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锡条6040 技术参数

锡条6040 技术参数
锡条6040是一种常用的锡合金，具有优异的技术参数和广泛的应用领域。

以下是关于锡条6040的技术参数的描述。

锡条6040的化学成分是由60%的锡和40%的铅组成。

锡作为主要成分，赋予了该合金优异的焊接性能和机械强度。

而铅的加入则能提高合金的润湿性和熔点，使得焊接过程更加稳定和可靠。

锡条6040具有较低的熔点，约为183℃，使得其在低温下就能熔化并流动，便于焊接操作。

同时，锡条6040的润湿性能也非常好，能够迅速覆盖焊接接头表面，形成均匀的焊缝，提高焊接质量。

锡条6040还具有良好的机械性能，具备一定的强度和韧性。

这使得焊接后的接头能够承受一定的拉伸和扭曲力，并能够适应不同工况下的应力变化。

锡条6040的应用领域非常广泛。

它常被用于电子元器件的焊接，如电路板、芯片、连接器等。

锡条6040的优异润湿性能和焊接质量保证了电子元器件的可靠连接。

同时，锡条6040也被广泛应用于金属制品的焊接，如铜管、不锈钢管等。

它可以有效连接不同材质的金属，并保持焊接接头的稳定性和密封性。

锡条6040作为一种优质的锡合金，具有良好的焊接性能、机械强度和润湿性能。

它在电子元器件和金属制品的焊接中得到广泛应用，为各行各业的生产和制造提供了可靠的焊接材料。

无论是在电子行
业还是金属加工领域，锡条6040都是一种不可或缺的材料。

IXDP20N60B;IXDP20N60BD1;中文规格书,Datasheet资料

J 0.64 1.01 K 2.54 BSC
M 4.32 4.82 N 1.14 1.39
Q 0.35 0.56 R 2.29 2.79
Inches Min. Max.
0.500 0.550 0.580 0.630
0.390 0.420 0.139 0.161
0.230 0.270 0.100 0.125
High Voltage IGBT with optional Diode
High Speed, Low Saturation Voltage
IXDP 20N60 B VCES = 600 V
IXDP 20N60 BD1 IC25
= 32 A
V = CE(sat) typ 2.2 V
C
C
TO-220 AB
1-4
/
IXDP 20N60 B IXDP 20N60 BD1
Symbol
Cies C
oes
Cres Qg td(on) tr td(off) tf Eon Eoff RthJC RthCH
Conditions
Characteristic Values
(TJ = 25°C, unless otherwise specified) min. typ. max.
easy paralleling q MOS input, voltage controlled q optional ultra fast diode q International standard package
Advantages
q Space savings q High power density
80
RG = 22W
A TJ = 125°C ICM 60

IXER60N120中文资料

元器件交易网
Advanced Technical Information
NPT3 IGBT
in ISOPLUS 247TM
IXER 60N120 IC25
VCES VCE(sat) typ.
C G
= 95 A = 1200 V = 2.1 V
ISOPLUS 247TM E153432
IXYS Semiconductor GmbH Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
1-2
IXYS Corporation 3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054 Phone: (408) 982-0700, Fax: 408-496-0670
© 2002 IXYS All rights reserved
2-2
• single switches and with complementary free wheeling diodes • choppers • phaselegs, H bridges, three phase bridges e.g. for - power supplies, UPS - AC, DC and SR drives - induction heating
VCE(sat) VGE(th) ICES IGES td(on) tr td(off) tf Eon Eoff Cies QGon RthJC RthJH
IC = 60 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C TVJ = 125°C IC = 2 mA; VGE = VCE VCE = VCES; VGE = 0 V; TVJ = 25°C TVJ = 125°C VCE = 0 V; VGE = ± 20 V

