LM5117中文数据手册
LM1117中文资料
出货形式 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 直条 直条 直条 直条 直条 直条 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴 编带和卷轴
调 节 管 脚 电 流 10≤IOUT≤800mA
变化
1.4V≤VIN-VOUT≤10V
温度稳定性
长期稳定性 TA = 125℃, 1000 小时 RMS 输出噪声 VOUT 的百分比，10Hz≤f≤10kHz
续上表 最小值 典型值 最大值 单位
1
6 mV
1
6 mV
1
10 mV
0.2
0.4 %
1
10 mV
VIN-VOUT 压差
ILIMIT
电流限制 最小负载电流 空载电流
热调节 调节管脚电流
LM1117I-3.3 IOUT = 10mA,VIN-VOUT =5V, TJ = 25℃ 0≤IOUT≤800mA, 4.75V≤VIN≤10V LM1117I-5.0 IOUT = 10mA,VIN-VOUT =7V, TJ = 25℃ 0≤IOUT≤800mA, 6.5V≤VIN≤12V LM1117I-ADJ IOUT = 10mA, 1.5V≤VIN-VOUT≤13.75V LM1117I-3.3 IOUT = 0mA, 4.75V≤VIN≤15V LM1117I-5.0 IOUT = 0mA, 6.5V≤VIN≤15V LM1117I-ADJ VIN-VOUT = 3V, 10≤IOUT≤800mA LM1117I-3.3 VIN = 4.75V, 0≤IOUT≤800mA LM1117I-5.0 VIN = 6.5V, 0≤IOUT≤800mA IOUT = 100mA IOUT = 500mA IOUT = 800mA VIN-VOUT = 5V, TJ = 25℃ LM1117I-ADJ, VIN = 15V LM1117I-3.3, VIN≤15V LM1117I-5.0, VIN≤15V TA = 25℃, 30ms 脉冲
LM5118资料
元器件交易网www.cecb2b.com
April 30, 2008
LM5118 Wide Voltage Range Buck-Boost Controller
General Description
The LM5118 wide voltage range Buck-Boost switching regulator controller features all of the functions necessary to implement a high performance, cost efficient Buck-Boost regulator using a minimum of external components. The Buck-Boost topology maintains output voltage regulation when the input voltage is either less than or greater than the output voltage making it especially suitable for automotive applications. The LM5118 operates as a buck regulator while the input voltage is sufficiently greater than the regulated output voltage and gradually transitions to the buck-boost mode as the input voltage approaches the output. This dual mode approach maintains regulation over a wide range of input voltages with optimal conversion efficiency in the buck mode and a glitch-free output during mode transitions. This easy to use controller includes drivers for the high side buck MOSFET and the low side boost MOSFET. The regulator’s control method is based upon current mode control utilizing an emulated current ramp. Emulated current mode control reduces noise sensitivity of the pulse-width modulation circuit, allowing reliable control of the very small duty cycles necessary in high input voltage applications. Additional protection features include current limit, thermal shutdown and an enable input. The device is available in a power enhanced TSSOP-20 package featuring an exposed die attach pad to aid thermal dissipation.
基于LM5117大功率恒流源的设计
基于LM5117大功率恒流源的设计
郑世伟;饶连周;许国忠;王坤森;张廷光;陈俊玮
【摘要】采用TI最新同步降压控制芯片LM5117与超低内阻MOS管
CSD18532KCS为核心,设计一款具有宽输入电压5.5~65V,输出电压12V,输出电流12A的降压型大功率恒流源.样机经测试满载效率为91.1%、负载调整率
Si≤1%、电压调整率Sv≤0.2%,可应用在电镀、热处理炉、照明等行业.
