说课稿-模电-半导体器件

合集下载

模拟电子技术电子-----半导体器件

模拟电子技术电子-----半导体器件

本课程的性质:模拟电子技术课程是电气、电子信息类及相关专业的一门重要的专业基础课。

本课程的主要任务:使学生通过本大纲所规定的全部教学内容的学习,掌握电子线路的基本概念、基本原理和基本分析方法,达到具有初步分析、设计实际电子线路的能力,为后续课程的学习准备必要的知识,并为今后从事实际工作打下必要的基础。

达到下列基本要求:1.了解常用电子器件(包括集成组件)的外特性及其应用;了解放大电路的主要技术指标。

2.掌握基本放大电路的组成、分析方法和应用,会估算基本放大电路的静态工作点、放大倍数、输入电阻和输出电阻;掌握正弦波振荡器的组成及工作原理;掌握负反馈的基本组态及其对放大电路性能的影响;掌握集成运放组成的某些功能电路的电路组成、工作原理、性能和应用;掌握直流稳压电源的组成环节及各部分工作原理。

3.熟练掌握基本放大电路的工作原理;熟练掌握反馈的判别;熟练掌握集成运放组成的电路的分析方法。

4.熟悉常用电子仪器的使用方法,初步具有查阅电子元器件手册、正确使用元器件的能力、认识常见电子线路图的能力、测试常用电路功能及排除故障的能力。

第5章半导体器件基础本章主要内容:本章主要介绍了半导体的特性,PN结的形成及其单向导电性,然后介绍了半导体二极管、三极管和场效应管的结构、工作原理、特性曲线及主要参数。

本章是学习模拟电子技术的基础,本章重点:二极管的单向导通特性及伏安关系;三极管的电流放大关系。

本章难点:PN结的形成;三极管的电流放大原理。

讲课思路:什么是半导体?→为什么采用半导体材料制作电子器件?→PN结有何特性和作用?PN结电压与电流符合欧姆定律吗?→怎样获得三极管?它的工作方式和作用是怎样的?5.1 半导体基础知识本节课重点在于学习本征半导体、杂质半导体、多子、少子等概念,了解PN结形成的基本原理5.1.1 半导体半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的一类物质,如硅、锗、砷化镓以及大多数的金属氧化物等,它们都具有半导体特性。

模电第一讲绪论与半导体基础知识详解演示文稿

模电第一讲绪论与半导体基础知识详解演示文稿
电流有无。
数字电路-处理数字信号
第当六前页6页,,共共3三1页十,一星期页二。。
数字化时代:
➢音乐:CD、MP3 ➢电影:MPEG、RM、DVD ➢数字电视 ➢数字照相机
➢数字摄影机 ➢手机
第当七前页7页,,共共3三1页十,一星期页二。。
数字化时代:
➢音乐:CD、MP3
➢电影:MPEG、RM、DVD
漂移电流
在外电场作用下,自由电子和空穴对电流的贡献是叠加的。
2、扩散运动和扩散电流
扩散运动:物质因浓度差而产生的运动。
光照
载流子浓度差 扩散运动 扩散电流
X
扩散电流是半导体中载流子的一种特殊运动形式,是由于载流子的浓度 差引起的,扩散运动总是从浓度高的区域向浓度低的区域进行。
结论:半导体中的载流子存在两种运动形式,一是电位差即
称为电子型半导体。
是少了?为什么?
结论:
(1)N型半导体++5中5 多子是电子,主要由掺杂产生,多子浓度近似 等于杂质浓度。
(2)N型半导体中少子是空穴,由本征激发产生,少子浓度受 温度影响很大。
第二当前十2页0页,,共共3三1页十,一星期页二。。
2、P型半导体(空穴型Positive)
用扩散工艺将本征半导体中的某些硅原子用3价元素(B)代替。
相关概念:本征半导体、本征激发;
N型半导体、P型半导体;
多子、少子;
扩散电流、漂移电流
第十当前五1页5页,,共共3三1页十,一星期页二。。
一、半导体材料
1、什么叫半导体 ——导电性介于导体和绝缘体之间的物质。
导体:一般为低价元素,其最外层电子极易挣脱原子核的束缚而成为自
由电子,在外电场作用下定向移动形成电流。如铁、铜、铝等金属元素。

【推荐】半导体说课-范文word版 (15页)

【推荐】半导体说课-范文word版 (15页)

本文部分内容来自网络整理,本司不为其真实性负责,如有异议或侵权请及时联系,本司将立即删除!== 本文为word格式,下载后可方便编辑和修改! ==半导体说课篇一:说课稿-半导体器件尊敬的各位领导、各位老师下午好,我今天说课的题目是:平衡PN结一、分析教材首先我对本节的教材内容进行分析:《半导体器件物理》是应用物理学专业的一门重要专业方向课程。

通过本课程的学习,使学生能够结合各种半导体的物理效应掌握常用和特殊半导体器件的工作原理,从物理角度深入了解各种半导体器件的基本规律。

PN结是构成各类半导体器件的基础,如双极型晶体管、结型场效应晶体管、可控硅等,都是由PN结构成的。

PN结的性质集中反映了半导体导电性能的特点,如存在两种载流子、载流子有漂移运动、扩散运动、产生与复合三种基本运动形式等。

获得在本课程领域内分析和处理一些最基本问题的初步能力,为进一步深入学习和独立解决实际工作中的有关问题奠定一定的基础。

根据以上分析,结合本节教学要求,再联系学生实际,我确立了以下教学目标:1、知识目标(1) 了解PN结的结构、制备方法;(2) 掌握平衡PN结的空间电荷区和能带图;(3) 掌握平衡PN结的载流子浓度分布。

