高频电子线路重点终极版

127.02ωωω-=∆ 高频电子线路重点第二章 选频网络一. 基本概念：所谓选频（滤波），就是选出需要的频率分量和滤除不需要的频率分量。

阻抗=电阻+j 电抗；电抗(X)=容抗+感抗 二．串联谐振电路 1. 谐振条件(电抗) ；谐振频率： ，此时|Z|最小=R ，电流最大2.当w<w 0时，X<0阻抗是容性；当w=w 0时，X=0阻抗是纯阻性；当w>w 0时，X>0阻抗是感性；3.回路的品质因素数 ，增大回路电阻，品质因数下降，谐振时，电感和电容两端的电压模值大小相等，且等于外加电压的Q 倍。

特性阻抗4.谐振曲线：回路电流与谐振时回路电流之比 (幅频)，品质因数越高，谐振时的电流越大，比值越大，曲线越尖，选频作用越明显，选择性越好 5.失谐量△w=w-w 0，当w 和w 0很相近时，ξ=X/R=Q ×2△w/w 0是广义失谐，回路电流与谐振时回路电流之比 6.当外加电压不变，w=w 1=w 2时，其值为1/√2，w 2-w 1为通频带，w 2，w 1为边界频率/半功率点，广义失谐为±17. ，品质因数越高，选择性越好，通频带越窄 8.通频带绝对值 （串并联一样）通频带相对值 9.相位特性 Q 越大，相位曲线在w 0处越陡峭 三. 并联谐振回路1.一般无特殊说明都考虑wL>>R ，Z 反之w p =√［1/LC-(R/L)2］=1/√RC ·√1-Q 22.Y(导纳)＝ 电导(G)= 电纳(B)= . 特性阻抗 4.品质因数 (并联电阻减小品质因数下降通频带加宽，选择性变坏) 5.当w<w p 时，B<0呈感性；当w=w p 时，B=0呈纯阻性；当w>w p 时，B>0呈容性。

电感和电容支路的电流等于外加电流的Q 倍，相位相反 6.信号源阻和负载电阻的影响由此看出，考虑信号源阻及负载电阻后，品质因数下降，并联谐振回路的选择性变坏，通频带加宽。

并联谐振回路，信号源阻越大，回路选择性越好;相反，串联谐振回路，信号源阻越小，回路选择性越好. 四. 串并联阻抗等效互换 1.并联→串联 Q=X s /R s 2.串联→并联 R p ≈R s Q 2X p =X s Q=R p /X s 3.抽头式并联电路:为了减小信号源或负载电阻对谐振回路的影响，信号源或负载电阻不是直接接入回路，而是经过一些简单的变换电路，将它们部分接入回路。

CR L PLR 'L Cb)a)V V L+ -—+ -—C 2R L PLR 'L Cb)a) C 1V V L + -—+ -—0100=-=C L X ωωLC 1f 200==πω)(j 00)()(j 11ωψωωωωωe N Q =-+=Q 0702ωω=∆⋅2111)(2=+=ξξN L Q f f 0702=∆⋅Qf f 1207.0=∆ξωωωωψ arctan arctan 00-=⎪⎪⎭⎫⎝⎛-⋅-=Q ⎪⎭⎫ ⎝⎛-+≈C L R CLωω1j ⎪⎭⎫ ⎝⎛-+=L C LCR ωω1j 1⎪⎭⎫ ⎝⎛-+L C L CR ωω1j L CR ⎪⎭⎫ ⎝⎛-L C ωω101p p =-=LC B ωω2p 2p 2pp X R X R R s +=2p 2p p2p s X R X R X +=()L s p p L 1G G G L Q ++=ω⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=L p s p p 1R R R R Q LR R ='12L N NV V p == CP 1CL R LP 2 I sR pI sR pR 'L (a) (b) VV + -— +-—V L+ -—M L L M L L L L L L p 22112111±+±=+==ωω211C C C p +=0000j j sL L s s V LV I X L V jQV R R ＝ωω===000s C C s V V I X j jQV R C ω==-==-j =L sI QI j =-C s I QI S s V I =R1L 2L LC1f 2p p ==πωL Q L R L R L CLR L CR L R p p p p pp ⋅⋅=⋅====ωωωω222C L L LCC L p p =⋅===11ωωρC LC L ===001ωωρ01====C L x x L Q R R R CR ωω1()==++++L s Ls L L Q R R R R R R Cωω0====p p p p cL R R R Q CR x x Lωω低抽头向高抽头转换，等效阻抗提高1/p ²倍。

高抽头向低抽头转换时，等效阻抗降低P ²倍。

第三章 高频小信号放大器一. 基本概念1.高频放大器与低频放大器主要区别：工作频率围、频带宽度，负载不同；低频：工作频率低，频带宽，采用无调谐负载；高频：工作频率高，频带窄，采用选频网络2.谐振放大器又称（调谐）/高频放大器：靠近谐振，增益大，远离谐振，衰减3.高频小信号放大器的主要质量指标 电压增益 功率增益 分贝表示 1）增益：（放大系数） 2）通频带：增益下降到 时所对应的频率围为 3）选择性：从各种不同频率信号的总和（有用的和有害的）中选出有用信号，抑制干扰信号的能力 a ）矩形系数或 （放大倍数下降到0.1或0.01） K →1，滤除干扰能力越强，选择性越好 b ）抑制比 表示对某个干扰信号f n 的抑制能力 4) 工作稳定性：不稳定引起自激 5）噪声系数 二．晶体管高频小信号等效电路与参数 1.形式等效电路（网络参数等效电路）h 参数系输出电压、输入电流为自变量，输入电压、输出电流为参变量 z 参数系输入、输出电流为自变量，输入、输出电压为参变量 y 参数系（本章重点讨论）输入、输出电压为自变量，输入、输出电流为参变量 输入导纳（输出短路） 输出导纳（输入短路）正向传输导纳（输出短路）反向传输导纳（输入短路） ｙfe 越大, 表示晶体管的放大能力越强；ｙre 越大, 表示晶体管的部反馈越强。