天高微 CS20N60

Silicon N-Channel Power MOSFETCS20N60ANDWUX I CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. P a g e 1 o f 10 2011○R Huajing Discrete DevicesGeneral Description ：CS20N60AND, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-3P(N), which accords with the RoHS standard.Features ：z Fast Switchingz Low ON Resistance(Rdson ≤0.32Ω)z Low Gate Charge (Typical Data:95nC )z Low Reverse transfer capacitances (Typical:38pF) z 100% Single Pulse avalanche energy TestApplications ：Automotive 、DC Motor Control and Class D Amplifier.Absolute （Tc= 25℃ unless otherwise specified ）：Symbol ParameterRating Units V DSS Drain-to-Source Voltage 600 V Continuous Drain Current20 A I D Continuous Drain Current T C = 100 °C 13 A I DMa1Pulsed Drain Current 80 A V GS Gate-to-Source Voltage±30 VE AS a2Single Pulse Avalanche Energy 1500 mJ E ARa1Avalanche Energy ,Repetitive 250 mJ I ARa1Avalanche Current7.1 A dv/dt a3Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns Power Dissipation280 W P DDerating Factor above 25°C2.24W/℃V ESD(G-S)Gate source ESD (HBM-C= 100pF, R=1.5k Ω)6000VT J ，T stg Operating Junction and Storage Temperature Range 150，–55 to 150℃ T LMaximumTemperature for Soldering300℃V DSS 600 V I D 20 AP D (T C =25℃) 280 W R DS(ON)Typ 0.23 ΩWUX I CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. P a g e 2 o f 10 2011○R CS20N60ANDHuajing Discrete DevicesElectrical Characteristics （Tc= 25℃ unless otherwise specified ）：OFF Characteristics RatingSymbol Parameter Test ConditionsMin. Typ. Max.UnitsV DSSDrain to Source Breakdown VoltageV GS =0V, I D =250µA 600 -- -- VΔBV DSS /ΔT J Bvdss Temperature Coefficient ID=250uA,Reference25℃ -- 0.6 -- V/℃V DS = 600V, V GS = 0V,T a = 25℃-- -- 25 I DSS Drain to Source Leakage Current V DS =480V, V GS = 0V, T a = 125℃-- -- 250µAI GSS(F) Gate to Source Forward Leakage V GS =+30V -- -- 10 µA I GSS(R)Gate to Source Reverse LeakageV GS =-30V-- -- -10µAON Characteristics RatingSymbol Parameter Test ConditionsMin. Typ. Max.Units R DS(ON) Drain-to-Source On-Resistance V GS =10V,I D =10A -- 0.23 0.32Ω V GS(TH)Gate Threshold VoltageV DS = V GS , I D = 250µA2.0 4.0VPulse width tp ≤380µs,δ≤2%Dynamic Characteristics Rating Symbol Parameter Test ConditionsMin. Typ. Max.Unitsg fs Forward Transconductance V DS =15V, I D =10A-- 18 -- S C iss Input Capacitance -- 4900 -- C oss Output Capacitance-- 360 -- C rssReverse Transfer CapacitanceV GS = 0V V DS = 25Vf = 1.0MHz -- 38 --pFResistive Switching Characteristics RatingSymbol Parameter Test ConditionsMin. Typ. Max.Unitst d(ON) Turn-on Delay Time -- 20 -- tr Rise Time-- 28 -- t d(OFF) Turn-Off Delay Time -- 90 -- t f Fall Time I D =10A V DD =200V V GS = 10V R G =4.7Ω-- 46 -- nsQ g Total Gate Charge -- 95 Q gs Gate to Source Charge -- 18 -- Q gd Gate to Drain (“Miller”)ChargeI D =20A V DD =300VV GS = 10V-- 38 --nCWUX I CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. P a g e 3 o f 10 2011○R Huajing Discrete DevicesCS20N60AND Source-Drain Diode Characteristics RatingSymbol Parameter Test ConditionsMin. Typ. Max.UnitsI S Continuous Source Current (Body Diode) -- -- 20 A I SM Maximum Pulsed Current (Body Diode)-- -- 80 A V SD Diode Forward Voltage I S =20A,V GS =0V -- -- 1.5 V trr Reverse Recovery Time -- 658 nsQrrReverse Recovery ChargeI S =20A,T j = 25°C dI F /dt=100A/us,V GS =0V-- 7.4µCPulse width tp ≤380µs,δ≤2%Symbol Parameter Typ. UnitsR θJC Junction-to-Case 0.45 ℃/W R θJAJunction-to-Ambient40℃/WGate-source Zener diode RatingSymbolParameter Test ConditionsMin.Typ. Max.UnitsV GSOGate-source breakdown voltageI GS = ±1mA(Open Drain)30 VThe built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device’sESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally be applied from gate to source. In this respect the Zener voltage is appropriate to achieve an efficient and cost-effective intervention to protect the device’s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid the usage of external components.a1：Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature a2：L=10.0mH, I D =17.3A, Start T J =25℃ a3：I SD =20A,di/dt ≤100A/us,V DD ≤BV DS, Start T J =25℃WUX I CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. P a g e 4 o f102011○R Huajing Discrete DevicesCS20N60AND Characteristics Curve ：7540010025020030050100125150T C , C ase T em perature , CP D , P o w e r D i s s i p a t i o n ，W a t t sWUX I CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. P a g e 5 o f 10 2011○R Huajing Discrete DevicesCS20N60ANDWUX I CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. P a g e 6 o f 10 2011○R Huajing Discrete DevicesCS20N60ANDWUX I CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. P a g e 7 o f 10 2011○R Huajing Discrete DevicesCS20N60AND TestCircuitandWaveformWUX I CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. P a g e 8 o f 10 2011○R Huajing Discrete DevicesCS20N60ANDWUX I CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. P a g e 9 o f 10 2011○R Huajing Discrete DevicesCS20N60AND Package Information ：规范(mm)项目MIN MAXA 15.10 15.90B19.30 20.30C 4.70 4.90D 1.90 2.10E 0.90 1.10F 0.50 0.70G1 2.00 2.20G2 3.00 3.20H 3.30 3.70I 2.70 2.90L 19.5 20.9N 5.25 5.653.10 3.30TO-3P(N) PackageP a g e 10 o f 102011○R Huajing Discrete DevicesCS20N60AND The name and content of poisonous and harmful material in productshazardous substancePart’s Name Pb Hg Cd Cr(VI) PBBPBDELimit ≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1%≤0.1%≤0.1% Lead Frame ○ ○ ○ ○ ○ ○ Molding Compound○ ○ ○ ○ ○ ○ Chip ○ ○ ○ ○ ○ ○ Wire Bonding○○ ○ ○ ○ ○ Solder ×○○○○○Note○：means the hazardous material is under the criterion of SJ/T11363-2006.×：means the hazardous material exceeds the criterion of SJ/T11363-2006. The plumbum element of solder exist in products presently, but within the allowed range of Eurogroup’s ROHS.Warnings1. Exceeding the maximun ratings of the device in performance may cause damage to the device,even the permanent failure, which may affect the dependability of the machine. It is suggested to be used under 80 percent of the maximun ratings of the device.2. When installing the heatsink, please pay attention to the torsional moment and the smoothnessof the heatsink.3. VDMOSFETs is the device which is sensitive to the static electricity, it is necessory to protect the device frombeing damaged by the static electricity when using it.4. This publication is made by Huajing Microelectronics and subject to regular change without notice.。