2、能力目标(1) 通过典型图例,指导学生进行观察和认识PN结,培养学生的观察现象、分析问题以及理论联系实际的能力;(2) 指导学生自己分析,借助教材和图例,培养学生的动手能力以及通过实验研究问题的习惯;3、情感目标(1) 培养学生学习半导体器件物理的兴趣,进而激发学生对本专业热爱的激情;(2) 培养学生科学严谨的学习态度。

考虑到一方面学生的文化基础比较薄弱,综合解决问题的能力有待提高,另一方面,对于高职类学校的学生而言,要求有较强的动手能力,我把教学的重点和难点设置如下:1、教学重点平衡p–n结空间电荷区的形成;平衡p–n结的能带图2、教学难点平衡p–n结中载流子的分布二、说教法兴趣是推动学生求知欲的强大动力,在教学中把握学生好奇心的特点至关重要。

模电1常用半导体器件

模电1常用半导体器件

ICEO = (1+β) ICBO
三. 极限参数
1. 集电极最大允许电流ICM 2. 集电极最大允许功耗PCM 3. 反向击穿电压U(BR)CEO 、U(BR)CBO
α=β/(1+β)
三极管的安全工作区
1 .4 场效应管(Field Effect Transistor )
场效应管是单极性管子,其输入PN结处于反偏或 绝缘状态,具有很高的输入电阻(这一点与三极管相 反),同时,还具有噪声低、热稳定性好、抗辐射性 强、便于集成等优点。
1 .3 .5 共射NPN三极管伏安特性曲线
二. 输出特性曲线 IC=f ( IB ,UCE )
实际测试时如下进行:
IC= f ( UCE )|IB
发射结正偏、集电结反 偏时,三极管工作在放大 区(处于放大状态),有放 大作用:IC =βIB + ICEO
两结均反偏时,三极管 工作在截至区(处于截止状 态) ,无放大作用。 IE=IC=ICEO≈0
第五章 负反馈放大器
第六章 信号运算电路
第七章 波形发生电路
第八章 功率放大电路 第九章 直流电源
前进
返回
退出
第一章 常用半导体器件
本章主要内容:
半导体材料、由半导体构成的PN 结、二极管结构特性、三极管结构特性及 场效应管结构特性。
前进
返回
1 .1 半导体(Semiconductor)基本知识
• 2、《电子技术实验》.石焕玉等编. • 3、《电子技术基础》(模拟部分).康华光
主编. 高等教育出版社 • 4、《模拟电子技术基础》华成英(第四
版)习题解答(因网络不通,暂时没法放 在系网页上,需要者来复制)
第一章 半导体器件 第二章 基本放大电路 第三章 放大电路的频率特性 第四章 集成运算放大器

教科版选修3《半导体》说课稿

教科版选修3《半导体》说课稿

教科版选修3《半导体》说课稿一、教材背景介绍教科版选修3《半导体》是高中物理教材中的一部分,作为选修课程,主要讲解半导体的基本原理和应用。

本说课稿旨在通过介绍教材内容和教学目标,为教师提供一个有效的教学指南,帮助学生深入理解半导体的概念和特性。

二、教学目标本节课的教学目标如下: - 理解半导体的基本概念和性质;- 掌握PN结的原理及其应用; - 了解半导体器件的分类和特性; - 能够识别和解决与半导体相关的实际问题。

三、教学重点和难点本节课的教学重点和难点如下: - 学生理解半导体的禁带宽度和掺杂原理; - 学生掌握PN结的形成原理及其特性; - 学生了解并能够应用半导体器件的特性。

