闸管的导通条件是什么
1.晶闸管的导通条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？负载上电压等于什么？晶闸管的关断条件是什么？答：当晶闸管承受正向电压且在门极有触发电流时晶闸管才能导通；导通后流过晶闸管的电流由电源和负载决定；负载上电压等于电源电压；当晶闸管承受反向电压或者流过晶闸管的电流为零时，晶闸管关断。
2.晶闸管的主要参数有那些？答：晶闸管的主要参数有：断态重复峰值电压UDRM：在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。
反向重复峰值电压URRM：在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
通态（峰值）电压UTM：这是晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。
通态平均电流IT(AV)：稳定结温不超过额定结温时允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。
维持电流IH：使晶闸管维持导通所必需的最小电流。
擎住电流IL：晶闸管刚从断态转入通态并移除出发信号后，能维持导通所需的最小电流。
浪涌电流ITSM：指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不可重复性最大正向电流。
还有动态参数：开通时间tgt、关断时间tq、断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率di/dt。
3.什么叫全控型器件？答：通过控制信号既可控制其导通，又可控制其关断的电力电子器件称为全控型器件。
4.工作在开关状态的电力电子器件的主要损耗有哪些？如何减小？答：主要有导通时通态损耗、阻断时断态损耗和动态开关损耗，还有基极驱动功率损耗、截止功率损耗。
降低开关频率、降低饱和导通压降、减小开通和关断时间、增加缓冲电路、加散热器冷却，均可减小损耗。
P421.使晶闸管导通的条件是什么？答：参见上面第一题。
2.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极出发信号是否还存在，晶闸管都保持导通，只需保持阳极电流在维持电流以上；但若利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，则晶闸管关断。
电力电子器件1晶闸管的导通条件是什么2晶闸管的关断
第2章电力电子器件1、晶闸管的导通条件是什么？2、晶闸管的关断条件是什么？3、晶闸管的门极作用是什么？4、晶闸管的定额电流是什么？5、双向晶闸管的定额电流是什么？6、四种全控型器件的开关速度是如何排序的？7、什么是二次击穿？可能因二次击穿的电力电子器件是哪一个？8、GTO的门极的作用是什么？9、什么是擎住效应？哪个电力电子器件会产生擎住效应？引发擎住效应的原因是什么？10、IGBT是由什么器件合成的？第3章整流电路1.单相半波晶闸管可控整流电路，交流电源U2=220V,电阻负载。
要求负载电压平均值为50V,最大负载平均电流为50A, 试计算：①负载电阻值；②控制角α；③负载电流有效值；④电源的功率因数。
2.单相半波可控整流电路，采用220V交流电网直接供电，纯阻负载，要求负载电压平均值在 0～240V内连续可调。
试求：晶闸管导通角θ的范围，确定电源的容量及晶闸管的额定电压和额定电流。
3.有一通态平均电流为200A的晶闸管准备用于以下两种情况：①单相半波可控整流电路，电阻性负载；②单相全波相控整流电路，电阻性负载。
试分别求出允许通过的晶闸管的电流有效值以及此时的晶闸管电流平均值和电流瞬时最大值，并画出这两种情况下晶闸管电流的波形。
4.单相半波晶闸管可控整流电路，电阻电感反电动势负载，U2=110V，频率f=50Hz，控制角α=0°，反电动势E=50V，R=2Ω，L=1H。
画出下述情况下的负载电压、负载电流和晶闸管电压的波形。
① L=0；② L=0，负载反并联二极管；③ L=0，E=-50V；④ L=0，E=-50V，负载反并联二极管；⑤ L=1H时电阻电感反电势负载。
5.三相半波共阴极接法晶闸管相控整流电路，对电阻反电动势负载供电，R=1Ω，E=70.7V，交流电源U2=100V ，当控制角α=60°时，求输出负载电压及电流的平均值，晶闸管电流的平均值，并画出负载电压、负载电流和某一晶闸管的电压波形。
使晶闸管导通的条件是什么
使晶闸管导通的条件是什么
1.晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。
2.晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
3.晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。
4.晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。
闸管导通的条件是阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。
门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流IL以上。
导通后的晶闸管管压降很小。
使导通了的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至一个小的数值，即维持电流IH一下。
其方法有二：
1、减小正向阳极电压至一个数值一下，或加反向阳极电压。
2、增加负载回路中的电阻。
使晶闸管导通的条件是晶闸管承受正...
