半桥逆变电路工作原理的分析
半桥逆变电路事情原理的分析1
个电极电流的正确波形(如文献 4 的电流i B 、i c 的起始波形就是错误的),因而无法作出符合电子镇流器中半桥逆变电路工作原理的分析
陈传虞
引言
半桥逆变电路是电子镇流器和电子节能灯中最常用也是最基本的电路,正确地理解它的工作原理,将有助于我们合理地选择元器件如磁环变压器、扼流电感、启动电容等元件的参数,正确地安排三极管的驱动电路,以降低它的功耗与热量,提高整灯的可靠性。遗憾地是过去受观测仪器(如示波器)和测试手段的局限,我们无法观测到电路中关键点如三极管各实际情况的定量分析和判断,以至形成一些错误的概念。最近看到深爱公司叶文浩先生发表在中国照明电器(刊载于 04 年 11、12 期)的文章,受到不少启发,到欧普照明公司后,利用比较先进的示波器TDS5000,对电路关键点的电流和电压波形,进行了仔细的测试,感到认识上有所提高,澄清了过去不少胡塗概念,特撰写本文,抛砖引玉,与叶先生商榷,并就教于国内方家。
首先讨论半桥逆变电路的工原理,尽管这个电路是众所周知的,但人们对它的理解却并不十分正确,存在一些错误观念。因此,本文拟对它作较为仔细的探讨。讨论时以图 1
所示的基本电路作为讨论的出发点,后面所引用的元件名称及符号,均按图 1 所给出的为准。为支持和验证所提出的观点,文中給出了许多用示波器实际观测到的波形。
图 1、半桥逆变电路的基本形式
一. 三极管如何由导通变为截止(以VT 2为例)
不论是用触发管DB 3还是由基极偏置电阻产生基极电流i B2(后者用在基极回路中带电容的半桥逆变电路中),两种触发方式中的哪一种,在接通电源后,都会由于i B2的出现而产生VT 2的集电极电流i c2,通过磁环变压器的正反馈,引起电压v BE2上升, i B2进一步增加, i c2也随之增加。出现以下的连锁反应:
三相半桥逆变
三相半桥逆变
三相半桥逆变是由3套同样的单相半桥电路组合而成的。其电路由两个桥臂组成,每个桥臂由一个IGBT模块与一个反并联二极管组成。在直流侧接有两个相互串联的足够大的电容,两个电容的联结点就是直流电源的中点。负载联结在直流电源中点与两个桥臂联结点之间。
相比于全桥逆变,三相半桥逆变电路简单,使用开关器件少,但输出交流电压幅值只有Ud/2,直流侧需两电容器串联,工作时要注意两侧直流电压均衡,否则容易引起器件发生故障。一般用于几kW~十几kW以下的小功率UPS逆变电源。
单相半桥型逆变电路原理
单相半桥型逆变电路原理+
V
U1
2
VD
1 i
R L
o
U
d
u
U o
VD
2
2
V
2
-
a)
在直流侧接有两个相互串联的足够大的电容,两个电容的联结点是直流电源的中点。
半桥逆变电路有两个桥臂,每个桥臂有一个可控器件和一个反并联二极管组成。负载联结在直流电源中点和两个桥臂联结点之间。
设开关器件 V1 和 V2 栅极信号在一周期内各半周正偏、半
周反偏,两者互补。当负载为感性时,工作波形如图所示
u
o
U
m
O
t -
U
m
i
o
t t
O34
t t t
t
1256
V V V V
1212
VD VD VD VD
u1212
o
U
t
m
O
t -
U
m
i
o
t t
O34
t t t
t
1256
V V V
1V
122
VD VD VD VD
1212
t
t3 时刻 io 降为零时, VD2截止, V2开通, io 开始反向并逐渐增大。
t4 时刻给 V2 关断信号,给 V1 开通信号, V2 关断,VD1先导通续流, t5 时刻 V1 才开通。
u
o
U
m
O
-
U
m
i
o
t t
O34
t t t
t
1256
V V V
1V
122 VD VD VD VD
1212t t
V1 或 V2 通时,负载电流io 和电压 uo 同方向,直流侧向负载提供能量VD1 或 VD2通时, io 和 uo 反向,负载电感中贮藏的能量向直流侧反馈负载电感将其吸收的无功能量反馈回直流侧,反馈
回的能量暂时储存在直流侧电容器中,直流侧电容
器起着缓冲这种无功能量的作用。
是负载向直流侧反馈能量的通道反馈二极管使负载电流连续续流二极管
可控器件是不具有门极可关断能力的晶闸管时,须附加强迫换流电路才能正常工
半桥电路工作原理与应用
半桥电路工作原理与应用
