贴片可控硅BT131 SOT-89 规格参数

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bt131可控硅引脚资料

bt131可控硅引脚资料篇一：可控硅型号参数BT篇二：双向可控硅产品命名双向可控硅为什么称为“TRIAC”三端：TRIode(取前三个字母)交流半导体开关：ACemiconductorwitch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”中文译意“三端双向可控硅开关”。

由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。

双向：Bi-directional(取第一个字母)控制：Controlled(取第一个字母)整流器：Rectifier(取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成:“BCR”中文译意:双向可控硅。

以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。

双向：Bi-directional(取第一个字母)三端：Triode(取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名，典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philip公司，均以此来命名双向可控硅。

Philip公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。

而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：三象限/绝缘型/双向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等；ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。

如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型号如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。

至于型号后缀字母的触发电流，各个厂家的代表如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型号没有后缀字母之触发电流，通常为25-35mA；PHILIPS公司的触发电流代表字母没有统一的定义，以产品的封装不同而不同。

2SA1661贴片三极管 SOT-89封装三极管2SA1661参数

Seal the box with the tape
Stamp “EMPTY” on the empty box
Seal the box with the tape
QA Label
Label on the Inner Box Inner Box: 210 mm× 208 mm×２０３ mm
Label on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
B
-0
-0
-2
-4
-6
-8
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V (V) CE
-1
β=10
V CEsat
——
I
C
DC CURRENT GAIN h FE
h —— I
FE
C
500
COMMON EMITTER
T =100℃ a
V =-5V CE
T =25℃ a
100
10 -1
-10
-100
C / C —— V / V
ob ib
CB EB
C ib
-800
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25℃ a
C ob
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
CAPACITANCE C (pF)
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

可控硅型号与参数表

可控硅型号与参数表描述一．可控硅简介可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。

它具有体积小、效率高、寿命长等优点。

在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。

它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

可控硅图结构、外形和图形符可控硅的三个电极分别叫阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。

当器件的阳极接负电位（相对阴极而言）时，从符号图上可以看出PN 结处于反向，具有类似二极管的反向特性。

当器件的阳极上加正电位时（若控制极不接任何电压），在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。

但当正电压大于某个电压（称为转折电压）时，器件迅速转变到低阻通导状态。

加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。

此时如果在控制极上加有适当大小的正电压（对阴极），则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。

可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。

就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。

图3-30是可控硅的伏安特性曲线。

图中曲线I为正向阻断特性。

无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压（UB0）；当有控制极信号时，正向转折电压会下降（即可以在较低正向电压下导通），转折电压随控制极电流的增大而减小。

当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。

曲线Ⅱ为导通工作特性。

可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。

若阳极电压减小（或负载电阻增加），致使阳极电流小于维持电流IH时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。

曲线Ⅲ为反向阻断特性。

当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通（只有很小的漏电流）。

只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。

KTC4379贴片三极管 SOT-89三极管封装KTC4379参数

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDSOT-89-3L Plastic-Encapsulate TransistorsKTC4379 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Low saturation voltagez High speed switching time z Complementary to KTA1666 MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified)ParameterSymbol Test conditions M in T yp Max Unit Collector-base breakdown voltageV (BR)CBO I C =1mA, I E =0 50 V Collector-emitter breakdown voltageV (BR)CEO I C =10mA, I B =0 50 V Emitter-base breakdown voltageV (BR)EBO I E =1mA, I C =0 5 V Collector cut-off currentI CBO V CB =50V, I E =0 0.1 μA Emitter cut-off currentI EBO V EB =5V, I C =0 0.1 μA h FE(1) V CE =2V, I C =500mA 70 240 DC current gainh FE(2) V CE =2V, I C = 1.5A 40 Collector-emitter saturation voltageV CE(sat) I C =1A, I B =50mA 0.5 V Base-emitter saturation voltageV BE(sat) I C =1A, I B =50mA 1.2 V Transition frequencyf T V CE =2V, I C =500mA 120 MHz Collector output capacitanceC ob V CB =10V, I E =0, f=1MHz 30 pF Turn on Timet on 0.1 Storage Timet stg 1.0 Switching Time Fall Time t f V CC =30V, I C =1A, I B1=-I B2=-0.05A 0.1μsCLASSIFICATION OF h FE(1)Rank OY Range 70-140 120-240 Marking UO UYSOT-89-3L 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER A,Jun,2011【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】【Label on the Inner Box Label on the Outer BoxQA LabelSeal the boxwith the tapeSeal the boxwith the tapeStamp “EMPTY”on the empty boxInner Box: 210 mm× 208mm×２０３　m m Outer Box: 440 mm× 440mm× 230mmThe top gasket1000×1 PCSLabel on the ReelThe bottom gasketThe file folderPlastic bag。

BT 双向可控硅中文资料

10.5 0.47 14 0.85
2.9 2.8 1.3 16.1
T2+ GT2- G-
T2- G+
T2+ G+
控制极触发电压
T2+ GT2- G-
T2- G+
VDRM IDRM VRRM IRRM VTM IH
IGT
VGT
测试条件
ID= 0.1mA VDRM= 520V ID= 0.1mA VRRM= 520V
IT= 6A IT= 0.1A；IGT= 20mA
VAK= 12V；RL= 100Ω
最小值
8.8 9.5 4.2 1.2 φ3.4
9.5 0.43 13 0.75
2.7 2.7 1.2 15.7
深圳市商岳电子有限公司
典型值
9 10 4.5 1.25 φ3.6 2.54 10 0.45 13.5 0.8 5.08
2.8 2.75 1.25 15.9
最大值
9.2 10.5 4.8 1.3 φ3.8
VD= 12V；RL= 100Ω
规范值
最小值最大值 600 10 600 10 1.7 15 6 6 6 15 1.5 1.5 1.5 1.8
单位
V µA V µA V mA
mA
V
深圳市商岳电子有限公司
TO － 220 外形尺寸图
单位：mm
符号
A B C D F G H J K L N P Q R S Z
名称
符号
VDRM VRRM
IT I TSM Tjm Tstg
额定值
600 600
4 40 110 － 55 ～ 150
单位
V V A A ℃ ℃

可控硅BT131-800V规格书

2. Pinning information
Table 1: Pin 1 2 3
Pinning Description main terminal 2 (T2) gate (G) main terminal 1 (T1)
Simpliﬁed outline
Symbol
T2
T1
G sym051
321
SOT54 (TO-92)
BT131-800
4. Limiting values
Version SOT54
Table 3: Limiting values In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter

Conditions
over any 20 ms period
Min
[1] -
-
−40 -
Max
Unit
600
V
800
V
1
A
12.5
A
13.8
A
1.28
A2s
50 50 50 10 2 5 0.1 +150 125
A/µs A/µs A/µs A/µs A W W °C °C
[1] Although not recommended, off-state voltages up to 800 V may be applied without damage, but the triac may switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 3 A/µs.

C1815贴片三极管 SOT-89三极管封装C1815参数

Label on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
Transition frequency
Symbol Test conditions
V(BR)CBO IC= 100uA, IE=0
V(BR)CEO IC= 0.1mA, IB=0
ICBO
VCB=60V, IE=0
ICEO
VCE=50V, IB=0
IEBO
VEB= 5V, IC=0
hFE
VCE= 6V, IC= 2mA
a
12uA 10uA
8uA 6uA
4uA I =2uA
B
2
4
6
8
10
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V (V) CE
VCEsat —— IC
100
T =100 ℃ a
T =25℃ a
VOLTAGE V
(mV)
DC CURRENT GAIN h FE
BEsat
1000
100
10 0.1
1
0.1 0
300
600
900
1200
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
Cob/Cib —— VCB/VEB
50
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25 ℃ a
10
C ib
C ob
0.1 0.1
1
REVERSE VOLTAGE V (V)
10
20
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
Parameter

可控硅参数——精选推荐

∙型号VRRM（V）VDRM（V）IT（A）IGT（mA/uA) VGT(V) 封装形式MAC97A6 ≥400 ≥400 0.8 3--5 1 TO-92 SOT-8?MAC97A8 ≥600 ≥600 0.8 3--5 1 TO-92 SOT-8?BT131 ≥600 ≥600 1 3--5 0.8 TO-92BT134 ≥600 ≥600 2 3--6 1.8 TO-126BT136 ≥600 ≥600 4 3--6 1.8 TO-220BT137 ≥600 ≥600 8 10--15 1.8 TO-220BT138 ≥600 ≥600 12 12--15 1.8 TO-220BT139 ≥600 ≥600 16 12--15 1.8 TO-220BT151≥600 ≥600 8 1--12 0.8 TO-220如图:主要应用：通用电机控制，取暖和厨房用具，工业和家庭照明等产品。

可控硅/晶闸管特点:晶闸管是一种可控制的整流管，由门极向阴极送出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极。

