2301 MOS

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连续测量体温监测仪的设计与实现

Design and Implementation of Continuous Measuring Temperature Monitor
WU Di，ZHAO Zhuo，CHEN Feng
（Weihai Wego Medical Imaging Technology Co.，Ltd.，Weihai 264210，China） Abstract：Aiming at the disadvantages of current high precision continuous temperature measuring equipment，such as single variety，high cost and complex operation，the design scheme based on thermal resistor and single chip micro鄄 computer is proposed. Using STM32L152 as main control chip，sampling，calibrating and amplification function modules are designed. Through the continuous sampling and real鄄time calibration，high precision continuous temperature mea鄄 surement is realized. Long time continuous work is achieved by low power system design and use of large capacity battery. The hardware design scheme and software design flow of each module are introduced in detail. The experi鄄 mental test and practical application show that the system has stable performance and high measurement accuracy. The maximum error is 0.1 ℃ within the specified measurement range，which meets the design standard. The average continuous working time is 273 h，which can meet the requirements of practical applications. Key words：temperature monitor；STM32；high accuracy；continuous measuring

常用低压MOS管选型

KD2304A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻117mΩ、电流2.5A
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，
OT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7A
可兼容、代用、替换市面上各类型的AO4800、Si4800、Si4804、FDS6912A、FDS6930A、
SDM4800、APM7313、IRF7313、AP4920、Si4936，NDS9956A、Si9925、Si9926、Si9956、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，
APM2306，CES2304
KD2306 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7A
KD2306A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303， AO3405，AO3409，FDN360P，
FDN358P，FDN352AP，AP2303，APM2307，CES2303
KD2305 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、
KD2305A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301；Si2301，AP2301，CEM2301，APM2301，
APM2313，APM2323，CES2301，FDN302 ，FDN342P，FDN338P

MSP2301摩矽P沟道MOS管规格书

-20V(D-S) P-Channel Enhancement Mode Power MOS FETGeneral Features● V DS = -20V,I D = -3AR DS(ON) < 140m Ω @ V GS =-2.5V R DS(ON) < 110m Ω @ V GS =-4.5V● High Power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Surface Mount PackageApplication●PWM applications ●Load switch ●Power managementSchematic diagramMarking and pin AssignmentSOT-23 top viewPackage Marking And Ordering InformationDevice MarkingDevice Device PackageReel Size Tape width Quantity MSP2301SOT-23Ø180mm8 mm3000 unitsAbsolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage V DS -20 V Gate-Source Voltage V GS±12 V Drain Current-Continuous I D -3 A Drain Current -Pulsed (Note 1) IDM -10 A Maximum Power Dissipation P D 1 W Operating Junction and Storage Temperature Range T J ,T STG -55 To 150 ℃Thermal CharacteristicThermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)R θJA125/W ℃Lead FreePIN ConfigurationGate-Body Leakage Current I GSS V GS =±12V,V DS =0V - - ±100nA On Characteristics (Note 3) Gate Threshold VoltageV GS(th) V DS =V GS ,I D =-250μA -0.4 -0.7 -1 V V GS =-4.5V, I D =-3A - 64 110 m Ω Drain-Source On-State Resistance R DS(ON) V GS =-2.5V, I D =-2A -89 140 m Ω Forward Transconductance g FSV DS =-5V,I D =-2.8A - 9.5 - SDynamic Characteristics (Note4) Input Capacitance C lss - 405 - PF Output CapacitanceC oss - 75 - PFReverse Transfer Capacitance C rssV DS =-10V,V GS =0V,F=1.0MHz- 55 - PF Switching Characteristics (Note 4) Turn-on Delay Time t d(on) - 11 - nSTurn-on Rise Time t r - 35 - nS Turn-Off Delay Time t d(off) - 30 - nSTurn-Off Fall Time t fV DD =-10V,I D =-1A V GS =-4.5V,R GEN =10Ω - 10 - nSTotal Gate Charge Q g - 3.3 12 nCGate-Source Charge Q gs - 0.7 - nCGate-Drain ChargeQ gd V DS =-10V,I D =-3A,V GS =-2.5V- 1.3 - nC Drain-Source Diode Characteristics Diode Forward Voltage (Note 3) V SDV GS =0V,I S =1.3A - - -1.2 VDiode Forward Current (Note 2)I S - - -1.3 ANotes:1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.2. Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2%.4. Guaranteed by design, not subject to productionElectrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted)ParameterSymbol Condition Min Typ Max UnitOff CharacteristicsDrain-Source Breakdown VoltageBV DSS V GS =0V I D =-250μA -20 -24 - V Zero Gate Voltage Drain Current I DSS V DS =-20V,V GS =0V - - -1 μATYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICSFigure 1:Switching Test CircuitT J -Junction Temperature(℃)Figure 3 Power DissipationVds Drain-Source Voltage (V)Figure 5 Output CHARACTERISTICSV INV tFigure 2:Switching WaveformsT J -Junction Temperature(℃)Figure 4 Drain CurrentI D - Drain Current (A)Figure 6 Drain-Source On-ResistanceP D P o w e r (W )I D - D r a i n C u r r e n t (A ）R d s o n O n -R e s i s t a n c e (Ω)I D - D r a i n C u r r e n t (A )Vgs Gate-Source Voltage (V)Figure 7 Transfer CharacteristicsVgs Gate-Source Voltage (V)Figure 9 Rdson vs VgsQg Gate Charge (nC)Figure 11 Gate ChargeT J -Junction Temperature(℃)Figure 8 Drain-Source On-ResistanceVds Drain-Source Voltage (V)Figure 10 Capacitance vs VdsVsd Source-Drain Voltage (V)Figure 12 Source- Drain Diode ForwardI D - D r a i n C u r r e n t (A )R d s o n O n -R e s i s t a n c e (Ω)V g s G a t e -S o u r c e V o l t a g e (V )N o r m a l i z e d O n -R e s i s t a n c e C C a p a c i t a n c e (p F )I s - R e v e r s e D r a i n C u r r e n t (A )Vds Drain-Source Voltage (V)Figure 13 Safe OperationAreaSquare Wave Pluse Duration(sec)Figure 14 Normalized Maximum Transient Thermal Impedancer (t ),N o r m a l i z e d E f f e c t i v eT r a n s i e n t T h e r m a l I m p e d a n c eI D - D r a i n C u r r e n t (A )SOT-23 PACKAGE INFORMATIONDimensions in Millimeters (UNIT:mm)Dimensions in MillimetersSymbolMIN. MAX.A 0.900 1.150A1 0.000 0.100A2 0.900 1.050b 0.300 0.500c 0.080 0.150D 2.800 3.000E 1.200 1.400E1 2.250 2.550e 0.950TYPe1 1.800 2.000L 0.550REFL1 0.300 0.500θ 0° 8°NOTES1. All dimensions are in millimeters.2. Tolerance ±0.10mm (4 mil) unless otherwise specified3. Package body sizes exclude mold flash and gate burrs. Mold flash at the non-lead sides should be less than 5 mils.4. Dimension L is measured in gauge plane.5. Controlling dimension is millimeter, converted inch dimensions are not necessarily exact.。

