微波功能模块温度阶梯焊工艺技术

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电气设备微波技术与应用试卷

电气设备微波技术与应用试卷
12. ABC
13. ABC
14. ABC
15. ABCD
第三部分判断题
1. √
2. ×
3. ×
4. √
5. √
6. √
7. ×
8. ×
9. ×
10.×
第四部分主观题(参考)
1.微波技术在电气设备中的应用包括通信、雷达、加热等。微波通信具有频带宽、传输距离远、抗干扰能力强等特点;微波雷达具有分辨率高、受天气影响小等优点;微波加热则具有加热速度快、均匀、效率高等特点。
电气设备微波技术与应用试卷
考生姓名:__________答题日期:_______年__月__日得分:_________判卷人:_________
第一部分单选题(本题共15小题,每小题2分,共30分.在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的)
1.微波技术中,下列哪种波属于微波频段?()
A.超短波
标准答案
第一部分单选题
1. A
2. C
3. B
4. A
5. C
6. A
7. D
8. D
9. A
10. D
11. B
12. C
13. B
14. C
15. C
第二部分多选题
1. ABCD
2. ABC
3. ABC
4. ABC
5. AD
6. ABC
7. ABC
8. ABCD
9. ABC
10. AC
11. ABC
C.军事侦察
D.生物医学
11.微波放大器的分类中,以下哪一种放大器在微波通信中应用最广泛?()
A.阶梯放大器
B.线性放大器
C.压缩放大器

微波技术11-常用微波元件

微波技术11-常用微波元件

2a ln( ) 2 r
1
常用微波元件
•螺钉调配器
螺钉调配器调整较为方便。螺钉是低 功率微波装置中普遍采用的调谐和匹配元 件。
常用微波元件
实用时,为避免波导短路和击穿,通 常设计螺钉成容性,作可变电容用,螺钉 旋入波导的深度应小于3b/4,b为矩形波导 窄边的尺寸。
常用微波元件
扭波导
平接头
扼流接头
常用微波元件
(2) 拐角、弯曲和扭转元件 当需要改变电磁波的极化方向而不改变其传输方向时, 则要用到扭转元件。 对这些元件的要求是:引入的反射尽可能小、工作频 带宽、功率容量大。
E弯
H弯
常用微波元件 匹配元件
匹配元件的种类很多,这里只介绍膜片,销钉和螺钉匹 配器。
(1) 膜片
线性非互易元件
这类元件中包含磁化铁氧体等各向异性媒质, 具有非互易特性,其散射矩阵是不对称的。但仍 工作于线性区域,属于线性元件范围。常用的线 性非互易元件有隔离器、环行器等。
常用微波元件
非线性元件
这类元件中含有非线性物质,能对微波信号 进行非线性变换,从而引起频率的改变,并能通 过电磁控制以改变元件的特性参量。
高功率型
常用微波元件
大功率水冷匹配负载
常用微波元件
失配负载
实用中的失配负载都是做成标准失配负载, 具有某一固定的驻波比。失配负载常用于微波测 量中作标准终端负载。
失配负载的结构与匹配负载一样,只是波 导口径的尺寸b不同而已。 设b0为标准波导窄边尺寸,b为失配负载波 导的窄边尺寸,由于
Z Z0 Z Z0
常用微波元件
二端口元件可以等效为二端口网络,其散射 矩阵为
S11 S S 21

微波的技术实验指导书(二)

微波的技术实验指导书(二)

实验一三厘米波导测量系统一、系统结构框图图1-1 三厘米波导测量系统备注:三厘米隔离器用在精密测量中,而在一般测量中可以不加,因为在YM1123中有一个隔离器。

本章后续的六个实验均是基于该结构展开的,下面将对结构中的仪器进行一一介绍。

二、仪器、器件介绍本套系统主要用于测量微波在波导中传输时的一些基本参数,如波导波长、反射系数、阻抗及功率等。

主要用到的仪器为:YM1123微波信号发生器、波导测量线、小功率计、频率计、选频放大器、波导功率探头以及各种波导元件。

下面分别进行介绍:(一)YM1123微波信号发生器YM1123微波信号发生器是一款固态信号源,主要基于某些半导体材料(如砷化镓)的体效应来实现振荡的,具有功率大、稳定可靠等特性。