正面K-G-A. 管脚排列：K-G-A特点: 玻璃钝化芯片、高灵敏的控制极触发电流，低通态压降用途: 应用于各种万能开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路∙BT169D ≥400 ≥400 0.8 5-120 0.8 TO-92BT169G ≥600 ≥600 0.8 5-120 0.8 TO-92BTB04 ≥600 ≥600 4 10 1.8 TO-220BTA04 ≥600 ≥600 4 10 1.8 TO-220BTA06 ≥600 ≥600 6 5--50 1.8 TO-220BTB06 ≥600 ≥600 6 5--50 1.8 TO-220BTA08 ≥600 ≥600 8 5--50 1.8 TO-220BTB08 ≥600 ≥600 8 5--50 1.8 TO-220BTA10 ≥600 ≥600 10 25--50 1.8 TO-220BTB10 ≥600 ≥600 10 25--50 1.8 TO-220BTA12 ≥600 ≥600 12 10--50 1.8 TO-220∙品名= 12A四象限双向可控硅(TRIACs)☆型号= BTA12-1000B◇电流= 12.0（A）◇电压= 1000（V）◇结温= 125（℃）◇封装形式= TO-220AB◇管脚排列= T1-T2-G 【主要用途】变频电路，调光、调温、调速电路，电扇、洗衣机、饮水机、微波炉、空调等家用电器的控制电路。

2SC2883贴片三极管 SOT-89封装三极管2SC2883参数

Dimensions In Inches Min. Max. 0.055 0.063 0.013 0.020 0.016 0.023 0.014 0.017 0.173 0.181 0.061 REF. 0.091 0.102 0.155 0.167 0.060 TYP. 0.118 TYP. 0.035 0.047
SOT-89-3L
1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER
Unit V V V A W ℃
1 2 3
MAXIMUM RATINGS (a=25℃ unless otherwise noted)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Value 30 30 5 1.5 0.5 150 -55~150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Transition frequency Collector output capacitance Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE fT Cob Test conditions IC=1mA,IE=0 IC=10mA,IB=0 IE=1mA,IC=0 VCB=30V,IE=0 VEB=5V,IC=0 VCE=2V,IC=0.5A IC=1.5A,IB=30mA VCE=2V,IC=0.5A VCE=2V,IC=500mA VCB=10V,IE=0,f=1MHz 120 40 100 Min 30 30 5 0.1 0.1 320 2 1 V V MHz pF Typ Max Unit V V V μA μA

可控硅型号参数BT

BT102-300R
可控硅
15
50m 2.5
S2800C
BT102-500R
可控硅
15
50m 2.5
S2800E
BT106
可控硅
10
20m 3
BT106A
可控硅
40.2mFra bibliotekTAG106A
BT106B
可控硅
4
0.2m
TAG106B
BT106C
可控硅
4
0.2m
TAG106C
BT106D
可控硅
4
0.2m
TAG106D
型号
PDF 资厂商料
特性用途
BT101-300R
可控硅
最大稳定最小触发触发电触发电
反向电压工作电流流压
Vr(V) 电流 Igtmin(A) Igt(A) Vgt(V) It(A)
代换型号
15
10m 2
SK3944/5487
BT101-500R
可控硅
15
10m 2
SK3944/5487
500-800
35m 1.5
MAC15A8
10m 1.5
25m 1.5
50m 1.5
35m 1.5
MAC15A8
10m 1.5
25m 1.5
BT139-600G BT139-800 BT139-800E BT139-800F BT139 系列 BT145 系列 BT148 系列 BT149A BT149B
交流电风扇速度控制可控硅，用于通用开关、固体继电器、 PHILIPS 相位控制和小功率 8 交流电风扇速度控制可控硅，用于通用开关、固体继电器、 PHILIPS 相位控制和小功率 8 交流电风扇速度控制可控硅，用于通用开关、固体继电器、 PHILIPS 相位控制和小功率 8 交流电风扇速度控制可控硅，用于通用开关、固体继电器、 PHILIPS 相位控制和小功率 8 交流电风扇速度控制可控硅，用于通用开关、固体继电器、 PHILIPS 相位控制和小功率 8 交流电风扇速度控制可控硅，用于通用开关、固体继电器、 PHILIPS 相位控制和小功率 8 交流电风扇速度控制可控硅，用于通用开关、固体继电器、 PHILIPS 相位控制和小功率 8 交流电风扇速度控制可控硅，用于通用开关、固体继电器、 PHILIPS 相位控制和小功率 12 交流电风扇速度控制