钨镍铁化学表达式

钨镍铁化学表达式
钨镍铁是一种常见的合金，由钨、镍和铁三种元素组成。

它具有优异的物理和化学性质，广泛应用于工业领域。

钨镍铁合金在高温下具有很高的热稳定性和耐腐蚀性。

它的熔点较高，使得它能够在高温环境下保持稳定的性能。

同时，钨镍铁合金还具有良好的耐腐蚀性，能够抵抗酸、碱等腐蚀介质的侵蚀。

钨镍铁合金在工业中有许多重要的应用。

例如，在航空航天领域，钨镍铁合金常被用于制造高温发动机的涡轮叶片和涡轮盘，因为它能够在高温、高压和高速的工作环境下保持稳定的性能。

此外，钨镍铁合金还用于制造化工设备、石油开采工具、电子器件等。

钨镍铁合金的制备方法有多种，常见的方法包括熔炼法、粉末冶金法和化学气相沉积法等。

在制备过程中，需要根据所需的合金成分和性能要求来选择合适的制备方法。

钨镍铁合金是一种重要的工程材料，具有优异的热稳定性和耐腐蚀性。

它在航空航天、化工、石油等领域有广泛的应用。

制备钨镍铁合金的方法多种多样，可以根据需要选择合适的方法。

通过不断的研究和创新，相信钨镍铁合金在未来的应用领域中将发挥更大的作用。

20号合金高温合金导电磁性介绍

20号合金高温合金导电磁性介绍
1 多腐尼克-20合金介绍
多腐尼克-20合金是一种常用的高温外露合金，它具有优异的耐腐蚀性和耐高温性能。

它由金属钛和非金属介质组成，具有良好的耐磨性能和高温强度，碳化钛在1000摄氏度以下可保持其强度和稳定性。

它通常用于制作复杂的透明结构，例如电子配件，机械配件或高温密封。

2 优异的热性能
多腐尼克-20合金的优点之一是它的优异的热性能。

它具有高温高强力，高抗风化性和耐腐蚀性，能够在高温下工作。

此外，它具有优异的耐热性，可以经常接触1300℃的高温，而不会引起材料的劣化或破坏。

同时，它还具有良好的耐磨性能，可以耐受强大的碰撞，而不会破坏材料的表面。

3 导电磁性
另一个多腐尼克-20合金的特点是具有良好的导电磁性。

由于它包含的钛原子特性，它能够有效吸收外界环境的磁场并转化为电能，其结构具有良好的优点，例如低阻强度和耐腐蚀等，可以有效抑制电磁干扰。

此外，它还具有密度较小，抗冲击性能良好等优点，可以有效使电磁空气更加稳定。

4 应用
多腐尼克-20合金具有多种优点，可用于飞机发动机部件，机械设备元件以及容器等。

电子行业也开始使用它作为复杂的电子结构，广泛用于电机设备，压力容器，电磁阀门和使用热处理的高压设备等。

此外，多腐尼克-20合金的耐高温和耐腐蚀性，使其可以用于外露的高温环境。

5 结论
多腐尼克-20合金是一种常用的高温外露合金，具有优良的耐腐蚀性，耐热性和导电磁性，可以用于飞机发动机部件，机械设备元件，容器等，可为用户提供更可靠的使用体验。

G20N60资料

Collector Current Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IC25 At TC = 110oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IC110 Average Diode Forward Current at 110oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I(AVG) Collector Current Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ICM Gate to Emitter Voltage Continuous. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VGES Gate to Emitter Voltage Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VGEM Switching Safe Operating Area at TC = 150oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . SSOA Power Dissipation Total at TC = 25oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . PD Power Dissipation Derating TC > 25oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Operating and Storage Junction Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TJ, TSTG Maximum Lead Temperature for Soldering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TL Short Circuit Withstand Time (Note 2) at VGE = 15V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . tSC Short Circuit Withstand Time (Note 2) at VGE = 10V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . tSC