四、教学过程本节课的教学过程按照以下步骤进行:1. 导入(约5分钟)•引导学生回顾物质的导电性质,并与金属和非金属的导电性进行对比。

•通过引入新概念“半导体”,激发学生的兴趣和好奇心。

2. 概念讲解(约10分钟)•介绍什么是半导体,以及半导体的特性。

•解释禁带宽度的概念,以及掺杂对半导体导电性的影响。

3. PN结的形成(约15分钟)•介绍PN结的构成和形成原理,以及PN结的特性。

•借助示意图和实物演示,让学生理解PN结的原理。

4. PN结的应用(约15分钟)•介绍PN结在二极管中的应用,包括整流、稳压等功能。

•分析PN结在太阳能电池中的应用原理。

5. 半导体器件的分类和特性(约15分钟)•介绍常见的半导体器件,如二极管、三极管等。

•讲解不同器件的工作原理和特性,并通过实例进行说明。

6. 实例分析与解决问题(约20分钟)•提供一些实际问题,要求学生运用所学知识分析并解决。

•引导学生思考半导体在电子产品中的应用,并思考如何改进现有产品。

7. 讲解归纳总结(约10分钟)•对本节课所学内容进行归纳总结,强调重要知识点和思考题。

•引导学生形成对半导体理论的全面认识,并激发学生进一步探索的兴趣。

五、教学资源本节课所需的教学资源包括: - 教科版选修3《半导体》的教材; - 示意图和实物演示的PPT; - 与半导体相关的实际问题。

模电-第1章-半导体器件PPT优秀课件

模电-第1章-半导体器件PPT优秀课件
21
3.4 PN 结的电容效应
1) 势垒电容
PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发生变 化,有电荷的积累和释放的过程,与电容的充放电相 同,其等效电容称为势垒电容Cb。
2)扩散电容
PN结外加的正向电压变化时,在扩散路程中载流子 的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和释放的 过程,其等效电容称为扩散电容Cd。
注意
空杂穴质-半--导-体多中子,;多子的浓度决定于掺杂原子的浓度; 电子----少子少.子的浓度决定于温度。
13
3 PN结 3.1 PN结的形成
P区
N区
物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、 固体均有之,包括电子和空穴的扩散!
14
3.1 PN结的形成
I扩
在交界面,由于两种载流子的浓度差,产生 扩散运动。
小功率 二极管
大功率 二极管
稳压 二极管
发光 二极管
25
• 二极管的伏安特性及电流方程
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
i f (u)
u
击穿
iIS(eU T1) (常温 U T下 2m 6 V)电压
温度的 电压当量
材料 硅Si 锗Ge
开启电压 0.5V 0.1V
导通电压 0.5~0.8V 0.1~0.3V
15
3.1 PN结的形成
耗尽层(电荷层、势垒层)
空间电荷区
I漂
在交界面,由于扩散运动,经过复合,出现空 间电荷区
16
3.1 PN结的形成
PN结
I扩 I漂
当扩散电流等于漂移电流时,达到动态 平衡,形成PN结。
17
1.由于扩散运动形成空间电荷区和内电场;
2.内电场阻碍多子扩散,有利于少子漂移;

常用半导体元器件说课稿

常用半导体元器件说课稿

常用半导体元器件一、说教材(一)教材的地位与作用本课程所使用教材是电子工业出版社出版的《家用电器技术基础与检修实例》第一章第一节的内容。

半导体元器件是各种电子电路中使用最频繁的器件。

半导体元件同学们在学习电子工艺的时候已经有所认识,这是学生第二次接触半导体元器件,本节课主要介绍二极管、三极管的深层次的知识和概念。

是电子工艺里面所学知识的延伸和应用,同时也为下面将要学习的电热炊具打下基础,起承上启下的作用。

(二)教学目标基于以上分析,我将本节教学目标设定如下:知识目标:了解晶体管的工作原理和特性以及它们的检测方法。

技能目标:学会万用表测试晶体管的好坏、极性的方法。

在无万用表的情况下,能利用干电池、耳机、小灯泡等完成测试。

德育目标:培养同学们仔细、认真的学习态度,鼓励学生多动脑,多思考。

(三)教学重难点重点:二极管所组成的整流电路的工作原理及晶体管的测量与判断。

难点:整流电路的工作原理二、说教法为突出重点,分散难点,采用以下教学方法:1、类比法:将晶体管的外形图、符号与前面所学各种元件进行对比,让学生仔细观察,得出结论,回顾电子工艺课程里面各种元件符号,正确加以区分。

2、任务驱动法:通过一系列实验演示,让学生积极主动的投入到教学活动中去。

在对整流电路工作原理的实验演示中,教师演示变压器正半周时的工作情况,那么负半周时的工作,学生能够用类比的方法分析出结论。

在教学中,四只二极管的接法很重要,教师通过设置故障分析题,引导学生分析以便学生更好的掌握知识和技能。

整堂课教学通过学生观察实验现象,教师加以引导,然后得出结论,体现了教学以学生为主体、教师为主导的教学原则。

3、实验法:在进行晶体管的检测教学中,采取同学自主学习的方法,给同学们一些晶体管以及万用表,让他们自己检测这些晶体管的好坏,以及判断出晶体管的极性。

三、说学法1、观察法:为了适应学生的认识和思维发展水平,将晶体管、整流电路发放给学生,让他们自己判断晶体管的极性和好坏以及分析整流电路的电路图。

说课稿-模电-半导体器件

说课稿-模电-半导体器件

各位老师下午好,我今天说课的题目是《半导体器件基础知识》一、分析教材首先我对本节的教材内容进行分析:《模拟电子技术》是电子、电气和自控类等专业在电子技术方面入门性质的专业基础课程。

半导体器件是现代电子技术的基础,对于从事电子技术的工程技术人员来说,只有认识和掌握作为电子线路核心元件的各种半导体器件的结构、性能、工作原理和应用特点,才能深入分析电子电路的工作原理,正确选择和合理使用各种半导体器件。

因此,有必要了解和掌握一定的半导体基础知识。

它是模拟电子技术非常重要的一节内容,也为后续课程的学习打下良好的基础。

根据以上分析,结合本节教学要求,再联系学生实际,我确立了以下教学目标:1、知识目标(1) 掌握二极管的结构、特性和主要技术参数;(2) 掌握各类常见二极管的选型和典型应用(3) 掌握三极管的结构、特性和主要技术参数2、能力目标(1) 通过实际应用的电路原理图或电子线路板,指导学生进行观察和认识其中的各类半导体器件,培养学生的观察现象、分析问题以及理论联系实际的能力;(2) 指导学生动手做实验,借助实验仪器、设备测试二极管和三极管,培养学生的动手能力以及通过实验研究问题的习惯;3、情感目标(1) 培养学生学习模电的兴趣,进而激发学生对电子专业热爱的激情;(2) 培养学生对科学严谨的学习态度。