王兆安《电力电子技术》（第4版）课后习题解第1章 电力电子器件1.1 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极注入正向触发电流。
1.2 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流（即维持电流），即H A I I >。
要使晶闸管由导通变为关断，可通过外加反向阳极电压或减小负载电流的办法，使流过晶闸管的电流降到维持电流值以下，即H A I I <。
1.3 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为m I 。
试计算各波形的电流平均值1d I ，2d I ，3d I 与电流有效值1I ，2I ，3I 。
解：a ） m m m d I I t d t I I 2717.0)122(2)()(s i n 2141≈+==⎰πωωπππm mm I I t d t I I 4767.021432)()s i n (21421≈+==⎰πωϖπππ b ） m mm d I I t d t I I 5434.0)122()()(s i n 142≈+==⎰πωωπππm m m I I t d t I I 6471.0214322)()sin (1422≈+==⎰πωϖπππ c ） ⎰==20341)(21πωπm m d I t d I I m m I t d I I 21)(212023==⎰ωππ1.4 上题中如果不考虑安全裕量，问100A 的晶阐管能送出的平均电流1d I 、2d I 、3d I 各为多少？这时，相应的电流最大值1m I 、2m I 、3m I 各为多少？解：额定电流A I AV T 100)(=的晶闸管，允许的电流有效值A I 157=，由上题计算结果知：a ） A II m 35.3294767.01≈≈A I I m d 48.892717.011≈≈b ） A II m 90.2326741.02≈≈A I I m d 56.1265434.022≈≈ c ） A I I m 31423== A I I m d 5.784133==1.5 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，为什么GTO 能够自关断，而普通晶闸管不能？ 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由211P N P 和221N P N 构成两个晶体管1V 、2V ，分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得，121=+αα是器件临界导通的条件。
电力电子技术(简答,大题,选择填空)
简答题1. 使晶闸管导通的条件是什么?答：使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲).或：u AK>0且u GK>0.2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流.要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
3.多相多重斩波电路有何优点？答：多相多重斩波电路因在电源与负载间接入了多个结构相同的基本斩波电路,使得输入电源电流和输出负载电流的脉动次数增加、脉动幅度减小，对输入和输出电流滤波更容易，滤波电感减小。
此外，多相多重斩波电路还具有备用功能，各斩波单元之间互为备用，总体可靠性提高.4．交交变频电路的最高输出频率是多少？制约输出频率提高的因素是什么？答：一般来讲，构成交交变频电路的两组变流电路的脉波数越多，最高输出频率就越高。
当交交变频电路中采用常用的6脉波三相桥式整流电路时，最高输出频率不应高于电网频率的1/3～1/2错误!未找到引用源。
当电网频率为50Hz时，交交变频电路输出的上限频率为20Hz左右。
当输出频率增高时,输出电压一周期所包含的电网电压段数减少，波形畸变严重，电压波形畸变和由此引起的电流波形畸变以及电动机的转矩脉动是限制输出频率提高的主要因素。
5．试说明PWM控制的基本原理。
答：PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术.即通过对一系列脉冲的宽度进行调制，来等效地获得所需要波形（含形状和幅值）。