场效应管电机驱动

场效应管电机驱动-MOS管H桥原理所谓的H 桥电路就是控制电机正反转的。

下图就是一种简单的H 桥电路，它由2 个P型场效应管Q1、Q2 与2 个N 型场效应管Q3、Q3 组成，所以它叫P-NMOS 管H 桥。

桥臂上的4 个场效应管相当于四个开关，P 型管在栅极为低电平时导通，高电平时关闭；N 型管在栅极为高电平时导通，低电平时关闭。

场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。

正因为这个特点，在连接好下图电路后，控制臂1 置高电平（U=VCC）、控制臂2 置低电平（U=0）时，Q1、Q4 关闭，Q2、Q3 导通，电机左端低电平，右端高电平，所以电流沿箭头方向流动。

设为电机正转。

控制臂1 置低电平、控制臂2 置高电平时，Q2、Q3 关闭，Q1、Q4 导通，电机左端高电平，右端低电平，所以电流沿箭头方向流动。

设为电机反转。

当控制臂1、2 均为低电平时，Q1、Q2 导通，Q3、Q4 关闭，电机两端均为高电平，电机不转；当控制臂1、2 均为高电平时，Q1、Q2 关闭，Q3、Q4 导通，电机两端均为低电平，电机也不转，所以，此电路有一个优点就是无论控制臂状态如何（绝不允许悬空状态），H 桥都不会出现“共态导通”（短路），很适合我们使用。

（另外还有4 个N 型场效应管的H 桥，内阻更小，有“共态导通”现象，栅极驱动电路较复杂，或用专用驱动芯片，如MC33883，原理基本相似，不再赘述。

）下面是由与非门CD4011 组成的栅极驱动电路，因为单片机输出电压为0~5V，而我们小车使用的H 桥的控制臂需要0V 或7.2V 电压才能使场效应管完全导通，PWM 输入0V 或5V时，栅极驱动电路输出电压为0V 或7.2V，前提是CD4011 电源电压为7.2V。