Nitronic 60材料说明书Nitronic 60密度Nitronic 60化学成分表

Nitronic60也称为N60或Alloy218，是一种高耐磨的奥氏体不锈钢，218指其UNS编码为S21800。

Nitronic60是一种杰出的耐蚀合金，在低温下也具有杰出的韧性，特别突出的耐腐蚀功能，能很好的抗咬死，高的强度和很好的耐高温氧化功能结合的合金。

此钢还具有优异的抗高温氧化功能和低温冲击韧性。

它的一个特性就是耐磨。

此钢在600℃还具有与inconel718相似的优秀的耐磨损功能，与其他的奥氏体不锈钢和双相不锈钢相比，具有优秀的耐汽蚀功能，能够替代含Co的耐磨合金。

密度为8.0g/cm3。

化学成分性能特点①在梯度上升温度中保持优异的耐磨性能，4%硅含量和8%的锰含量可以有效抑制磨损和表面侵蚀。

②在982℃以下可以保持良好的强度以及和309不锈钢类似的耐氧化性能。

③一般耐腐蚀性能在304不锈钢和316不锈钢之间，抗氯化物点蚀的能力优于316。

④室温屈服强度几乎是304型和316型的两倍。

应用领域与含钴和高镍合金相比，Nitronic60不锈钢能以极低的成本实现抗腐蚀和耐磨损。

同时还具有出色的抗高温氧化性和抗低温冲击性。

适用于不同种类要求高强度和耐磨的紧固件、螺栓、滚动轴承和泵零件等。

我们经过冷加工拉伸晶粒结构来提高强度而不是热处理来加强。

咱们正在考虑90至180 ksi屈服强度，这些是用于新型轴套的，它们正在取代战役机上的铍铜合Nitronic60“十分耐磨。

Nitronic60作为齿轮，传动装置甚至是轮毂。

“当你有一个开放式齿轮时，因为外太空的极点温度，没有油脂会起作用。

它有必要是枯燥产品，这便是耐磨不锈钢的用武之地。

Nitronic牌号的一个特点是奥氏体稳定。

通常，Nitronic等级的锰含量较高。

尽管一般的不锈钢牌号主要是铁，但铬和镍的含量会发生非磁性的奥氏体结构。

当大多数不锈钢在退火后或甚至在意外磕碰时进行加工时，该结构构成铁素体颗粒，其呼应磁铁。

“假如你在扫雷中运用这种资料，奥氏体稳定是好的。

20n60场效应管参数

20n60场效应管参数20n60场效应管是电子设备中常用的一种功率放大器。

它有许多优点，能有效地实现大功率放大，抗干扰性能也很强。

它的参数也相当重要，控制也比较复杂，因此要全面了解20n60场效应管的参数是很有必要的。

20n60场效应管的参数主要有关于功率放大能力、频率特性、噪声特性以及其它功能特性。

1、功率放大能力功率放大能力是20n60场效应管参数中最重要的一个参数，它决定着20n60场效应管所能放大的最大信号输入和输出功率。

它有三个参数，分别是负载阻抗、输入功率以及输出功率。

负载阻抗即20n60场效应管的负载电阻，它决定着20n60场效应管的负载电路的抗干扰能力，从而也影响着20n60场效应管的功率放大能力。

输入功率是20n60场效应管能够放大的最大信号输入功率，也就是20n60场效应管所能接受的最大输入功率，一般来说输入功率要大于输出功率的90%。

输出功率是20n60场效应管能够放大的最大信号输出功率，也就是20n60场效应管所能输出的最大功率。

它与负载阻抗有关，当负载阻抗发生变化时，输出功率也会相应发生变化。

2、频率特性20n60场效应管参数中的频率特性是指20n60场效应管在不同频率下的表现，它会影响20n60场效应管的频率响应范围以及频率失真程度。

20n60场效应管的频率特性有两个参数，分别是最高频率（fh）和最低频率（fl）。

最高频率是20n60场效应管所能放大的最大信号频率，一般来说，它要大于最低频率。

最低频率是20n60场效应管所能放大的最小信号频率，一般来说，它要小于最高频率。

3、噪声特性20n60场效应管参数中的噪声特性是指20n60场效应管在输出信号中的噪声程度，它会影响20n60场效应管的静态噪声系数以及动态噪声系数。

20n60场效应管的噪声特性有两个参数，分别是噪声下降函数（No）和有效噪声系数（en）。

噪声下降函数是20n60场效应管在增益下噪声的变化情况，它决定了20n60场效应管的动态噪声系数。

IXGH20N120中文资料

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents: 4,835,592 4,850,072 4,881,106 4,931,844 5,017,508 5,034,796 5,049,961 5,063,307 5,187,117 5,237,481 5,486,715 5,381,025 6,306,728B1
元器件交易网
IGBT
Preliminary Data Sheet
IXGH 20N120 VCES IXGT 20N120 IC25 VCE(sat) tfi(typ)