在采样控制理论中有一条重要的结论：冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同，冲量即窄脉冲的面积。
效果基本相同是指环节的输出响应波形基本相同。
上述原理称为面积等效原理6.1什么是异步调制？主要特点答：载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制.在异步调制方式中，通常保持载波频率f c 固定不变，因而当信号波频率f r变化时，载波比N是变化的.异步调制的主要特点是：在信号波的半个周期内，PWM波的脉冲个数不固定，相位也不固定，正负半周期的脉冲不对称，半周期内前后1/4周期的脉冲也不对称。
晶闸管开关电路原理
晶闸管开关电路原理
晶闸管开关电路的原理是利用晶闸管的特性实现开关功能。
晶闸管是一种具有双向导电性的电子器件，通常由四个层状结构组成。
在正常工作状态下，晶闸管处于关断状态，两个 PN 结之间的
耗尽层阻止电流流动。
当接入一个适当的阳极电压时，晶闸管的 PN 结会极化，进入导通状态。
要使晶闸管导通，需要满足以下条件：
1. 阳极电压（Vak）达到导通电压（Vgt）：晶闸管的导通电
压是指当晶闸管处于关断状态时，需要施加在阳极和阴极之间的电压，使其开始导通。
2. 电压施加在晶闸管的正向极性：当阳极电压施加在阴极上时，使得结 J2-J3 处于正向偏置状态，从而形成导电通道。
3. 施加一个触发脉冲：晶闸管的触发是通过施加一个电压脉冲在门极（G）和阴极（K）之间实现的。
触发脉冲可以是一个
正脉冲或者是从阴极向门极施加一个负脉冲。
当晶闸管导通后，只要阳极电流处于正常工作区间，晶闸管将一直保持导通状态。
要使晶闸管停止导通，需通过强制断开电路或者降低阳极电流到零来实现。
晶闸管开关电路可以用于控制高功率负载的开关，如大功率马达、发电机等。
其主要优点是控制简单、可靠性高，缺点则是开关速度较慢，导通电压较高，仅适用于交流电源。
晶闸管的导通条件和关断条件
晶闸管的导通条件和关断条件晶闸管是一种广泛使用的半导体器件，可以实现高功率的电控制。
晶闸管的导通条件和关断条件是晶闸管工作的基本原理，也是晶闸管的设计和应用的关键。
本文将详细介绍晶闸管的导通条件和关断条件，包括物理原理、数学模型和实际应用。
一、晶闸管的物理原理晶闸管是一种四层PNPN结构的半导体器件，由一个P型区、一个N型区、一个P型区和一个N型区组成。
晶闸管的导通和关断是通过控制PNPN结中的正向和反向电压来实现的。
当晶闸管的控制端施加一个正向脉冲信号时，PNPN结中的P型区和N型区之间的正向电压将增加，当正向电压达到一定值时，PNPN 结中的P型区和N型区之间的空穴和电子会发生复合，形成一个电子流，晶闸管开始导通。
导通时晶闸管的电压降低至低电平，电流增加至高电平。
当晶闸管的控制端施加一个反向脉冲信号时，PNPN结中的N型区和P型区之间的反向电压将增加，当反向电压达到一定值时，PNPN 结中的N型区和P型区之间的电子和空穴会发生复合，形成一个电流，晶闸管开始关断。
关断时晶闸管的电压升高至高电平，电流降低至低电平。
晶闸管的导通和关断是通过控制PNPN结中的正向和反向电压来实现的，因此晶闸管的导通和关断条件与PNPN结的物理特性密切相关。
下面将介绍晶闸管的导通条件和关断条件的数学模型。
二、晶闸管的导通条件晶闸管的导通条件是指晶闸管开始导通的最小正向电压。
根据PNPN结的物理特性，晶闸管的导通条件可以用下式表示：Vgt = Vf + Vr + Vp其中，Vgt为晶闸管的触发电压，Vf为PNPN结的正向电压，Vr 为PNPN结的反向电压，Vp为PNPN结的电压降。
PNPN结的正向电压Vf取决于PNPN结的材料和掺杂浓度，通常在0.5V至0.7V之间。
PNPN结的反向电压Vr取决于PNPN结的击穿电压，通常在20V至200V之间。
PNPN结的电压降Vp取决于PNPN结中的电流和电阻，通常在0.1V至0.5V之间。
晶闸管导通的条件
1、晶闸管导通的条件是：1）要有适当的正向阳极电压；2）还要有适当的正向门极电压，且晶闸管一旦导通，门极将失去作用晶闸管的关断条件：使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值（称为维持电流） 以下。
2.什么是逆变？ 有源逆变？无源逆变？逆变：把直流电转变成交流电的过程。
当交流侧和电网连结时，为有源逆变电路。