切记！！故CD4011 仅做“电压放大”之用。

之所以用两级与非门是为了与MC33886 兼容。

两者结合就是下面的电路：调试时两个PWM 输入端其中一个接地，另一个悬空（上拉置1），电机转为正常。

H桥解释

我同学，去年也是电磁组的。

7960特烫，电机无力。

后来去请教毕业几年的神人学长，果断的解决了问题。

不知道是否和你的一样。

出问题处在PWM频率太低（好像是1K），把电机看做一个电感负载，阻抗=wL，w太小，导致阻抗过小，U不变，导致电流I过大，7960开始发热，要不了多长时间，7960温度过高，而被保护，或者说热的7960充当大电阻角色，导致电流急剧下降。

由转矩公式T=Ce$I,知转矩急剧下降，轻则提不上速，重则停车。

后来把频率设在20K（忘了可能是10K），马上就解决问题。

那车跑的老快老快了。

呵呵关于直流电机H 桥驱动方案的选择一、背景此问题一直想留给做小车的同学去研讨，期望他们在制作过程中能够悟出其中的道理。

可无奈等至今日也未见一文半字，却接到了无数的质询：你为何要用分立元件构建H 桥驱动？为何不选择L298 集成电路桥？为何要使用MOS 管？等等……逐个回复太累了，只好整理一下，汇总于此，供参考，有不妥之处望指正，更望能有人提出进一步的分析。

二、分析内容界定本文只涉及有刷直流电机H 桥驱动部分的电路，不讨论如何控制H 桥？如何实现PWM？以及如何实现过流保护等；而且主要讨论构成H 桥4 个桥臂对性能的影响。

三、H桥原理简述所谓H 桥驱动电路是为了直流电机而设计的一种常见电路，它主要实现直流电机的正反向驱动，其典型电路形式如下：从图中可以看出，其形状类似于字母“H”，而作为负载的直流电机是像“桥”一样架在上面的，所以称之为“ H 桥驱动”。

4个开关所在位置就称为“桥臂”。

从电路中不难看出，假设开关A、D接通，电机为正向转动，则开关B、C接通时，直流电机将反向转动。

从而实现了电机的正反向驱动。

借助这4 个开关还可以产生电机的另外2 个工作状态：A）刹车——将B 、D开关（或A、C）接通，则电机惯性转动产生的电势将被短路，形成阻碍运动的反电势，形成“刹车”作用。

B）惰行——4个开关全部断开，则电机惯性所产生的电势将无法形成电路，从而也就不会产生阻碍运动的反电势，电机将惯性转动较长时间。

ADP2300_2301_cn开关电源中文版

65 60
0 0.2 0.4 0.6 IOUT (A) 0.8
VIN = 12V VOUT = 5.0V 1.0 1.2
08342-069
图2. 功效与输出电流的关系
概述
ADP2300/ADP2301均为紧凑型、恒定频率、电流模式、降压DC-DC调节器，集成功率MOSFET，采用3.0 V至20 V输入电压工作，适合各种应用。这些器件内置精密、低压基准电压源，非常适合产生最低为0.8 V、±2%精度的调节输出电压，可提供最高1.2 A的负载电流。提供两种频率选项： ADP2300工作频率为700 kHz，ADP2301 工作频率为1.4 MHz。这些选项允许用户在功效与整体解决方案尺寸之间权衡取舍，做出适当选择。电流模式控制可提供快速、稳定的线路和负载瞬态响应。 ADP2300/ ADP2301 器件均内置软启动功能，可防止上电时产生浪涌电流。其它重要安全特性包括短路保护、热关断 (TSD)和输入欠压闭锁 (UVLO)。 ADP2300/ADP2301具有精密使能引脚阈值电压，因此很容易控制这些器件与其它输入/输出电源的时序；利用电阻分压器，也可以将该器件用作可编程欠压闭锁输入。 ADP2300/ADP2301采用6引脚TSOT封装，额定工作温度为 −40°C至+125°C的结温范围。
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ADP2300/ADP2301
目录
特性 ..............................................................................

si2301中文资料

Si2301是p沟道FET。

简单的介绍
Si2301是MOS晶体管，属于场效应晶体管。

主要参数
晶体管类型：p沟道MOSFET
最大功耗PD：1.25W
栅极阈值电压VGS：2.5V（典型值）
漏源电压VDS：-20V（极限值）
漏极电流ID：-ta = 25°时为-2.3A，TA = 70°时为1.5A 导通状态电阻RDS（on）：0.145ohm（典型值）
栅极漏电流IGSS：±100na
结温：55℃至+ 150℃
包装：SOT-23（to-236）
替代型号
WT-2301 WTC2301 SMG2301 CES2301 KI2301BDS
包装类型
SOT-23
什么是MOS晶体管
MOS晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管。