= 1200 V = 40 A = 2.5 V = 380 ns
Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA (RBSOA) PC TJ TJM Tstg
power supplies discharge
Advantages
• Easy to mount with one screw • Reduces assembly time and cost • High power density
© 2002 IXYS All rights reserved
DS98966 (11/02)
TO-247 (IXGH)
TO-268 (IXGT)
Maximum lead temperature for soldering 1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s Maximum tab temperature for soldering Md Weight Mounting torque (TO-247) TO-247 TO-268

IXFH26N60中文资料

Dim. A A1 A2 b b1 b2 c D E e J K L L1 P Q Q1 R R1 S T Millimeter Min. Max. 4.82 2.54 2.00 1.12 2.39 2.90 0.53 25.91 19.81 5.46 0.00 0.00 20.32 2.29 3.17 6.07 8.38 3.81 1.78 6.04 1.57 5.13 2.89 2.10 1.42 2.69 3.09 0.83 26.16 19.96 BSC 0.25 0.25 20.83 2.59 3.66 6.27 8.69 4.32 2.29 6.30 1.83 Inches Min. Max. .190 .202 .100 .114 .079 .083 .044 .056 .094 .106 .114 .122 .021 .033 1.020 1.030 .780 .786 .215 BSC .000 .010 .000 .010 .800 .820 .090 .102 .125 .144 .239 .247 .330 .342 .150 .170 .070 .090 .238 .248 .062 .072
Min. Recommended Footprint
© 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025

IXFH20N60Q中文资料

Maximum Ratings 600 600 ±20 ±30 20 80 20 30 1.5 5 V V V V A A A mJ J V/ns
TO-247 AD (IXFH)
(TAB)
TO-268 (IXFT) Case Style
G S (TAB)
PD TJ TJM Tstg TL Md Weight
IXFH 20N60Q IXFT 20N60Q
VDSS ID25
RDS(on)
= = =
600 V 20 A 0.35 W
trr £ 250ns
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW Continuous Transient TC = 25°C TC = 25°C, pulse width limited by TJM TC = 25°C TC = 25°C TC = 25°C IS £ IDM, di/dt £ 100 A/ms, VDD £ VDSS, TJ £ 150°C, RG = 2 W TC = 25°C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
98549A (6/99)
© 2000 IXYS All rights reserved
1-2
元器件交易网 IXFH 20N60Q IXFT 20N60Q
Dim. Millimeter Min. Max. A B C D E F G H 19.81 20.32 20.80 21.46 15.75 16.26 3.55 3.65 4.32 5.49 5.4 6.2 1.65 2.13 4.5 1.0 1.4 10.8 11.0 4.7 0.4 5.3 0.8 Inches Min. Max. 0.780 0.800 0.819 0.845 0.610 0.640 0.140 0.144 0.170 0.216 0.212 0.244 0.065 0.084 0.177 0.040 0.055 0.426 0.433 0.185 0.209 0.016 0.031 0.087 0.102