【期刊名称】《三明学院学报》
【年(卷),期】2017(034)004
【总页数】4页(P52-55)
【关键词】同步降压;LM5117;恒流源
【作者】郑世伟;饶连周;许国忠;王坤森;张廷光;陈俊玮
【作者单位】装备智能控制福建省高校重点实验室,福建三明 365004;三明学院机电工程学院,福建三明365004;装备智能控制福建省高校重点实验室,福建三明365004;三明学院机电工程学院,福建三明365004;装备智能控制福建省高校重点实验室,福建三明 365004;三明学院机电工程学院,福建三明365004;装备智能控制福建省高校重点实验室,福建三明 365004;三明学院机电工程学院,福建三明365004;装备智能控制福建省高校重点实验室,福建三明 365004;三明学院机电工程学院,福建三明365004;福建电视大学三明分校,福建三明365000
【正文语种】中文
【中图分类】TM46
随着电子技术的快速发展，电子设备发展越来越来高端和智能化，为了保证高端电子设备性能稳定，需要提供更加优质的高端电源，这就要求电源体积小，集成度、高频化[1]。为了提高效率，选择导通电阻极低的MOSFET替代整流二极管进行同步整流，能够降低损耗[2]。为了输出高功率，高电压输出使得器件选型上需要增加成本，所以降低输出电压，提高输出电流能够在一定范围内降低制造成本[3]。所以研究大功率恒流DC-DC降压型开关电源是新的趋势。
LM1117 PDF 中文资料
封装 TO-220-3L TO-263-3L
打印名称
产品名称
AMS1117-ADJ AMS1117-ADJ
AMS1117-1.2 AMS1117-1.5 AMS1117-1.8
AMS1117-1.2 AMS1117-1.5 AMS1117-1.8
AMS1117-2.5 AMS1117-2.5
AMS1117-2.85 AMS1117-2.85
封装 TO-252-2L TO-263-3L
打印名称
AMS1117-ADJ AMS1117-1.2 AMS1117-1.5 AMS1117-1.8 AMS1117-2.5 AMS1117-2.85 AMS1117-3.0 AMS1117-3.3 AMS1117-5.0 AMS1117-2.85 AMS1117-3.0 AMS1117-3.3 AMS1117-5.0
封装 SOT-89-3
打印名称 SAJ S12 S15 S18 S25 S28 S30 S33 S50
ADVANCED MONOLITHIC SYSTEMS WWW.AMS-SEMITECH.COM (translate by BONA 0755-82800289)
共10页 第1页
AMS1117
产品规格分类（温度范围：-40°C~ 125°C）
符号 VIN TLead TJ TSTG PD ESD
LM1117-2.5 中文资料
封装 SOT-89-3
打印名称 SAJ S12 S15 S18 S25 S28 S30 S33 S50
ADVANCED MONOLITHIC SYSTEMS WWW.AMS-SEMITECH.COM (translate by BONA 0755-82800289)
共10页 第1页
AMS1117
产品规格分类（温度范围：-40°C~ 125°C）
输出电压
输出电压温度稳定性 线性调整 负载调整 漏失电压 静态电流 纹波抑制比 可调管脚电流 可调管脚电流变化 温度稳定性 长期稳定性 RMS输出噪声
热阻系数 (无散热片)
符号
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
AMS1117-2.85,
IOUT=10mA, VIN=4.85V,TJ=25°C , 2.820 2.850 .880
40c125c产品名称封装打印名称ams1117adjams1117adjams111712ams111712ams111715ams111715ams111718ams111718产品名称封装打印名称ams1117adjams1117adjams111712ams111712ams111715ams111715ams111718ams111718ams111725ams111725ams111725ams1117285ams1117285ams111725ams1117285ams1117285ams111730ams111730ams111730ams111733ams111733ams111730ams111733ams111733ams111750ams111750to2203lams111750ams111750ams1117adjams1117285to2522lams1117adjams1117285ams111712ams111712ams111730ams111715ams111733ams111730ams111733ams111715ams111718ams111718ams111750ams111725ams111750ams111725to2633lto2633l内部框图共10页第2页advancedmonolithicsystemswwwamssemitechcomtranslatebybona075582800289ams1117共10页第3页极限参数参数符号范围单位输入工作电压vin20v引脚温度焊接5秒tlead260c工作结温范围tj150c储存温度tstg65150c功耗pd内部限制注12000mwesd能力最小值esdv注1
LM1117_中文PDF资料