半桥电路是一种常用的电源开关电路,具有简单、可靠、高效的特点。它由两个功率开关管(一般为MOS管或IGBT)和两个二极管组成。其中,一个功率开关管和一个二极管连接在正电源上,另一个功率开关管和另一
个二极管连接在负电源上。这样就形成了一个由两个平衡的并联电流通道
组成的电路。
当半桥电路的控制信号为高电平时,两个功率开关管之间存在低电平,此时上面的功率开关管导通,下面的功率开关管关闭。在这种情况下,正
电源的电能通过导通的功率开关管流向电路负载,再经过下面的二极管流
回负电源,完成一个半周期的电流循环。
当半桥电路的控制信号为低电平时,两个功率开关管之间存在高电平,此时下面的功率开关管导通,上面的功率开关管关闭。在这种情况下,负
电源的电能通过导通的功率开关管流向电路负载,再经过上面的二极管流
回正电源,完成另一个半周期的电流循环。
通过控制信号的高低电平变化,可以使半桥电路实现不同的输出方式,如全电压输出、半电压输出和零电压输出等。
半桥电路的应用:
1.电源变换器:半桥电路可以通过控制信号的切换,将输入电源的直
流电压转换成所需的交流电压,用于给各种电器设备供电。这种应用主要
用于电动工具、家用电器和工业自控设备等领域。
2.可逆变频电源:半桥电路可以将直流电源转换为交流电源,实现电
机的调速控制。这种应用主要用于工业现场的电机控制和电力系统的逆变
频调节。
3.电力因数补偿装置:半桥电路可以通过控制信号的切换,将电源的
有功电流和无功电流进行动态调节,从而实现对电力因数的补偿。这种应
用主要用于电力系统的功率因数调节和效率提升。
半桥逆变占空比
半桥逆变占空比
半桥逆变占空比是指在半桥逆变器中,开关管导通时间与整个周期时间之间的比例。半桥逆变器广泛应用于逆变电源、电机驱动等领域,其性能受到占空比的严重影响。本文将介绍半桥逆变器的基本概念、占空比的概念和计算方法,以及如何调整半桥逆变占空比以优化性能。
一、半桥逆变器的基本概念
半桥逆变器是一种采用两个功率开关管组成的逆变器,其工作原理是在一个周期内,两个开关管交替导通,将直流电源转换为交流输出。半桥逆变器具有结构简单、成本低廉、输出电压波形良好等优点。
二、占空比的概念和计算方法
占空比是指在一个周期内,开关管导通时间与整个周期时间之间的比例。用公式表示为:D = T_on / T_cycle,其中D为占空比,T_on为开关管导通时间,T_cycle为周期时间。占空比是调整半桥逆变器输出电压的重要参数。
三、半桥逆变占空比的调整方法
1.调整开关管的导通时间:通过改变开关管的导通脉冲宽度,从而调整占空比。这种方法简单易行,但可能导致输出电压波形失真。
2.调整开关频率:通过改变开关频率,进而改变占空比。这种方法可以有效减小输出电压波形失真,但可能增加开关损耗。
3.采用PWM控制:通过脉宽调制(PWM)技术,根据控制信号调整开关管的导通时间,实现占空比的控制。这种方法可以在一定程度上提高半桥逆变器的性能,但需要额外的控制电路。
四、占空比对半桥逆变器性能的影响
1.输出电压波形:占空比越大,输出电压波形的谐波含量越小,但开关损耗越大。
2.开关损耗:占空比越大,开关损耗越大,影响半桥逆变器的效率。
单相半桥电压型逆变电路参数计算
单相半桥电压型逆变电路参数计算
引言:
单相半桥电压型逆变电路是一种常见的电力电子变换电路,广泛应用于交流电源与直流负载之间的能量转换。本文将详细介绍单相半桥电压型逆变电路的参数计算方法,帮助读者更好地理解和设计这一电路。
一、电路结构和工作原理
单相半桥电压型逆变电路由两个开关管和一个中心点连接的电容组成。当S1和S2两个开关管交替导通时,电容上会产生一个交流电压。通过控制开关管的导通和关断,可以实现对输出电压的控制。
二、参数计算
1. 电压和频率:根据应用需求确定逆变电路的输出电压和频率,常见的输出电压有220V或110V,输出频率一般为50Hz或60Hz。
2. 电容容值:电容的容值决定了逆变电路的输出电压波形的平滑程度。容值过小会导致输出电压波形产生较大的纹波,容值过大则会增加成本和体积。容值的计算方法如下:
C = (2*I_max)/(f*ΔV)
其中,C为电容的容值,I_max为输出电流的最大值,f为输出频率,ΔV为输出电压的纹波值。