整体结构由高频部分、调制器部分、功率显示部分(对100uW的功率作相对指示)、频率显示部分及衰减显示部分、工作状态控制部分、电源部分六大件组成,其中高频部分负责产生7.5GH z~12.4GHz的微波信号,调制部分负责产生一系列脉冲信号,采用PIN调制器来实现微波信号的脉冲幅度调制。

其面板调节控制机构如下所示:1. 面板调节控制机构(1)电源开关位置。

(2)工作状态开关:按移动键可改变工作状态,指示灯也相应改变。

工作状态有:等幅(=,用于测量校准衰减器在100uW时0dB定标)、内调制(分方波和脉冲两种)、外调制(外输入脉冲信号,具有极性变换功能)及外整步。

(3)“调谐”旋钮调节可改变输出频率。

(4)“调零”旋钮调节可改变电表电气调零。

(5)“衰减调节”旋钮可控制输出功率大小。

反时针调节,信号输出增大,衰减显示减小;顺时针调节,信号输出减小,衰减显示增大。

(6)“衰减调零”为100uW基准0dB校准。

(7)“×1、×10”开关:调制信号重复频率开关。

(8)“重复频率”旋钮调节可改变调制信号重复频率。

(9)“脉宽”旋钮调节可改变调制信号脉冲宽度。

(10)“延迟”旋钮调节可改变调制信号脉冲延迟时间。

CMOS微波射频芯片任意温度系数自适应补偿技术及芯片设计

CMOS微波射频芯片任意温度系数自适应补偿技术及芯片设计

Vol. 44 No. 2Apr. 2021第44卷第2期2021年4月电子器件Chinese Journal of ElccLmn DevicesDiscretional Coefficient Self-Adaptive TemperatureCompensation on CMOS RF and MMICs *ZHANG Meng 1 '2, CHEN Ziran 1^2, HE Ning 1 '2(1. Aerospace Science and Industry Academy qf Communication Technology , Chengdu Sichuan 610051 , China ;2. Joint Institute of Quantum Information and Communication SEU and AS1ACT ,Nanjing Jiangsu 211100, China)Abstract :CMOS chips are widely favored for its cost advantages in Lhe design and manufacturing, and with Lhe process nodes enhancing their coverage has reached microwave and THz frequencies. However , the performance of the CMOS amplifiers distinctly decline on high temperature due to the open-loop topology . The traditional approach can not realize the discretional coefficient temperature compensation. A new technology on self-adaptive temperaturecompensation is provided. An L-band CMOS amplifier to achieve positive coefficient self-adaptive temperature compensation is designed . The test results show that at the compensation points of 25 兀 and 65 兀,5 dB and 10 dBgain compensation is achieved . The technology can extend to discretional coefficient , range , level and RF bands to enhance the utility of RF CMOS chips.Key words :CMOS RF and MMICs ;self-adaptive temperature compensation ; discretional coefficientEEACC :7320G doi :10 ・3969/j ・issn ・1005-9490・2021 ・02・002CMOS 微波射频芯片任意温度系数自适应补偿技术及芯片设计*张萌陈自然何宁(1.航天科工通信技术研究院有限责任公司,四川成都610051;2.东南大学航天科工通信技术研究院量子信息与通信联合研究中心,江苏南京211100)摘要:CMOS 芯片以其成本优势在设计制造中得到广泛青睐,伴随着工艺节点的提升,其频率覆盖范围已达到微波及太赫兹频段。

微波仿真软件介绍及算法和原理

微波仿真软件介绍及算法和原理

微波仿真软件介绍及算法和原理嘉兆科技微波系统的设计越来越复杂,对电路的指标要求越来越高,电路的功能越来越多,电路的尺寸要求越做越小,而设计周期却越来越短。

传统的设计方法已经不能满足系统设计的需要,使用微波EDA软件工具进行微波元器件与微波系统的设计已经成为微波电路设计的必然趋势。

1.引言微波系统的设计越来越复杂,对电路的指标要求越来越高,电路的功能越来越多,电路的尺寸要求越做越小,而设计周期却越来越短。

传统的设计方法已经不能满足系统设计的需要,使用微波EDA软件工具进行微波元器件与微波系统的设计已经成为微波电路设计的必然趋势。

随着单片集成电路技术的不断发展,GaAs、硅为基础的微波、毫米波单片集成电路(MIMIC)和超高速单片集成电路(VHSIC)都面临着一个崭新的发展阶段,电路的设计与工艺研制曰益复杂化,如何进一步提高电路性能、降低成本,缩短电路的研制周期,已经成为电路设计的一个焦点,而EDA技术是设计的关键。