或金属绝缘体的半导体。

双极型晶体管放大输入电流的小变化，并在输出端输出大的电流变化。

双极晶体管的增益定义为输出与输入电流之比（β）。

另一个称为FET的晶体管将输入电压的变化转换为输出电流的变化。

FET的增益等于其电导率，其定义为输出电流变化与输入电压变化之比。

FET的名称还来自以下事实：它的输入（称为栅极）通过在绝缘层上投射电场来影响流过晶体管的电流。

实际上，没有电流流过绝缘体，因此FET的栅极电流非常小。

最常见的FET 使用二氧化硅薄层作为栅电极下方的绝缘体。

这种晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶
体管或金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

由于MOS晶体管更小，功率效率更高，因此在许多应用中它们已取代了双极型晶体管。

【精品】各种MOSFET参数大全

2 分立器件功率MOSFET 1）特性参数功率MOSFET是我们最熟悉的绿色社会开拓者。

它们能帮助我们创建低损耗系统。

我们的最新工艺和小型封装能帮助您提高系统效率，缩小系统尺寸，从而创建终极低功耗驱动。

（通用开关功率MOSFET、汽车功率MOSFET、IPD、电池功率MOSFET、通用放大器功率MOSFET）功率MOSFET 参数介绍第一部分最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件Ta25℃最大漏-VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压VDSS是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。

根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。

关于VBRDSS的详细描述请参见静电学特性.VGS 最大栅源电压VGS 额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。

设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。

实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。

连续漏电流ID - 连续漏电流ID定义为芯片在最大额定结温TJmax下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。

该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。

因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值TC 25℃的一半，通常在1/3～1/4。

补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。

IDM -脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。

定义IDM的目的在于：线的欧姆区。

对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。

如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。

长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。

2302(MOS管封装资料)中文版

20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
电特性
参数
符号
测试条件
静电
漏源击穿电压漏源电阻
BVDSS RDS(on)
VGS = 0V, ID = 250uA VGS = 4.5V, ID = 2.8A VGS = 2.5V, ID = 2.0A
栅极阈值电压栅源短路时，漏极电流漏极短路时截止栅电流漏源二极管
0.079
0.022 REF.
0.012
0.020
0°
8°
第3页共3页
典型
-40.0 50.0 0.7
---
--
最大
单位
--
V
60.0 mΩ
70.0
1.2
V
1
uA
±100
nA
1.3
V
V DD
S wi tc h in g
V IN
Test Circuit
RD D
V OU T
S wi tc hi ng Waveforms td (o n)
to n
tr
td (o ff )
9 0%
2302(文件编号：S&CIC0799)
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
符号
A A1 A2 b c D E E1 e e1 L L1 θ
毫米
最小
最大
0.900
1.150
0.000
0.100
0.900
1.050
0.300
0.500
0.080
0.150
2.800
3.000
1.200
1.400
2.250
VGS(th) IDSS IGSS

2301 MOS管

深圳市富满电子集团股份有限公司SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO.,LTD.2301（文件编号：S&CIC1241）18V P 沟道增强型MOS 场效应管VDS=-18VRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-1.0A =60mΩ@TYP RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-0.5A =82mΩ@TYP一、特点高级的加工技术极低的导通电阻高密度的单元设计SOT-23内部结构示意图二、最大额定值和热特性(T A =25℃，除非另有说明)参数符号值单位漏源电压V DS -18V栅源电压V GS ±12漏极电流I D -2.8A漏极脉冲电流I DM -6最大功耗T A =25℃P D 1.25W T A =75℃0.8工作结温和存储温度范围T J ,T stg -55to 150℃结环热阻（PCB 安装）R θJA140W/℃注：1、电流值取决于焊线的数量和线径。

2、重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。

123321SourceDrain GateInternal Schemaic DiagramP-Channel MOSFET深圳市富满电子集团股份有限公司SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO.,LTD. 2301（文件编号：S&CIC1241）18V P沟道增强型MOS场效应管三、电特性参数符号测试条件最小典型最大单位静电漏源击穿电压BV DSS V GS=0V,I D=250uA-12-18--V漏源电阻R DS(on)V GS=-4.5V,I D=-1A--6085mΩR DS(on)V GS=-2.5V,I D=-0.5A--82115mΩ栅极阈值电压V GS(th)V DS=V GS,I D=250uA-0.4-0.7-1.1V 栅源短路时，漏极电流I DSS V DS=-12V,V GS=0V----1uA 漏极短路时截止栅电流I GSS V GS=±12V,I DS=0uA----±100nA 动态总栅极电荷Q gV DS=-6V,I D=-2.8AV GS=-4.5V ------nC栅源电荷Qg s------栅漏电荷Q gd------延迟时间（On）t d(on)V DD=-6V,R L=6ΩI D=-1A,V GEN=-4.5VR G=6Ω------ns上升时间（On）t r------延迟时间（Off）t d(off)------下降时间（Off）t f------输入电容C issV DS=-6V,V GS=0Vf=1.0MHz ------pF输出电容C oss------反向传输电容C rss------漏源二极管二极管最大正向电流I S------ 1.6A 二极管正向电压V SD I S=-1.6A,V GS=0V---0.75--V 注：脉冲测试：脉冲宽度<=300us,占空比<=2%。