3. 电阻选取:为了保证开关管工作的可靠性和效率,需要在电路中加入适当的电阻。电阻的选取主要考虑开关管的导通和关断速度,防止产生过大的电流和电压冲击。一般情况下,电阻的阻值可根据开关管的额定电流和额定电压来确定。
4. 开关管选取:开关管的选取需要考虑工作电流、额定电压、导通和关断速度等因素。常用的开关管有晶闸管、MOS管等,根据具体需求进行选择。
5. 电感选取:电感的作用是平滑输出电流,减小电压纹波。电感的选取需要考虑输出电流的大小、频率以及纹波要求。一般情况下,电感的选取范围为输出电流的10%至20%。
基本半桥逆变电路分析
基本半桥逆变电路分析
电路仿真练习
一、各元件的作用
FUSE保险电阻:过电流和短路电流保护元件,抑制浪涌电流;
L1,C1,C2:组成π型EMI滤波器,减轻高频逆变电路产生的电磁干扰;
D1,D2,D3,D4:组成桥式整流电路,将输入的交流变为直流;
C4滤波电容:将整流出的电压进行平滑滤波,使其接近直流电压;
R1,C5:RC积分电路,滤波后的电压经过R1对C5进行充电,提供DB3导通电压; DB3双向触发二极管:当 C5上的电压高于DB3的导通电压时,DB3导通,向Q2的基极注入电流,
使T2导通,电路起振后,DB3不再导通;
D5:隔离启动电路和振荡电路,使振荡电流不会经过C5到地;
R2,C4:C4为续流电容,R2为C4提供放电网络。当Q1和Q2在交替开关的同时截止阶段,使灯
丝有电流流过,C4通常为1000~3300pF;R2,C4组成的放电网络同时避免两个三极管电流
重叠,提供一个死区时间。
D6,D7续流二极管:与三极管并联在磁环线圈的两端,保护三极管,防止三极管反向击穿,反向电
动势会通过二极管释放;
Q1,Q2开关三极管:构成推挽电路,两管交替导通,在Q1的发射极和Q2的集电极中间产生近似方
波脉冲;
R4,R6:稳定电路工作点,负反馈作用,抬高晶体管发射极电位,控制发射机和基极之间的电压; R3,R5:控制晶体管的基极电流,同时隔离晶体管的基极电压与磁环绕组的感应电动势; N1,N2,N3磁环绕组(脉冲变压器):利用互感耦合,以及磁芯的饱和特性,控制Q1与Q2的交替
开关;
L2,C6:LC串联谐振电路,在C6两端为灯提供启动电压,同时对方波脉冲进行滤波,使灯丝电流
基本半桥逆变电路分析
基本半桥逆变电路分析
一、各元件的作用
FUSE保险电阻:过电流和短路电流保护元件,抑制浪涌电流;
L1,C1,C2:组成π型EMI滤波器,减轻高频逆变电路产生的电磁干扰;
D1,D2,D3,D4:组成桥式整流电路,将输入的交流变为直流;
C4滤波电容:将整流出的电压进行平滑滤波,使其接近直流电压;
R1,C5:RC积分电路,滤波后的电压经过R1对C5进行充电,提供DB3导通电压;
DB3双向触发二极管:当C5上的电压高于DB3的导通电压时,DB3导通,向Q2的基极注入电流,使T2导通,电路起振后,DB3不再导通;
D5:隔离启动电路和振荡电路,使振荡电流不会经过C5到地;
R2,C4:C4为续流电容,R2为C4提供放电网络。当Q1和Q2在交替开关的同时截止阶段,使灯丝有电流流过,C4通常为1000~3300pF;R2,C4组成的放电网络同时避免两个三极管电流
重叠,提供一个死区时间。
D6,D7续流二极管:与三极管并联在磁环线圈的两端,保护三极管,防止三极管反向击穿,反向电动势会通过二极管释放;
Q1,Q2开关三极管:构成推挽电路,两管交替导通,在Q1的发射极和Q2的集电极中间产生近似方波脉冲;
R4,R6:稳定电路工作点,负反馈作用,抬高晶体管发射极电位,控制发射机和基极之间的电压;R3,R5:控制晶体管的基极电流,同时隔离晶体管的基极电压与磁环绕组的感应电动势;
N1,N2,N3磁环绕组(脉冲变压器):利用互感耦合,以及磁芯的饱和特性,控制Q1与Q2的交替开关;
L2,C6:LC串联谐振电路,在C6两端为灯提供启动电压,同时对方波脉冲进行滤波,使灯丝电流近似正弦波;L2的Q值和C6的决定提供启动电压的大小;
单相半桥无源逆变电路的设计
单相半桥无源逆变电路的设计
单相半桥无源逆变电路的基本原理是通过两个开关管交替导通和关断,实现直流电压到交流电压的转换。在导通状态下,直流电源的正极连接到
负载,并通过开关管将电流传递给负载。在关断状态下,通过电感和电容