EDA技术的范畴包括电子工程设计师进行产品开发的全过程,以及电子产品生产过程中期望由计算机提供的各种辅助功能。

一方面EDA技术可为系统级、电路级和物理实现级三个层次上的辅助设计过程,另一方面EDA技术应包括电子线路从低频到高频,从线性到非线性,从模拟到数字,从分立电路到集成电路的全部设计过程[1-2]。

随着无线和有线设计向更高频率的发展和电路复杂性的增加,对于高频电磁场的仿真,由于忽略了高阶传播模式而引起仿真的误差。

另外,传统模式等效电路分析方法的限制,与频率相关电容、电感元件等效模型而引起的误差。

例如,在分析微带线时,许多易于出错的无源模式是由于微带线或带状线的交叉、阶梯、弯曲、开路、缝隙等等,在这种情况下是多模传输。

为此,通常采用全波电磁仿真技术去分析电路结构,通过电路仿真得到准确的非连续模式S参数。

这些EDA仿真软件与电磁场的数值解法密切相关的,不同的仿真软件是根据不同的数值分析方法来进行仿真的。

高频焊接工艺技术方法

高频焊接工艺技术方法

高频焊接工艺技术方法高频焊接是一种常见的金属焊接方法,通过高频电流产生的热能,使金属材料快速熔化并形成焊接接头。

本文将介绍几种常用的高频焊接工艺技术方法。

一、感应加热焊接感应加热焊接是一种利用高频电流在金属材料中产生感应热来进行焊接的方法。

通过感应线圈产生的高频电流在工件表面形成涡流,从而将电能转化为热能。

在焊接接头处形成高温区域,使金属材料快速熔化并实现焊接。

感应加热焊接的优点是能够进行局部加热,焊接速度快,能耗低,焊接接头质量高。

然而,该方法对材料的电导率和磁渗透率要求较高,且只适用于导电性较好的材料,如金属。

二、电阻加热焊接电阻加热焊接是利用高频电流通过焊接接头的电阻产生热能来进行焊接的方法。

电流通过电阻部分,产生局部高温区域,使金属材料熔化并实现焊接。

电阻加热焊接适用于任何导电性的金属材料,具有焊接速度快、加热均匀等优点。

然而,该方法对电极材料和接触压力的选择要求较高,还容易产生焊接接头形状不一致的问题。

三、摩擦搅拌焊接摩擦搅拌焊接是一种通过摩擦热效应来实现焊接的方法。

通过在焊接接头处施加一定的轴向力和搅拌力,使材料在高速搅拌下发生塑性变形和摩擦热,达到熔化并形成焊接接头的目的。

摩擦搅拌焊接具有自动化程度高、焊接过程无火花和烟尘等优点。

该方法适用于焊接熔点较高的材料,如铝合金、镁合金等。

四、磁旋焊接磁旋焊接是利用高频电磁感应和近似的涡流加热原理来实现焊接的方法。

通过在焊接接头处施加旋转磁场,使材料产生旋转的涡流,并通过涡流的热效应将材料熔化并实现焊接。

磁旋焊接具有局部加热、焊接速度快和焊接质量高等优点。

但该方法对材料的电导率和磁渗透率要求较高,且只适用于导电性较好的材料。

总结:高频焊接是一种常见的金属焊接方法,常用的高频焊接工艺技术方法包括感应加热焊接、电阻加热焊接、摩擦搅拌焊接和磁旋焊接。

每种方法都具有各自的适用范围和特点,选择适合的工艺方法能够提高焊接接头的质量和效率。

通过合理应用和改进这些高频焊接工艺技术方法,可以实现对不同金属材料的高效、高质量焊接,为工业生产提供良好的技术支持。

无铅锡银密封焊试验及可靠性分析

无铅锡银密封焊试验及可靠性分析

无铅锡银密封焊试验及可靠性分析海洋【摘要】采用Sn3.5Ag(221℃)Indium8.9 T3-83.5%的焊膏,首先做了焊料的可焊性试验,随后设计了围框的密封焊试验,工艺样件由Cu80W镀金底板和柯伐镀金围框组成,在270℃恒定温度下,焊接时间2 min。