考虑到一方面学生在文化基础比较薄弱,综合解决问题的能力有待提高,另一方面,对于中等职业学校的学生而言,要求有较强的动手能力,我把教学的重点和难点设置如下:1、教学重点(1) 二极管的单向导电性(2) 测试二极管、三极管的特性曲线,并通过特性曲线认识和理解主要参数(3) 如何看懂半导体器件手册中的器件型号、技术参数和代换方法;(4) 常见二极管的典型应用2、教学难点(1) PN结(2) 温度对半导体器件的影响(3) 三极管三个工作区进入条件和特点二、说教法兴趣是推动学生求知欲的强大动力,在教学中把握学生好奇心的特点至关重要。

电工与电子技术半导体器件电子教案

电工与电子技术半导体器件电子教案

电工与电子技术-半导体器件电子教案第一章:半导体基础1.1 半导体的概念与分类1.2 半导体的物理特性1.3 PN结的形成与特性第二章:二极管2.1 二极管的结构与类型2.2 二极管的伏安特性2.3 二极管的应用第三章:晶体管3.1 晶体管的结构与类型3.2 晶体管的放大作用3.3 晶体管的应用第四章:场效应晶体管4.1 场效应晶体管的结构与类型4.2 场效应晶体管的伏安特性4.3 场效应晶体管的应用第五章:集成电路5.1 集成电路的基本概念5.2 集成电路的分类与特点5.3 集成电路的应用第六章:晶闸管6.1 晶闸管的结构与类型6.2 晶闸管的伏安特性6.3 晶闸管的应用第七章:GTO、GRT与GTO7.1 GTO的结构与类型7.2 GRT的结构与类型7.3 GTO、GRT的应用第八章:功率集成电路8.1 功率集成电路的基本概念8.2 功率集成电路的分类与特点8.3 功率集成电路的应用第九章:传感器9.1 传感器的基本概念9.2 传感器的分类与特点9.3 传感器的应用第十章:半导体器件在工程应用中的问题10.1 半导体器件的可靠性10.2 半导体器件的抗干扰能力10.3 半导体器件的散热问题重点和难点解析重点一:半导体的物理特性解析:半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间,其导电性能受温度、掺杂浓度、光照等因素的影响较大。

理解半导体的能带结构、载流子运动等基本物理过程是理解后续半导体器件工作的基础。

重点二:PN结的形成与特性解析:PN结是半导体器件的基础,其形成过程和伏安特性是理解二极管、晶体管等器件工作的关键。

PN结的形成涉及到扩散、漂移等过程,其伏安特性包括正向导通和反向截止两个状态。

重点三:二极管的伏安特性解析:二极管的伏安特性决定了其在电路中的应用,如整流、调制、稳压等。

理解二极管在不同电压和温度条件下的工作状态,对于设计电路至关重要。

重点四:晶体管的放大作用解析:晶体管是现代电子电路的核心,其放大作用是理解放大电路、振荡电路等的基础。

模电助教版第1章常用半导体器件FE

模电助教版第1章常用半导体器件FE

半导体器件的频率特性
01
02
03
频率响应
描述半导体器件在不同频 率下的工作性能。
频率限制
由于半导体器件内部电子 和空穴的运动速度限制, 存在一个最高工作频率。
频率变换
通过改变半导体器件的结 构和材料,可以实现不同 频率下的工作。
半导体器件的噪声特性
噪声来源
主要包括热噪声、散粒噪 声和闪烁噪声等。
04伏安特性定义
描述半导体器件在工作状态下, 输入电压与输出电流之间的关系。
线性区与饱和区
在一定的工作电压范围内,半导体 器件的伏安特性呈现线性关系;超 过该范围,器件进入饱和区,电流 不再随电压增大而增大。
截止区与击穿区
当输入电压过低或过高时,半导体 器件处于截止区或击穿区,此时电 流极小或为零。
05
04
1970年代
超大规模集成电路技术的突破,使得 电子设备更加微型化和智能化。
02
半导体基础知识
半导体的定义与分类
总结词
半导体的定义与分类
详细描述
半导体的定义是具有导电性,但导电性介于导体和绝缘体之间的材料。根据导 电性能的不同,半导体可以分为n型和p型两种类型。
半导体材料特性
总结词
半导体材料特性
详细描述
半导体材料具有特殊的物理和化学性质,如高掺杂性、光电效应等。这些特性使 得半导体在电子、光电子、微电子等领域具有广泛的应用。
半导体物理基础
总结词
半导体物理基础
详细描述
半导体物理是研究半导体材料中电子状态和运动的学科,包括能带理论、载流子类型与浓度、迁移率等基本概念。 这些理论为理解半导体的性质和应用提供了基础。
三极管
总结词