现代i20n参数

现代i20n参数
以下是现代i20 N的一些常见参数：
1.发动机：1.6升涡轮增压汽油引擎
2.最大功率：204马力
3.最大扭矩：275牛·米
4.变速器：6速手动变速器
5.驱动方式：前轮驱动
6.加速度：0到100公里/小时加速时间约为6.7秒
7.最高速度：约230公里/小时
8.制动系统：前后通风盘式制动器
9.悬挂系统：前麦弗逊独立悬挂，后多连杆独立悬挂
10.轮胎尺寸：17英寸或18英寸铝合金轮毂
11.安全系统：配备多个安全气囊、车身稳定控制系统、制动辅助系
统等
12.内饰设计：运动化的座椅、方向盘和仪表板设计，提供舒适和支
撑性
13.外观设计：运动化的外观设计，包括前进气格栅、前/后保险杠、
侧裙等运动套件
14.娱乐和信息系统：配备触摸屏显示屏、导航系统、蓝牙连接和音
频系统等
15.辅助功能：配备倒车雷达、倒车影像、盲点监测、自适应巡航控
制等辅助功能
请注意，具体的参数和配置可能会因地区和车型而有所不同。

以上参数仅供参考，建议您在购买前咨询官方销售渠道或参考现代官方网站以获取准确和最新的信息。

IXYS IGBT选型参考

Ic Ic (25益)(90益)
/A /A
Vce (sat) /V
tfi
If
(25益)(110益)
/ns /A
封装形式
IXGC16N60B2D1 600 28 13 2.3 80 10 ISOPLUS220
IXGA16N60B2D1 600 40 16 2.3 80 11 TO-263
IXGH16N60B2D1 600 40 16 2.3 80 11 TO-247 IXGP16N60B2D1 600 40 16 2.3 80 11 TO-220
Ic Ic (25益) (90益)
/A /A
Vce (sat) /V
tfi (25益)
/ns
封装形式
IXGH60N60 600 75
IXGK60N60 600 75
IXGT60N60
600 75
IXGN60N60 600 100
IXGN200N60A2 600 200
IXGA8N100 1000 16
IXGX35N120B 1200 70 35 3.3 160 PLUS247
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3、中速系列集成快恢复二极管的 IGBT 单管
(可适用 15kHz-40kHz 的硬开关)
型号
Vces /V
IXYS IGBT 选型参考
IGBT 是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的缩写，即“绝缘栅双极晶体管”，在结构和性能上都可以把它等效成一个沟道型场效应管和一个双极性晶体管的组合，从输入端看，是一个高阻的 VMOS，从输出端看，是一个大功率的双极型。IGBT 主要用于工业控制，如电机驱动、高频感应电源等。高压供电条件下，20 ～ 50kHz 的硬开关是 IGBT 的主要应用领域。最常见的应用是电磁炉。

Inconel 601是什么材质Inconel 601合金密度多少

a1a3a1a6a6a3a6a8a1a9a9aInconel 601，一种合金材料。

高温时具有出色的抗氧化性，很好的抗碳化性，能很好的抗氧化性含硫气氛，在室温和高温时都具有很好的机械性能很好的耐应力腐蚀开裂性能由于控制了碳含量和晶粒尺寸，601有较高的蠕变断裂强度，因此在500℃以上的领域推荐使用601。

外文名Inconel 601 属于合金材料特点抗氧化性应用热处理，燃烧室等目录1 化学成分2 物理性能3 特点4 应用物理性能密度8.1 g/cm3熔点1320-1370℃在常温下合金的机械性能的最小值:合金和状态抗拉强度Rm N/mm2屈服强度RP0.2N/mm2延伸率A5 %1.高温时具有出色的抗氧化性2.很好的抗碳化性3.能很好的抗氧化性含硫气氛4.在室温和高温时都具有很好的机械性能5.很好的耐应力腐蚀开裂性能由于控制了碳含量和晶粒尺寸，601具有较高的蠕变断裂强度，因此在500℃以上的领域推荐使用601。