贴片三极管参数大全

贴片三极管上的印字与真实名称的对照表印字器件厂商类型封装器件用途及参数-28 PDTA114WU Phi N SOT323 pnp dtr-24 PDTC114TU Phi N SOT323 npn dtr R1 10k-23 PDTA114TU Phi N SOT323 pnp dtr R1 10k-20 PDTC114WU Phi N SOT323 npn dtr-6 PMSS3906 Phi N SOT323 2N3906-4 PMSS3904 Phi N SOT323 2N39040 2SC3603 Nec CX SOT173 Npn RF fT 7GHz1 Gali-1 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 12dB gain1 2SC3587 Nec CX - npn RF fT10GHz1 BA277 Phi I SOD523 VHF Tuner band switch diode2 BST82 Phi M - n-ch mosfet 80V 175mA2 MRF5711L Mot X SOT143 npn RF MRF5712 DTCC114T Roh N - 50V 100mA npn sw + 10k base res2 Gali-2 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 16dB gain2 BAT62-02W Sie I SCD80 BAT16 schottky diode2 2SC3604 Nec CX - npn RF fT8GHz 12dB2GHz3 Gali-3 MC AZ SOT89 DC-3GHz MMIC amp 22dB gain3 DTC143TE Roh N EMT3 npn dtr R1 4k7 50V 100mA3 DTC143TUA Roh N SC70 npn dtr R1 4k7 50V 100mA3 DTC143TKA Roh N SC59 npn dtr R1 4k7 50V 100mA3 BAT60A Sie I SOD323 10V 3A sw schottky3 BAT62-02W Sie I SCD80 -4 DTC114TCA Roh N SOT23 npn dtr R1 10k 50V 100mA4 DTC114TE Roh N EMT3 npn dtr R1 10k 50V 100mA4 DTC114TUA Roh N SC70 npn dtr R1 10k 50V 100mA4 DTC114TKA Roh N SC59 npn dtr R1 10k 50V 100mA4 MRF5211L Mot X SOT143 pnp RF MRF5214 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 17.5 dBm4 BB664 Sie I SCD80 Varicap 42-2.5pF5 SSTPAD5 Sil J - PAD-5 5pA leakage diode5 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 18 dBm o/p5 DTC124TE Roh N EMT3 npn dtr R1 22k 50V 100mA5 DTC124TUA Roh N SC70 npn dtr R1 22k 50V 100mA5 DTC124TKA Roh N SC59 npn dtr R1 22k 50V 100mA6 Gali-6 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 115 dBm o/p6 DTC144TE Roh N EMT3 npn dtr R1 47k 50V 100mA6 DTC144TUA Roh N SC70 npn dtr R1 47k 50V 100mA6 DTC144TKA Roh N SC59 npn dtr R1 47k 50V 100mA9 DTC115TUA Roh N SC70 npn dtr R2 100k 50V 100mA9 DTC115TKA Roh N SC59 npn dtr R2 100k 50V 100mA9 BC849 Mot N SOT23 BC 549B10 SSTPAD10 Sil J - PAD-10 10pA leakage diode10 MRF9411L Mot X SOT143 npn Rf 8GHz MRF94111 SO2369R SGS R SOT23R 2N236911 MRF9511L Mot X SOT143 npn RF 8GHz MRF95111 MUN5311DW1 Mot DP SOT363 npn/pnp dtr 10k+10k11 PDTA114EU Phi N SOT416 pnp dtr12 MUN5312DW1 Mot DP SOT363 npn/pnp dtr 22k+22k12 DTA123EUA Rho N SC70 pnp dtr 2k2+2k2 50V 100ma12 DTA123EKA Rho N SC59 pnp dtr 2k2+2k2 res 50V 100ma13 DTA143EUA Rho N SC70 pnp dtr 4k7+4k7 50V 100ma13 DTA143EKA Rho N SC59 pnp dtr 4k7+4k7 50V 100ma13 DTA143ECA Rho N SOT23 pnp dtr 4k7+4k7 50V 100ma13 MA4CS103A M/A C SOT23 Schottky RF 20V 100mA13 MUN5313DW1 Mot DP SOT363 npn/pnp dtr 47k+47k14 BAT114-099R Sie DQ - Quad Schottky crossover ring 14 DTA114EUA Roh N SC70 pnp dtr 10k + 10k14 DTA114EKA Roh N SC59 pnp dtr 10k + 10k14 MUN5314DW1 Mot DP SOT363 npn/pnp dtr 10k R114 DTA114ECA Roh N SOT23 pnp dtr 10k + 10k15 DTA124EUA Roh N SC70 pnp dtr 30V 50mA 22k+22k15 DTA124EKA Roh N SC59 pnp dtr 30V 50mA 22k+22k15 DTA124ECA Roh N SOT23 pnp dtr 30V 50mA 22k+22k15 MUN5315DW1 Mot DP SOT363 npn/pnp dtr 10k R115 MMBT3960 Mot N - 2N396016 MUN5316DW1 Mot DP SOT363 npn/pnp dtr 4k7 R116 DTA144EUA Roh N SC70 pnp dtr 30V 50mA 47k+47k16 DTA144EKA Roh N SC59 pnp dtr 30V 50mA 47k+47k18 BFP181T Tfk X - npn Rf fT 7.8GHz 10V 20mA18 PDTC143ZK Phi N SOT346 npn dtr 4k7+47k19 PDTA143ZK Phi N SOT346 pnp dtr 4k7+47k19 DTA115EUA Rho N SC70 pnp dtr 100k+100k 50V 100ma19 DTA115EKA Rho N SC59 pnp dtr 100k+100k 50V 100ma20 SSTPAD20 Sil J - PAD-20 20pA leakage diode20 MRF5811 Mot X SOT143 npn Rf fT 5GHz 0.2A21 Gali-21 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 14 dB gain22 MMBT4209 Nat N SOT23 pnp sw 850MHz 2N420922 DTC123EUA Rho N SC70 npn dtr 2k2+2k2 50V 100ma22 DTC123EKA Rho N SC59 npn dtr 2k2+2k2 50V 100ma23 MMBT3646 Nat N SOT23 npn sw 350MHz 2N364623 DTC143EUA Roh N SC70 pnp dtr 50V 100mA 4k7+ 4k723 DTC143EKA Roh N SC59 pnp dtr 50V 100mA 4k7+ 4k724 MMBD2101 Nat C SOT23 Si diode 100V 200mA24 DTC114ECA Roh N SOT23 npn dtr 50V 100mA 10k + 10k 24 DTC114EUA Roh N SC70 npn dtr 50V 100mA 10k + 10k 24 DTC114EKA Roh N SC59 npn dtr 50V 100mA 10k + 10k24 2SC5006 Nec N - npn RF fT 4.5GHz 3V 7mA25 MMBD2102 Nat K SOT23 Si diode 100V 200mA25 DTC124ECA Roh N SOT23 npn dtr 50V 100mA 22k + 22k25 DTC124EKA Roh N SC59 npn dtr 50V 100mA 22k + 22k25 DTC124EUA Roh N SC70 npn dtr 50V 100mA 22k + 22k26 MMBD2103 Nat D SOT23 dual MMBD120126 DTC144EKA Roh N SC59 npn dtr 50V 30mA 47k + 47k26 DTC144EUA Roh N SC70 npn dtr 50V 30mA 47k + 47k27 MMBD2104 Nat B SOT23 dual cc MMBD120128 BFP280T Tfk W - npn RF fT 7GHz 8V 10mA28 MMBD2105 Nat A SOT23 dual ca MMBD120129 MMBD1401 Nat C SOT23 Si diode 200V 100mA29 DTC115EE Roh N EMT3 npn dtr 100k +100k 50V 20mA29 DTC115EUA Roh N SC70 npn dtr 100k +100k 50V 20mA29 DTC115EKA Roh N SC59 npn dtr 100k +100k 50V 20mA30 MUN5330DW1 Mot DP SOT363 npn/pnp dtr 1k0+1k031 MUN5331DW1 Mot DP SOT363 npn/pnp dtr 2k2+2k231 MMBD1402 Nat K SOT23 Si diode 200V 100mA32 MUN5332DW1 Mot DP SOT363 npn/pnp dtr 4k7+4k732 MMBD1403 Nat D SOT23 dual Si diode 200V 100mA32 BAT32 Sie CS - 18GHz zero-bias schottky33 MUN5333DW1 Mot DP SOT363 npn/pnp dtr 4k7+47k33 DTA143XE Roh N EMT3 pnp dtr 4k7+10k 50V 100mA33 DTA143XUA Roh N SC70 pnp sw 4k7+10k bias res 50V 100mA 33 DTA143XKA Roh N SC59 pnp sw 4k7+10k bias res 50V 100mA 33 MMBD1404 Nat B SOT23 dual cc Si diode 200V 100mA33 Gali-33 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 19dB gain34 MUN5334DW1 Mot DP SOT363 npn/pnp dtr 22k+47k34 MMBD1405 Nat A SOT23 dual ca Si diode 200V 100mA34 2SC5007 Nec N - npn RF fT 7GHz 3V 7mA35 MUN5335DW1 Mot DP SOT363 npn/pnp dtr 2k2+47k35 DTA124XE Roh N EMT3 pnp dtr 22k+47k 50V 50mA35 DTA124XUA Roh N SC70 pnp dtr 22k+47k 50V 50mA35 DTA124XKA Roh N SC59 pnp dtr 22k+47k 50V 50mA41 BAT14-115S Sie CS SOT173 40GHz schottky diode41 BAT14-115R Sie CZ SOT173 40GHz schottky ring quad42 BAT14-025S Sie CS SOT173 4GHz schottky diode42 BAT14-025R Sie CZ SOT173 4GHz schottky ring quad43 BAS40 Sie C SOT23 schottky diode 40V 100mA43 DTA143EE Mot N SOT416 pnp dtr 4k7 + 4k743 DTC143XE Roh N EMT3 npn dtr 4k7+10k 50V 100mA43 DTC143XUA Roh N SC70 npn dtr 4k7+10k 50V 100mA43 DTC143XKA Roh N SC59 npn dtr 4k7+10k 50V 100mA44 BAS40-04 Sie D SOT23 dual series BAS4044 BAS40-04W Sie D SOT323 dual series BAS4044 2SC5009 Nec N - npn RF fT 12GHz 3V 5mA45 BAS40-05 Sie A SOT23 dual ca BAS4045 BAS40-05W Sie A SOT323 dual ca BAS4045 BAT14-055S Sie CS SOT173 8GHz schottky diode45 