1A LDO
稳压器电路
概述
是一款正电压输出的低压降三端线性稳压电
路，在1A输出电流下的压降为1.2V。
分为两个版本，固定电压输出版本和可调电
压输出版本。固定输出电压1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5.0V和可调版本的电压精度为1％；固定电压为1.2V的产品输出电压精度为2％。
内部集成过热保护和限流电路，适用于各类
电子产品。
特点
*固定输出电压为1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5.0V和
可调版本的电压精度为1％
*固定电压为1.2V的输出电压精度为2％
*低漏失电压：1A输出电流时仅为 1.2V
*限流功能
*过热切断
*温度范围：-40°C~ 125°C
应用
*膝上型电脑，掌上电脑和笔记本
电脑
*电池充电器
* SCSI-II主动终端
*移动电话
*无绳电话
*电池供电系统
*便携式设备
* SMPS波斯特稳压器
产品规格分类（温度范围：-40°C~ 125°C）
X1117
X1117
X1117
X1117
X1117
换页
UX
产品名称封装打印名称材料包装X 1117H - ADJ
无铅编带
X 1117H- 1.8TR
X 1117H - 1.8
编带
X 1117H- 3.3TR
X 1117H - 3.3
编带
SOT-223-3L
X 1117H- ADJTR
编带
编带
编带
无铅
无铅
X 1117H- ADJTR
X 1117H- 1.8TR
X 1117H- 3.3TR
X 1117H - ADJ
X 1117H - 3.3
X 1117H - 1.8
无卤
无卤
无卤
内部框图
3
带隙
限流
TSD
2
1
A
VOUT
ADJ/GND
VIN
固定版本:F1和F2连接A
LM5116中文手册(DOC)
LM5116宽范围同步降压控制器
概述
该LM5116是一个同步降压控制器，适用于高输入电压或宽输入电压的环境中。其控制方式是电流模式控制，该控制方式是利用一个模拟出来的电流斜坡。电流模式控制提供了固有的线路前馈，以周期电流限制和易于循环的环路补偿。电流模式控制提供固有的线性前馈，周期性循环的电流限制以及环路补偿。仿真控制斜坡的使用可以减少脉宽调制电路的噪声灵敏度，是高输入电压应用中实现小占空比的可靠控制所必需的。其工作频率可编程，从50kHz 至1MHz。LM5116是驱动外部高边和低边的NMOS电源开关，这两个MOS管有自适应的死区时间控制。可由用户选择二极管仿真的模式使芯片在轻负载时能够提高不连续工作模式的效率。低静态关断电流就能使芯片不工作，并消耗总输入电流中的10μA。其它特点包括一个高压偏置调节器、能自动切换到外部偏置以提高效率、热关断、频率同步、周期性限流、以及自适应线性欠压锁定。该芯片选用TSSOP-20的封装，具有一个额外的焊盘以增加散热，这种封装方式在大功率模式下是十分有效的。
特色
仿峰值电流模式
输入电压范围可达100V
低关断电流
能驱动标准或逻辑级的MOS管
栅极驱动电流可高达3.5A
自由运行或同步操作到1MHz
可选择的二极管仿真模式
输出电压范围1.215V——80V
电压基准精度为1.5%
可编程限流
可编程软启动
可编程的线性欠压锁定
自动切换到外部偏置电压
TSSOP-20EP裸露焊盘
热关断
典型电路
引脚名称描述
1 VIN 芯片电源电压，输入电压
2 UVLO 如果UVLO引脚的电压低于1.215V，调节器会进入待机模式（VCC调
LM1117数据手册
LM1117/LM1117I
800mA Low-Dropout Linear Regulator
General Description
The LM1117is a series of low dropout voltage regulators with a dropout of 1.2V at 800mA of load current.It has the same pin-out as National Semiconductor’s industry standard LM317.
The LM1117is available in an adjustable version,which can set the output voltage from 1.25V to 13.8V with only two external resistors.In addition,it is also available in five fixed voltages,1.8V,2.5V,2.85V,3.3V,and 5V.
The LM1117offers current limiting and thermal shutdown.Its circuit includes a zener trimmed bandgap reference to as-sure output voltage accuracy to within ±1%.
The LM1117series is available in LLP ,TO-263,SOT-223,TO-220,and TO-252D-PAK packages.A minimum of 10µF tantalum capacitor is required at the output to improve the transient response and stability.
