常用变容二极管
(整理)常用变容二极管
常用变容二极管变容二极管(Varactors ),又称为电压调谐电容(Voltage variable Capactors ,VVC )或调谐二极管(Tuning Diodes ),当在二极管两端加上反向偏压时,会产生电容效应,通常变容二极管的电容量,随反向偏压增大而减小。
变容二极管优点主要表现在:(1)体型小巧易于安装;(2)易于实现自动电子调谐(Auto Electronic Tuning ),方便遥控的电子调谐器的设计。
如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路,基本上都由变容二极管完成。
1、 变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图1(a )所示。
图1 (a )变容二极管的等效电路 (b )变容二极管的简化等效电路其中,R p ——反向偏压的结电阻(Junction Resistance );'s L ——外部引线电感; s L ——内部引线电感; c C ——封装电容; s R ——二极管体电阻; j C ——结电容。
通常,等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计,简化后的等效电路如图1(b )所示。
一般地,变容二极管与外加电压的关系可表示为(1)j j DC C v V γ=- (1) j C 为变容二极管的结电容,0j C 为变容管加零偏压时的结电容;V D 为变容管PN 结内建电位差(硅管V D =0.7V ,锗管V D =0.3V );γ为变容二极管的电容变化指数,与频偏的大小有关;v 为变容管两端所加的反向电压。
在小频偏情况下,选γ=1的变容二极管可近似实现线性调频;在大频偏情况下,必须选γ=2的超突变结变容二极管,才能实现较好的线性调频。
变容二极管的j C v - 特性曲线如图2所示。
当加入的反向电压为cos Q Q m v V v V V t ΩΩ=+=+Ω时,设电路工作在线性调制状态,在静态工作点Q 处,可得曲线的斜率为/c k C V =∆∆。
图2 变容二极管的j C v -特性曲线2、变容二极管重要参数:变容比率与Q 值(1)变容比率,实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值,设为C R ,可得近似的变容比率为max min max min ()C ()R V C V C V V γ⎛⎫=≈ ⎪⎝⎭(2)式中,min ()C V ——在偏压最小时的结电容值;max ()C V ——在偏压最大时的结电容值。
二极管的知识点总结
半导体二极管基本结构PN 结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。
电路符号:伏安特性主要参数(直流,主要利用它的单向导电性,主要应用于整流、限幅、保护等等。
)1.最大整流电流I F二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。
2.反向击穿电压VBR二极管反向击穿时的电压值。
击穿时反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。
3.反向电流IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。
反向电流大,说明管子的单向导电性差,因此反向电流越小越好。
反向电流受温度的影响,温度越高反向电流越大。
硅管的反向电流较小,锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。
主要参数(交流)1.微变电阻 r Dr D 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比:DD D i v r ∆∆=2.二极管的极间电容势垒电容:势垒区是积累空间电荷的区域,当电压变化时,就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化,这样所表现出的电容是势垒电容。
扩散电容:为了形成正向电流(扩散电流),注入P 区的少子(电子)在P 区有浓度差,越靠近PN结浓度越大,即在P 区有电子的积累。
同理,在N区有空穴的积累。
正向电流大,积累的电荷多。
这样所产生的电容就是扩散电容CD。
PN结高频小信号时的等效电路晶体二极管模型二极管分类按结构材料分:(1)锗二极管 (2)硅二极管按制作工艺分:(1)点接触型二极管:pn结面积小,结电容小,用于检波和变频等高频电路。
(2)面接触型二极管:结面积大,用于工频大电流整流电路。
(3)平面型二极管:往往用于集成电路制造工艺中。
pn结面积可大可小,用于高频整流和开关电路中。
按功能用途分:(1)硅整流二极管:硅整流二极管除主要应用于电源电路做整流元件外,还可用作限幅、保护、钳位等。
(常用整流二极管主要是1n、2cz 系列)(2)检波二极管:检波二极管的结点容小、工作频率高、正向压降小,但允许流过的最大正向电流小、内阻大。
晶体二极管常用晶体二极管
晶体二极管—常用晶体二极管常用晶体二极管:1、整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管,它是面结合型的功率器件,因结电容大,故工作频率低。
通常,IF在1安以上的二极管采用金属壳封装,以利于散热;IF在1安以下的采用全塑料封装(见图1)由于近代工艺技术不断提高,国外出现了不少较大功率的管子,也采用塑封形式。
全密封金属结构塑料封装图12、检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
3、开关二极管在脉冲数字电路中,用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管,它的特点是反向恢复时间短,能满足高频和超高频应用的需要。
开关二极管有接触型,平面型和扩散台面型几种,一般IF<500毫安的硅开关二极管,多采用全密封环氧树脂,陶瓷片状封装,如图三所示,引脚较长的一端为正极。
图2、硅开关二极管全密封环环氧树脂陶瓷片状封装4、稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管,它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点,来达到稳压的目的,因为它能在电路中起稳压作用,故称为稳压二极管(简称稳压管)其图形符号见图3图3、稳压二极管的图形符号稳压管的伏安特性曲线如图4所示,当反向电压达到Vz时,即使电压有一微小的增加,反向电流亦会猛增(反向击穿曲线很徒直)这时,二极管处于击穿状态,如果把击穿电流限制在一定的范围内,管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。
图4、硅稳压管伏安特性曲线5、变容二极管变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件,被广泛地用于参量放大器,电子调谐及倍频器等微波电路中,变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系,并提高Q值以适合应用。
变容二极管的结构与普通二极管相似,其符号如图5所示,几种常用变容二极管的型号参数见表一图5、变容二极管图形符号表一常用变容二极管型号产地反向电压(V)电容量(pF)电容比使用波段最小值最大值最小值最大值2CB11中国325 2.512UHF 2CB14中国3303186VHFBB125欧洲2282126UHFBB139欧洲1285459VHFMA325日本325210.35UHFISV50日本325 4.928 5.7VHFISV97日本325 2.4187.5VHF ISV59.OSV70/IS2208日本325211 5.5UHF图6(a)是利用变容管的变容特性来调谐本机振荡的频率(电视接收机调谐器中作本机振荡)。
常用二极管型号及参数手册