等元件,将磁能和电能转换为交流电压输出。通过两个开关管交替导通和
关断,实现正负半周的交流电压输出。
单相半桥无源逆变电路主要由两个开关管、两个磁元件(电感、变压
器等)和两个电容组成。开关管的导通和关断通过控制电路实现,可以使
用晶闸管、MOSFET或IGBT等开关元件。磁元件用于储存磁能,将直流电
能转换为交流电能。电容则用于储存电能,平滑输出的交流电压波形。
接下来,我们将详细介绍单相半桥无源逆变电路的设计步骤。
1.确定电源和负载要求:根据具体应用需求,确定输入直流电压和输
出交流电压的额定值。
2.选择开关管和控制电路:根据负载要求和工作条件,选择合适的开
关管和控制电路。考虑开关管的导通电流和耐受电压,以及控制电路的驱
动能力和稳定性。
3.选择磁元件:根据负载要求和电源容量,选择合适的磁元件。磁元
件的参数包括电感值、饱和电流和损耗等。
4.选择电容:根据负载要求和输出电压纹波范围,选择合适的电容。
电容的参数包括容值、工作电压和损耗等。
5.设计控制电路:根据开关管的驱动方式,设计合适的控制电路。常
见的控制方式包括触发电路、斩波电路和保护电路等。
6.进行电路仿真:使用电路仿真软件,验证和优化设计的单相半桥无源逆变电路。通过仿真结果,可以评估电路的性能和稳定性。
7.制作原型电路:根据设计结果,制作原型电路进行实际测试。根据测试结果,对电路进行调整和优化。
半桥逆变电路原理详解
半桥逆变电路原理详解
一、概述
半桥逆变电路是一种常见的电力电子变换器,其主要用途是将直流电压转换为交流电压。半桥逆变电路由两个开关管和两个二极管组成,它可以产生正弦波或方波输出信号。本文将详细介绍半桥逆变电路的原理及其工作过程。
二、半桥逆变电路的组成
半桥逆变电路由两个开关管和两个二极管组成。其中,开关管有一个高侧开关管和一个低侧开关管,它们分别控制直流输入端的正负极连接到输出端的哪一侧。二极管则用于保护开关管,并防止反向电流损坏负载。
三、半桥逆变电路的工作原理
当高侧开关管导通时,直流输入端的正极连接到输出端上;当低侧开关管导通时,直流输入端的负极连接到输出端上。这样,通过不断地切换高低侧开关管的导通状态,可以产生一个交替出现在输出端上的正弦波或方波信号。
在实际应用中,为了保证输出信号稳定且符合要求,需要对半桥逆变
电路进行控制。控制方式一般有两种:PWM控制和谐振控制。
四、PWM控制
PWM控制是指通过改变高侧和低侧开关管的导通时间比例来调节输出信号的频率和幅值。具体实现过程如下:
1.将高低侧开关管分别连接到一个PWM信号发生器上。
2.根据所需输出信号的频率和幅值,调整PWM信号发生器的输出波形。
3.通过不断地改变高低侧开关管的导通时间比例,使得输出信号的频率和幅值达到所需要求。
5、谐振控制
谐振控制是指通过改变谐振电路中电感和电容的参数来调节输出信号
的频率和幅值。具体实现过程如下:
1.在半桥逆变电路中加入一个谐振电路,它由一个串联电感和电容组成。
2.根据所需输出信号的频率和幅值,调整谐振电路中电感和电容的参数。
半桥mos原理
半桥mos原理
半桥MOS原理
半桥MOS原理是指在电子电路中使用MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)搭建的半桥结构。半桥结构由两个MOSFET组成,一个是高侧MOSFET,另一个是低侧MOSFET,二者通过一个负载(如电机或灯泡)连接在一起。半桥结构常用于功率电子应用中,如直流至交流逆变器和驱动电机等。
半桥MOS原理的作用是实现电路的开关控制和功率调节。当高侧MOSFET导通时,负载与电源相连,电流可通过负载,从而实现正向电流输出。与此同时,低侧MOSFET处于截止状态,不导通。当需要切换到反向电流输出时,高侧MOSFET截断,低侧MOSFET导通,此时负载与地相连,电流可通过负载实现反向电流输出。
半桥MOS原理的工作原理如下:当高侧MOSFET导通时,其上方的电源电压通过高侧MOSFET的漏极和源极,进而通过负载。同时,低侧MOSFET处于截止状态,其漏极与源极之间的电压为高电平,不会影响电路的工作。当需要切换到反向电流输出时,高侧MOSFET截断,低侧MOSFET导通,此时负载与地相连,电流可从负载流向地。通过高低侧MOSFET的切换,可以实现正反向电流输出。