LM1117 中文PDF资料
www.ic-jiazhi.com
1.2 1.224 V 1.2 1.248
X1117 -1.5,
IOUT=10mΑ, VIN=3.5V ,TJ=25°C 10mA≤IOUT≤1A, 3.0V≤VIN≤10V
1.485 1.500 1.515 V 1.470 1.500 1.530
X1117-1.8,
IOUT=10mA, VIN=3.8V, TJ=25°C , 1.782 1.800 1.818 V
X1117
可调管脚电流
100 90 80 70 60 50 40 30 20 10
0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
温度( C)
线性瞬态响应（VOUT=5 V）
输入电压偏差(V)
输出电压偏差 (mV)
纹波抑制 (dB)
纹波抑制 VS 电流
100
90
fRIPPLER=120Hz
为了确保 X1117 的稳定性，对可调电压版本，输出需要连接一个至少22μF的钽电容。对于固
定电压版本，可采用更小的电容，具体可以根据实际应用确定。通常，线性调整器的稳定性随着 输出电流增加而降低。
典型应用电路图
X1117
VIN 10 F
图 1. 典型固定输出电压
X1117-ADJ
VIN
VOUT
ADJ R1
LM5116中文手册(DOC)
LM5116宽范围同步降压控制器
概述
该LM5116是一个同步降压控制器，适用于高输入电压或宽输入电压的环境中。其控制方式是电流模式控制，该控制方式是利用一个模拟出来的电流斜坡。电流模式控制提供了固有的线路前馈，以周期电流限制和易于循环的环路补偿。电流模式控制提供固有的线性前馈，周期性循环的电流限制以及环路补偿。仿真控制斜坡的使用可以减少脉宽调制电路的噪声灵敏度，是高输入电压应用中实现小占空比的可靠控制所必需的。其工作频率可编程，从50kHz 至1MHz。LM5116是驱动外部高边和低边的NMOS电源开关，这两个MOS管有自适应的死区时间控制。可由用户选择二极管仿真的模式使芯片在轻负载时能够提高不连续工作模式的效率。低静态关断电流就能使芯片不工作，并消耗总输入电流中的10μA。其它特点包括一个高压偏置调节器、能自动切换到外部偏置以提高效率、热关断、频率同步、周期性限流、以及自适应线性欠压锁定。该芯片选用TSSOP-20的封装，具有一个额外的焊盘以增加散热，这种封装方式在大功率模式下是十分有效的。
特色
仿峰值电流模式
输入电压范围可达100V
低关断电流
能驱动标准或逻辑级的MOS管
栅极驱动电流可高达3.5A
自由运行或同步操作到1MHz
可选择的二极管仿真模式
输出电压范围1.215V——80V
电压基准精度为1.5%
可编程限流
可编程软启动
可编程的线性欠压锁定
自动切换到外部偏置电压
TSSOP-20EP裸露焊盘
热关断
典型电路
引脚名称描述
1 VIN 芯片电源电压，输入电压
2 UVLO 如果UVLO引脚的电压低于1.215V，调节器会进入待机模式（VCC调
LM5116中文手册
LM5116宽范围同步降压控制器
概述
该LM5116是一个同步降压控制器，适用于高输入电压或宽输入电压的环境中。其控制方式是电流模式控制，该控制方式是利用一个模拟出来的电流斜坡。电流模式控制提供了固有的线路前馈，以周期电流限制和易于循环的环路补偿。电流模式控制提供固有的线性前馈，周期性循环的电流限制以及环路补偿。仿真控制斜坡的使用可以减少脉宽调制电路的噪声灵敏度，是高输入电压应用中实现小占空比的可靠控制所必需的。其工作频率可编程，从50kHz 至1MHz。LM5116是驱动外部高边和低边的NMOS电源开关，这两个MOS管有自适应的死区时间控制。可由用户选择二极管仿真的模式使芯片在轻负载时能够提高不连续工作模式的效率。低静态关断电流就能使芯片不工作，并消耗总输入电流中的10μA。其它特点包括一个高压偏置调节器、能自动切换到外部偏置以提高效率、热关断、频率同步、周期性限流、以及自适应线性欠压锁定。该芯片选用TSSOP-20的封装，具有一个额外的焊盘以增加散热，这种封装方式在大功率模式下是十分有效的。