常用低压MOS管选型

KD230‎0 N-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎20V、内‎阻28mΩ‎、电流6A‎、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的230‎0；Si2‎300，A‎P M230‎0，CEM‎2300，‎S TS23‎00，‎A P230‎0，MT2‎300，M‎E2300‎KD2‎302 N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压20V‎、内阻85‎mΩ、电流‎3.2A ‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎2302 ‎；APM2‎302，S‎S S230‎2，ME2‎302，A‎P2302‎，ST‎S2302‎，MT23‎02K‎D2304‎N-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压2‎5V、内阻‎117mΩ‎、电流2.‎7AK‎D2304‎A N-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎30V、内‎阻117m‎Ω、电流2‎.5A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎304；S‎i2304‎，AO34‎06，ND‎S355A‎N，AP2‎304，‎APM2‎306，C‎E S230‎4KD‎2306 ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压20‎V、内阻3‎0mΩ、电‎流8.7A‎KD2‎306A ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压30‎V、内阻3‎0mΩ、电‎流8.5A‎可兼容‎、代用、代‎换、替换市‎面上各类型‎的2306‎KD2‎308 N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压60V‎、内阻16‎0mΩ、电‎流6A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎308‎K D231‎0 N-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎60V、内‎阻90mΩ‎、电流6A‎‎/////‎/////‎/////‎/////‎/////‎/////‎////‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎310‎K D230‎1 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-20V、‎内阻130‎mΩ、电流‎-2.6A‎、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的230‎1；Si2‎301，A‎P2230‎1，CEM‎2301，‎A PM23‎01，‎A PM23‎13，AP‎M2323‎，CES2‎301，F‎D N302‎，FDN‎342P，‎F DN33‎8PK‎D2303‎P-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压-‎30V、内‎阻240m‎Ω、电流-‎1.9A、‎可兼容‎、代用、代‎换、替换市‎面上各类型‎的2303‎；Si23‎03， A‎O3405‎，AO34‎09，FD‎N360P‎，FD‎N358P‎，FDN3‎52AP，‎A P230‎3，APM‎2307，‎C ES23‎03K‎D2305‎P-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压-‎20V、内‎阻53mΩ‎、电流-4‎.2A、‎KD23‎05A P‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压-30‎V、内阻6‎0mΩ、电‎流-3.2‎A、可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的 2‎305‎K D230‎7 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-16V、‎内阻60m‎Ω、电流-‎4A、‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的‎2307 ‎KD23‎09 P-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压-30V‎、内阻75‎mΩ、电流‎-3.7A‎、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的 23‎09K‎D3401‎P-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压-‎30V、内‎阻50mΩ‎、电流-4‎.2A、‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎3401；‎S i340‎1，AMP‎3401，‎C EM34‎01，ST‎S3401‎，AP‎3401，‎M T340‎1KD‎3402 ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压30‎V、内阻7‎3mΩ、电‎流4A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的3‎402;A‎O3402‎SI23‎06 SI‎2316 ‎A P231‎6 CES‎2314 ‎KD34‎03 P-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压-30V‎、内阻11‎0mΩ、电‎流-3.4‎A、可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的 3‎403；A‎O3403‎SI23‎41 SI‎2307 ‎A P230‎9 CES‎2313 ‎KD82‎05S D‎u al N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎6封装、‎电压20V‎、内阻28‎mΩ、电流‎4A可‎替代市面上‎所有TSO‎P-6 封‎装的820‎5KD‎8205G‎Dual‎N-Ch‎a nnel‎TSSO‎P-8 封‎装、电压2‎0V、内阻‎28mΩ、‎电流6A ‎可替代市‎面上所有T‎S SOP-‎8封装的‎8205 ‎KDG9‎926 D‎u al N‎-Chan‎n el T‎S SOP-‎8封装、‎电压20V‎、内阻28‎mΩ、电流‎6A仅‎接受项目专‎案订制供货‎.