半桥MOS原理的优点在于其高效率和低损耗。由于MOSFET具有低导通电阻和快速开关速度,半桥结构能够以较高的效率实现功率转换。
此外,半桥结构能够降低功率损耗,因为在切换过程中,高低侧MOSFET不会同时导通,避免了电流短路和功率损耗。
然而,半桥MOS原理也存在一些挑战和限制。首先,由于高侧MOSFET需要承受较高的电压,其耐压能力要求较高。此外,由于半桥结构中的MOSFET存在开关过程中的导通损耗和开关损耗,因此需要合理选择MOSFET的参数和工作条件,以平衡效率和损耗。
半桥电路工作原理
半桥电路工作原理
半桥电路是一种常用于直流到交流转换的电路,主要由两个晶体管和
两个开关组成。半桥电路可以实现对交流电压的调制和控制,适用于功率
较高的应用场合。
半桥电路的工作原理如下:
1.工作周期开始时,两个开关都关闭,晶体管处于关断状态。此时输
入电源的正极连接至一个电阻,负极连接至另一个电阻。
2.在一个时间点,第一个开关打开,使第一个电阻与电源的正极相连,此时电流通过该电阻流入负载。
3.在接下来的一个时间点,第一个开关关闭,第二个开关打开,使得
第二个电阻与电源的负极相连,此时电流通过负载流出。
4.在下一个时间点,第二个开关关闭,回到初始状态。
在半桥电路中,负载会不断地从一个电阻切换至另一个电阻,因此交
流电压也会从一个极性切换至另一个极性。由于切换速度非常快,人眼不
会察觉到负载电流和电压的变化,从而产生了一个平滑的交流电信号。
半桥电路的主要优点是可以实现电流和电压的控制。通过控制开关的
开启时间,可以控制负载电流的大小。同时,通过控制两个开关的开启和
关闭顺序,可以控制输出电压的相位。这使得半桥电路非常适合于需要控
制交流输出的应用,如电力变换器、电机驱动器和逆变器等。
另外,半桥电路还可以通过改变开关的频率来控制输出功率。通过提
高频率,可以实现更高的功率输出。这使得半桥电路非常适合于需要可调
节功率的应用场合。
总结起来,半桥电路通过两个晶体管和两个开关的调制和控制,实现了对交流电信号的输出。它具有输出电流和电压可控、输出功率可调节等优点,广泛应用于各种功率较高的电力电子应用中。
三相半桥逆变和全桥逆变介绍和参数对比
三相半桥逆变和全桥逆变介绍和参数对比首先,我们先来介绍三相半桥逆变。三相半桥逆变器由两个开关管和
两个维持管组成。它采用了三相桥电路的一半,能够将交流电转换为直流电,然后再将直流电转换为交流电。该逆变器的优点是简单,结构紧凑,
成本相对较低。另外,由于只需要两个开关管,它的功率损耗较低,效率
较高。然而,三相半桥逆变器只能提供交流电的一半波形,因此负载的平
均电压较低,电机转矩输出较小。
接下来,我们来介绍全桥逆变。全桥逆变器由四个开关管组成,可以
将交流电转换为完整的正弦波交流电。全桥逆变器的输出电压和频率可以
通过控制开关管的开关时间和频率来实现。其优点是能够提供完整的正弦
波输出,所以输出电压的有效值和频率可以根据需求进行调整。此外,全
桥逆变器能够提供较高的电机转矩输出,适用于高要求的应用场景。然而,由于全桥逆变器需要使用四个开关管,其结构较为复杂,成本较高;而且
功率损耗较大,效率较低。
下面对三相半桥逆变和全桥逆变进行参数对比分析。
1.输出功率范围:三相半桥逆变器一般适用于低功率应用,输出功率
范围一般在几十千瓦级别。而全桥逆变器适用于较高功率需求,输出功率
范围可以达到几百千瓦甚至更高。
2.电压平衡性:由于三相半桥逆变器只提供了交流电的一半波形,因
此三相负载中各相电压的平衡性较差。而全桥逆变器提供了完整的正弦波
输出,三相负载中各相电压的平衡性较好。
3.电磁干扰:三相半桥逆变器由于仅提供交流电的一半波形,其输出
含有较多的谐波分量,容易产生电磁干扰。全桥逆变器则能提供完整的正
弦波输出,谐波分量较少,电磁干扰较小。
半桥电路原理
半桥电路原理
半桥电路是一种常见的电力电子转换器,常用于直流电源和交流电源之间的连接。它利用高压驱动能力的晶体管或MOSFET开关元件,通过调制开关信号的频率和占空比来控制输出电压的大小和波形。