特色
仿峰值电流模式
输入电压范围可达100V
低关断电流
能驱动标准或逻辑级的MOS管
栅极驱动电流可高达3.5A
自由运行或同步操作到1MHz
可选择的二极管仿真模式
输出电压范围1.215V——80V
电压基准精度为1.5%
可编程限流
可编程软启动
可编程的线性欠压锁定
自动切换到外部偏置电压
TSSOP-20EP裸露焊盘
热关断
典型电路
引脚名称描述
1 VIN 芯片电源电压，输入电压
2 UVLO 如果UVLO引脚的电压低于1.215V，调节器会进入待机模式（VCC调
基于LM5117的降压型直流开关稳压电源设计
基于LM5117的降压型直流开关稳压电源设计
作者：荣海林姚福安张德强
来源：《中国教育技术装备》2017年第06期
摘要选用TI公司的LM5117芯片作为稳压系统控制的核心，制作一款稳定高效的降压型直流开关稳压电源，采用电压闭环反馈控制，具有稳定的过流保护、负载识别功能，提高了输出电压的稳定性，大大降低了输出纹波电压。选择合适的开关频率及环路补偿网络增强电路稳定性和带负载能力，进一步稳定输出电压。
关键词 LM5117；降压型开关稳压电源；闭环控制
中图分类号：TN492 文献标识码：B
文章编号：1671-489X（2017）06-0036-03
Abstract This system design chooses LM5117 chip and CSD18532-KCS MOSFET of TI Company as control core voltage stabilizing system， and builds a stable and efficient buck type DC switching power supply. It uses the closed-loop feedback control voltage， im-proving the stability of output voltage. Design reduces the output ripple voltage， selecting the appropriate switching frequency com-pensation and loop network to enhance the stability and load capa-city， make output voltage more stable.
LM1117中文资料
ａ
－LM1117I： -40℃~125℃
LM1117 电气特性
符号
参数
VREF
参考电压
VOUT
输出电压
－
条件
ａ 最小值 典型值 最大值
LM1117-ADJ IOUT = 10mA,VIN-VOUT =2V, TJ = 25℃
ｇ 10mA≤IOUT≤800mA, 1.4V≤VIN-VOUT≤ ｐ 10V
功能框图
．
ｍ
ｒ
ａ
－
ａ
ｇ
管脚图
SOT-223
ｆｐTO-263
．
顶视图
ｗ
顶视图
ｗ ｗ TO-220
侧视图 LLP
顶视图 TO-252
顶视图
当使用 LLP 封装时，引脚 2、3 和 4 必须连在一起， 引脚 5、6 和 7 必须连接在一起。
顶视图
-3-
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1117I50
编带和卷轴
0℃~125℃
LM1117SX-ADJ
LM1117SADJ
编带和卷轴
LM1117SX-2.85
LM1117S2.85
编带和卷轴
LM1117SX-3.3
LM1117S3.3
编带和卷轴
LM1117SX-5.0
LM5117稳压电路 参数数据表
LM5117/Q1Wide Input Range Synchronous Buck Controller with Analog Current Monitor(Rev.F)
SNVS698F–April2011–revisedAugust2015
PRODUCTION DATA.