模拟电子技术1[1].半导体器件1课件教案

模拟电子技术1[1].半导体器件1课件教案

章目录 上一页 下一页 返回
退出
半导体特性说明
半导体的导电特性:介于导体和绝缘体之间。 热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强 (可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。 光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。
章目录 上一页 下一页 返回 退出
1.2.3 二极管的主要参数
4. 最高工作频率 fM 主要取决于PN结的结电容。 点接触型二极管结电容小, fM高,可用于检波 电路等高频环境。 面接触型二极管结电容大, fM低,可用于整流 电路等低频环境。
章目录 上一页 下一页 返回
退出
1.2.4 二极管电路的分析方法
P IF + –
内电场 外电场
N
内电场被削 弱,多子的扩 散加强,形成 较大的扩散电 流。
PN 结加正向电压时,PN结变窄,正向电流较 大,正向电阻较小,PN结处于导通状态。
章目录 上一页 下一页 返回 退出
2. PN 结加反向电压(反向偏置) P接负、N接正
- - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + +
阳极引线 PN结 金锑合金 底座
(c ) 平面型
阳极
D 阴极
阴极引线
( d) 符号
( b) 面接触型 图 1 – 12 半导体二极管的结构和符号

模电-第1章-半导体基础PPT课件

模电-第1章-半导体基础PPT课件

+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
空间电荷区, 也称耗尽层。
扩散. 运动
扩散的结果是使空间电
荷区逐渐加宽,空间电
荷区越宽。
20
一、PN 结的形成
2、说明
(1)空间电荷区(耗尽层、势垒区、高阻Байду номын сангаас)内几乎没有载 流子,其厚度约为0.5μm。
(2)内电场的大小:
对硅半导体:VD≈0.6~0.8V, 对锗半导体:VD≈0.2~0.4V (3)当两边的掺杂浓度相等时,PN结是对称的。当两边的掺 杂浓度不等时,PN结不对称。
+4
+4
+4
+4
电子和空穴在外电场的作 用下都将作定向运动,这 种作定向运动电子和空穴 (载流子)参与导电,形 成本征半导体中的电流。
.
10
二、本征半导体
2、本征半导体的导电机理 (3)结论
①电子和空穴总是成对出现的------本征激发。 电子和空穴也可以复合而消失。
②本征半导体在外电场的作用下,形成两种电流------空穴电 流和电子电流,外电路的总电流等于两种电流的代数和。 ③电子--空穴对的数目对温度、光照十分敏感。 ④本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。
N 型半导体
磷原子
.
+4 +4
+5
+4
15
三、杂质半导体
空穴
2、P 型半导体
(1)在本征半导体中掺入

《半导体器件》教案

《半导体器件》教案

《半导体器件》教案半导体器件教案
一、教学目标
1. 了解半导体器件的基本概念和分类。

2. 掌握半导体器件的工作原理和特性。

3. 研究半导体器件的制作工艺和测试方法。

二、教学内容
第一节半导体器件简介
1. 半导体器件的定义和作用。

2. 半导体材料的特性和分类。

第二节常见的半导体器件
1. 硅二极管和整流器件。

2. 双极型和场效应晶体管。

3. 二极管、晶体管和集成电路的比较。

第三节半导体器件的工作原理和特性
1. PN 结的形成和特性。

2. 动态场效应晶体管的工作原理。

3. 半导体器件的电流-电压特性曲线。

第四节半导体器件的制作工艺
1. 硅材料的净化和晶体生长工艺。

2. 掺杂和扩散工艺。

3. 形成金属与半导体接触的工艺。

第五节半导体器件的测试方法
1. 器件的正向和反向特性测试。

2. 器件的参数测量方法。

3. 器件的可靠性测试方法。

三、教学方法
1. 理论授课配合案例分析,让学生理解半导体器件的基本概念和原理。

2. 实验操作,让学生亲自制作和测试半导体器件,加深对其制作工艺和测试方法的理解。

四、教学评估
1. 课堂练,检验学生对半导体器件概念和原理的掌握程度。

2. 实验报告,评估学生对半导体器件制作和测试方法的掌握程度。

五、参考书目
1. 《半导体物理与器件》- 张志强
2. 《半导体器件制作技术》- 邵和平
3. 《半导体物理与器件》- 刘凡。

《电子线路》教案第一章半导体器件

《电子线路》教案第一章半导体器件

《电子线路》教案第一章半导体器件一、教学内容本节课的教学内容来自《电子线路》教材的第一章半导体器件。

本章主要介绍了二极管、三极管、晶闸管等半导体器件的基本原理、结构、特性和应用。

具体内容包括:1. 二极管的基本原理、结构、伏安特性、参数及应用。

2. 三极管的基本原理、结构、伏安特性、参数及应用。

3. 晶闸管的基本原理、结构、伏安特性、参数及应用。

二、教学目标1. 学生能够理解半导体器件的基本原理和结构,掌握其伏安特性和参数。

2. 学生能够分析半导体器件在不同电路中的应用,并能够设计简单的电路。

3. 学生能够通过实践操作,掌握半导体器件的检测方法和技巧。

三、教学难点与重点重点:二极管、三极管、晶闸管的基本原理、结构、伏安特性、参数及应用。

难点:半导体器件的检测方法和技巧。

四、教具与学具准备教具:电脑、投影仪、黑板、粉笔、半导体器件实验板、万用表。

学具:教材、笔记纸、笔。

五、教学过程1. 引入:通过展示实际应用中的半导体器件,引起学生对半导体器件的兴趣。

2. 讲解:讲解二极管、三极管、晶闸管的基本原理、结构、伏安特性、参数及应用。

3. 演示:利用实验板进行半导体器件的检测,展示检测方法和技巧。

4. 练习:学生分组进行实践操作,巩固所学知识。

六、板书设计半导体器件二极管基本原理结构伏安特性参数应用三极管基本原理结构伏安特性参数应用晶闸管基本原理结构伏安特性参数应用七、作业设计1. 请简述二极管、三极管、晶闸管的基本原理。