最后对焊接后的样件做了X-ray空洞率及焊接层面微观检测分析并测量了IMC厚度。

研究结果表明:不仅Sn3.5Ag焊料的可焊性好,而且在镀金层上的致密性也好,在X光透射下柯伐镀金围框的空洞率低于5%,只是随时可能产生的小气孔会严重影响焊接的密封性。

%Sn3.5Ag(221℃)Indium8.9 T3-83.5% soldering paste was employed to do the weld ability test at the ifrst. Later, a smart plan was schemed for enclosure frame seal-welding experiments. The processing samples are made up of a Cu80W gold-plated substrate and two Kovar alloy enclosure frames with gold-plated. The welding temperature was set at270℃constantly and time was about 2 minutes. At last, the packaged samples were used for X-ray penetration rate inspection, welding layer microanalysis and IMC thickness measurement. Results show that the spread-ability of Sn3.5Ag is good, the generated solder is actually compacted in the gold-plated inner layer and it also can be easily found that the Kovar alloy enclosure frame void ratio less than 5% based on the X-ray test. However, the small voids that may be produced at any time will have a strong impact on seal-welding.【期刊名称】《电子与封装》【年(卷),期】2015(000)009【总页数】4页(P6-9)【关键词】Sn3.5Ag;密封焊;可焊性;X-ray;空洞率【作者】海洋【作者单位】中国电子科技集团公司第10研究所,成都 610036【正文语种】中文【中图分类】TN305.941 引言微波毫米波组件的气密封装一直是要求非常高的一项工艺技术,且封装气密性是最重要的可靠性指标之一。

微波电路(MIC)板可制造性设计(DFM)

微波电路(MIC)板可制造性设计(DFM)

微波电路(MIC)板可制造性设计( DFM)陈正浩 中国电子科技集团公司第十研究所摘 要: 微波电路是电子设备有效载荷的重要组成部分, MIC 的性能、 设计规则和工艺有着不同于常规 PCB的要求;本文分析了 MIC 安装设计工艺、结构的设计和 RF 印制电路板元器件间距设计要求,重点通孔插 装元器件在微波基板上的安装焊接设计。

关键词:微波电路 可制造性 布局 布线 安装 要求一.概述 微波电路(Microwave integrated circuit,MIC)是电子设备有效载荷的重要组成部分, 承担者对高频信号的传输、放大、滤波、耦合和隔离等作用。

随着应用频段的提高,微波电 路在电子设备中所占的比例越来越大,重要性也日益显著。

MIC 的制作为混合集成形式,采用薄膜微带工艺制作出薄膜无源基板电路后,先用基 板电路焊接在热沉上, 再用焊接方式将元器件等焊接在薄膜基板电路上, 最后将整体电路固 定在机壳上。

按照国际无线电频谱波段划分:射频/微波频段为甚高频 30MHz~300MHz,米波;特高 频(UHF)300MHz~3GHz,分米波;超高频(SHF)3GHz~30GHz,厘米波;极高频(EHF) 30GHz~300GHz,毫米波。

在实际应用中,航天领域通常使用 L、S、C、X、Ku、K 和 Ka 厘米波波段,正向毫米 波波段发展;航空通信则使用米波或分米波波段。

L 波段:1~2GHz;S 波段:2~4GHz;C 波段:4~8GHz;X 波段:8~12.4GHz Ku 波段:12.4~18GHz;K 波段:18~26.5GHz;Ka 波段:26.5~40GHz。

这里所谈的 MIC 通常指导电边界包围的分布参数电路的工作频率范围在 400MHz~30GHz 的电路模块,而不是常规的集总参数电路元器件的工作频率范围【12】。