当 交流侧不与电网联接，而直接接到负载，称为无源逆变。
3、单相桥式全控整流电路如图所示，画出在电阻负载下的电压Ud 、电流id 和VT1电压的波形。
4、单相桥式全控整流电路如图所示，画出在阻感负载下电压Ud 、电流id 和VT1电压的波形。
u ( i ) π ω tω tω t0 i 2ud i db)c)d)ddαα uVT1,45、为什么PWM —电动机系统比晶闸管—电动机系统能够获得更好的动态性能？所谓的动态性能，就是电动机的输出特性。
PWM 控制系统，是仿照直流电动机的输出特性，对异步电动机实现输出控制的。
所以它所控制的动态性能要好。
6、产生有源逆变的条件（1）要有直流电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流器直流侧的平均电压。
（2）要求晶闸管的控制角α>π/2，使Ud 为负值。
两者必须同时具备才能实现有源逆变。
7、双极式可逆PWM 变换器的如图所示, 简述其工作原理并画出负载较重时U b1、U b2、U AB 和电枢电流的波形。
在一个开关周期内，当on t t ≤0时，1b U 和4b U 为正，晶体管1VT 和4VT 饱和导通；而2b U 和3b U 为负，2VT 和3VT 截止，s U +加在电枢AB 两端，s AB U U =。
当T t t on ≤时，1b U 和4b U 为负，1VT 和4VT 截止；2b U 和3b U 变正，但2VT 和3VT 并不能立即导通，这时s AB U U -=。
AB U 在一个周期内正负相间，这是双极式PWM 变换器的特征。
8、什么是逆变失败逆变运行时，一旦发生换相失败，外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变成顺向串联，由于逆变电路的内阻很小，形成很大的短路电流，这种情况称为逆变失败，或称为逆变颠覆9、试解释什么是泵升电压？当可逆系统进入制动状态时，直流PWM 功率变换器把机械能变为电能回馈到直流侧，由于二极管整流器导电的单向性，电能不可能通过整流器送回交流电网，只能向滤波电容充电，使电容两端电压升高，称作泵升电压。
第1章 晶闸管
1．1解：晶闸管导通的条件是：晶闸管阳极和阴极之间加正向电压。
门极和阴极之间加适当的正向电压。
负载上的电压等于电源电压。
导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。
晶闸管的关断条件是：阳极电流小于维持电流。
关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极－阴极间电压或增大主电路中的电阻。
晶闸管阻断时两端电压由主电路电源电压决定。
1．2解：（a）图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念，擎住电流一般为维持电流的数倍。
本题给定晶闸管的维持电流I H＝4mA，那么擎住电流必然是十几毫安，而图中数据表明，晶闸管即使被触发导通，阳极电流为100V/50KΩ＝3 mA，远小于擎住电流，晶闸管不可能导通，故不合理。
（b）图主要是加强对晶闸管型号的含义及额定电压、额定电流的理解。
本图所给的晶闸管额定电压为300V、额定电流100A。
图中数据表明，晶闸管可能承受的最大电压为311V，大于管子的额定电压，故不合理。
（c）图主要是加强对晶闸管型号的含义及额定电压、额定电流的理解。
晶闸管可能通过的最大电流有效值为150A，小于晶闸管的额定电流有效值1.57×100＝157A，晶闸管可能承受的最大电压150V，小于晶闸管的额定电压300V，在不考虑电压、电流裕量的前提下，可以正常工作，故合理。
1.3解：B1.4解：1.5解：双向晶闸管的图形符号：双向晶闸管有四种触发方式，即Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+和Ⅲ-，如图：通常使用Ⅰ+和Ⅲ-两种触发方式。
1.6解：B1.7解：螺旋式平板式1.8解：额定电流1.9解：①硒堆，抑制交流测浪涌过电压。
②阻容吸收电路，抑制交流侧操作过电压。
③快速熔断器，过电流保护和抑制电流上升率④电抗器，短路过电流保护⑤RC保护电路，关断过电压保护和抑制电流上升率。
⑥压敏电阻，抑制直流侧过电压⑦过电流继电器，过电流保护1.10解：阳极电压上升到正向转折电压1.11解：大于1.12解：应保持各个晶闸上的电流均衡，在并联的各个晶闸管上串均流电阻。