答案:2. 请画出二极管、三极管、晶闸管的伏安特性曲线。

答案:电路图答案:八、课后反思及拓展延伸本节课通过讲解和实践,使学生掌握了半导体器件的基本原理、结构、伏安特性、参数及应用。

但在教学过程中,发现部分学生对半导体器件的检测方法和技巧掌握不够扎实,需要在今后的教学中加强练习。

拓展延伸:邀请企业工程师进行讲座,介绍半导体器件在实际工程中的应用,增强学生的实践能力。

重点和难点解析一、教学内容本节课的教学内容来自《电子线路》教材的第一章半导体器件。

《模拟电子技术》教案:半导体器件

《模拟电子技术》教案:半导体器件

《模拟电子技术》教案:半导体器件第一篇:《模拟电子技术》教案:半导体器件《模拟电子技术》电子教案授课教案课程:模拟电子技术任课教师:教研室主任:课号:课题:电子线路课程介绍及半导体基础知识教学目的:了解本课程的特点掌握半导体材料的导电特性和原理掌握PN结的单向导电性教学内容:本征半导体;杂质半导体;PN结教学重点:P型、N型半导体的特点;PN结的单向导电性。

教学难点:PN结的伏安特性;PN结的电容效应。

教学时数:2学时课前提问及复习:物质导电性的决定因素?新课导入:半导体定义特点:导电能力可控(受控于光、热、杂质等)典型半导体材料:硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等新课介绍:绪论1、电子技术:无确切定义。

因为近年来它发展迅猛,分支庞杂。

有种说法为“凡是研究含有电子器件的电路、系统及应用的学科”。

2、发展历程:以电子器件的更新换代为标志!电子学近百年发展史上三个重要里程碑:A、1904年电子管发明(真正进入电子时代)B、1948年晶体管问世C、60年代集成电路出现(SSI、MSI、LSI、VLSI)3、若干蓬勃发展的研究方向A、纳米电子学:纳米空间电子所表现出来的特性(波动性)和功能B、生物电子学:生物芯片,计算机C、单芯片系统:微型卫星和纳米卫星应用,一片单芯片系统=一颗卫星世界经济兴衰波动遵循“周期理论”,周期约为 60年。

电子技术的发展进程周期约40年:1905~1947(42年):电子管-晶体管1947~1987(40年):晶体管-集成电路1987~2027(40年),预计纳米电子学将在21世纪上叶形成规模4、模拟信号与数字信号比较表第1章第1页共10页《模拟电子技术》电子教案项目模拟信号(Analog)数字信号(Digital)特点波形数学电平数典型发展连续十进制无穷多个温度、压力等早、慢离散二进制有限个数字系统的信号晚、快5、课程特点规律性:基本电子电路的组成具有规律性;非线性:半导体器件具有非线性;工程性:即近似性,抓主要矛盾;实践性:实验和设计。

模拟电子技术基础 第一章 半导体器件

模拟电子技术基础 第一章 半导体器件
20
P
空间电荷区
N
IS
内电场方向
外电场方向
V
R
图 1.2.3 反相偏置的 PN 结
反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感,随
着温度升高, IS 将急剧增大。
21
综上所述: 当 PN 结正向偏置时,回路中将产生一个较大的 正向电流, PN 结处于 导通状态;当 PN 结反向偏置 时,回路中反向电流非常小,几乎等于零, PN 结处 于截止状态。 可见, PN 结具有单向导电性。
+
(b) PN 结加反向电压 32
空间电荷区的正负离子数目发生变化,如同电容的 放电和充电过程。
势垒电容的大小可用下式表示:
Cb
dQ dU
S l
:半导体材料的介电比系数;
S :结面积; l :耗尽层宽度。
由于 PN 结 宽度 l 随外加
Cb
电压 U 而变化,因此势垒电容
Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。
反向饱 和电流
大,即饱和;
反向特性
如果反向电压继续升高,大到一定数值时,反向电
流会突然增大;
这种现象称击穿,对应电压叫反向击穿电压。
击穿并不意味管子损坏,若控制击穿电流,电压降
低后,还可恢复正常。
27
3. 伏安特性表达式(二极管方程)
U
I IS (e UT - 1)
IS :反向饱和电流 UT :温度的电压当量
3
第一章 半导体器件
1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 场效应三极管
4
1.1 半导体基本知识
1. 导体:电阻率 < 10-4 ·cm 的物质。如铜、