BAT14-055R Sie CZ SOT173 8GHz schottky ring quad 45 DTC124XE Roh N EMT3 npn dtr 22k+47k 50V 50mA45 DTC124XUA Roh N SC70 npn dtr 22k+47k 50V 50mA45 DTC124XKA Roh N SC59 npn dtr 22k+47k 50V 50mA46 BAS40-06 Sie B SOT23 dual cc BAS4046 BAS40-06W Sie B SOT323 dual cc BAS4046 MBT3946DW Mot DP - 2N3904/2N3906 pair47 BAS40-07 Sie S SOT143 dual BAS4047 BAS40-07W Sie S SOT343 dual BAS4049 BAT14-095S Sie CS SOT173 18GHz shottky diode49 BAT14-095R Sie CZ SOT173 18GHz schottky ring quad50 SSTPAD50 Sil J - PAD-50 50pA leakage diode51 BAT15-115S Sie CS SOT173 40GHz schottky diode51 BAT15-115R Sie CZ SOT173 40GHz schottky ring quad52 BAT15-025S Sie CS SOT173 4GHz schottky diode52 BAT15-025R Sie CZ SOT173 4GHz schottky ring quad 52 Gali-52 MC AZ SOT89 DC-2GHz MMIC amp 23 dB gain 52 BAS52-02V Inf I SC79 Schottky diode 45V 750mA52 DTA123YE Roh N EMT3 pnp dtr 2k2 +10k 50V 100mA52 DTA123YUA Roh N SC70 pnp dtr 2k2 +10k 50V 100mA 52 DTA123YKA Roh N SC59 pnp dtr 2k2 +10k 50V 100mA 54 DTA114YE Roh N EMT3 pnp dtr 10k + 47k 50V 100mA 54 DTA114YUA Roh N SC70 pnp dtr 10k + 47k 50V 100mA54 DTA114YKA Roh N SC59 pnp dtr 10k + 47k 50V 100mA55 BAT15-055S Sie CS SOT173 8GHz schottky diode55 BAT15-055R Sie CZ SOT173 8GHz schottky ring quad 55 Gali-55 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 21 dB gain57 BFQ57 Sie CX SOT173 npn 6.5GHz 16V/35mA58 BFQ58 Sie CX SOT173 npn 6.5GHz 16V/30mA59 BAT15-095S Sie CS SOT173 18GHz schottky diode59 BAT15-095R Sie CZ SOT173 18GHz schottky ring quad 62 DTC123YE Roh N EMT3 npn dtr 2k2 +10k 50V 100mA62 DTC123YUA Roh N SC70 npn dtr 2k2 +10k 50V 100mA 62 DTC123YKA Roh N SC59 npn dtr 2k2 +10k 50V 100mA 64 DTC114YE Roh N EMT3 npn dtr 10k + 47k 50V 100mA 64 DTC114YUA Roh N SC70 npn dtr 10k + 47k 50V 100mA 64 DTC114YKA Roh N SC59 npn dtr 10k + 47k 50V 100mA 67 BFP67 Tfk X - npn Rf fT 7.5GHz 10V 50mA69 DTA114YE Mot N SOT416 pnp dtr 10k +47k69 DTC115EE Roh N EMT3 npn dtr 100k+100k 50V 20mA69 DTC115EUA Roh N SC70 npn dtr 100k+100k 50V 20mA69 DTC115EKA Roh N SC59 npn dtr 100k+100k 50V 20mA70 BFQ70 Sie CX SOT173 npn fT 5.2GHz 15V 35mA71 BFQ71 Sie CX SOT173 npn fT 5.2GHz 15V 30mA72 BFQ72 Sie CX SOT173 npn fT 5.1GHz 15V 50mA72 2N7002 Sil M SOT23 n-ch mosfet 60V 170mA73 MA4CS101A M/A C SOT23 schottky diode 70V 50mA73 BFQ73 Sie CX SOT173 npn fT 4.9GHz 15V 75mA73 2SC5004 Nec N - npn RF 5GHz 5V 5mA74 BFQ74 Sie CX SOT173 npn fT 6GHz 16V 35mA74 MA4CS101B M/A D SOT23 dual series MA4CS101A (73)74 DTA114WE Rho N EMT3 pnp dtr 10k + 4k7 50V 100mA74 DTA114WUA Rho N SC70 pnp dtr 10k + 4k7 50V 100mA74 DTA114WKA Rho N SC59 pnp dtr 10k + 4k7 50V 100mA74 2SC5005 Nec N - npn RF 5.5GHz 5V 5mA75 BFQ75 Sie CX SOT173 pnp fT 5GHz 12V 50mA76 BFQ76 Sie CX SOT173 pnp fT 5GHz 15V 30mA76 DTA144WE Rho N EMT3 pnp dtr 47k + 22k 50V 30mA76 DTA144WUA Rho N SC70 pnp dtr 47k + 22k 50V 30mA76 DTA144WKA Rho N SC59 pnp dtr 47k + 22k 50V 30mA77 MA4CS101E M/A S SOT143 dual MA4CS101A (73)77 BFQ77 Sie CX SOT173 npn fT 7GHz 15V 20mA78 MMBT4258 Nat N SOT23 pnp sw fT 700MHz81 SO2369AR SGS R SOT23R 2N2369A81 ZMV831BV2 Zet I SOD523 28V hyperabrupt varicap 15pF 2V82 2SC5009 Nec N - npn RF fT 12GHz 3V 5mA82 ZMV832BV2 Zet I SOD523 28V hyperabrupt varicap 22pF 2V83 MMBT4400 Nat N - npn 2N440083 2SC5010 Nec N - npn RF fT 12GHz 3V 10mA83 MA4CS102A M/A C SOT23 schottky diode 8V 30mA84 MA4CS102B M/A D SOT23 dual ser schottky diode 8V 30mA 84 DTC114WE Rho N EMT3 npn dtr 10k + 4k7 50V 100mA84 DTC114WUA Rho N SC70 npn dtr 10k + 4k7 50V 100mA84 DTC114WKA Rho N SC59 npn dtr 10k + 4k7 50V 100mA85 MMBD1701 Nat C - Fast Si diode 30V 50mA85 MA4CS102A M/A B SOT23 dual cc schottky diode 8V 30mA86 MMBD1702 Nat K - Fast Si diode 30V 50mA86 DTC144WE Rho N EMT3 npn dtr 47k + 22k 50V 30mA86 DTC144WUA Rho N SC70 npn dtr 47k + 22k 50V 30mA86 DTC144WKA Rho N SC59 npn dtr 47k + 22k 50V 30mA87 MMBD1703 Nat D - dual ser MMBD170187 MA4CS102A M/A S SOT143 dual schottky diode 8V 30mA88 MMBD1704 Nat B - dual cc MMBD170189 MMBD1705 Nat A - dual ca MMBD170191 ZV931V2 Zet I SOD523 4-13.5pF hyperabrupt varicap91 DTA113TKA Roh N SC59 pnp dtr R11k0 50V 100mA92 ZV932V2 Zet I SOD523 5.5-17pF hyperabrupt varicap93 ZV933V2 Zet I SOD523 12-42pF hyperabrupt varicap 93 DTA143TE Roh N EMT3 pnp dtr R1 4k7 50V 100mA93 DTA143TUA Roh N SC70 pnp dtr R1 4k7 50V 100mA93 DTA143TKA Roh N SC59 pnp dtr R1 4k7 50V 100mA94 DTA114TE Roh N EMT3 pnp dtr R1 10k 50V 100mA94 DTA114TUA Roh N SC70 pnp dtr R1 10k 50V 100mA94 DTA114TKA Roh N SC59 pnp dtr R1 10k 50V 100mA95 DTA124TE Roh N EMT3 pnp dtr R1 22k 50V 100mA95 DTA124TCA Roh N SOT23 pnp dtr R1 22k 50V 100mA95 DTA124TKA Roh N SC59 pnp dtr R1 22k 50V 100mA96 DTA144TE Roh N EMT3 pnp dtr R1 47k 50V 100mA96 DTA144TUA Roh N SC70 pnp dtr R1 47k 50V 100mA96 DTA144TKA Roh N SC59 pnp dtr R1 47k 50V 100mA99 DTA115TE Roh N EMT3 pnp dtr R1 100k 50V 100mA99 DTA115TUA Roh N SC70 pnp dtr R1 100k 50V 100mA99 DTA115TKA Roh N SC59 pnp dtr R1 100k 50V 100mA100 SSTPAD100 Sil J SOT23 PAD-100 100pA leakage diode 101 PZM10NB1 Phi C SOT346 10V 0.3W zener102 PZM10NB2 Phi C SOT346 10V 0.3W zener103 PZM10NB3 Phi C SOT346 10V 0.3W zener111 PZM11NB1 Phi C SOT346 11V 0.3W zener111 DTA113ZUA Roh N SC70 pnp dtr 1k+10k 50V 100mA112 PZM11NB2 Phi C SOT346 11V 0.3W zener113 PZM11NB3 Phi C SOT346 11V 0.3W zener113 DTA143ZUA Roh N SC70 pnp dtr 4k7+47k 50V 100mA 121 PZM12NB1 Phi C SOT346 12V 0.3W zener121 DTC113ZUA Roh N SC70 npn dtr 1k+10k 50V 100mA 122 PZM12NB2 Phi C SOT346 12V 0.3W zener123 PZM12NB3 Phi C SOT346 12V 0.3W zener123 DTC143ZUA Roh N SC70 npn dtr 4k7+47k 50V 100mA 131 PZM13NB1 Phi C SOT346 13V 0.3W zener132 PZM13NB2 Phi C SOT346 13V 0.3W zener132 DTA123JUA Roh N SC70 pnp dtr 2k2+47k 50V 100mA 133 PZM13NB3 Phi C SOT346 13V 0.3W zener142 DTA123JUA Roh N SC70 npn dtr 2k2+47k 50V 100mA 151 PZM15NB1 Phi C SOT346 15V 0.3W zener152 PZM15NB2 Phi C SOT346 15V 0.3W zener153 PZM15NB3 Phi C SOT346 15V 0.3W zener156 DTA144VUA Roh N SC70 pnp dtr 47k+10k 50V 100mA 161 PZM16NB1 Phi C SOT346 16V 0.3W zener162 PZM16NB2 Phi C SOT346 16V 0.3W zener163 PZM16NB3 Phi C SOT346 16V 0.3W zener166 DTC144VUA Roh N SC70 npn dtr 47k+10k 50V 100mA179 FMMT5179 Zet N - 2N5179181 PZM18NB1 Phi C SOT346 18V 0.3W zener182 PZM18NB2 Phi C SOT346 18V 0.3W zener183 PZM18NB3 Phi C SOT346 18V 0.3W zener200 SSTPAD200 Sil J - PAD-200 200pA leakage diode201 PZM20NB1 Phi C SOT346 20V 300mW Zener202 PZM20NB2 Phi