随着通信技术的发展,无线射频电路技术运用越来越广,如:无线寻呼机、手机、无线 PDA 等,其中射频电路的性能指标直接影响整个产品的质量。

RFLDMOS的发展状况和技术路线课件

RFLDMOS的发展状况和技术路线课件
• 中电55所在2010年完成了工作频率为485-606 MHz,功 率合成后输出功率为350-480 W,增益大于17 dB,漏极 效率大于52%的LDMOS器件。
• 但在民用射频LDMOS功率器件方面,国内所需基本全部 依赖进口。
9
• 国内开展LDMOS微波功率器件的厂家主要 有南京电子器件研究所以及河北半导体研 究所,都研制出过P波段和L波段LDMOS样品。
27
28
• 双层RESURF漂移区由n-top/p-top组成,ptop在有源区外围与地连接,用于加速漂移区 的耗尽,n-top用于降低导通电阻。(纵向结 构角度)。
• 实际上从漂移区横向结构上看,漂移区的理 想掺杂方式是从栅漏交叠端到漏金属接触 端浓度线性增加,但这在工艺上比较难以实 现,一般可以采用漂移区分段掺杂,从栅漏交 叠端到漏金属接触端逐段提高浓度的办法 来模拟线性掺杂,从而实现漂移区内横向电 场强度的均匀分布。
3
• 1999年初,来自荷兰的飞利浦(Philips)也推出了在 1.03GHz-l.09GHz内输出的功率为200W,增益为14dB, 效率大于40%的LDMOS产品,并大量用于WCDMA移动 通信基站的功率放大器中。
• 进入21世纪后,飞思卡尔公司(原Motorola半导体)、恩 智普公司(原Philips半导体)与英飞凌公司在多年的技术 积累下,不断推出性能强大的射频LDMOS功率器件与功 放模块,并各自形成了系列化的产品线。
• MRF8P293000HS是为S波段脉冲应用而开发的, 在频率2.7~2.9 GHz,脉宽300Ls,占空比10%,工作 电压32 V条件下输出功率320 W,增益13.3 dB,效 率50.5%,能够承受10∶1的负载失配。
6
• NXP 2010年研制的两种典型LDMOS射频功率器 件产品BLF888A和BLS7G2933S-150。其中 BLF888A器件热阻0.15 K/W,在频率470~860 MHz,工作电压50 V条件下,输出功率600 W,增益 21 dB,能够承受40∶1的负载失配;BLS7G2933S150是为2.9~3.3 GHz脉冲应用而设计,器件热阻 0.16 K/W,在脉宽300Ls,占空比10%,工作电压32 V 条件下输出功率150 W,增益13.5 dB,效率47%,能 够承受10∶1的负载失配。

LDMOS技术

LDMOS技术

LDMOS技术LDMOS技术详解2\随着半导体⾏业的迅猛发展,功率集成电路(PIC)不断在多个领域中使⽤,如电机控制、平板显动控制、电脑外设的驱动控制等,如图为⼀个台式电脑电源电路图,图中的mos管为功率器件。

随着移动通讯设备的发展,对与MOS功率管⼜提出了新的要求。

由于普通的MOS功率管,击穿电压低,为了满⾜射频电路的需要⼈们采⽤LOMOS结构。

3\LDMOS的结构图,在P型衬底上,先做P井和N型的漂移区,剩下的⼯艺与CMOS相同,其中栅的长度是两次扩散的结果,是的⾮常的短,故可以得到较⼤的电流,由于漂移区的引⼊,是的击穿电压也有所提⾼。

4、求LDMOS的阈值电压与MOS管⼀样的公式,这⾥我们才有⼀微安发测的,阈值电压为3.1V5、分析LDMOS的⼯作区,源电位为零,不同VGs下典型LDMOSFET的电流-电压特性(VDS代表漏源电压,IDS代表漏源电流),共分为六个区域:1)截⽌区,在这个区VGs≤VGs(th),VDs从零开始变⼤,电流Io始终接近于零,直到达到击穿电压BVdss为⽌;2)线性区,⼜称⾮饱和区或欧姆区,VGs≥VGs(th)且Vxs道末端的电压),在该区沟道未夹断或VGs≥ VGs(th)且Vxs3)饱和区,Vxs>VGs⼀VGs(th)且VGs>VGs(th),沟道已夹断或沟道中电⼦已完全达到速度饱和,VDs增⼤,IDS变化很⼩,漏电流饱和;4)击穿区,VDs≥BVdss,外延层与漂移区形成的PN结发⽣雪崩击穿,电流急剧增⼤;5)源漏正向偏置区,这时源电位⾼于漏电位,与源相通P阱和漏区形成PN结正偏,电流随电压增加按指数规律急剧增加,表现为正偏⼆极管的I-V特性;6)准饱和区,VGs很⼤时, IDS本⾝很⼤,但随VGs的增⼤没有很明显的增加,即跨导很⼩6、LDMOS电容的特性表现出和MOS结构有着巨⼤的差异,并且现有建⽴的模型在交流条件下很不精确。

