mems_2009_3c
mems工程师需要的资格证书
mems工程师需要的资格证书（原创版）目录1.MEMS 工程师的职业定义和重要性2.MEMS 工程师所需的资格证书3.如何获得这些证书4.总结正文MEMS 工程师，即微机电系统工程师，是一种专注于设计和制造微小机器和设备的工程师。
这些微小的机器和设备通常由电子和机械组件构成，被广泛应用于各种领域，如医疗、工业和消费类电子产品。
因此，MEMS 工程师对于现代科技社会的发展起着至关重要的作用。
作为一名 MEMS 工程师，需要具备一定的技术和知识，因此需要获得一些资格证书来证明自己的能力和专业知识。
这些证书可以提高工程师的专业水平，使他们在职业生涯中更具竞争力。
首先，MEMS 工程师需要具备基本的工程教育背景，通常要求至少拥有一个工程学学位，如机械工程、电子工程或材料工程等。
此外，他们还需要掌握相关的技术知识，如计算机辅助设计（CAD）和计算机辅助制造（CAM）等。
其次，MEMS 工程师还需要获得一些专业证书，以证明他们在微机电系统领域的专业能力。
例如，美国微机电系统学会（MEMS Innovation Group）提供的 MEMS 设计师证书，以及国际微电子及组装技术协会（International Society for Microelectronics and Packaging）提供的微电子组装技术证书等。
那么，如何获得这些证书呢？通常，获得这些证书需要参加相关的培训课程和考试。
这些课程和考试通常由专业的机构或学会提供，旨在帮助MEMS 工程师提高专业技能和知识。
总的来说，作为一名 MEMS 工程师，获得相关的资格证书是非常重要的。
这些证书不仅可以提高工程师的专业水平，还可以增加他们在职业生涯中的竞争力。
催化燃烧型mems气体传感器相关标准
催化燃烧型mems气体传感器相关标准下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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bosch mems材质成分
bosch mems材质成分
博世（Bosch）MEMS（微机电系统）传感器的主要成分主要包括以下几个方面：
1. 硅材料：博世MEMS传感器通常采用硅材料作为主要结构材料。
硅具有良好的力学
性能、化学稳定性和热稳定性，非常适合用于制造微小的机械结构和器件。
2. 膜片：博世MEMS传感器中的膜片是传感器的关键部分，用于感知外部物理量（如
加速度、角速度等）。
膜片通常采用硅材料制成，并具有较高的灵敏度和精度。
3. 悬梁结构：博世MEMS传感器中的悬梁结构用于将膜片与外部环境隔离，从而减小
外部干扰对传感器性能的影响。
悬梁结构通常采用硅材料制成，具有良好的抗干扰性能。
4. 电极：博世MEMS传感器中的电极用于实现信号的采集和处理。
电极通常采用金属
材料（如金、银等）制成，具有较高的导电性和稳定性。
5. 封装材料：博世MEMS传感器通常采用高性能塑料或其他复合材料进行封装。
封装
材料需要具有较高的力学性能、热稳定性和化学稳定性，以保护传感器免受外部环境的影响。
6. 粘附材料：博世MEMS传感器在制造过程中需要使用粘附材料（如硅胶、环氧胶等）将各个组件粘合在一起，以实现稳定的结构和性能。
7. 外部电路：博世MEMS传感器通常需要与外部电路（如信号处理电路、电源电路等）配合使用。
外部电路采用电子元器件（如电阻、电容、晶体管等）组成，用于实现传感器的信号处理和功能控制。
综上所述，博世（Bosch）MEMS传感器的主要成分包括硅材料、膜片、悬梁结构、电极、
封装材料、粘附材料和外部电路等。
这些成分共同保证了MEMS传感器的高性能和可靠性。
MEMS气体压力传感器的设计与封装研究 开题报告(1)
开题报告MEMS气体压力传感器的设计与封装研究学生姓名：专业班级：机械学号：指导老师：为用扩散方法形成的四个桥臂电阻。
在零压力初始状态时，电桥的输出为：132401234 (1)()()R R R R V R R R R -=++图1 恒压电路原理图 图2恒流电路原理图b.恒流源供电。
采用恒流源供电，桥路连接方法如图2所示。
这时零输出电压为：132400 1234I (2)()R R R R V R R R R -=•+++ 恒流源供电时，输出电压与压敏电阻增量及恒流源电流成正比。
恒流源精度对传感器精度有影响。
这种供电方法的优点是电桥的输出与温度无关，不受温度的影响。
2）压敏电阻的设计压力敏感器件由扩散在硅膜上的四个电阻连成的惠斯顿电桥组成。
电阻的设计直接影响器件的性能。
电阻的阻值范围根据不同的应用场合，从几百欧姆到几千欧姆。
电阻的形状，根据硅膜片的结构和尺寸，一般选用图3所式的两种形状。
电阻的形状确定之后，可用下式计算阻值：图3电阻条常用形状（2）硅膜片上的压阻全桥设计。
硅压阻式压力传感器常用的膜片结构有圆形、方形和矩形三种。
硅膜片的结构不同，在压力作用下，硅膜片上的应力分布也不同，因此，压阻全桥在硅膜片上的设计也不同。
在传统的工业用压阻式压力传感器中，硅膜片用机械研磨方法在硅片背面加工而成(即形成所谓硅杯)。