C SOT346 20V 300mW Zener203 PZM20NB3 Phi C SOT346 20V 300mW Zener221 PZM22NB1 Phi C SOT346 22V 300mW Zener222 PZM22NB2 Phi C SOT346 22V 300mW Zener223 PZM22NB3 Phi C SOT346 22V 300mW Zener241 PZM24NB Phi C SOT346 24V 300mW Zener242 PZM24NB Phi C SOT346 24V 300mW Zener243 PZM20NB Phi C SOT346 24V 300mW Zener271 PZM2.7NB1 Phi C SOT346 2.7V 300mW Zener272 PZM2.7NB2 Phi C SOT346 2.7V 300mW Zener301 FDV301N Fch M SOT23 n-ch 'digital' fet 25V 0.22A302 FDV302P Fch M SOT23 p-ch 'digital' fet 25V 0.13A303 FDV303N Fch M SOT23 n-ch 'digital' fet 25V 0.68A304 FDV304P Fch M SOT23 p-ch 'digital' fet 25V 0.46A331 NDS331N Fch M SOT23 n-ch mosfet 1.3A 20V331 PZM3.3NB1 Phi C SOT346 3.3V 300mW zener332 PZM3.3NB2 Phi C SOT346 3.3V 300mW zener332 NDS332N Fch M SOT23 "p-ch mosfet 0.4A, 1A pk, 20V" 335 NDS335N Fch M SOT23 "n-ch mosfet 70 mA, 1.7A pk, 20V" 336 NDS336N Fch M SOT23 "p-ch mosfet 0.27A, 1.2A pk, 20V" 337 NDS337N Fch M SOT23 "n-ch mosfet 50 mA, 2.5A pk 20V" 338 NDS338N Fch M SOT23 "p-ch mosfet 0.13A, 1.6Apk 20V" 340 FDV340P Fch M SOT23 p-ch mosfet 20V 70 mA351 NDS351N Fch M SOT23 n-ch mosfet 1.1A 30V352 NDS352N Fch M SOT23 p-ch mosfet 0.5A 20V355 NDS355N Fch M SOT23 "n-ch mosfet 0.1A, 1.6A pk 30V" 356 NDS356N Fch M SOT23 "p-ch mosfet 0.3A, 1.1A pk 20V" 357 NDS357N Fch M SOT23 n-ch mosfet 2.5Apk 30V358 NDS358N Fch M SOT23 "p-ch mosfet 0.2A, 1.6A pk 30V" 358 FDN358N Fch M SOT23 p-ch mosfet 0.2A 1.6A pk 30V360 FDN360P Fch M SOT23 "p-ch mosfet 80mA, 2a PK, 30V" 361 PZM3.6NB1 Phi C SOT346 3.6V 300mW Zener362 PZM3.3NB2 Phi C SOT346 3.6V 300mW Zener391 PZM3.9NB1 Phi C SOT346 3.9V 300mW Zener392 PZM3.9NB2 Phi C SOT346 3.9V 300mW Zener413 FMMT413 Zet N SOT23 npn avalanche 150v 0.1A 415 FMMT415 Zet N SOT23 npn avalanche 260v 0.1A 417 FMMT417 Zet N SOT23 npn avalanche 320v 0.1A 431 PZM4.3NB1 Phi C SOT346 4.3V 0.3W zener432 PZM4.3NB2 Phi C SOT346 4.3V 0.3W zener433 PZM4.3NB3 Phi C SOT346 4.3V 0.3W zener449 FMMT449 Zet N SOT23 npn 50V 1A low Vce sat 451 FMMT451 Zet N SOT23 npn 60V 1A455 FMMT455 Zet N SOT23 NPN 140V 1A458 FMMT458 Zet N SOT23 npn 400V 0.4A471 PZM4.7NB1 Phi C SOT346 4.7V 0.3W zener472 PZM4.7NB2 Phi C SOT346 4.7V 0.3W zener473 PZM4.7NB3 Phi C SOT346 4.7V 0.3W zener491 FMMT491 Zet N SOT23 ZTX 450/451493 FMMT493 Zet N SOT23 ZTX 453494 FMMT494 Zet N SOT23 npn 120V 1A495 FMMT495 Zet N SOT23 npn 170V 1A497 FMMT497 Zet N SOT23 npn 300V 0.5A500 SSTPAD500 Sil J PAD-500 500pA leakage diode 511 PZM5.1NB1 Phi C SOT346 5.1V 0.3W zener512 PZM5.1NB2 Phi C SOT346 5.1V 0.3W zener513 PZM5.1NB3 Phi C SOT346 5.1V 0.3W zener558 FMMT558 Zet N SOT23 pnp 400V 0.15A561 PZM5.1NB1 Phi C SOT346 5.6V 0.3W zener562 PZM5.1NB2 Phi C SOT346 5.6V 0.3W zener563 PZM5.1NB3 Phi C SOT346 5.6V 0.3W zener589 FMMT589 Zet N SOT23 pnp 30V 1A593 FMMT593 Zet N SOT23 ZTX 553605 NDS0605 Fch M SOT23 P-ch mosfet 60V 180mA605 NDS0605 Fch M - p-ch sw mosfet 60V610 NDS0610 Fch M - p-ch sw mosfet 60V614 FMMT614 Zet N SOT23 sw617 FMMT617 Zet N SOT23 npn sw 15V 3A618 FMMT618 Zet N SOT23 npn sw 20V 2.5A619 FMMT619 Zet N SOT23 npn sw 50V 2A621 PZM6.2NB1 Phi C SOT346 6.2V 0.3W zener622 PZM6.2NB2 Phi C SOT346 6.2V 0.3W zener623 PZM6.2NB3 Phi C SOT346 6.2V 0.3W zener624 FMMT624 Zet N SOT23 -625 FMMT625 Zet N SOT23 -634 FMMT634 Zet N SOT23 100V 0.9A darlington npn 651 PZT651 Mot N SOT223 npn 60V 1A681 PZM6.8NB1 Phi C SOT346 6.8V 0.3W zener682 PZM6.8NB2 Phi C SOT346 6.8V 0.3W zener683 PZM6.8NB1 Phi C SOT346 6.8V 0.3W zener701 2N7001 Mot M SOT23 n-ch mosfet702 2N7002 Mot M SOT23 n-ch mosfet 60V 0.11A703 2N7003 Mot M SOT23 n-ch mosfet712 NDS7002A Nat M SOT23 n-ch mosfet 60V 0.28A717 FMMT717 Zet N SOT23 pnp sw 0.625W 2.5A 12V718 FMMT718 Zet N SOT23 pnp sw 0.625W 1.5A 20V720 FMMT720 Zet N SOT23 pnp sw 0.625W 1.5A722 FMMT722 Zet N SOT23 pnp sw723 FMMT723 Zet N SOT23 pnp sw730 FMMT730 Zet N SOT23 ZTX550/551751 PZM7.5NB1 Phi C SOT346 7.5V 0.3W zener752 PZM7.5NB2 Phi C SOT346 7.5V 0.3W zener753 PZM7.5NB3 Phi C SOT346 7.5V 0.3W zener821 PZM8.2NB1 Phi C SOT23 8.2V 0.3W zener822 PZM8.2NB2 Phi C SOT23 8.2V 0.3W zener822 S822T Tfk X - 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dual cc Si diode 200V 100mA14s BAS125-04 Sie D SOT23 Dual series Schottky 25V 100mA 14s BAS125-04W Sie D SOT323 Dual series Schottky 25V 100mA 15A MMBD1505A Nat A - dual ca Si diode 200V 100mA15A PZM15NB2A Phi A SOT346 dual ca 15V 0.3W zener15s BAS125-05 Sie B SOT23 dual cc Schottky 25V 100mA15s BAS125-05W Sie B SOT323 dual cc Schottky 25V 100mA15V PZM15NB Phi C SOT346 15V 0.3W zener15Y BZV49-C15 Phi O SOT89 15V 1W zener16s BAS125-06 Sie A SOT23 dual ca Schottky 25V 100mA16s BAS125-06W Sie A SOT323 dual ca Schottky 25V 100mA16V PZM16NB Phi C SOT346 16V 0.3W zener16Y BZV49-C16 Phi O SOT89 16V 1W zener17s BAS125-07 Sie S SOT143 dual Schottky 25V 100mA17s BAS125-07W Sie S SOT343 dual Schottky 25V 100mA18V PZM18NB Phi C SOT346 18V 0.3W zener18Y BZV49-C18 Phi O SOT89 18V 1W zener1A BC846A Phi N SOT23 BC546A1A BC846AT Phi N SOT416 BC546A1A FMMT3904 Zet N SOT23 2N39041A MMBT3904 Mot N SOT23 2N39041A IRLML2402 IR F SOT23 n-ch mosfet 20V 0.9A-1A PMST3904 Phi N SOT323 2N39041A- BC846AW Phi N SOT323 BC546A1AM MMBT3904L Mot N SOT23 2N39041Ap BC846A Phi N SOT23 BC546A1At BC846A Phi N SOT23 BC546A1At BC846AW Phi N SOT323 BC546A1B BC846BT Phi N SOT416 BC546B1B FMMT2222 Zet N SOT23 2N22221B MMBT2222 Mot N SOT23 2N22221B IRLML2803 IR F SOT23 n-ch mosfet 30V 0.9A-1B PMST2222 Phi N SOT323 2N22221B- BC846BW Phi N SOT323 BC546B1Bp BC846B Phi N SOT23 BC546B1Bs BC817UPN Sie N SC74 -1Bt BC846B Phi N SOT23 BC546B1Bt BC846BW Phi N SOT323 BC546B1C FMMT-A20 Zet N SOT23 MPSA201C MMBTA20L Mot N SOT23 MPS39041C IRLML6302 IR F SOT23 p-ch mosfet 20V 0.6A1Cp BAP50-05 Phi B SOT23 dual cc GP RF pin diode 1Cs BC847S Sie - SOT363 BC4571D MMBTA42 Mot N SOT23 MPSA42 300V npn1D IRLML5103 IR F SOT23 p-ch mosfet 30V 0.6A1D- BC846W Phi N SOT323 BC4561DN 2SC4083 Roh N - npn 11V 3.2GHz TV tuners1Dp BC846 Phi N SOT23 BC4561DR MSD1328R Mot N SOT346 npn gp 25V 500mA1Ds BC846U Sie N SC74 BC4561Ds BC846U Sie - SOT363 BC4561Dt BC846 Phi N SOT23 BC4561Dt BC846W Phi N SOT323 BC4561E BC847A Phi N SOT23 BC547A1E BC847AT Phi N SOT416 BC547A1E FMMT-A43 Zet N - MPSA431E MMBTA43 Mot N SOT23 MPSA43 200V npn1E- BC847A Phi N SOT323 BC547A1EN 2SC4084 Roh N - npn 20V 2.0GHz TV tuners1Ep BC847A Phi N SOT23 BC547A1ER BC847AR Phi R SOT23R