晶闸管导通需要什么条件
• 闸管加上正向阳极电压后，门极加上适当 正向门极电压，使晶闸管导通过程称为触 发。
• 闸管一旦触发导通后，门极就对它失去控 制作用，通常在门极上只要加上一个正向 脉冲电压即可，称为触发电压。
• 门极在一定条件下可以触发晶闸管导通， 但无法使其关断。要使导通的晶闸管恢复 阻断。
•
• 使流过晶闸管的阳极电流减小至维持电流 （ih）（当门极断开时，晶闸管从较大的通 态电流降至刚好能保持晶闸管导通所需的 最小阳极电流叫维持电流），
• 电流会突然降到零，之后再提高电压或减 小负载电阻，电流不会再增大，说明晶闸 管已恢复阻断。
• 这篇文章主要讲了晶闸管导通需要的条件。 请大家看完觉得不错，动动手指下载一下。
各种晶体管的导通条件及特性
SCR,GTO,GTR,MOSFET,IGBT
晶闸管(SCR)
G-Gate 门极
阳极Anode
导通条件：A-K之间加正向电 压，G-K之间加正向电压(门 极G上加触发脉冲)； 特性：当阳极电流上升到擎 住电流(使晶闸管由关断到导 通的最小电流)，即使门极G
电压信号消失，晶闸管仍可 继续导通
GTR在伏安特性区 中只工作在饱和区 和截止区
强型，实 线为耗尽型
D-Drain 漏极
G-Gate 门极
S-Source 源极
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
阴极kathode
关断条件：晶闸管阳极电流 小于维持电流(保持晶闸管导 通的最小电流)
门极可关断晶闸管(GTO)
G-Gate 门极
阳极Anode 阴极kathode
电力晶体管(GTR)
基极base
C- collect 集电极
e- emitter 发射极
导通：在基极b施 加驱动信号
关断：在基极b去 掉驱动信号
晶闸管 不导通的原因
晶闸管不导通的原因【最新版】目录1.晶闸管的基本结构和原理2.晶闸管导通的条件3.晶闸管不导通的原因4.解决晶闸管不导通的方法正文晶闸管是一种半导体器件，具有开关功能，可以控制电流的通断。
它主要由三个极：阳极、阴极和控制极组成，通过控制电流和电压的变化，实现对电路的控制。
晶闸管导通的条件包括：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）uak>0 且 ugk>0。
维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
然而，晶闸管在使用过程中，可能会出现不导通的情况。
晶闸管不导通的原因可能有以下几点：1.触发电流不足：晶闸管需要一定的触发电流才能导通，如果触发电流小于晶闸管的门极触发电流，那么晶闸管就无法导通。
2.阳极电压不足：晶闸管需要承受正向阳极电压才能导通，如果阳极电压低于晶闸管的导通电压，那么晶闸管就无法导通。
3.控制极电压异常：晶闸管的控制极电压对晶闸管的导通起到关键作用。
如果控制极电压异常，可能导致晶闸管无法导通。
4.晶闸管损坏：晶闸管在使用过程中，可能会因为过压、过流等原因损坏，导致无法导通。
针对晶闸管不导通的问题，可以采取以下方法进行解决：1.检查触发电流是否足够：如果触发电流不足，可以通过增大触发电流来解决。
2.检查阳极电压是否正常：如果阳极电压不足，可以通过增大阳极电压来解决。
3.检查控制极电压是否正常：如果控制极电压异常，可以通过调整控制极电压来解决。
4.更换损坏的晶闸管：如果晶闸管损坏，只能通过更换新的晶闸管来解决。
综上所述，晶闸管不导通的原因有多种，需要根据具体情况进行分析和处理。
晶闸管导通原理
晶闸管导通原理
晶闸管导通原理是指在一定条件下，使晶闸管上的电流能够从阳极流向阴极，实现导通状态。
晶闸管导通原理主要取决于以下几个方面：
1. 正向电压：晶闸管需要在阳极与阴极之间加上正向电压，通常称为控制电压。
当控制电压大于晶闸管的激活电压（触发电压）时，晶闸管可以导通。
2. 控制电流：为了使晶闸管导通，需要通过一个电流源，通常称为触发电流，通过晶闸管的控制极与阴极。
触发电流的作用是使晶闸管的PN结区域中的电荷被极化，使其能够导通。
3. 触发脉冲：在一些应用中，我们需要通过一个短暂的电压脉冲来触发晶闸管的导通。
这种脉冲可以是正脉冲或是负脉冲，具体依赖于晶闸管的类型和工作条件。
当上述条件满足时，晶闸管就能够导通，形成低电阻通路，使得电流可以从阳极传导到阴极。