这种方法加工的硅膜片尺寸较大，一般是直径10mm 左右的圆形硅膜片。
这时，电阻的尺寸可取得较大，电阻位置的偏差影响也比较小。
但是，在集成化和微型化的压力传感器中，硅膜的尺寸大大缩小，电阻值和位置偏差引起的灵敏度偏LPCVD法生长多晶硅离子注入硼退火刻电阻条淀积SiO2Si3O4SiO2光刻蒸铝合金化铝电极光刻硅杯窗口套刻硅杯腐蚀去除SiO2Si3O4切片验收芯片热老化图4 工艺流程图（2）MEMS气体压力传感器的封装对于压力传感器的封装，概括起来，应该满足以下几方面的要求：1）机械上是坚固的，抗振动，抗冲击；2）避免热应力对芯片的影响；3）电气上要求芯片与环境或大地是绝缘的；4）电磁上要求是屏敝的；5）用气密的方式隔离腐蚀气体或流体，或通过非气密隔离方式隔离水气；6）低的价格，封装形式与标准制造工艺兼容。
219515743_辐射源个体识别的一种可解释性测试架构
第 21 卷 第 6 期2023 年 6 月太赫兹科学与电子信息学报Journal of Terahertz Science and Electronic Information TechnologyVol.21，No.6Jun.，2023辐射源个体识别的一种可解释性测试架构刘文斌a，范平志a，李雨锴b，王钰浩b，孟华*b(西南交通大学 a.信息科学与技术学院；b.数学学院，四川成都611756)摘要：由于射频信号种类多，电磁环境复杂，特征提取难度大，现有的基于人工特征的射频辐射源个体识别方法的鲁棒性、适用性难以满足应用需求。
数据驱动的深度学习方法虽然可以提供更灵活的辐射源个体识别模式，但深度学习方法自身可解释性差，而且缺乏通用测试模式来评价一个深度学习方法的优劣。
本文在电磁大数据非凡挑战赛目标个体数据集的基础上，探索了基于该数据集的深度学习模型测试方法，提出面向辐射源个体识别神经网络模型的通用测试系统架构。
该构架通过信号特征遮掩、生成对抗网络(GAN)、欺骗信号汇集、信道模拟等方法构造仿真测试样本，并把测试样本与原样本数据导入深度模型进行识别结果对比测试。
基于测试结果分析了深度模型聚焦的信号关键特征位置，分析模型的鲁棒性，揭示信道环境对识别性能的影响，从而解释了深度学习网络模型的性能。
关键词：辐射源个体识别；可解释性；生成对抗网络；无线信号欺骗中图分类号：TN92 文献标志码：A doi：10.11805/TKYDA2022243An interpretable testing architecture for specificemitter identificationLIU Wenbin a，FAN Pingzhi a，LI Yukai b，WANG Yuhao b，MENG Hua*b(a.School of Information Science & Technology; b.School of Mathematics, Southwest Jiaotong University, Chengdu Sichuan 611756, China)AbstractAbstract：：Due to the diversity of RF signals, the complexity of the electromagnetic environment, and the difficulty of feature extraction, the robustness and applicability of the existing artificial features-based RF-specific emitter identification methods cannot meet the application requirements. Althoughthe data-driven deep learning methods can provide a more flexible mode of specific emitteridentification, they are less interpretable and lack a general test mode to evaluate their advantages anddisadvantages. An evaluation method is explored for the deep learning model on the target individualdataset of the Electromagnetic Big Data Super Contest, and a general testing system architecture isproposed for the specific emitter identification model based on deep neural networks. The frameworkconstructs the simulation test samples through signal feature masking, Generative