BC547A1Es BC847A Sie N SOT23 BC4571Es BC847AW Sie N SOT323 BC4571Et BC847A Phi N SOT23 BC547A1Et BC847A Phi N SOT323 BC547A1F BC847B Phi N SOT23 BC547B1F BC847BT Phi N SOT416 BC547B1F MMBT5550 Mot N SOT23 2N5550 140V npn1F- BC847BW Phi N SOT323 BC547B1Fp BC847B Phi N SOT23 BC547B1FR BC847BR Phi R SOT23R BC547B1Fs BC847BT Sie N SC75 BC547B1Fs BC847BW Sie N SOT323 BC547B1Ft BC847B Phi N SOT23 BC547B1Ft BC847BW Phi N SOT323 BC547B1FZ FMBT5550 Zet N SOT23 2N5550 140V npn1G BC847C Phi N SOT23 BC547C1G BC847CT Phi N SOT416 BC547C1G FMMT-A06 Zet N SOT23 MPSA061G MMBTA06 Mot N SOT23 MPSA061G- BC847CW Phi N SOT323 BC547C1GM MMBTA06 Mot N SOT23 MPSA061Gp BC847C Phi N SOT23 BC547C1GR BC847CR Phi R SOT23R BC547C1Gs BC847C Sie N SOT23 BC547C1Gs BC847CW Sie N SOT323 BC547C1Gt BC847CW Phi N SOT323 BC547C1GT SOA06 SGS N SOT23 MPSA061H FMMT-A05 Zet N - MPSA051H MMBTA05 Mot N SOT23 MPSA051H- BC847W Phi N SOT323 BC5471Hp BC847 Phi N SOT23 BC5471Ht BC847 Phi N SOT23 BC5471Ht BC847W Phi N SOT323 BC5471HT SOA05 SGS N SOT23 MPSA051J BC848A Phi N SOT23 BC548A1J FMMT2369 Zet N SOT23 2N23691J MMBT2369 Mot N SOT23 MPS23691JA MMBT2369A Mot N SOT23 MPS2369A1Jp BCV61A Phi VQ SOT143 npn current mirror hFe 180 1JR BC848AR Phi R SOT23R BC548A1Js BC848A Sie N SOT23 BC548A1Js BC848AW Sie N SOT323 BC548A1Js BCV61A Sie VQ SOT143 npn current mirror hFe 180 1JZ BC848A Zet N SOT23 BC548A1K BC848B ITT N SOT23 BC548B1K MMBT6428 Mot N SOT23 MPSA18 50V1K FMMT4400 Zet N SOT23 2N44001KM MMBT6428L Mot N SOT23 MPSA18 50V1Kp BC848B Phi N SOT23 BC548B1Kp BCV61B Phi VQ SOT143B npn current mirror hFe 290 1KR BC848BR Phi R SOT23R BC548B1Ks BC848B Sie N SOT23 BC548B1Ks BC848BW Sie N SOT323 BC548B1Ks BCV61B Sie VQ SOT143B npn current mirror hFe 2901KZ FMMT4400 Zet N SOT23 2N44001L BC848C ITT N SOT23 BC548C1L MMBT6429 Mot N - MPSA18 45V1L FMMT4401 Zet N - 2N44011L BCV61C Sie VQ SOT143B npn current mirror hFe 5201Lp BC848C Phi N SOT23 BC548C1Lp BCV61C Phi VQ SOT143B npn current mirror hFe 5201LR BC848CR Phi R SOT23R BC548C1Ls BC848C Sie N SOT23 BC548C1Ls BC848CW Sie N SOT323 BC548C1M MMBTA13 Mot N SOT23 MPSA13 darlington1M FMMT-A13 Zet N SOT23 MPSA131Mp BC848 Phi N SOT23 BC5481Mp BCV61 Phi VQ SOT143B npn current mirror1N FMMT-A14 Zet N SOT23 MPSA141N MMBTA14 Mot N SOT23 MPSA14 darlington1N5 ZTX11N15DF Zet N SOT23 npn 15V 3A low saturation V 1P FMMT2222A Zet N - 2N2222A1P MMBT2222A Mot N SOT23 2N2222A1P BC847PN Sie DI - pnp/npn separate pair gp AF1Q MMBT5088 Mot N SOT23 MPSA18 Vce 30V1R MMBT5089 Mot N SOT23 MPSA18 Vce 25V1S MMBT2369A Nat N SOT23 2N2369A 500MHz sw npn1S MSC3130 Mot H SOT346 npn RF fT 1.4GHz 10V1T MMBT3960A Mot N - 2N3960A1U MMBT2484L Mot N SOT23 MPSA181V MMBT6427 Mot H SOT23 2N6426/7 darlington npn1V- BF820W Phi N SOT323 npn 300V 50mA BF4201Vp BF820 Phi N SOT23 npn 300V 50mA BF4201Vt BF820 Phi N SOT23 npn 300V 50mA BF4201Vt BF820W Phi N SOT323 npn 300V 50mA BF4201W FMMT3903 Zet N SOT23 2N39031W - BF822W Phi N SOT323 pnp 300V 50mA BF4211W t BF822W Phi N SOT323 pnp 300V 50mA BF4211Wp BF821 Phi N SOT23 pnp 300V 50mA BF4211Wt BF821 Phi N SOT23 pnp 300V 50mA BF4211X MMBT930L Mot N SOT23 MPS39041Xp BF822 Phi N SOT23 npn 250V 50mA BF4221Xt BF822 Phi N SOT23 npn 250V 50mA BF4221Y MMBT3903 Mot N SOT23 2N39031Yp BF823 Phi N SOT23 pnp 250V 50mA BF4231Yt BF823 Phi N SOT23 pnp 250V 50mA BF4231Z BAS70-06 Zet A SOT23 dual RF CA schottky diode1Z MMBT6517 Mot N SOT23 2N6517 npn Vce 350V2 (blue) BAR64-03W Sie I SOD323 pin diode2 (white) BB439 Sie I SOD323 29-5 pF varicap 20F TSDF1220 Tfk X SOT143 fT 12GHz npn 6V 20mA 20V PZM20NB Phi C SOT346 20V 300mW zener20Y BZV49-C20 Phi O SOT89 20V 1W zener22V PZM22NB Phi C SOT346 22V 300mW zener22Y BZV49-C22 Phi O SOT89 22V 1W zener24V PZM24NB Phi C SOT346 24V 300mW Zener24Y BZV49-C24 Phi O SOT89 24V 1W zener27V PZM27NB Phi C SOT346 27V 300mW Zener27Y BZV49-C27 Phi O SOT89 27V 1W zener2A MMBT3906L Mot N SOT23 2N39062A MMBT3906W Mot N SOT323 2N39062A FMMT3906 Zet N SOT23 2N39062A4 PZM2.4NB2A Phi A SOT346 dual 2.4V cc Zener 2A7 PZM2.7NB2A Phi A SOT346 dual 2.7V cc Zener 2B BC849B ITT N SOT23 BC549B2B FMMT2907 Zet N SOT23 2N29072B MMBT2907 Mot N SOT23 MPS29072B- BC849BW Phi N SOT323 BC549B2Bp BC849B Phi N SOT23 BC549B2BR BC849BR Phi R SOT23R BC549B2Bs BC849B Sie N SOT23 BC549B2Bs BC849BW Sie N SOT323 BC549B2Bt BC849BW Phi N SOT323 BC549B2BZ FMMT2907 Zet N SOT23 2N29072C BC849C ITT N SOT23 BC549C2C MMBTA70 Mot N SOT23 MPSA702C- BC849CW Phi N SOT323 BC549C2Cp BC849C Phi N SOT23 BC549C2CR BC849CR Phi R SOT23R BC549C2Cs BC849C Sie N SOT23 BC549C2Cs BC849CW Sie N SOT323 BC549C2Ct BC849C Phi N SOT23 BC549C2Ct BC849CW Phi N SOT323 BC549C2CZ FMMTA70 Zet N SOT23 MPSA702D MMBTA92 Mot N SOT23 MPSA92 pnp Vce 300V2E MMBTA93 Mot N SOT23 MPSA93 pnp Vce 200V2E FMMT-A93 Zet N SOT23 MPSA932F BC850B ITT N SOT23 BC550B2F FMMT2907A Zet N SOT23 2N2907A2F MMBT2907A Mot N SOT23 MPS2907A2F MMBT2907AW Mot N SOT323 MPS2907A2Fp BC850B Phi N SOT23 BC550B2FR BC850BR Phi R SOT23R BC550B2Fs BC850B Sie N SOT23 BC550B2Fs BC850BW Sie N SOT323 BC550B2Ft BC850B Phi N SOT23 BC550B2Ft BC850BW Phi N SOT323 BC550B2G BC850C ITT N SOT23 BC550C2G FMMT-A56 Zet N SOT23 MPSA562G MMBTA56 Mot N SOT23 MPSA562G- BC850CW Phi N SOT323 BC550C2GM MMBTA56 Mot N SOT23 MPSA562Gp BC850C Phi N SOT23 BC550C2GR BC850CR Phi R SOT23R BC550C2Gs BC850C Sie N SOT23 BC550C2Gt BC850C Phi N SOT323 BC550C2Gt BC850CW Phi N SOT323 BC550C2GT SOA56 SGS N SOT23 MPSA562H FMMT-A55 Zet N SOT23 MPSA552H MMBTA55 Mot N SOT23 MPSA552HT SOA55 SGS N SOT23 MPSA552J MMBT3640 Mot N SOT23 MPS3640 pnp sw2K FMMT4402 Zet N SOT23 2N44022K MMBT8598 Mot N - 2N4125 pnp 60V2L MMBT5401 Mot N SOT23 2N5401 pnp 150V2L FMMT4403 Zet N SOT23 2N44032M FMMT5087 Zet N SOT23 2N50872M MMBT404 Mot N SOT23 pnp-chopper 24V 150mA2N MMBT404A Mot N SOT23 pnp-chopper 35V 150mA2N0 ZXT11N20DF Zet N SOT23 npn 20V 2.5A low sat switch 2P FMMT2222R Zet R SOT23R 2N22222P MMBT5086 Mot N SOT23 2N50862Q MMBT5087 Mot N SOT23 2N50872R HSMS-8102 HP Z SOT23 10-14GHz schottky mixer pair2T SO4403 SGS N SOT23 2N44032T MMBT4403 Mot N SOT23 2N44032T HT2 Zet N SOT23 pnp 80V 100mA2U MMBTA63 Mot N SOT23 MPSA63 darlington2V MMBTA64 Mot N SOT23 MPSA64 darlington2V4 PZM2.4NB Phi C SOT346 2.4V 300mW Zener2V7 PZM2.7NB Phi C SOT346 2.7V 300mW Zener2W FMMT3905 Zet N SOT23 2N39052W MMBT8599 Mot N - 2N4125 Vce 80V pnp2X SO4401 SGS N SOT23 2N4401。