但需要注意的是，一旦晶闸管导通，即使控制电压或控制电流消失，晶闸管仍然保持导通状态，直到阳极电流降至零或者通过对晶闸管进行强制关断。
这是因为晶闸管在导通状态下，内部形成了电流正反馈，导致维持导通。
已经导通的晶闸管可被关断的条件(一)
已经导通的晶闸管可被关断的条件(一)晶闸管的导通与关断条件晶闸管是一种电子器件，具有导通和关断两种状态。
在进行元器件选取和电路设计过程中，了解晶闸管的导通与关断条件十分重要。
本文将介绍晶闸管导通和关断的条件，并讨论其相关特点。
晶闸管导通条件晶闸管导通是指晶闸管处于导通状态，电流可以通过器件流过。
以下是晶闸管导通的条件：•电流极性：晶闸管的导通条件与沟道极性息息相关。
N沟道晶闸管，正向触发；P沟道晶闸管，负向触发。
•触发电压：在正向或负向触发并且达到足够的触发电压时，晶闸管开始导通。
•电流控制：晶闸管导通时，控制电流（门电流）必须在规定范围内。
•关断条件：晶闸管导通后，控制电流应维持在特定电流水平，才能保持导通状态。
晶闸管关断条件晶闸管关断是指晶闸管处于关断状态，电流无法通过器件。
以下是晶闸管关断的条件：•关断电压：当施加反向电压或电流小于维持电流时，晶闸管将关断。
•关断电流：晶闸管关断时，控制电流需要减小到一个特定电流水平。
•温度控制：晶闸管的关断特性受温度影响。
过高的温度可能导致晶闸管无法正确关断。
•正向电压：关断晶闸管时需将正向电压减小到零。
晶闸管导通与关断特点晶闸管导通与关断具有一些特点，对于设计稳定和可靠的电路至关重要。
•快速开关特性：晶闸管的导通与关断速度很快，能够满足高频电子设备的需求。
•低功耗：晶闸管在导通状态时消耗的功耗很低，可以提供高效的电能转换。
•温度依赖性：晶闸管的导通和关断特性受温度影响，设计时需要考虑温度变化对电路的影响。
•可靠性：晶闸管具有较高的可靠性和长寿命，可以满足工业应用的要求。
综上所述，了解晶闸管的导通与关断条件对于设计稳定和可靠的电子电路至关重要。
通过正确定义导通和关断的条件，可以确保晶闸管的正常工作和长寿命。
对于不同的应用场景，需要根据具体要求选择合适的晶闸管类型，并合理设计电路。
参考文献： - 叶清泉，曾凡森. (2012). 电力半导体器件与应用. 北京：清华大学出版社.晶闸管的选取和应用在实际应用中，正确选取晶闸管是确保电路正常运行的关键。
晶闸管开通和关断条件
晶闸管开通和关断条件
晶闸管是一种常用的电力电子器件，具有开通和关断的功能。
它
的工作原理是在控制电极加上适当的电压和电流，通过改变器件内的
半导体材料的导电特性，实现开通和关断的效果。
首先，我们来看一下晶闸管开通的条件。
晶闸管的开通需要两个
条件：正向电压和触发电流。
当正向电压施加到晶闸管的控制电极上，且同时有足够的触发电流流经控制电极和主极之间的pn结时，晶闸管
就可以开通。
这是因为控制电极的正向电压会使pn结变窄，触发电流
流过后，pn结将进一步变窄，产生一个正反馈的效应，使晶闸管完全
开通。
其次，我们了解一下晶闸管关断的条件。
晶闸管的关断需要两个
条件：零电流和负电压。
当晶闸管的控制电极上的电流减小到零时，
晶闸管会开始关断。
此时，如果在控制电极上施加负向电压，即使控
制电极上有一小部分电流流过，也会使晶闸管进入关断状态。
总结一下，晶闸管的开通和关断条件为：
开通条件：正向电压和足够的触发电流。
关断条件：零电流和负电压。
在实际应用中，我们需要根据具体情况选择适当的开通和关断条件，以确保晶闸管能够正常工作。
同时，晶闸管的开通和关断具有一
定的时间延迟，在设计电路时需要注意这一特点，并进行合理的控制。
总之，晶闸管的开通和关断条件是实现其功能的关键。
只有在满足开通和关断条件的情况下，晶闸管才能正常工作，发挥其在电力电子领域的重要作用。
希望本文对于读者们理解晶闸管的开通和关断条件有所帮助，并在实际应用中有所指导意义。
有关晶闸管导通问题
1.答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或者U AK >0且U GK>02.答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
3.答:GTO和普通晶阐管同为PNPN结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益和，由普通晶阐管的分析可得，是器件临界导通的条件。