电工与电子技术半导体器件电子教案

电工与电子技术半导体器件电子教案

电工与电子技术-半导体器件电子教案第一章:半导体基础知识1.1 半导体的概念与分类1.2 半导体的物理性质1.3 半导体材料的制备与掺杂1.4 半导体器件的优点与局限性第二章:二极管2.1 二极管的结构与工作原理2.2 二极管的伏安特性2.3 二极管的分类与参数2.4 二极管的应用举例第三章:晶体管3.1 晶体管的结构与工作原理3.2 晶体管的分类与参数3.3 晶体管的放大作用3.4 晶体管的应用举例第四章:场效应晶体管4.1 场效应晶体管的结构与工作原理4.2 场效应晶体管的分类与参数4.3 场效应晶体管与晶体管的比较4.4 场效应晶体管的应用举例第五章:集成电路5.2 集成电路的分类与特点5.3 集成电路的封装与测试5.4 集成电路的应用举例第六章:晶闸管6.1 晶闸管的结构与工作原理6.2 晶闸管的伏安特性6.3 晶闸管的触发与维持6.4 晶闸管的应用举例第七章:可控硅7.1 可控硅的结构与工作原理7.2 可控硅的触发与控制7.3 可控硅的应用领域7.4 可控硅与其他器件的比较第八章:集成电路设计基础8.1 集成电路设计的基本流程8.2 数字集成电路设计8.3 模拟集成电路设计8.4 集成电路设计软件与工具第九章:集成电路制造技术9.1 集成电路的制造流程9.2 晶圆制造技术9.4 集成电路制造的发展趋势第十章:半导体器件的检测与维护10.1 半导体器件的检测方法10.2 半导体器件的测试仪器与设备10.3 半导体器件的维护与保养10.4 半导体器件的故障分析与处理第十一章:功率半导体器件11.1 功率二极管和快恢复二极管11.2 晶闸管模块和GTO11.3 IGBT和MOSFET11.4 功率集成电路和模块第十二章:传感器与半导体器件12.1 温度传感器12.2 压力传感器12.3 光敏传感器和光电子器件12.4 超声波传感器和其他传感器第十三章:半导体器件在通信技术中的应用13.1 晶体管在放大器和振荡器中的应用13.2 集成电路在数字通信中的应用13.3 光电器件在光纤通信中的应用13.4 射频识别技术(RFID)和半导体器件第十四章:半导体器件在计算机技术中的应用14.1 微处理器和逻辑集成电路14.2 存储器原理和存储器芯片14.3 显卡和显示技术中的半导体器件14.4 固态硬盘和闪存技术第十五章:半导体器件的安全、环保与可靠性15.1 半导体器件的安全性15.2 环保型半导体器件的设计与制造15.3 半导体器件的可靠性原理15.4 故障诊断和寿命预测技术重点和难点解析本文主要介绍了电工与电子技术中的半导体器件相关知识,包括半导体基础知识、二极管、晶体管、场效应晶体管、集成电路、晶闸管、可控硅、集成电路设计基础、集成电路制造技术、半导体器件的检测与维护、功率半导体器件、传感器与半导体器件、半导体器件在通信技术中的应用、半导体器件在计算机技术中的应用以及半导体器件的安全、环保与可靠性等内容。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

各位老师下午好,我今天说课的题目是《半导体器件基础知识》
一、分析教材
首先我对本节的教材内容进行分析:
《模拟电子技术》是电子、电气和自控类等专业在电子技术方面入门性质的专业基础课程。

半导体器件是现代电子技术的基础,对于从事电子技术的工程技术人员来说,只有认识和掌握作为电子线路核心元件的各种半导体器件的结构、性能、工作原理和应用特点,才能深入分析电子电路的工作原理,正确选择和合理使用各种半导体器件。

因此,有必要了解和掌握一定的半导体基础知识。

它是模拟电子技术非常重要的一节内容,也为后续课程的学习打下良好的基础。

根据以上分析,结合本节教学要求,再联系学生实际,我确立了以下教学目标:
1、知识目标
(1)掌握二极管的结构、特性和主要技术参数;
(2)掌握各类常见二极管的选型和典型应用
(3)掌握三极管的结构、特性和主要技术参数
2、能力目标
(1)通过实际应用的电路原理图或电子线路板,指导学生进行观察和认识其中的各类半
导体器件,培养学生的观察现象、分析问题以及理论联系实际的能力;
(2)指导学生动手做实验,借助实验仪器、设备测试二极管和三极管,培养学生的动手
能力以及通过实验研究问题的习惯;
3、情感目标
(1)培养学生学习模电的兴趣,进而激发学生对电子专业热爱的激情;
(2)培养学生对科学严谨的学习态度。

考虑到一方面学生在文化基础比较薄弱,综合解决问题的能力有待提高,另一方面,对于中等职业学校的学生而言,要求有较强的动手能力,我把教学的重点和难点设置如下:
1、教学重点
(1)二极管的单向导电性
(2)测试二极管、三极管的特性曲线,并通过特性曲线认识和理解主要参数
(3)如何看懂半导体器件手册中的器件型号、技术参数和代换方法;
(4)常见二极管的典型应用
2、教学难点
(1)PN结
(2)温度对半导体器件的影响
(3)三极管三个工作区进入条件和特点
二、说教法
兴趣是推动学生求知欲的强大动力,在教学中把握学生好奇心的特点至关重要。

另一方面,在教学课堂中,不仅要求传授书本的理论知识,更要注重培养学生的思维判断能力、依据理论解决实际问题的能力以及自学探索的能力。

据此,我准备以演示法、实验法和引导式教学为主,遵循学生为主体,教师为主导的原则,将传统的先讲授理论知识,再做验证性实验的教学模式颠倒过来,发挥实验在基础知识教学中的优势,以实验为先导切入理论,通过观摩和主动参与,使学生获得必要的感性认识,让实验现象和疑问激起他们的学习研究兴趣,然后再引导学生掌握必要的基础知识,最后在开放的实验室提供学生进一步研究的机会,满足他们的好奇心,开发他们的创新潜力。