Inconel 601 的金相结构:601为面心立方晶格结构。

Inconel 601 的耐腐蚀性:601合金一个重要性能是能在温度高达1180℃具有抗氧化性。

甚至在很严酷的条件下，如加热和冷却循环过程中，601能生成一层致密的氧化膜而得到很高的抗剥落性。

601具有很好的抗碳化性。

由于有较高的铬、铝含量，601在高温含硫气氛中具有很好的抗氧化性。

应用1.热处理工厂用的托盘、筐及工夹具。

2.钢丝分股退火和辐射管，高速气体燃烧器，工业炉中的丝网带。

3.氨重整中的隔离罐和硝酸制造中的催化支撑栅格。

4.排气系统部件5.固体垃圾焚烧炉的燃烧室6.管道支撑和烟灰处理部件7.废气解毒系统部件8.氧气再加热器的增大, 试样开始开裂。

热模拟试样的金相分析确定热模拟试样极限形变量的金相图INCON EL 601 合金热模拟试样的裂纹形态见图3, 其中图(a)、(b)、(c)对应的形变速率分别为1×10- 1、1×10- 2和1×10- 3。

FCPF20N60中文资料

FCP20N60 / FCPF20N60 600V N-Channel MOSFETFCP20N60 / FCPF20N60 600V N-Channel MOSFETPackage Marking and Ordering InformationElectrical Characteristics T C= 25°C unless otherwise notedNotes:1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature2. I AS = 10A, V DD = 50V, R G = 25Ω, Starting T J = 25°C3. I SD ≤ 20A, di/dt ≤ 200A/µs, V DD ≤ BV DSS , Starting T J = 25°C4. Pulse Test: Pulse width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%5. Essentially Independent of Operating Temperature Typical CharacteristicsDevice MarkingDevicePackageReel SizeTape WidthQuantityFCP20N60FCP20N60TO-220--50FCPF20N60FCPF20N60TO-220F--50SymbolParameterConditionsMinTypMax UnitsOff Characteristics BV DSS Drain-Source Breakdown Voltage V GS = 0V, I D = 250µA, T J = 25°C 600----V V GS = 0V, I D = 250µA, T J = 150°C --650--V ∆BV DSS / ∆T J Breakdown Voltage Temperature CoefficientI D = 250µA, Referenced to 25°C --0.6--V/°C BV DS Drain-Source Avalanche Breakdown VoltageV GS = 0V, I D = 20A --700--V I DSS Zero Gate Voltage Drain Current V DS = 600V, V GS = 0V V DS = 480V, T C = 125°C --------110µA µA I GSSF Gate-Body Leakage Current, Forward V GS = 30V, V DS = 0V ----100nA I GSSR Gate-Body Leakage Current, Reverse V GS = -30V, V DS = 0V -----100nA On CharacteristicsV GS(th)Gate Threshold Voltage V DS = V GS , I D = 250µA 3.0-- 5.0V R DS(on)Static Drain-Source On-ResistanceV GS = 10V, I D = 10A --0.150.19Ωg FS Forward Transconductance V DS = 40V, I D = 10A (Note 4)--17--S Dynamic CharacteristicsC iss Input Capacitance V DS = 25V, V GS = 0V,f = 1.0MHz--23703080pF C oss Output Capacitance--12801665pF C rss Reverse Transfer Capacitance --95--pF C oss Output CapacitanceV DS = 480V, V GS = 0V, f = 1.0MHz --6585pF C oss eff.Effective Output Capacitance V DS = 0V to 400V, V GS = 0V --165--pF Switching Characteristicst d(on)Turn-On Delay Time V DD = 300V, I D = 20A R G = 25Ω(Note 4, 5)--62135ns t r Turn-On Rise Time --140290ns t d(off)Turn-Off Delay Time --230470ns t f Turn-Off Fall Time --65140ns Q g Total Gate Charge V DS = 480V, I D = 20A V GS = 10V(Note 4, 5)--7598nC Q gs Gate-Source Charge --13.518nC Q gd Gate-Drain Charge--36--nC Drain-Source Diode Characteristics and Maximum RatingsI S Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current ----20A I SM Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ----60A V SD Drain-Source Diode Forward Voltage V GS = 0V, I S = 20A---- 1.4V t rr Reverse Recovery Time V GS = 0V, I S = 20AdI F /dt =100A/µs (Note 4)--530--ns Q rrReverse Recovery Charge--10.5--µCTRADEMARKSThe following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.FCP20N60 / FCPF20N60 600V N-Channel MOSFETDISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:1. Life support devices or systems are devices or systems which,(a) are intended for surgical implant into the body, or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling,can be reasonably expected to result in significant injury to the user.2. A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of TermsDatasheet Identification Product Status DefinitionAdvance InformationFormative or In Design This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.PreliminaryFirst ProductionThis datasheet contains preliminary data, andsupplementary data will be published at a later date.Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.No Identification Needed Full ProductionThis datasheet contains final specifications. 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gh合金和k合金的元素