两个等效晶体管过饱和而导通；不能维持饱和导通而关断。
GTO之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：l)GTO在设计时较大,这样晶体管V2控制灵敏,易于GTO关断;2)GTO导通时的更接近于l,普通晶闸管,而GTO则为，GTO的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;3)多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小, 门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2极区所谓的横向电阻很小, 从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
4. 电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱,容易被击穿而损坏。
MOSFET的输入电容是低泄漏电容,当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过±20的击穿电压所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏,应注意以下几点:①一般在不用时将其三个电极短接;②装配时人体、工作台、电烙铁必须接地,测试时所有仪器外壳必须接地;③电路中,栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高④漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。
5. 答:IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,ⅠGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
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1.晶闸管的导通条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？负载上电压即是什么？晶闸管的关断条件是什么？
欧阳光明（2021.03.07）
答：当晶闸管接受正向电压且在门极有触发电流时晶闸管才干导通；导通后流过晶闸管的电流由电源和负载决定；负载上电压即是电源电压；当晶闸管接受反向电压或者流过晶闸管的电流为零时，晶闸管关断。
2.晶闸管的主要参数有那些？
答：晶闸管的主要参数有：
断态重复峰值电压
U：在门极断路而结温为额定值时，允许
DRM
重复加在器件上的正向峰值电压。
反向重复峰值电压
U：在门极断路而结温为额定值时，允许
RRM
重复加在器件上的反向峰值电压。
通态（峰值）电压
U：这是晶闸管通以某一规定倍数的额定通
TM
态平均电流时的瞬态峰值电压。
通态平均电流
I：稳定结温不超出额定结温时允许流过的最
T AV
()
年夜工频正弦半波电流的平均值。
维持电流
I：使晶闸管维持导通所必须的最小电流。
H
擎住电流
I：晶闸管刚从断态转入通态并移除出发信号后，能
L
维持导通所需的最小电流。
浪涌电流
I：指由于电路异常情况引起的使结温超出额定结温
TSM
的不成重复性最年夜正向电流。
还有静态参数：开通时间
t、关断时间q t、断态电压临界上升率
gt
/
du dt和通态电流临界上升率/di dt。
3. 什么叫全控型器件？
答：通过控制信号既可控制其导通，又可控制其关断的电力电子器件称为全控型器件。
4.工作在开关状态的电力电子器件的主要损耗有哪些？如何减小？答：主要有导通时通态损耗、阻断时断态损耗和静态开关损耗，还有基极驱动功率损耗、截止功率损耗。
降低开关频率、降低饱和导通压降、减小开通和关断时间、增加缓冲电路、加散热器冷却，均可减小损耗。
P42
1. 使晶闸管导通的条件是什么？
答：拜见上面第一题。
2.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才干使晶闸管由导通变成关
断？
答：晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不管门极出发信号是否还存在，晶闸管都坚持导通，只需坚持阳极电流在维持电流以上；但如果利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，则晶闸管关断。