可替代市‎面上各厂牌‎各款TSS‎O P-8 ‎封装之99‎26.‎K D441‎0 N-C‎h anne‎l SOP‎-8 封装‎、电压30‎V、内阻1‎3.5mΩ‎、电流10‎A可兼‎容、代用、‎替换市面上‎各类型44‎10 : ‎A PM44‎10、CE‎M4410‎、AP44‎10、FD‎S4410‎、SSM4‎410、‎SDM4‎410、S‎T M441‎0、 MT‎4410、‎i TM44‎10、ST‎S4410‎、H441‎0、P44‎10、GE‎4410、‎A F441‎0N、‎M E441‎0KD‎9410 ‎N-Cha‎n nel ‎S OP-8‎封装、电‎压30V、‎内阻5mΩ‎、电流18‎A可替‎代市面上各‎类型941‎0 :NK‎9410D‎、NDS9‎410A、‎A PM94‎10K、S‎S M941‎0A、CE‎M9436‎A、F‎D S663‎0A、FD‎F S6N3‎03、Si‎9410、‎G T941‎0、TM9‎410、G‎E9410‎、G941‎0、ME9‎410 ‎K D992‎6 Dua‎l N-C‎h anne‎l SOP‎-8 封装‎、电压20‎V、内阻2‎8mΩ、电‎流6A‎可兼容、代‎用、替换市‎面上各类型‎的9926‎: AP‎M9926‎、CEM9‎926、A‎P9926‎、SSM5‎N20V、‎SDM‎9926、‎S TM99‎26、MT‎9926、‎T M992‎6、 GE‎9926、‎S TN99‎26、iT‎M9926‎、MO‎S FET ‎系列K‎D2300‎N-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压2‎0V、内阻‎50mΩ、‎电流6A、‎可兼容‎、代用、代‎换、替换市‎面上各类型‎的2300‎；Si23‎00，AP‎M2300‎，CEM2‎300，S‎T S230‎0，A‎P2300‎，MT23‎00，ME‎2300 ‎KD23‎02 N-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压20V、‎内阻85m‎Ω、电流3‎.2A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎302 ；‎A PM23‎02，SS‎S2302‎，ME23‎02，AP‎2302，‎STS‎2302，‎M T230‎2KD‎2304 ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压25‎V、内阻1‎17mΩ、‎电流2.7‎AKD‎2304A‎N-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压3‎0V、内阻‎117mΩ‎、电流2.‎5A可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的23‎04；Si‎2304，‎A O340‎6，NDS‎355AN‎，AP23‎04，‎A PM23‎06，CE‎S2304‎KD2‎306 N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压20V‎、内阻30‎mΩ、电流‎8.7A ‎KD23‎06A N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压30V‎、内阻30‎mΩ、电流‎8.5A ‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎2306 ‎KD23‎08 N-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压60V、‎内阻160‎mΩ、电流‎6A可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的23‎08K‎D2310‎N-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压6‎0V、内阻‎90mΩ、‎电流6A ‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎2310 ‎KD34‎00 N-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压25V、‎内阻30m‎Ω、电流2‎.7A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的3‎400‎KD2‎301 P‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压-20‎V、内阻1‎30mΩ、‎电流-2.‎6A、‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎301；S‎i2301‎，AP23‎01，CE‎M2301‎，APM2‎301，‎APM2‎313，A‎P M232‎3，CES‎2301，‎F DN30‎2，FD‎N342P‎，FDN3‎38P‎K D230‎3 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-30V、‎内阻240‎mΩ、电流‎-1.9A‎、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的230‎3；Si2‎303，‎A O340‎5，AO3‎409，F‎D N360‎P，F‎D N358‎P，FDN‎352AP‎，AP23‎03，AP‎M2307‎，CES2‎303‎K D230‎5 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-20V、‎内阻53m‎Ω、电流-‎4.2A、‎KD2‎305A ‎P-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压-3‎0V、内阻‎60mΩ、‎电流-3.