LM5117,LM5117-Q1
See TI store options Download PDF Email Datasheet 1Features
∙LM5117-Q1is Qualified for Automotive Applications
∙AEC-Q100Qualified With the Following Results:
∙Device Temperature Grade1:-40°C to125°C Ambient Operating Temperature Range
∙Emulated Peak Current Mode Control
∙Wide Operating Range from 5.5V to65V
∙Robust 3.3-A Peak Gate Drives
∙Adaptive Dead-Time Output Driver Control
∙Free-Run or Synchronizable Clock up to750kHz
∙Optional Diode Emulation Mode
∙Programmable Output from0.8V
∙Precision 1.5%Voltage Reference
基于LM5117的同步降压型开关稳压电源设计
基于LM5117的同步降压型开关稳压电源设计
摘要：本文设计以TI公司的降压控制器LM5117芯片和CSD18532KCS MOS场效
应管为核心器件，使用TI WebTHERM Simulation 工具进行在线仿真辅助，可快速
设计电源参数，最终制作一个降压型直流开关稳压电源。其额定输出直流电压为UIN=16V时，额定输出直流电压为Uo=5V，输出电流最大值为IoMAX=3A。
关键词：开关电源；LM5117；同步降压
1.方案设计
采用LM5117作为主控芯片[2]，该单片机是一款同步降压控制器，适用于高
电压或各种输入电源的降压型稳压器应用。其控制方法基于采用仿真电流斜坡的
电流模式控制。电流模式控制具有固有的输入电压前馈、逐周期电流限制和简化
环路补偿的功能。使用仿真控制斜坡可降低脉宽调制电路对噪声的敏感度，有助
于实现高输入电压应用所必需的极小占空比的可靠控制。
2.电路设计
根据Web 工具给出参数，进行电路设计。对器件参数值进行一系列调整后，
设计出电路图如图4和PCB，其中几点还是要注意的。主要器件实际选定方法如下：
续流二极管，由降压型开关稳压电源工作原理分析可知，当功率开关VT截止时，储能电感L中所存储的磁能是通过续流二极管VD传输给负载电阻RL的；当
功率开关VT导通时，集-射极之间的电压几乎等于零，这时的输入电压UI就全部
加到续流二极管VD的两端。因此，续流二极管VD的选择一定要符合下列条件：续流二极管VD的正向额定电流必须等于或大于功率开关VT的最大集电极电流，即应该大于负载电阻RL上的电流。输出电流为3A，纹波电流控制在5%以内，即二极管正向额定电流Id>3.15A；续流二极管VD的反向耐压值必须大于输入电
lm1117 芯片中文资料
LM1117T-1.8 LM1117T-2.5
－直条
直条
LM1117T-2.85 LM1117T-3.3
LM1117T-2.85 LM1117T-3.3
ａ直条 直条
0℃~125℃
LM1117T-5.0 LM1117DTX-ADJ
ｇ LM1117T-5.0
LM1117DT-ADJ
直条 编带和卷轴
LM1117DTX-1.8 LM1117DTX-2.5
3.267 3.235
3.300 3.333 V 3.300 3.365 V
LM1117-5.0
∆VOUT 线性调整率
IOUT = 10mA,VIN-VOUT =7V, TJ = 25℃ 0≤IOUT≤800mA, 6.5V≤VIN≤12V LM1117-ADJ IOUT = 10mA, 1.5V≤VIN-VOUT≤13.75V
20 mV
1.10 1.30 V
ｗ IOUT = 500mA
IOUT = 800mA
1.15 1.35 V 1.20 1.40 V
ILIMIT
电流限制 最小负载电流
ｗ VIN-VOUT = 5V, TJ = 25℃
续上表
符号
参数
条件
最小值 典型值 最大值 单位
∆VOUT 线性调整率
LM1117-2.85 IOUT = 0mA, 4.25V≤VIN≤10V
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30143201
LM5117 采用模拟电流监视器的宽输入范围同步降压控制器
美国国家半导体公司 301432
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连线图
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20 引脚 TSSOP EP
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顶视图
LLP-24 (4 mm × 4 mm)
订购信息