MOS的电容⾏为是与栅和漏的电压相关的。

高频焊接工艺技术方法

高频焊接工艺技术方法

焊接温度因素 焊接温度受电源系统(高频功率、频率、 效率)、加热介质(热容量,电阻率,温 度扩散率,热传导系数,导磁率等)和操 作条件(焊接速度,感应圈位臵,阻抗器, 开口角等)等的影响。
高频焊机焊接方式
1、高频接触焊基本原理
一对电极腿与管筒两边缘接触,直接向管筒边缘
输入高频电流,利用高频电流的集肤效应与邻近效应,使电流高度集中在管 筒边缘的焊合面上,依靠金属自身的电阻,将钢带边缘迅速加热至焊接温度, 在挤压辊的挤压下完成力焊接。
阻抗器的放臵位臵对焊接的影响 位臵对焊接速度有影响。阻抗器应放臵在V 形区加热段,中心线与管筒中心线一致, 管筒边缘上方应放臵铁淦氧;b、对焊接质 量有影响。阻抗器前端在挤压辊中心位臵 处时,焊管的压扁试验和扩口试验为最好, 超出或不到挤压辊中心时,焊接强度都有 下降。
开口角对高频焊接的影响
开口角指钢带在挤压辊成型时形成的V形区 的夹角,对焊接效果也有影响。角度小时 邻近效应强,增加了电流的密度,使热量 增高,有利于焊接。但角度也不宜过小, 过小时缝隙过狭,容易跳火放电,影响焊 缝质量。一般开口角在4°—7°范围内。
厚度的一半与渗透深度之比愈大,邻近效应愈强。在此值很大的情况下,全
部电流将集中到一个面上(由电流方向决定)汇流条其余部分就没有电流。 假如,在离开通有高频电流的导体若干距离的地方,放一些金属零件,那么
由于导体四周所产生的交变磁场的作用,另件中就会感应出涡流来,二者的
电流方向在任一瞬间都是相反的,并且都集中在导体和另件邻近的面上。这 种现象叫做邻近效应。
注:根据实际需要可选择相近规格磁棒,或定尺其它长度磁棒,磁棒应尽量放置在钢管内壁 中心位置。
冷却水的控制
磁棒、感应圈及相邻挤压辊装臵因高频效 应产生较大热量,必须加强流水予以冷却, 冷却后温度<400C。输出变压器或感应圈装 臵也应通入循环冷却水,并保证在运行过 程循环水出口处中长期流水。

微波器件高频多层板制造工艺研究

微波器件高频多层板制造工艺研究

微波器件高频多层板制造工艺研究杨维生【摘要】随着现代通讯技术的飞速发展,高频基板材料、以及高频基板材料印制板的制作工艺技术,成为现阶段业界同仁关注的焦点.本文就,高频多层印制板制造用原材料-泰康利公司高频介质材料TSM-DS3,进行了性能及特点介绍.在此基础上,对选用此类高频介质基板材料及半固化片FastRise-28,制造高频多层印制板的工艺技术,进行了较为详细的介绍.最后,还针对此次高频多层印制板制造过程中的关键工艺技术进行了较为详细的阐述,其中包括有TSM-DS3-500HM高频电阻材料的平面电阻阻值控制技术、高频材料的多层化实现技术变形控制技术、多层板孔金属化互连实现的背钻深度控制技术、以及多层印制板局部外形侧壁金属化技术等.【期刊名称】《印制电路信息》【年(卷),期】2015(023)003【总页数】10页(P174-183)【关键词】微波器件;高频印制板;工艺技术【作者】杨维生【作者单位】南京电子技术研究所,江苏南京21001【正文语种】中文【中图分类】TN41通常,人们将工作在微波波段(频率为300~300000兆赫)的器件,称为微波器件。