Adversarial Network(GAN), deception signal collection, channel simulation and other methods, and imports the test samplesand original data into the deep model to compare the recognition results. The test results are employed tojudge the location of the signal key features extracted by the deep model, to analyze the robustness of themodel, and to reveal the impact of the channel environment on the recognition performance, thus theperformance of the deep learning model can be interpretable.KeywordsKeywords：：specific emitter identification；interpretability；Generative Adversarial Network(GAN)；wireless signal spoofing信号识别包括信号检测、信号类型识别、辐射源个体识别(Specific Emitter Identification，SEI)3个层次[1]。
三维MEMS地震检波器芯片及其制备方法[发明专利]
![三维MEMS地震检波器芯片及其制备方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/b520ecca0342a8956bec0975f46527d3240ca610.png)
[19]中华人民共和国国家知识产权局[12]发明专利申请公布说明书[11]公开号CN 101561510A [43]公开日2009年10月21日[21]申请号200910059452.6[22]申请日2009.05.25[21]申请号200910059452.6[71]申请人西南石油大学地址637000四川省南充市油院路30号[72]发明人谌贵辉 任涛 席建中 赵万民 唐斌 任诚 [74]专利代理机构南充三新专利代理有限责任公司代理人许祥述[51]Int.CI.G01V 1/18 (2006.01)B81B 7/02 (2006.01)B81C 1/00 (2006.01)B81C 3/00 (2006.01)权利要求书 2 页 说明书 8 页 附图 3 页[54]发明名称三维MEMS地震检波器芯片及其制备方法[57]摘要本发明公开了一种三维MEMS地震检波器芯片及其制备方法，包括基底B(1)，基底A(2)，X轴悬臂梁(6)，X轴固定电极(7)，X轴质量块及活动电极(8)，其特征在于：在同一个芯片上它还设有悬臂梁与X轴相同的Y、Z轴向的悬臂梁、固定电极、质量块及活动电极构成的电容性机械振动系统微结构(3)、(4)，本发明的三维MEMS地震检波器芯片具有高分辨率、高保真、精度高、低频响应能力好，便于检测同点三维地震信号等，特别适合数字化地震勘探系统作接收地震波传感器使用。
200910059452.6权 利 要 求 书第1/2页 1、一种三维MEMS地震检波器芯片及其制备方法，包括基底B(1)，基底A(2)，X轴悬臂梁(6)，X轴固定电极(7)，X轴质量块及活动电极(8)，其特征在于：在同一个芯片上它还设有与X轴相同的Y、Z轴向的悬臂梁、固定电极、质量块及活动电极构成的电容性机械振动系统微结构(3)、(4)。
2、根据权利要求1所述的一种三维MEMS地震检波器芯片，其特征在于：基底A、B采用氧化铝陶瓷片或氮化硅绝缘材料。
微机电系统动力学
概要 (Outline)
微机电系统的基本概况 MEMS动力学问题研究 微转子动力学问题研究 若干动力学问题的研究 MEMS动力学研究展望
振动、冲击、噪声国家重点实验室
3 微转子动力学问题研究
3.1 微旋转机械的研究现状 3.2 微转子系统动力学问题 3.3 微转子动力学研究现状 3.4 微旋转机械的实验检测
振动、冲击、噪声国家重点实验室
3.1 微旋转机械的研究现状
静电微电机
电磁微电机
步进微电机
微 电 机 (Micromotor)
超声微电机
摆式微电机ห้องสมุดไป่ตู้
振动、冲击、噪声国家重点实验室
磁感应微电机
SDA微电机
3.1 微旋转机械的研究现状
微型水压动力驱动器
微型涡轮机
微型发动机
微型Otto循环发动机
动力MEMS (Power MEMS)
振动、冲击、噪声国家重点实验室
3.1 微旋转机械的研究现状
微推进器
美 国 喷 气 推 进 实 验 室 (JPL) 展 示 的 采 用 MEMS技术的电阻电热式微推进器样机( 固体升华方式)。其性能目标为：比冲50 ～75s，推力0.5mN，功率 <2W/mN，质 量为几克，大小为1cm2。
振动、冲击、噪声国家重点实验室