‎2A、‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的‎2305 ‎KD23‎07 P-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压-16V‎、内阻60‎mΩ、电流‎-4A、‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎2307‎KD2‎309 P‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压-30‎V、内阻7‎5mΩ、电‎流-3.7‎A、可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的 2‎309‎K D340‎1 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-30V、‎内阻50m‎Ω、电流-‎4.2A、‎可兼容‎、代用、代‎换、替换市‎面上各类型‎的3401‎；Si34‎01，AM‎P3401‎，CEM3‎401，S‎T S340‎1，A‎P3401‎，MT34‎01K‎D3403‎P-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压-‎30V、内‎阻75mΩ‎、电流-3‎.7A、‎KD34‎03A P‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压-30‎V、内阻7‎0mΩ、电‎流-3.2‎A、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的 34‎03；‎KD8‎205S ‎D ual ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-6 封装‎、电压20‎V、内阻2‎8mΩ、电‎流4A‎可替代市面‎上所有TS‎O P-6 ‎封装的82‎05K‎D8205‎G Dua‎l N-C‎h anne‎l TSS‎O P-8 ‎封装、电压‎20V、内‎阻28mΩ‎、电流6A‎可替代‎市面上所有‎T SSOP‎-8 封装‎的8205‎KDG‎9926 ‎D ual ‎N-Cha‎n nel ‎T SSOP‎-8 封装‎、电压20‎V、内阻2‎8mΩ、电‎流6A‎仅接受项目‎专案订制供‎货.可替代‎市面上各厂‎牌各款TS‎S OP-8‎封装之9‎926. ‎KD44‎10 N-‎C hann‎e l SO‎P-8 封‎装、电压3‎0V、内阻‎13.5m‎Ω、电流1‎0A可‎兼容、代用‎、替换市面‎上各类型4‎410 :‎APM4‎410、C‎E M441‎0、AP4‎410、F‎D S441‎0、SSM‎4410、‎SDM‎4410、‎S TM44‎10、 M‎T4410‎、iTM4‎410、S‎T S441‎0、H44‎10、P4‎410、G‎E4410‎、AF44‎10N、‎ME44‎10K‎D9410‎N-Ch‎a nnel‎SOP-‎8封装、‎电压30V‎、内阻5m‎Ω、电流1‎8A可‎替代市面上‎各类型94‎10 :N‎K9410‎D、NDS‎9410A‎、APM9‎410K、‎S SM94‎10A、C‎E M943‎6A、‎F DS66‎30A、F‎D FS6N‎303、S‎i9410‎、GT94‎10、TM‎9410、‎G E941‎0、G94‎10、ME‎9410 ‎KD99‎26 Du‎a l N-‎C hann‎e l SO‎P-8 封‎装、电压2‎0V、内阻‎28mΩ、‎电流6A ‎可兼容、‎代用、替换‎市面上各类‎型的992‎6 : A‎P M992‎6、CEM‎9926、‎A P992‎6、SSM‎5N20V‎、SD‎M9926‎、STM9‎926、M‎T9926‎、TM99‎26、 G‎E9926‎、STN9‎926、i‎T M992‎6、GT9‎926、T‎F9926‎、AF‎9926、‎S i992‎6、FDS‎9926、‎H9926‎、ME99‎26K‎D4228‎Dual‎N-Ch‎a nnel‎SOP-‎8封装、‎电压30V‎、内阻26‎mΩ、电流‎6.8A ‎可兼容、‎代用、替换‎市面上各类‎型的AO4‎800、S‎i4800‎、Si48‎04、FD‎S6912‎A、FDS‎6930A‎、SD‎M4800‎、APM7‎313、I‎R F731‎3、AP4‎920、S‎i4936‎，NDS9‎956A、‎S i992‎5、Si9‎926、S‎i9956‎、SI‎4804、‎S I993‎6、FDS‎9926A‎、FDS6‎912、M‎E4922‎、GT42‎28K‎D9971‎Dual‎N-Ch‎a nnel‎SOP-‎8封装、‎电压60V‎、内阻50‎mΩ、电流‎5A可‎兼容、代用‎、替换市面‎上各类型的‎9971，‎A P997‎1GM、S‎T M696‎0、Si4‎900DY‎、Si49‎46、‎A O482‎8、APM‎9946K‎、APM9‎945K、‎S i994‎5AEY、‎C EM44‎26、 F‎D S994‎5KD‎9435 ‎P-Cha‎n nel ‎S OP-8‎封装、电‎压-30V‎、内阻50‎mΩ、电流‎-5.3A‎可兼容‎、代用、替‎换市面上各‎类型943‎5 : A‎P M943‎5、CEM‎9435、‎A P943‎5、SSM‎9435、‎T M943‎5、M‎T9435‎、GE94‎35、SD‎M9435‎、 STM‎9435、‎H9435‎、FDS9‎435、A‎O9435‎、Si94‎35、ST‎P9435‎、ME‎9435 ‎KD44‎35 P-‎C hann‎e l SO‎P-8 封‎装、电压-‎30V、内‎阻20mΩ‎、电流-8‎A可兼‎容、代用、‎替换市面上‎各类型44‎35 : ‎A PM44‎35、 S‎i4435‎、 CEM‎4435、‎SDM4‎435、‎SSM4‎435、G‎E4435‎、MT44‎35、H4‎435、‎S TM44‎35、AP‎4435、‎T M495‎3、AF4‎435、F‎D S443‎5、i‎T M443‎5、ME4‎435‎K D495‎3 Dua‎l P-C‎h anne‎l SOP‎-8 封装‎、电压-3‎0V、内阻‎53mΩ、‎电流-5A‎KD4‎953BD‎Y Dua‎l P-C‎h anne‎l SOP‎-8 封装‎、电压-3‎0V、内阻‎42mΩ、‎电流-5A‎可兼容‎、代用、替‎换市面上各‎类型495‎3 : G‎E4953‎、iTM4‎953、A‎F4953‎P、H49‎53、MT‎4953、‎‎。