微波器件按其功能可分为微波振荡器(微波源)、功率放大器、混频器、检波器、微波天线、微波传输线等。

通过特殊的电路设计,可将这些器件组合成各种有特定功能的微波电路,例如,利用这些器件组装成发射机、接收机、天线系统、显示器等,由此被广泛应用于雷达、电子战系统和通信系统等电子装备。

纵观当今世界通讯业现状,电子设备的高频化是发展趋势,尤其随着无线网络、卫星通讯的日益发展,以及通信产品走向容量大速度快的无线传输之语音、视像和数据规范化,信息产品走向高速与高频化成为必然。

如此境况,高频基板材料的快速发展成为现实。

无论是美国三大巨头的罗杰斯、雅龙(21014年传来被罗杰斯公司收购的消息)、泰康利公司,还是刚刚迈过三十年成长史的民族品牌——泰州“旺灵”绝缘材料,都不同程度谋取了相当的市场份额。

微波工程实现

微波工程实现
9
电子科技大学电子工程 学院微波工程系
腔体设计
在设计电路腔体(屏蔽盒)时应注意:
1、金属屏蔽盒高度 H≥(5~6)h(介质
基片厚度)。 2、接地侧板到金属微带线
距离 D≥(5~6)W(微
带线宽度)。 3、金属屏蔽盒的长和宽避
免是工作半波长的整数 倍(避免谐振)。
10
电子科技大学电子工程 学院微波工程系
电子科技大学电子工程 学院微波工程系
一、总体方案设计
3
电子科技大学电子工程 学院微波工程系
一、总体方案设计

保护开关
LNA
镜像抑制
滤波
混频器
前中
控制
LO 功分器

保护开关
LNA
镜像抑制
滤波
混频器
前中
八毫米双通道接收前端系统
4
二、电路图设计 电子科技大学电子工程 学院微波工程系
二、电路图设计
角转弯处需切脚,如 下图所示:
0.565W1 0.565W2
W2
8
三、PCB设计 电子科技大学电子工程 学院微波工程系
微波信号走线应尽可能短些,避免电路损耗和 电磁干扰(太长,可能形成天线,进行腔内辐射)。
有源器件的微波接地, 采用基片金属化通孔技 术实现,接地点(通孔 处)尽量靠近有源器件 接地引出脚,也便于器 件散热,通孔直径为, 为了接地良好,接地通 孔数应在3~5个以上。
中频
中频1B
本振