优点：没有涉及晶体管部的物理过程，因而不仅适用于晶体管，也适用于任何四端（或三端）器件。

缺点：没有考虑晶体管部的物理过程。

参数随频率变化；物理含义不明显。

参考书本62页例题 2.混合π等效电路 优点：各个元件在很宽的频率围都保持常数；缺点：分析电路不够方便。

3.混合π等效电路参数与形式等效电路y 参数的转换 y ie =g ie +j ωC ie y oe =g oe +j ωC oe y fe =|y fe |∠φfe y re =|y re |∠φre4.晶体管的高频参数 1）截止频率f β：放大系数β下降到β0的 的频率 2）特征频率飞f T当β下降至1时的频率 ，当β0>>1时, 3）最高振荡频率f max晶体管的功率增益为G p =1时的最高工作频率。

注意:f ≥f max 后，G p <1，晶体管已经不能得到功率放大。

三．单调谐回路谐振放大器i o V V A =v i oV V A log 20=v i o P P A p log 10=io P P A p =7.01.01022f f K r ∆∆=⋅7.001.0r0.0122f f K ∆∆=n 0nv v A Ad =011i 2==V VI y021r 1==V V Iy 012f 2==V V I y 022o 1==V VI y L oe fe re iei Y y y y y Y +-=L oe fe 12Y y y V V A +-==•••v s ie fe re oe o Y y y y y Y +-=21。

β0T f f β≈βT max f f f >>:频率参数的关系21βββf f j +=1.0120βT -=βf f fA V /A V o2∆f 0.12∆f 0.7 理想0.10.7 1实际121100)2()2(117.01.0r0.1--=∆∆=mm mm f f K 7010********)2(⋅⋅∆⋅-=-=∆f Q f f m m m1.电压增益谐振时 匹配时 2.功率增益1）如果设LC 调谐回路自身元件无损耗，且输出回路传输匹配 那么最大功率增益为2）如果LC 调谐回路存在自身损耗，且输出回路传输匹配引入扎入损耗K 1=回路无损耗时的输出功率（P 1）/ 回路有损耗时的输出功率（P ’1）= (其中 )那么最大功率增益为 此时的电压增益为3.通频带与选择性（通频带） 矩形系数K0.1=9.95或10选择性无论Q 值为多大，其谐振曲线和理想的矩形相差甚远，选择性差（ >>1） 4.级间耦合看书76页例题四．多级单调谐回路谐振放大器 1.放大器的总增益 2.m 级放大器的通频带 五． 谐振放大器的稳定性1.稳定系数 （其中g 2=g 1g 2）如果S ＝1，放大器可能产生自激振荡；如果S >>1，放大器不会产生自激。

S 越大，放大器离开自激状态就越远，工作就越稳定。

一般要求S=5~10，2.单向化什么是单向化：讨论如何消除y re （反向传输导纳）的反馈，变“双向元件”为“单向元件”的过程。

为什么单向化：由于晶体管存在y re 的反馈，所以它是一个“双向元件”。

作为放大器工作时，y re 的反馈作用可能引起放大器工作的不稳定。

如何单向化：1、失配法：信号源阻不与晶体管输入阻抗匹配；晶体管输出端负载阻抗不与本级晶体管的输出阻抗匹配。

注意：失配法以牺牲增益为代价换取稳定性的提高。

2、中和法（不做讨论） 第五章 高频功率放大器一．基本概念1. 谐振（高频）功放与非谐振（低频）功放的比较(相同:要求输出功率大，效率高;不同1：工作频率与相对频宽不同;不同2：负载不同:低频功放，采用无调谐负载；高频功放，一般采用选频网络作为负载；新型宽带功放采用传输线作为负载。

不同3：2ie 22oe121p fe21fe 210g p g p G y p p G y p p A P ++-='-=v 21max 2)(i o fe vo g g y A -=等效变换i o Po P P A =ie12ie 2)(g g A vo=⎪⎩⎪⎨⎧==ie2221oe 21p0g p g p G ()1oe ie12femax P04g g y A =⎪⎩⎪⎨⎧=≠ie2221oe 21p 0g p g p G 2L )1(1Q Q -()()max 0P 20L 20L oe1ie12fe max 0P )1()1(4A Q Q Q Q g g y A -=-='21max 2||)(i o fe vo g g y A =)1(0Q Q L -L7.02Q f f =∆10r ⋅K ()nA A A A A 1n21v v v v v =⋅⋅⋅=LmQ ff 017.0122-=∆()单级7.01212f m ∆-=re0fe 22S C y g ω=re0fe02A C S y ω=v工作状态不同:低频功放，工作于甲类（360度）、甲乙类或乙类（180度）（限于推挽电路）状态；高频功放，一般工作于丙类（<180度）（某些特殊情况下可工作于乙类）。