半桥电路的基本原理是将输入电源通过变压器耦合到分别与两个晶体管或MOSFET开关元件串联的两个电容上。当一个开关元件导通,另一个开关元件处于关闭状态时,输入电源的电能会通过变压器耦合到输出负载上。而当两个开关元件都关闭时,输出负载上的电流将会继续流动,并通过输出电感元件使其能量得到存储。通过周期性地改变开关元件的导通状态,半桥电路可以实现交流电源的输出。
半桥电路的优点是可以实现较高的功率转换效率和较低的开关损耗。通过调整开关信号的频率和占空比,可以实现输出电压的精确控制。此外,半桥电路还具有较好的电磁兼容性和适应性,可以满足不同电源和负载要求的应用场景。
然而,半桥电路也存在一些问题。首先,由于涉及到高频开关操作和电压变化,半桥电路在设计和实施过程中需要考虑到电磁干扰和噪声抑制的问题。其次,开关元件的选择和控制电路的设计也需要仔细考虑,以确保稳定可靠的运行。此外,半桥电路的设计和调试也需要较高的技术水平和经验。
总结起来,半桥电路是一种常见且重要的电力电子转换器,通过调制开关信号的方式实现直流电源和交流电源之间的连接。
它可以实现较高的功率转换效率和精确的输出控制,但在设计和实施过程中需要注意解决电磁干扰和噪声抑制的问题,并具备相应的技术和经验。
半桥逆变snubbber电路剖析
半桥逆变SNUBBER电路
描述:半桥逆变正负桥臂开关管关断时是硬关断,当负载电流很大时,开关管关断时di/dt
很大,由于线路存在分布电感,所以会引起很大的电压尖峰,如果不加缓冲电路抑制电压尖峰的产生,则开关管的电压规格必须比正常值高出许多,开关损耗也较大,当UPS功率很大时(额定电流很大),开关管的选取将变得异常困难;同时,过高的di/dt将产生严重的EMI。给半桥逆变的开关管增加关断缓冲电路可以降低di/dt、减小关断损耗,并能降低相应频段的EMI。
一、常用SNUBBER电路的种类
1、RC SNUBBER(如图1)
图1
2、RCD SNUBBER(如图2)
图2
3、变形的RCD SNUBBER电路(CLAMPING电路,如图3)
图3
二、SNUBBER电路的工作过程
(以RCD SNUBBER电路为例进行分析,只分析正半周的情况)
1、Q1开通后进入稳态,流过Q1的负载电流为I,此时U CS1=0,U CS2=2*V BUS(如图4,
红色箭头表示电流流向)。
图4
2、当Q1的栅极上加入关断信号,电流I通过Q1的C、E间的寄生电容流过,U CE1
升高,随之D S1开通,一部分电流转移到C S1成为C S1的充电电流,Q1上电流减小,
C S2经R S2、R LOAD进行放电(如图5)。
图5
3、Q1完全关断(恢复阻断能力)后,U CE1大于正负BUS之和,D2开始正偏置,在
D2的正偏置电压没有达到其开通阈值电压之前不能及时导通,C S1继续过充电,C S2继续放电(如图6)。
图6
4、C S1仍然过充电,D2开始续流,负载电流I由正桥臂向负桥臂换流,C S2放电(如
半桥逆变电路工作原理的分析-
ic2 10us/div 100mA/div
uCE2 10us/div 50V/div
图 3. 集电极电压及电流vCE2( vCE1)、ic2 (ic1)的波形 从本节的讨论中,我们可以得出以下结论: 2.1 半桥逆变电路的转换过程是这样的:在VT1截止、VT2导通时,先是利用反向基
4
流-ib2使VT2从饱和退出、进入放大状态、集电极电流减小,利用外电路的再生反馈、在极其 短暫的时间内,使VT2由导通变为截止、VT1由截止变为导通,并在大约半个周期的时间内, 维持这一状态。然后,又依靠反向基流-ib1使VT1从饱和导通状态退出、进入放大状态、再一 次利用外电路的再生反馈、在极其短暫的时间内使之由导通变为截止,并在大约半个周期内 维持VT1截止、VT2导通状态。如此周而复始,往复循环,完成一连串的振荡波形。
在三极管开始导通的一段时间内,ic2增加,通过磁环变压器绕组间的正反馈使磁环绕组 N2上的感应电动势增加,vBE2及 iB2均增加,由图 2 知,iB2同磁环绕组N2上的电压vN2基本上
1
是同步上升的,已知vN2为:
式中i是流过磁环变压器次级绕组N2的电流。在磁环未饱和时,vN2也与磁环变压器原边绕组 的电流、即电感L2的电流变化率成正比。在所讨论的情况中,电感L2的电流就是VT2的集电 极电流ic2。我们知道,L值与磁环的磁导率μ成正比(L还与磁环的尺寸和其绕组的圈数有关), 磁环的磁导率μ开始随流过它的励磁电流(这里就是集电极电流ic2或流过电感的电流)的增 加而增加,在电流为某一数值后达到最大值,以后随电流的增加而下降。至于电流变化率 di/dt出现最大值的时刻则与电流变化规律有关,例如如电流按正弦规律变化,则di/dt 在 i=0 时为最大。一般在半桥逆变电路中,在i较小时,di/dt为最大。因此,磁环变压器绕组 的电压先是随ic2的增加而增加,在电流ic2到达最大值之前的某一数值达到最大,并出现一个 峰值(如图 2a中的直线所示),同样vB2、iB2也出现一个峰值(如图 2b、 2c的直线所示,它 们和vN2出现峰值对应于同一时刻)。随着ic2的增加,磁环的磁导率μ下降,其绕组上的电压 vN2及基极电压vB2将下降,iB2亦下降。在iB2为正值且下降为零之前,在基区中存储了大量的 少数载流子,没有通过集电结被及时拉走,管子处于饱和状态。不难看出,如磁环绕组上电 压出现峰值的时刻较晚,管子导通时间就会拉长;反之,管子导通时间会缩短。所以,从某 种程度上,磁环绕组上电压出现峰值的时刻早晚(与磁环的材料性质、尺寸有关),会影响 半桥逆变电路的工作周期和频率。
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电子镇流器中半桥逆变电路工作原理的分析
陈传虞
引言
半桥逆变电路是电子镇流器和电子节能灯中最常用也是最基本的电路,正确地理解它的工作原理,将有助于我们合理地选择元器件如磁环变压器、扼流电感、启动电容等元件的参数,正确地安排三极管的驱动电路,以降低它的功耗与热量,提高整灯的可靠性。遗憾地是过去受观测仪器(如示波器)和测试手段的局限,我们无法观测到电路中关键点如三极管各个电极电流的正确波形(如文献4的电流i B 、i c 的起始波形就是错误的),因而无法作出符合实际情况的定量分析和判断,以至形成一些错误的概念。最近看到深爱公司叶文浩先生发表在中国照明电器(刊载于04年11、12期)的文章,受到不少启发,到欧普照明公司后,利用比较先进的示波器TDS5000,对电路关键点的电流和电压波形,进行了仔细的测试,感到认识上有所提高,澄清了过去不少胡塗概念,特撰写本文,抛砖引玉,与叶先生商榷,并就教于国内方家。
首先讨论半桥逆变电路的工原理,尽管这个电路是众所周知的,但人们对它的理解却并不十分正确,存在一些错误观念。因此,本文拟对它作较为仔细的探讨。讨论时以图1所示的基本电路作为讨论的出发点,后面所引用的元件名称及符号,均按图1所给出的为准。为支持和验证所提出的观点,文中給出了许多用示波器实际观测到的波形。
图1、半桥逆变电路的基本形式
一. 三极管如何由导通变为截止(以VT 2为例)
不论是用触发管DB 3还是由基极偏置电阻产生基极电流i B2(后者用在基极回路中带电容的半桥逆变电路中),两种触发方式中的哪一种,在接通电源后,都会由于i B2的出现而产生VT 2的集电极电流i c2,通过磁环变压器的正反馈,引起电压v BE2上升, i B2进一步增加, i c2也随之增加。出现以下的连锁反应:
2b i ↑ 2C i ↑ 2b ↑
这种再生反馈的结果,产生了雪崩效应,三极管迅速导通并饱和(在半桥逆变电路正常工作期间, 三极管VT 1或VT 2如何由截止变成导通的原因,我们将在后面文章中加以讨论)。导通后的三极管可以看成闭合的开关,三极管的电流i c2不再受基极电流i B2控制,而仅由外电路元件的参数来确定。
在三极管开始导通的一段时间内,i c2增加,通过磁环变压器绕组间的正反馈使磁环绕组N 2上的感应电动势增加,v BE2及 i B2均增加,由图2知,i B2同磁环绕组N 2上的电压v N2触发
电流
通过T r N 3与N 2
基本上是同步上升的,已知v N2为:
式中i 是流过磁环变压器次级绕组N 2的电流。在磁环未饱和时,v N2也与磁环变压器原边绕组的电流、即电感L 2的电流变化率成正比。在所讨论的情况中,电感L 2的电流就是VT 2的集电极电流i c2。我们知道,L 值与磁环的磁导率μ成正比(L 还与磁环的尺寸和其绕组的圈数有关),磁环的磁导率μ开始随流过它的励磁电流(这里就是集电极电流i c2或流过电感的电流)的增加而增加,在电流为某一数值后达到最大值,以后随电流的增加而下降。至于电流变化率di/dt 出现最大值的时刻则与电流变化规律有关,例如如电流按正弦规律变化,则di/dt 在i=0时为最大。一般在半桥逆变电路中,在i 较小时,di/dt 为最大。因此,磁环变压器绕组的电压先是随i c2的增加而增加,在电流i c2到达最大值之前的某一数值达到最大,并出现一个峰值(如图2a 中的直线所示),同样v B2、i B2也出现一个峰值(如图2b 、 2c 的直线所示,它们和v N2出现峰值对应于同一时刻)。随着i c2的增加,磁环的磁导率μ下降,其绕组上的电压v N2及基极电压v B2将下降,i B2亦下降。在i B2为正值且下降为零之前,在基区中存储了大量的少数载流子,没有通过集电结被及时拉走,管子处于饱和状态。不难看出,如磁环绕组上电压出现峰值的时刻较晚,管子导通时间就会拉长;反之,管子导通时间会缩短。所以,从某种程度上,磁环绕组上电压出现峰值的时刻早晚(与磁环的材料性质、尺寸有关),会影响半桥逆变电路的工作周期和频率。
u B2
10us/div
1.0V/div
u N2
10us/div
1.0V/div
i c2
10us/div
100mA/div
u N2
10us/div
1.0V/div
图2 半桥逆变电路的电流电压波形
在磁环绕组的电压出现峰值以后,随着i c2的增加,磁环的磁导率μ进一步下降(极端的情况下,当电流太大时,磁环甚至可能饱和,磁导率μ会很小)以及di/dt 的下降,磁环绕组上的电压将急剧下降,出现了磁环绕组N 2上的电压v N2低于v BE2的情况(图2b 中v BE2曲线有一段高于v N2曲线)。这一点十分重要,它会使基极电流i B2反向,从基区流出,变为负值(实际上是基区中多余的少数载流子—电子、跨越发射结返回到发射极,电子从基极流向发射极),与正常的基极电流i B2方向相反,如图2c 所示。正是依靠这个反向电流−i B2的帮助,使基区多余的电子消失,三极管VT 2得以从饱和状态退出,进入放大状态,所用的时间即为管子的存储时间ts (通常我们定义从i B2变负开始起、到管子由饱和退出变为放大状态所用的时间称为管子的存储时间,它和管子参数及其激励程度即饱和的深浅有关)。一旦管子进入放大状态,电流i c2的下降,就会通过磁环变压器的正反馈使i B2减小,i c2进一步减小。由于这种再生反馈的结果,使集电极电流i c2很快由某一较大值跳变为零、而三极管VT 2由导通变为截止。这时,我们在示波器上看到i c2波形后沿中有一个向下的跳变,变化很快,所用的时间是很短的(图2a )。
由于i B2变为负值,以及i B2、i c2 、i E2之间满足i E2═i B2+i c2的关系,发射极电流i E2会在其峰值附近出现一个向下的凹陷,凹陷的开始点同基极负电流的开始点是一致的,在观察发射极电阻上的电压(即发射极电流i E2)波形时,很容易看到这种情况。
从本节的讨论中可以得出以下结论:
1.1 管子由导通变为截止的过程,并不像过去普遍所认为的那样,靠磁环饱和使各绕组感应电动势变为零造成的;而是由于在管子饱和后的某一时刻,磁环绕阻上的电压低于管子的基极电压,出现了反向的基极电流,使管子退出饱和,进入放大状态,i c 减小,并通过外电路的正反馈使i c 进一步减小,结果管子由导通变为截止。
实际上,磁环是否饱和并不是半桥逆变电路中两个管子转换的必要条件,在这点上我与叶工的文章深有同感。大家知道,在有的电路中VT 1 、VT 2基极驱动是由绕在电感的两个副绕组产生的。显然,工作时电感是不能饱和的,又如在推挽电路中也未用到可饱和的磁环变压器,这都从另一侧面证实了上述论点。
1.2 管子(在本例中为VT 2
)的导通时间的长短与以下因素有关:磁环感应电动势到达其峰值时间的早晚(它取决于磁环材料的性质及其尺寸、流经电感电流的变化率di/dt 的变化趋势)、管子基极驱动电流i B 的大小即管子饱和的深浅、管子开关参数中存储时间ts 的长短,以及外电路元件参数等诸多因素有关。
一般说来,磁环的厚度愈厚,则磁环感应电动势到达其峰值时间愈晚;磁环的匝数愈多、磁导率μ愈大,则三极管的基极驱动愈厉害,饱和程度愈深,而其退出饱和所用的时间也愈
i b2
10us/div
100mA/div
u B2
10us/div
1.0V/div