振动、冲击、噪声国家重点实验室
1.4 MEMS加工技术
表面微加工技术 薄膜生成技术；牺牲层技术 体形微加工技术 化学腐蚀；离子刻蚀 LIGA技术和SLIGA技术 光刻、电铸及注塑 特种精密机械加工技术 电火花加工；激光加工；光造型加工 固相键合技术
阳极键合；Si-Si直接键合；玻璃封接键合；冷压焊键合
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MEMS课程讲义MEMS课程讲义-微机械制造技术
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薄膜导体材料
作用
电阻、电容、芯片的电连接 微带线、高频电感、地线
要求
导电性( 导电性(电) 附着性( 附着性(机) 可焊性(工艺) 可焊性(工艺) 与蒸镀、淀积、光刻等工艺兼容(工艺) 与蒸镀、淀积、光刻等工艺兼容(工艺) 化学稳定性( 化学稳定性(机) 表面耐磨性( 表面耐磨性(化) 原料成本低，淀积工艺简单(经济) 原料成本低，淀积工艺简单(经济)
图引用自哈工大微连接实验室王春青课件
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西门子式 柴氏法 线切割 ＣＭＰ （掺杂） 外延（Ｎ） SiO2 旋转涂覆 暴光 显影 腐蚀 掺杂（反型）
晶体管基本制作工艺
图引用自哈工大微连接实验室王春青课件
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微机械电子系统(MEMS) 微机械电子系统(MEMS)
第三章第三章-微机械制造技术
集成电路知识
半导体集成电路 薄膜/ 薄膜/厚膜集成电路 混合集成电路
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半导体集成电路
以Si,Ga,Ge等为基片，以氧化、光刻、扩散、注 Si,Ga,Ge等为基片，以氧化、光刻、扩散、注 入、淀积等为主要工艺 IC技术的核心，高集成度系统的关键 IC技术的核心，高集成度系统的关键 效率高，成本低，适合大批量生产 难于加工高精度无源器件 参数差别不宜过大 功率、电压、电流限制 周期长、投资巨大 不适合专用小批量产品
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基片材料
单晶：α-Al2O3, MgO, TiO2, SiO2, MgF2 多晶：Al2O3, BeO
——表明粗糙，适合厚膜电路 ——表明粗糙，适合厚膜电路 ——BeO(剧毒工艺) ——BeO(剧毒工艺)导热效率高，适合功率器件 ——表面上釉后可用于薄膜电路 ——表面上釉后可用于薄膜电路
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薄膜导体材料
常用导体
金
化学稳定性好、可电镀加厚、可焊性好 附着力弱
银
价格较低、导电性优良 化学稳定性差
铜
价格低廉、导电性良好 需冷却至室温才能接触大气 当前热点
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芯片断面结构
图引用自哈工大微连接实验室王春青课件
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SEM照片 SEM照片
图引用自哈工大微连接实验室王春青课件
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CrCo, WRu——低温度系数 WRu——低温度系数 BeNi——耐高温 BeNi——耐高温 NiP——电阻范围宽 NiP——电阻范围宽
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薄膜电阻材料
常用材料
钽及钽基合金
耐高温金属 性能好，应用广泛 多采用溅射工艺 溅射工艺控制膜结构性能（温度系数、电阻率……） （温度系数、电阻率……）
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厚膜集成电路
厚膜电容器
适于小电容: 适于小电容: 重叠印刷法制造出导电体、电极 较大电容: 焊接SMD电容 较大电容: 焊接SMD电容
电感器
微小电感: 弯曲导线——通用做法 微小电感: 弯曲导线——通用做法 布线控制特性阻抗、互感——RF、通信 布线控制特性阻抗、互感——RF、通信
（例外: 电视机、音响……） （例外: 电视机、音响……）
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薄膜/ 薄膜/厚膜集成电路
薄膜集成电路
基于真空溅射技术
厚膜集成电路
基于丝网印刷技术
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芯片互连结构
图引用自哈工大微连接实验室王春青课件
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光刻(蚀刻、剥离) 光刻(蚀刻、剥离)