三极管 sot89 参数

三极管 sot89 参数SOT89是一种常用的三极管封装类型，它具有一些特定的参数。

本文将介绍SOT89的参数和相关知识。

我们来了解一下SOT89的封装形式。

SOT89是一种表面贴装封装（Surface Mount Package）的封装类型，它采用了可靠的焊接方式，适用于高密度集成电路的制造。

SOT89封装的外形尺寸为4.5mm × 4.5mm × 1.6mm，具有三个引脚，分别为基极（Base）、发射极（Emitter）和集电极（Collector）。

接下来，我们将介绍SOT89的一些参数。

1. 最大额定电压（Maximum Rated Voltage）：SOT89的最大额定电压是指该封装能够承受的最大电压值。

一般来说，SOT89的最大额定电压为30V。

2. 最大额定电流（Maximum Rated Current）：SOT89的最大额定电流是指该封装能够承受的最大电流值。

一般来说，SOT89的最大额定电流为600mA。

3. 最大功耗（Maximum Power Dissipation）：SOT89的最大功耗是指在正常工作条件下，该封装能够承受的最大功耗。

一般来说，SOT89的最大功耗为800mW。

4. 封装热阻（Thermal Resistance）：SOT89的封装热阻是指该封装在导热方面的特性。

一般来说，SOT89的封装热阻为100℃/W。

热阻越小，表示封装更好地导热，有助于降低芯片的工作温度。

5. 工作温度范围（Operating Temperature Range）：SOT89的工作温度范围是指该封装能够正常工作的温度范围。

一般来说，SOT89的工作温度范围为-55℃至+150℃。

超出该温度范围，SOT89可能无法正常工作，甚至会损坏。

除了以上参数外，SOT89还具有一些其他特点。

1. 封装可靠性高：SOT89采用表面贴装封装方式，焊接可靠性高，适用于高密度集成电路的制造。

常用功率管参数

有刷/无刷电调常用功率管参数大全(若以上无你所需型号请留言)08年8月21日更新A2700 N型管(贴片)耐压：30V电流：9A导通电阻：7.3mΩSI4336 N型管(贴片)耐压：30V电流：22A导通电阻：4.2mΩSI4404 N型管(贴片)耐压：30V电流：17A导通电阻：8mΩSI4410 N型管(贴片)耐压：30V电流：10A导通电阻：14mΩSI4420 N型管(贴片)耐压：30V电流：10A导通电阻：10mΩSI4812 N型管(贴片)耐压：30V电流：7.3A导通电阻：28mΩSI9410 N型管(贴片)耐压：30V电流：6.9A导通电阻：50mΩIRF7313 N型管(贴片)耐压：30V电流：6A导通电阻：29mΩIRF7413 N型管(贴片) 耐压：30V电流：12A导通电阻：18mΩIRF7477 N型管(贴片) 耐压：30V电流：11A导通电阻：20mΩIRF7805Z N型管(贴片) 耐压：30V电流：16A导通电阻：6.8mΩIRF7811 N型管(贴片) 耐压：30V电流：11A导通电阻：12mΩIRF7831 N型管(贴片) 耐压：30V电流：16A导通电阻：0.004ΩIRF7832 N型管(贴片) 耐压：30V电流：20A导通电阻：4mΩIRF8113 N型管(贴片)耐压：30V电流：17A导通电阻：5.6mΩTPC8003 N型管(贴片) 耐压：30V电流：12A导通电阻：6mΩFDS6688 N型管(贴片) 耐压：30V电流：16A导通电阻：0.006ΩFDD6688 TO-252贴片耐压：30V电流：84A导通电阻：5mΩA2716 P型管(贴片)耐压：30V电流：7A导通电阻：11.3mΩSI4405 P型管(贴片) 耐压：30V电流：17A导通电阻：7.5mΩSI4425 P型管(贴片)耐压：30V电流：9A导通电阻：19mΩSI4435 P型管(贴片) 耐压：30V电流：8A导通电阻：20mΩSI4463 P型管(贴片)耐压：20V电流：12.3A导通电阻：16mΩSI9435 P型管(贴片) 耐压：30V电流：5.3A导通电阻：50mΩIRF7424 P型管(贴片)电流：8.8A导通电阻：22mΩSTM4439A P型管(贴片) 耐压：30V电流：14A导通电阻：18mΩFDS6679 P型管(贴片) 耐压：30V电流：13A导通电阻：9mΩBUZ111S N型管(直插) 耐压：55V电流：80A导通电阻：8mΩ5N05 N型管(直插)耐压：50V电流：75A导通电阻：0.0095Ω6N60 N型管(直插)耐压：600V电流：5.5A导通电阻：0.75Ω50N03L N型管(直插)耐压：25V电流：28A导通电阻：21mΩ60N06 N型管(直插)耐压：60V电流：60A导通电阻：14mΩBTS110 N型管(直插) 耐压：100V导通电阻：200mΩBTS120 N型管(直插)耐压：100V电流：19A导通电阻：100mΩIRF15 0 N型管(铁壳非直插) 耐压：100V电流：40A导通电阻：55mΩIRF1405 N型管(直插)耐压：55V电流：131A导通电阻：5.3mΩIRF2804 N型管(直插)耐压：40V电流：75A导通电阻：2mΩIRF3205 N型管(直插)耐压：55V电流：110A导通电阻：8mΩIRF3703 N型管(直插)耐压：30V电流：210A导通电阻：2.3mΩIRL3803 N型管(直插)耐压：30V电流：140A导通电阻：6mΩ。

BT131W-600四极体数据手册说明书

BT131W-6004Q Triac15 June 2016Product data sheet1. General descriptionPlanar passivated four quadrant triac in a SOT223 surface-mountable plastic package intended foruse in applications requiring high bidirectional transient and blocking voltage capability and highthermal cycling performance.2. Features and benefits•High blocking voltage capability•Planar passivated for voltage ruggedness and reliability•Surface-mountable package•Triggering in all four quadrants•Very sensitive gate3. Applications•General purpose low power motor control•General purpose switching and phase control4. Quick reference data5. Pinning information6. Ordering information7. Limiting values Table 4. Limiting values8. Thermal characteristics9. CharacteristicsT j (°C)-50150100050003aab0430.81.21.60.4V GT(Tj)V GT(25°C)Fig. 13. Normalized gate trigger voltage as a function of junction temperature 003aab046T j (°C)01501005010210103dV D /dt (V/µs)1Fig. 14. Rate of rise of off-state voltage as a function of junction temperature; typical values10. Package outline11. Package outline (minimized)12. Soldering13. Legal informationData sheet status[1]Please consult the most recently issued document before initiating orcompleting a design.[2]The term 'short data sheet' is explained in section "Definitions".[3]The product status of device(s) described in this document may havechanged since this document was published and may differ in case ofmultiple devices. The latest product status information is available onthe Internet at URL .DefinitionsDraft — The document is a draft version only. The content is still under internal review and subject to formal approval, which may result in modifications or additions. WeEn Semiconductors does not give any representations or warranties as to the accuracy or completeness of information included herein and shall have no liability for the consequences of use of such information.Short data sheet — A short data sheet is an extract from a full data sheet with the same product type number(s) and title. A short data sheet is intended for quick reference only and should not be relied upon to contain detailed and full information. For detailed and full information see the relevant full data sheet, which is available on request via the local WeEn Semiconductors sales office. In case of any inconsistency or conflict with the short data sheet, the full data sheet shall prevail.Product specification — The information and data provided in a Product data sheet shall define the specification of the product as agreed between WeEn Semiconductors and its customer, unless WeEn Semiconductors and customer have explicitly agreed otherwise in writing. In no event however, shall an agreement be valid in which the WeEn Semiconductors productis deemed to offer functions and qualities beyond those described in the Product data sheet.DisclaimersLimited warranty and liability — Information in this document is believedto be accurate and reliable. However, WeEn Semiconductors does notgive any representations or warranties, expressed or implied, as to the accuracy or completeness of such information and shall have no liability for the consequences of use of such information. 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Applications — Applications that are described herein for any of these products are for illustrative purposes only. WeEn Semiconductors makesno representation or warranty that such applications will be suitable for the specified use without further testing or modification.Customers are responsible for the design and operation of their applications and products using WeEn Semiconductors products, and WeEn Semiconductors accepts no liability for any assistance with applications or customer product design. It is customer’s sole responsibility to determine whether the WeEn Semiconductors product is suitable and fit for the customer’s applications and products planned, as well as for the planned application and use of customer’s third party customer(s). Customers should provide appropriate design and operating safeguards to minimize the risks associated with their applications and products.WeEn Semiconductors does not accept any liability related to any default, damage, costs or problem which is based on any weakness or defaultin the customer’s applications or products, or the application or use by customer’s third party customer(s). Customer is responsible for doing all necessary testing for the customer’s applications and products using WeEn Semiconductors products in order to avoid a default of the applicationsand the products or of the application or use by customer’s third party customer(s). WeEn does not accept any liability in this respect.Limiting values — Stress above one or more limiting values (as defined in the Absolute Maximum Ratings System of IEC 60134) will cause permanent damage to the device. Limiting values are stress ratings only and (proper) operation of the device at these or any other conditions above thosegiven in the Recommended operating conditions section (if present) or the Characteristics sections of this document is not warranted. Constant or repeated exposure to limiting values will permanently and irreversibly affect the quality and reliability of the device.No offer to sell or license — Nothing in this document may be interpreted or construed as an offer to sell products that is open for acceptance or the grant, conveyance or implication of any license under any copyrights, patents or other industrial or intellectual property rights.Export control — This document as well as the item(s) described herein may be subject to export control regulations. Export might require a prior authorization from competent authorities.Non-automotive qualified products — Unless this data sheet expressly states that this specific WeEn Semiconductors product is automotive qualified, the product is not suitable for automotive use. It is neither qualified nor tested in accordance with automotive testing or application requirements. WeEn Semiconductors accepts no liability for inclusion and/or use of non-automotive qualified products in automotive equipment or applications.In the event that customer uses the product for design-in and use in automotive applications to automotive specifications and standards, customer (a) shall use the product without WeEn Semiconductors’ warranty of the product for such automotive applications, use and specifications, and (b) whenever customer uses the product for automotive applications beyond WeEn Semiconductors’ specifications such use shall be solely at customer’s own risk, and (c) customer fully indemnifies WeEn Semiconductors forany liability, damages or failed product claims resulting from customer design and use of the product for automotive applications beyond WeEn Semiconductors’ standard warranty and WeEn Semiconductors’ product specifications.Translations — A non-English (translated) version of a document is for reference only. The English version shall prevail in case of any discrepancy between the translated and English versions.TrademarksNotice: All referenced brands, product names, service names and trademarks are the property of their respective owners.14. Contents1. General description (1)2. Features and benefits (1)3. Applications (1)4. Quick reference data (1)5. Pinning information (2)6. Ordering information (2)7. Limiting values (3)8. Thermal characteristics (6)9. Characteristics (8)10. Package outline (11)11. Package outline (minimized) (12)12. Soldering (12)13. Legal information (14)© WeEn Semiconductors Co., Ltd. 2016. All rights reservedFor more information, please visit: Forsalesofficeaddresses,pleasesendanemailto:**************************** Date of release: 15 June 2016。