gh合金和k合金的元素
GH合金主要是由铬、镍、钼、钛等元素组成的高温合金。

其中，铬的作用是提高合金的高温耐蚀性，镍可以提高合金的韧性和耐热性，钼可以提高合金的强度和耐蚀性，钛可以增加合金的耐热性。

K合金主要是由钍、铝等元素组成的合金。

钍的作用是提高合金的密度和热导性能，铝可以增加合金的韧性和耐腐蚀性。

K 合金一般用于核能领域，因为钍是一种优良的核燃料，同时K 合金具有较好的耐高温性能和较低的热膨胀系数，适合用于核反应堆中的结构材料。

gh2026材料标准

gh2026材料标准GH2026是一种高温合金，主要用于制造航空航天发动机中的高温部件。

这种合金具有优良的高温强度、抗氧化性和耐腐蚀性，能够在高温环境下保持优良的性能。

下面将详细介绍GH2026材料的标准。

一、成分标准GH2026合金的主要成分包括铁、铬、镍、钨、钼等元素。

其中，铁和铬是构成不锈钢的主要元素，镍的加入可以提高合金的韧性和耐腐蚀性，钨和钼则能够提高合金的高温强度和抗氧化性。

具体的成分比例可以根据不同的应用场合和性能要求进行调整。

二、力学性能标准GH2026合金在室温和高温下均具有优良的力学性能。

在室温下，合金的屈服强度和抗拉强度较高，而且具有较好的塑性和韧性。

在高温下，合金的强度和硬度随温度的升高而逐渐降低，但仍然能够保持较高的水平。

此外，GH2026合金还具有良好的抗疲劳性和耐蠕变性，能够适应长期的高温工作环境。

三、工艺性能标准GH2026合金具有较好的工艺性能，可以进行热加工、冷加工和焊接等工艺处理。

在热加工过程中，合金的加热温度范围较宽，可以在1000℃~1200℃范围内进行热轧、热锻和热挤压等工艺处理。

在冷加工过程中，合金的变形抗力较大，但可以通过适当的加工工艺实现所需的形状和尺寸。

此外，GH2026合金也可以进行焊接处理，但需要注意焊接工艺和材料选择，以避免出现焊接裂纹等问题。

四、耐腐蚀性能标准GH2026合金具有良好的耐腐蚀性能，能够在高温环境下抵抗氧化、硫化和腐蚀等作用。

在室温下，合金能够抵抗大多数化学物质的腐蚀，但在高温环境下，需要考虑到一些腐蚀介质的影响。

例如，在含硫气氛中，GH2026合金可能会出现硫化现象，降低其耐腐蚀性能。

因此，在实际应用中，需要根据具体的工作环境和介质条件，选择合适的防护措施，以保证合金的耐腐蚀性能。

总之，GH2026材料的标准包括成分标准、力学性能标准、工艺性能标准和耐腐蚀性能标准等方面。

这些标准的制定是为了保证GH2026合金的质量和性能符合要求，从而满足航空航天等领域的实际应用需求。

Nitronic60

Nitronic60Nitronic60以其在梯度上升温度中保持优异的耐磨性能而著称。

4%硅含量和8%的锰含量可以有效抑制磨损和表面侵蚀，通常适用于不同种类要求高强度和耐磨的紧固件和螺栓。

Nitronic 60在1800°F 下可以保持良好的强度以及和309不锈钢类似的耐氧化性能。

它的一般耐腐蚀性能在304不锈钢和306不锈钢之间。

Nitronic60 UNS S21800, ASTM A276, ASTM A479, AMS5848相比于钴合金和高镍材料，Nitronic60是一种低成本的耐磨损和擦伤材料。

它的耐腐蚀性能优于304不锈钢，耐氯化物坑蚀的性能优于316不锈钢，室温的屈服强度是304和316的两倍。

同时Nitronic60有很好的高温抗氧化性能和低温抗冲击性能。

应用由于Nitronic60在室温和升温环境有出色的耐磨耐擦伤能力，因此广泛用于阀杆，阀座，阀芯，螺母，螺栓，筛网，链条传动，插销，垫片，滚动轴承，泵的零部件，包括耐磨环和转子。

化学成分碳 0.060-0.080%锰 7.50-8.50%磷 0.040%以下硫 0.030%以下硅 3.70-4.20%铬 16.00-17.00%镍 8.00-8.50%钼 0.75%以下铜 0.75%以下氢 0.10-0.18%钛 0.050%以下铝 0.020%以下硼 0.0015%以下锡 0.050%以下钒 0.20%以下钨 0.15%以下热处理Nitronic60不能通过热处理而硬化。

Nitronic60的退火温度为1066°C，然后水淬。