1
2
中频2
中频
本振
中频1B
17
电子科技大学电子工程 学院微波工程系
工艺技术
微波混合集成电路工艺技术

激光焊接工艺的6个基本流程详解

激光焊接工艺的6个基本流程详解

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焊接层间温度控制范围

焊接层间温度控制范围

焊接层间温度控制范围焊接层间温度控制范围是指在焊接过程中,控制焊接层与相邻层之间的温度在一定范围内波动。

焊接层间温度的控制对于焊接质量和结构性能的影响非常重要,因此在焊接过程中需要采取一系列措施来控制焊接层间温度。

在焊接前需要对焊接材料进行预热处理。

预热可以提高焊接金属的可塑性和韧性,减少焊接时的应力集中,从而降低焊接层间温度的波动。

预热温度的选择应根据焊接材料的种类和厚度来确定,一般情况下,预热温度为焊接材料的临界温度的50%~70%。

在焊接过程中需要控制焊接层间温度的升降速度。

过快的升降速度会导致焊接层间温度的快速波动,容易引起焊接缺陷和变形。

因此,在焊接过程中应控制焊接速度和加热速度,使焊接层间温度的升降速度适中,避免温度波动过大。

在焊接过程中还需要采取合适的焊接方法和工艺参数来控制焊接层间温度。

不同的焊接方法和工艺参数对焊接层间温度的控制有不同的影响。

例如,对于手工电弧焊,可以通过控制焊接电流和电弧长度来控制焊接层间温度;对于气体保护焊,可以通过调整保护气体的流量和压力来控制焊接层间温度。

在焊接过程中还需要进行实时监测和控制焊接层间温度。

可以使用红外热像仪等设备对焊接区域进行监测,及时发现焊接层间温度的异常变化,并采取相应的措施进行调整。

同时,还可以利用温度传感器等设备对焊接层间温度进行实时监测,并将监测数据反馈给焊接设备,通过自动控制系统进行调整。

焊接层间温度的控制对于焊接质量和结构性能至关重要。

通过预热处理、控制升降速度、选择合适的焊接方法和工艺参数以及实时监测和控制等措施,可以有效地控制焊接层间温度的波动,提高焊接质量和结构性能。

在实际焊接过程中,需要根据具体情况选择合适的控制方法和技术手段,确保焊接层间温度在合理范围内,从而保证焊接质量和结构性能的稳定和可靠。

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也提 出 了要 求 。同时 , 也对 M C结 构设 计 和相 适应 I
l 引 言
在航空通信 、 航天测控 、 雷达侦察领域的电子设 备 中大量 应用 了微 波集 成 电路 ( C 功 能 模块 , MI ) 微 波功 能模 块 的结 构 和 制造 技 术 直接 影 响 着 电性 能 。 MI 能 模 块外 壳 通 常采 用 框架 螺装 结 构 , 盖用 C功 上
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第4 8卷 第 1 期 20 0 8年 1 月
国 钇 技
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Vo . 8 No 1 14 .
Jn 2 0 a .0 8
文章编 号 : 0 —8 3 2 0 ) 1一 13一 4 1 1 9 X(0 8 O O 1 O 0
接工 艺 , 替代 螺 接、 接 等 工 艺实 现 电和机 械连 接 , 铆
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子设备的微波功能模块上的应用 , 将为电子产品的 小型 化、 轻量 化 、 可靠 提供实 用 的工 艺途径 。 高
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螺钉 连接 , 于屏蔽要 求 高的 电路 , 对 尚需 加装 屏蔽衬
垫 以及在 上盖 板 背面 粘 贴微 波 吸收 材料 。另外 , 混
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根据 MI 构 和电路 功 能特 征 , C结 采用 多种 具 有

定 熔点 间隔 的焊料 , 同一 工 件 上多 次施 焊 的焊 在
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微 波 功 能模 块 温 度 阶梯 焊 工 艺 技 术
李 晓艳 , 赖复尧 , 国华 王
( 中国西南 电子技术研究所 , 成都 60 3 ) 10 6

要 : 对微波 功 能模 块 的结构和 电路 功 能特点 , 用多种具 有一定 熔点 间 隔的焊料 , 针 采 对微 波 功 能
模 块 的基板 、/ IO接 头 、 壳体等进 行软 钎 焊 连接 , 代 螺接 、 接 等连 接 形 式 , 替 铆 为产 品 的 小型化 、 耐环
外壳 与 IO接 头 的安装 也 通 常采 用 螺 装 结 构 , / 这种
2 温 度 阶梯 焊 接 工 艺 研 究
温度 阶梯 焊 接 工艺 涉 及 如下技 术 : 装形 式 的 螺 微波 功能 模 块 中 微 带 基 片 的 接地 、 固定 技 术 ;IO /
结构形式无法使模块 的重量 、 积、 体 外形进一 步减 小,ห้องสมุดไป่ตู้同时对 电路 性能 和加工 制造也 造成 一定 的影 响 。 随着 电子设备小型化 、 轻量化 、 高可靠性要求的 日益提高, 对模块等单元的结构 的小型化和轻量化
Absr c t a t:I o sd r to ft e sr cu e a d cr u tf n to a h r c e mir wa e f n t n mo ue , n c n /e a in o tu tr n ic i u cin lc a a tr0 h c o v u c o d ls i
器件 ( 高频插座) 的装配技术 ; 结构件( 盖板与盒体) 的连 接装配 都是 采用 紧 固件 螺装 的连接 方 式 , 其典
境、 高可靠提供 实用的 工艺手段 。
关 键词 : 波集成 电路 ; 微 温度 阶梯 焊 ; 焊透 率 ; 大面积 焊接
中图分 类号 :N 0 T 45 文献标识 码 : A
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