5. GTO 和普通晶闸管同为PNP 结构，为什么GTO 能够自关断，而普通晶闸管不克不及？
答：GTO 为门极可关断晶闸管，是晶闸管的一种派生器件，可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。
GTO 和普通晶闸管一样，是PNPN 四层半导体结构，外部也是引出三个极，可是与普通晶闸管不合，GTO 是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO 元，这些GTO 元的阴极和门极则在器件内部并联在一起，这种特殊结构就是为了便于实现门极控制关断而设计的；在设计器件时使2α较年夜，这样晶体管V 2控制灵敏，使得GTO 易
于关断；并且使得12αα+更接近于1，这样使GTO 导通时饱和水平不
深，从而为门极控制关断提供了条件。
所述1α、2α辨别为GTO 内部
两等效晶体管的电流增益。
6．如何避免电力MOSFET 因静电感应引起的损坏？
答：电力MOSFET 管的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏，MOSFET 的输入电容低于泄露电容，当栅极开路时极容易受静电干扰而充上超出正负20V 的击穿电压，所以应当避免MOSFET 因静电感应而引起损坏：
1、一般不必时将其三个电极短接；
2、装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有的仪器外壳必须接地；
3、电路中，栅，源极之间常并联齐纳二极管避免电压过高；
4、漏、源极间也要采取缓冲电路等办法吸收电压。
7.IGBT 、GTR 、GTO 和电力MOSFET 的驱动电路各有什么特点？
答：GTO ：是双极型电流驱动型器件，对触发脉冲前沿的幅值和陡度要求高；整个触发过程中加正门极电流；关断需加负门极电流，对其幅值和陡度的要求更高；关断后门极前往负偏压。
GTR ：是双极型电流驱动型器件，使GTR 导通的基极电流应使其处于准饱和导通状态，使之不进入放年夜区和深度饱和区；关断GTR 时，施加一定的负基极电流有利于减小关断损耗；关断后应在基射极之间施加一定幅值负偏压。
IGBT ：是电压驱动型器件，驱动电路要有较小输出电阻，栅极驱动电压脉冲的上升率和下降率要充分年夜 , 以减小开通和关断损耗；IGBT 导通后 , 栅极驱动电路提供给 IGBT 的驱动电压和电流要具有足够的幅值维持 IGBT 处于饱和状态；关断时施加一定幅值的负驱动电压；关断后门极施加负偏压。
MOSFET ：是电压驱动型器件，驱动电路要有较小输出电阻；触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度；开通时以低电阻为栅极电容充电，关断时为栅极提供低电阻放电回路，以提高功率MOSFET 的开关速度；为了使电力MOSFET 可靠触发导通，触发脉冲电压应高于管子的开启电压；关断时施加一定幅值的负驱动电压；关断后门极施加负偏压。
8.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试阐发RCD 缓冲电路中各原件的作用。
答：缓冲电路又称为吸收电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过压、/du dt 或者过流、/di dt ，减小器件的开关损耗。
参看课本P39图138： V 开通时，Cs 通过Rs 向V 放电，使C i 先上
一个台阶，以后因有Li，C i上升速度减慢；V关断时，负载电流通
du dt和过电压。
过VDs向Cs分流，减轻了V的承担，抑制了/
9.试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
答：GTR和GTO 是双极型电流驱动器件，通流能力强，但开关速度较低，所需的驱动功率年夜，驱动电路庞杂；电力MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动电路功率小并且驱动电路简单；IGBT综合了GTR和MOSFET 的优点，开关速度高，开关损耗小，输入阻抗高热稳定性好，所需驱动电路功率小并且驱动电路简单，但IGBT开关速度略低于电力MOSFET。