图引用自哈工大微连接实验室王春青课件
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光学曝光系统
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薄膜/ 薄膜/厚膜集成电路
以陶瓷为基片 (介于IC与PCB之间) 介于IC与PCB之间) 长于高精度无源元件（电阻、电容） 电阻、电容） 高频特性好（通信、雷达、军事……） （通信、雷达、军事……） 抗辐射特性好（航天） 方法灵活，适合于专用、小批量 集成度低 不适合大批量、标准化器件生产
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薄膜导体材料
铝
优良的导体 易蒸发、易光刻 与金丝、铝丝易于键合 附着性能好 与铬硅、镍铬等电阻薄膜接触性能好 柔软，易划伤
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薄膜电阻材料
基本要求
与其它工艺兼容 工艺性 电性能稳定性 化学稳定性 材料和工艺成本
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薄膜电阻材料
常用材料
NiCr
历史最久，工艺简单成熟 性能稳定，噪声低 Ni:Cr=80:20，真空蒸发 Ni:Cr=80:20，真空蒸发 掺杂Al,Cu,Be,Bi,Sn改善性能 掺杂Al,Cu,Be,Bi,Sn改善性能
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厚膜集成电路
印后加工
摊平过程——印刷后将印刷品放置5 min至网纹消失为止 摊平过程——印刷后将印刷品放置5～7 min至网纹消失为止 干燥处理—— 干燥处理——100 ℃左右 •燃烧掉有机树脂粘合剂, 留下贵金属 •重要工序, 必须控制炉温 重要工序, 烧结—— 650～ 烧结——约650～670 ℃ 调整—— 调整——调整电阻值，向电路板喷砂或用激光修正电阻体 •实现高精度的重要措施 包封—— 包封——保护作用 •不适当的修正反而损害稳定性
无碱玻璃——薄膜电路 ——薄膜电路 玻璃陶瓷(微晶玻璃)——小功率薄膜电路 微晶玻璃)——小功率薄膜电路
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厚膜集成电路
材料的准备
陶瓷基片（基板） 薄膜材料（浆料）
导体浆料 电阻浆料 绝缘浆料
•贵金属和低熔点玻璃 •金属粉末在有机树脂粘合剂中调成糊状 银、银—钯、银—钯—铂 银、金、钯、铂、钌 低熔点玻璃
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厚膜集成电路
厚膜电阻器
高精度、高稳定性、大范围 厚膜丝印质量: 厚膜丝印质量: 厚膜电阻器的精度、电气稳定 性和可焊性 关键: 关键: 膜厚的均匀性 厚度一定，以长宽比控制电阻值 长宽比10:1～1:10→面电阻1/10～ 长宽比10:1～1:10→面电阻1/10～10 更大范围需更改电阻率（更改材料）
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总工艺流程
图引用自哈工大微连接实验室王春青课件
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半导体器件结构
图引用自哈工大微连接实验室王春青课件
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基片材料
要求
表面光洁度——薄膜电路要求很高 ——薄膜电路要求很高 化学稳定性——耐刻蚀过程与印刷浆料腐蚀 ——耐刻蚀过程与印刷浆料腐蚀 电绝缘性——表面电阻&体电阻 ——表面电阻& 热膨胀系数匹配——减小热应力 ——减小热应力 良好导热性——功率电路散热要求 ——功率电路散热要求 抗热冲击
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厚膜集成电路
丝网印版的制矩形 •100mm×150mm/150mm×200mm
•多采用不锈钢或尼龙 •一般电路印刷200～300目 •高精度可采用300目以上 •20～30 µm厚 •显影后不得出现边缘缺陷
金属陶瓷薄膜
高电阻值
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混合集成电路（HIC） 混合集成电路（HIC）
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多芯片组件(Multi-Chip Module-MCM) (MultiModuleHIC技术的延伸 HIC技术的延伸 高密度、高性能、多功能 先进混合集成电路 90年代以来发展较快 90年代以来发展较快
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