订购号封装类型NSC 封装图纸供货方式特点LM5117PMH TSSOP-20EP MXA20A 每排 73 只
LM5117PMHE TSSOP-20EP MXA20A 250 只带装和卷装LM5117PMHX TSSOP-20EP MXA20A 2500 只带装和卷装LM5117PSQ LLP-24SQA24A 1000 只带装和卷装LM5117PSQE LLP-24SQA24A 250 只带装和卷装LM5117PSQX
LLP-24
SQA24A
4500 只带装和卷装
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L M 5117
引脚描述
TSSOP 引脚LLP
引脚
名称说明
124UVLO欠压锁定编程引脚。当 UVLO 引脚低于 0.4V 时，稳压器处于关断模式，所有功能被禁用。如果
UVLO 引脚电压高于 0.4V 并低于 1.25V，稳压器随 VCC 稳压器运行而处于待机模式，此时 SS 引脚
接地，且 HO 和 LO 输出端不会切换。如果 UVLO 引脚电压高于 1.25V，SS 引脚允许电压上升，同时
脉宽调制栅极驱动信号传递至 HO 和 LO 引脚。当 UVLO 超过 1.25V，且流经外部 UVLO 电阻时，
20 µA 灌电流被激活以提供迟滞。
21DEMB可选逻辑输入可以在低态时启用二极管仿真。在二极管仿真模式下，在检测到反向电流流过 (电流从
输出到地流经低边 NMOS) 后，低边 NMOS 在 PWM 周期的其余部分被锁断。当 DEMB 为高电平时，
二极管仿真被禁用，从而允许电流在任一方向流过低边 NMOS。如果该引脚浮置，LM5117 内部的
50 kΩ 下拉电阻可保持 DEMB 引脚为低电平，并启用二极管仿真。
32RES重启定时器引脚可配置打嗝限流模式。在自动重启前，RES 引脚上的电容器决定控制器处于关闭
状态的时间。当控制器经过逐周期电流限制的 256 个连续 PWM 周期时，打嗝模式开始。在此之后，
10 µA 灌电流对 RES 引脚电容充电至 1.25V 阈值，并重启 LM5117。
43SS在软启动期间，外部电容和内部 10 µA 灌电流可设置误差放大器基准的斜率。当 VCC < 5V，
UVLO < 1.25V 或热关断期间，SS 引脚均保持低电平。
54RT内部振荡器用 RT 和 AGND 之间的一个电阻进行设定。建议的最大振荡频率为 750 kHz。将一个
正脉冲经一个小耦合电容连接至 RT 引脚，内部振荡器即可同步至外部时钟。
65AGND模拟接地。内部 0.8V 电压基准电路和模拟电路的回路。
77VCCDIS禁用内部 VCC 稳压器的可选输入。如果 VCCDIS > 1.25V，内部 VCC 稳压器被禁用。VCCDIS
有一个内部 500 kΩ 下拉电阻，当此引脚浮置时，可启用 VCC 稳压器。用一个连接至外部偏置电源的
电阻分压器上拉 VCCDIS 至 1.25V 以上，可以重写 (override) 500 kΩ 内部下拉电阻。
88FB反馈。内部误差放大器的反相输入。取自此引脚输出的电阻分压信号可设定输出电压电平。FB 引脚的
调节阈值为 0.8V。
99COMP内部误差放大器的输出。环路补偿网络应连接在此引脚和 FB 引脚之间。
1010CM电流监视器输出。它提供检测到的电感电流平均值。监视器直接连在 CM 和 AGND 之间。不使用此
引脚时 CM 应浮置。
1111RAMP PWM 斜坡信号。SW 引脚、RAMP 引脚和 AGND 引脚之间连接的外部电阻和电容用来设置 PWM
斜坡斜率。选择合适的元件值可产生一个 RAMP 斜坡信号，它可以用一个与输入电压成正比的斜坡来
仿真电感的交流分量。
1212CS电流检测放大器输入。连接至电流检测电阻的高边。
1313CSG至电流检测电阻的开尔文 (Kelvin) 接地连线。直接连接至电流检测电阻的低边。
1414PGND低边 NMOS 栅极驱动器的电源接地返回引脚。直接连接至电流检测电阻的低边。
1515LO低边 NMOS 栅极驱动输出。通过一条短而低电感的路径连接至低边同步 NMOS 晶体管的栅极。
1616VCC偏置电源引脚。利用尽可能靠近控制器的低 ESR/ESL 电容对 PGND 本地去耦。
1718SW降压稳压器的开关节点。高边 NMOS 晶体管的源端和低边 NMOS 的漏端通过一条短而低电感的路径
连接至自举电容。
LM5117
TSSOP 引脚LLP 引脚名称说明
1819HO 高边 NMOS 栅极驱动输出。通过一条短而低电感的路径连接至高边 NMOS 晶体管的栅极。1920HB 用于自举栅极驱动的高边驱动器电源。连接至外部自举二极管的阴极和自举电容。自举电容提供电流为高边 NMOS 栅极充电，应尽可能靠近控制器放置。2022VIN VCC 稳压器电源电压输入源。
EP EP EP 封装的裸露焊盘。需要电气隔离。应焊接到接地平面，以减少热阻。 6NC 无电气接触。 17NC 无电气接触。 21NC 无电气接触。
23
NC
无电气接触。
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L M 5117