贴片可控硅BT131 SOT-89 规格参数

1.5
----
5
----
7
--ห้องสมุดไป่ตู้-
2
0.8
----
----
----
----
50 ≤25
单位 mA V mA mA V V V/µs
A/µs mA
1
n 特点:
l 先进的平面钝化技术，进一步提高了电压稳固性和可靠性，具有通态压降低，门极逻辑电平触发，耐电流冲击能力强，全循环交流导通，在所有四个象限中触发，兼容正栅极触发电路，出色的可靠性和产品质量，可直接应用 IC 驱动。
n 用途:
l 广泛应用于调光、调温、调速等调压电路；微波炉、洗衣机、空调、电风扇、饮水机、夜明灯等家电的控制电路及用于交流相控、斩波器、逆变器和变频器等电路；阻性负载；不苛刻的电机负载；虚假触发干扰并非首要关注点的负载；灯具调光器；电阻加热和照明负载；低成本电器。
n 极限参数:
名称
符号
数值
单位
重复峰值阻断电压
VDRM
≥600
V
通态均方根电流
IT(RMS)
1
A
10
A
通态浪涌电流
ITSM
12
A
门极峰值电流
IGM
1.2
A
结温范围
Tj
－40～125
℃
贮存温度
Tstg
－40～150
℃
n 电特性（Tj=25℃）:
名称
符号
测试条件
Min
正向断态峰值电流
通态峰值电压门极触发电流门极触发电压
双向可控硅bt131sot89bt131sot89双向可控硅先进的平面钝化技术进一步提高了电压稳固性和可靠性具有通态压降低门极逻辑电平触发耐电流冲击能力强全循环交流导通在所有四个象限中触发兼容正栅极触发电路出色的可靠性和产品质量可直接应用ic驱动

常见的贴片三极管丝印及参数介绍浅谈贴片三极管的识别方法

常见的贴片三极管丝印及参数介绍浅谈贴片三极管的识别方法贴片三极管丝印贴片三极管参数贴片三极管的识别方法贴片三极管是由传统引线式三极管发展过来的，管芯相同、仅封装不同，并且大部分沿用引线式的原型号，伴随电子行业的发展，很多新型贴片三极管也纷纷诞生。

例如，过去采用TO-220封装的功率MOSFET，由于减小了导通电阻（几毫欧～几十毫欧），并采用新型散热良好的结构，现在可用D-PAK封装、SOT-89封装或SO-8封装。

例如为增加安装密度，进一步减小印制板尺寸，开发出了带阻三极管、组合三极管等等。

近年来，通信系统的频率越来越高，又开发出不少通信专用三极管，如砷化镓微波三极管及功放管等。

本文主要介绍如何进行贴片三极管的基本识别知识，关于贴片三极管其他方面知识将陆续更新，下面我们将简单介绍一下如何识别区分贴片三极管。

识别方法一：型号识别国内三极管型号是“3A～3E”开头、美国是“2N”开头、日本是“2S”开头。

目前市场上以2S开头的型号占多数。

欧洲对三极管的命名方法是用A或B开头（A表示锗管，B表示硅管），第二部分用C、D或F、L（C——低频小功率管，F——高频小功率管、D——低频大功率管、L——高频大功率管）；用S和U分别表示小功率开关管和大功率开关管；第三部分用三位数表示登记序号。

例如，BC817表示硅低频小功率三极管（fT=200MHz），通用小信号放大三极管。

还有一些三极管型号是由生产工厂自己命名的（厂标），是不标准的。

例如，摩托罗拉公司生产的三极管是以M开头的。

如在一个封装内带有两个偏置电阻的NPN三极管，其型号为MUN2211T1，相应的PNP三极管为MUN2111T1（型号中T1也是该公司的后缀）。

一些塑封封装尺寸较大的管子，如D-PAK封装，由于顶面面积小，往往将日本型号中的2S省略。

如2SC2712，打印为C2712；2SA562打印为A562，等等。

识别方法二：型号代码贴片三极管封装尺寸较大的可以打印简化型号，而尺寸小的封装，如SOT-23、SC-70等只能打印型号代码。

可控硅的主要参数

在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的最小控制极直流电压。
四、单向可控硅管的参数_控制极触发电流IGT
在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极最小直流电流。
五、单向可控硅参数_断态重复峰值电压UPFV
在控制极断开和正向阻断的条件下，阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压。其数值规定为断态下重复峰值电压UPSM的80%。
0.8A
电压-VDRM:
≥600V
触发电流:
IGT:
5~15 uA
IGT:
30~60 uA元件.
型号MCR100-8
电流
0.8（A）
电压600（V）
触发电流10-60u（A）
结温110（℃IGT:
10~30 uA
在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170°电角度时，可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值。
二、单向可控硅管的参数_通态平均电压UT（AV）
在规定环境、温度散热条件下，元件通以额定通态平均电流，结温稳定时，阳极和阴极间电压平均值。三、单向可控硅参数_控制极触发电压UGT
可控硅的主要参数
可控硅的主要参数:
1额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
2反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
3控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
如果通过的正向电流小于此值，可控硅就不能继续保持导通而自行截止。
参数符号说明:

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SZJBL
双向可控硅
BT131(SOT-89)
BT131(SOT-89)双向可控硅
n 特点:
l 先进的平面钝化技术，进一步提高了电压稳固性和可靠性，具有通态压降低，门极逻辑电平触发，耐电流冲击能力强，全循环交流导通，在所有四个象限中触发，兼容正栅极触发电路，出色的可靠性和产品质量，可直接应用 IC 驱动。
VDM=67%VDRM Gate open Tj=110℃
10
dI/dt IG=0.2A IT=1A dIG/dt=0.2 A/µs
IH
VD=24V IGT=0.5A
条件 IDRM=20μA 所有导通角
t=10ms t=16.7ms Tj=125℃
-----
Max
Type
0.1
----
1.5
----
重复峰值阻断电压
VDRM
≥600
V
通态均方根电流
IT(RMS)
1
A
10
A
通态浪涌电流
ITSM
12
A
门极峰值电流
IGM
1.2
A
结温范围
Tj
－40～125
℃
贮存温度
Tstg
－40～150
℃
n 电特性（Tj=25℃）:
名称
符号测试Βιβλιοθήκη 件Min正向断态峰值电流
通态峰值电压门极触发电流门极触发电压
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ Ⅳ
门极不触发电压
断态电压临界上升率
通态电流临界上升率维持电流
IRRM
Tj=125℃ VRRM=VDRM
----
VTM
ITM=6A t=380µs
----
IGT
VD=12V RL =100Ω
-------
VGT
VD=12V RL =100Ω
----
VGD
VD=1/2 VDRM TJ=125℃
0.2
dV/dt
5
----
7
----
2
0.8
----
----
----
----
50 ≤25
单位 mA V mA mA V V V/µs
A/µs mA
1
n 用途:
l 广泛应用于调光、调温、调速等调压电路；微波炉、洗衣机、空调、电风扇、饮水机、夜明灯等家电的控制电路及用于交流相控、斩波器、逆变器和变频器等电路；阻性负载；不苛刻的电机负载；虚假触发干扰并非首要关注点的负载；灯具调光器；电阻加热和照明负载；低成本电器。
n 极限参数:
名称
符号
数值
单位