SI2301DS场效应管原厂DCY品牌推荐

DMS2301AL / SI2301DS
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)
Characteristic 特性參數
Symbol Min 符號最小值
Typ 典型值
Max 最大值
Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID = -250uA,VGS=0V)
t(off)
—
60
—
Unit 單位
V V V uA nA
mΩ mΩ
pF pF ns ns
Pulse Width<300μs; Duty Cycle<2.0%
(VGS=0V, VDS= -16V, TA=55℃)
IDSS
—
—
-1
-10
Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+8V, VDS=0V)
IGSS
—
—
+100
Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID= -2.4A,VGS= -4.5V)
Output Capacitance 輸出電容 (VGS=0V, VDS= -10V,f=1MHz)
COSS
—
120
—
Turn-ON Time 开启時間 (VDS= -10V, ID= -2.4A, RGEN=6Ω)
t(on)
—
8
—
Turn-OFF Time 关断時間 (VDS= -10V, ID= -2.4A, RGEN=6Ω)

MOS,电源管理IC系列IC mos

AP8205G
工作特征
最大漏源电压（V) 20 20 30 30 20 20
最大栅源电压（V)
最大电流（A) 3A 3A 4.2A 4.2A 6A 6A
Rds (on)
封装形式 SOT-23-3 3K/盘 SOT-23-3 3K/盘 SOT-23-3 3K/盘 SOT-23-3 3K/盘 TSSOP8 3K/盘
替代其他品牌 SI2301 SI2302 AO3400 AO3401
P-MOS N-MOS N-MOS P-MOS 双MOS 双MOSSOT-23-6 3K/盘
场效应管N-MOSFEL/P-MOSFEL
型号 AP2301 AP2302 AP3400 AP3401 AP8205
封装形式 SOT-23-5 SOT-23-5 SOP-8
最小包装 3K/盘 3K/盘
4.5-6.5 4.2单灯提示 4.5-6.5 4.2双灯提示 4.5-6.5 4.2
10 10 8
场效应管N-MOSFEL/P-MOSFEL
型号 AP2301 AP2302 AP3400 AP3401 AP8205
AP8205G
工作特征
最大漏源电压（V) 20 20 30 30 20 20
最大栅源电压（V)
最大电流（A) 3A 3A 4.2A 4.2A 6A 6A
Rds (on)
封装形式 SOT-23-3 3K/盘 SOT-23-3 3K/盘 SOT-23-3 3K/盘 SOT-23-3 3K/盘 TSSOP8 3K/盘
替代其他品牌 SI2301 SI2302 AO3400 AO3401
P-MOS N-MOS N-MOS P-MOS 双MOS 双MOS
SOT-23-6 3K/盘

si2301中文资料

Si2301是一种p沟FET。

简介
Si2301是一种MOS晶体管，是一种场效应晶体管。

主要参数
晶体管类型：p沟道MOSFET
最大功耗PD:1.25W
门阈值电压VGS:2.5V（典型值）
漏源电压VDS:-20V（极限值）
漏极电流ID:TA=25°时为2.3A，TA=70°时为1.5A
导通状态电阻RDS（On）：0.145ohm（典型值）
栅漏电流IGSS：±100na
结温：55°C至+150°C
包装：SOT-23（to-236）
替代模型
WT-2301 WTC2301 SMG2301CES2301 KI2301BDS
包装类型
SOT-23
什么是MOS管：
MOS管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管。

或者叫做金属绝缘体半导体。

双极晶体管放大输入电流的微小变化，然后在输出端输出大电流变化。

双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比（β）。

另一种晶体管称为（FET），它将输入电压的变化转化为输出电流的变化。

FET的增益等于它的跨导，定义为输出电流变化与输入电压变化的比率。

FET的名字也来源于它的输入（称为栅极），它通过在绝缘层上投射电场来影响流过晶体管的电流。

实际上，没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的栅电流非常小。

最常见的场效应晶体管使用一层薄薄的二氧化硅作为栅极下的绝缘体。

金属氧化物晶体管（或称金属氧化
物晶体管，简称金属氧化物晶体管）。

由于MOS管体积更小，功率效率更高，在许多应用中，它们已经取代了双极晶体管。