三、说学法
学生是教学活动的主体,教学活动中要注意学生学法的指导,使学生从“学会”转化为
“会学”。

根据教学内容,本节采用观察、分析的学习方法,在做好演示实验时,引导学生如何去观察实验,进而获取知识。

另外,在教学过程中,我还会鼓励学生运用探究性的学习方法,培养他们发现、探究、解决问题的能力。

四、说教学过程
为了完成教学目标,解决教学重点,突破教学难点,课堂教学我准备按以下几个环节展开:
1、新课导入
举例说明在日常生活中经常看到很多电器和数码产品,如:大到电脑、电视机,小到手机、mp3等。

这些都是由各种各样的电子元件组成的。

我们就来学习常见的有用的电子元件的初步知识。

首先学习二极管。

引出问题:“什么是晶体二极管?”然后拿出事先准备好的各种型号的二极管给学生看,在学生观察的同时可以讲解不同样子的二极管的封装类型(直插,表贴0805、1206),以及在实际电路板上的安装方式。

然后提出问题,从二极管的外观上看到了哪些东西?(教师点拨,问什么每个二极管上的一端都有一道灰色或黑色的横杠)?
设计意图:通过实物和图片的展示,贴近学生生活,引导学生形成对所学事物的清晰表象,丰富他们的感性认识,吸引学生的注意力和好奇心。

2、演示实验
通过上面的引导,得出二极管是有极性的结论,就像电池一样,如果把极性搞错,电路就会工作不正常甚至无法工作。

这个极性就是二极管的单向导电性。

提出问题:什么是二极管的单向导电性。

用发光二极管演示实验验证二极管的单向导电性。

设计意图:通过演示实验,一方面可以集中学生的注意力,提高他们的学习兴趣和积极性;另一方面加强了教学的直观性,使学生加深印象,促使具体感知与抽象思维相结合,减少学生掌握抽象概念的困难,帮助他们更容易领会和接受知识,感知和理解二极管的单向导电性。

3、讲解新课
通过演示实验,提出问题,为什么二极管会有单向导电的特性,从而引出半导体的一个特殊结构:PN结。

(1)讲解PN结
用课件动画演示半导体中的共价键结构,两种不同的载流子:空穴和自由电子。

为了加深学生的理解,可以采用情景教学的方式,一些学生的座位固定,另一些学生为自由电子,让学生在轻松有趣的互动游戏中掌握枯燥的概念。

(2)二极管的伏安特性
通过课件展示让学生回顾熟悉的电阻的伏安特性曲线,教师讲解伏安特性的测试方法,然后让学生自己动手做实验,逐点测量,得出二极管的伏安特性曲线,在此基础上进一步分析,讲解各名词的概念:死区、开启电压、导通电压、正向特性、反向特性、反向饱和电流、反向击穿特性、击穿电压。

(3)二极管的主要参数
由此,也进一步引出,二极管的主要参数,课件展示出主要参数,并逐条讲解定义,借助伏安特性曲线指出具体位置,把抽象的概念具体化,强调各参数的选值范围。

从网上下载一份某型号的二极管DATASHEET,通过课件展示,以实例讲解二极管的器件型号、技术参数等,同时也让学生掌握获得二极管选型的一个方法。

(4)二极管的应用
通过课件回顾上课伊始给学生观察的各类二极管,包括:整流二极管、开关二极管(快恢复二极管)、稳压二极管、TVS管(瞬变电压二极管)、肖特基二极管、发光二极管,通过ORCAD软件展示各种二极管使用的电路原理图,对二极管的典型应用进行讲解。

三极管
4、归纳总结,布置作业
设计问题,由学生回答问题,通过设问回答补充的方式小结,学生自主回答三个问题,教师关注全体学生对本节课知识的程度,学生是否愿意表达自己的观点。

选择不类型的二极管各几个型号,尽量让每个学生或每个小组所拿到型号都不同,让学生自己查找该型号的二极管数据手册,并根据数据手册查找该型号的二极管属于何种类型以及相关参数。

(1)PN结的最重要特性是什么?
(2)二极管按材料分成哪两种?按结构分又能分成哪几种?
(3)怎样检测二极管的材质,请叙述出方法,并操作过程。

(4)二极管的伏安特性分为几个部分?
(5)什么是正向特性?什么是反向特性?什么是反向击穿特性?
(6)正向特性又分成几个区域?
(7)反向特性有什么特点?
(8)反向击穿特性有什么特点?
(9)IFM、VRM、IR、fM、VR、VF、IFS各代表什么意思?
(10)请查出以下各二极管的工作参数:2AP23、1N4002
(11)怎样检测二极管的极性?边做边演示
(12)怎样检测二极管的好坏?
(13)说出以下各二极管的名称
设计意图:通过提问方式引导学生进行小结,养成学习——总结——再学习的良好习惯,发挥自我评价作用,同时可培养学生的语言表达能力。

作业分层要求,做到面向全体学生,给基础好的学生充分的空间,满足他们的求知欲。

五、板书设计(略)
以上,我从教材、教法、学法、教学过程和板书设计五个方面对本课进行了说明,我的说课到此结束,谢谢各位评委老师。

相关文档
最新文档