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200-1300V 1.1 PX19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1.0 R-121 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1.0 DO-1522 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-1523 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-1524 ERD03-02~13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-1526 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-1527 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-1528 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-1529 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD2.快恢复塑封整流二极管序号型号I F V RRM V F Trr 外形A V V μs(1)快恢复塑封整流二极管圆柱V形发光二极管轴型表面发光二极管雪崩光电二极管参数蓝光光电二极管参数视敏光电二极管参数通用光电二极管参数红外光电二极管参数激光光电二极管参数插件式光电二极管参紫外光电二极管参数红外发光二极管参数光敏二极管参数变阻二极管参数硅整流二极管参数锗二极管与硒二极管隧道二极管参数稳流二极管参数混频二极管参数检波二极管参数P-I-N结构二极二极管阵列参数瞬变抑制二极管应用指南1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-12 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1.3 0.15-0.53 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-414 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0.5 DO-415 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-416 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD7 EU1-EU2 0.25A-1A 100-1000V 1.3 0.4 DO-418 20DF1-20DF10 2A 100-1000V 1.3 0.2 DO-159 30DF1-30DF10 3A 100-1000V 1.3 0.2 DO-201AD10 RU1-RU4 0.25A-3A 100-1000V 1.3 0.411 ERA22-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 R-112 ERA18-02~10 0.8A 200-1000V 1.3 0.4 R-113 ERB43-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-4114 ERB44-02~10 1A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1515 ERC18-02~10 1.2A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1516 ERD28-02~10 1.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD17 ERD29-02~10 2.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD18 ERD32-02~10 3A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD19 ERD09-13~15 3A 1300-1500V 1.5 0.6 R-5(2)SK、2CG系列快恢复整流二极管1 SK1-02~30 1.5A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-152 SK2-02~30 1A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-413 SK3-02~30 2A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-154 SK4-02~30 0.5A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-415 2CG04-2CG30 0.2A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-41(3)快恢复塑封阻尼二极管1 2CN1-2CN1C 1A 200-1200V 1.32 DO-412 2CN2D-2CN2M 0.5A 200-1000V 1.3 2 DO-413 2CN3D-2CN3M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-414 2CN4D-2CN4M 1.5A 200-1000V 1.3 0.8 DO-155 2CN5D-2CN5M 1.5A 200-1000V 1.0 1 DO-156 2CN6D-2CN6M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-417 2CN12D-2CN12M 3A 200-1000V 1.3 1 DO-201AD8 RH1Z-RH1C 0.6A 200-1000V 1.3 4 DO-419 TVR4J-TVR4N 1.2A 600-1000V 1.2 20 DO-153.超高频塑封二极管1 ERA34-10 0.1A 1000V 3 0.15 R-12 ERA32-02~10 1A 200-1000V 1.3 0.1 DO-413 ERB32-02~10 1.2A 200-1000V 1.3 0.1 DO-154 ERC30-02~10 1.5A 200-1000V 1.3 0.1 DO-155 ERC32-02~10 3A 200-1000V 1.3 0.1 DO-201AD6 EG01E-EG01C 0.5A 200-1000V 2 0.1 DO-417 EG1E-EG1C 1A 200-1000V 1.8 0.1 DO-418 RG10Z-RG10C 1.2A 200-1000V 2 0.1 DO-159 RG2Z-RG2C 1.5A 200-1000V 1.8 0.1 DO-1510 RG4Z-RG4C 3A 200-1000V 2 0.1 D0-201AD4.超快恢复塑封二极管序号型号I F V RRM V F Trr 外形A V V ns(1)超快恢复塑封二极管1 SF10-SF50 1-5A 50-1000V 0.95-1.7 352 SF80-SF160 8-16A 50-600V 0.95-1.4 35 TO-2203 EGP10-EGP50 1-5A 50-200V 1.1 354 ERC38~04-ERC38~10 1A 400-1000V 1.7 50 DO-415 RL2-RL2C 2A 400-1000V 1.7 50 DO-156 RL3-RL3C 3A 400-1000V 1.7 50 DO-201AD7 1H1-1H8 1A 50-1000V 1.1-1.7 50-75 R-18 HER10-HER60 1-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-759 HER80-HER160 8-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-75 TO-22010 UF10-UF60 1-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-7511 EL1Z-EL1 1.5A 200-350V 1.3 50 DO-15(2)MUR超快恢复整流二极管1 MUR120-MUR1120 1A 200-1200V 0.95-1.5 35-50 DO-412 MUR420-MUR4120 4A 200-1200V 0.95-1.6 35-75 DO-201AD3 MUR820-MUR8120 8A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC4 MUR1020-MUR10120 10A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC5 MUR1520-MUR15120 15A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC6 MUR2020-MUR20120 20A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AB7 MUR3020-MUR30120 30A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-247AD8 MUR6020-MUR60120 60A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-247AD(3)RHRP、RHRG超快恢复二极管1 RHRP820-RHRP8120 8A 200-1200V 2.1-3.2 35-70 TO-220AC2 RHRP1520-RHRP15120 15A 200-1200V 2.1-3.2 40-75 TO-220AC3 RHRP3020-RHRP30120 30A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-220AC4 RHRG3020-RHRG30120 30A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-247AC5 RHRG5020-RHRG50120 50A 200-1200V 2.1-3.2 50-100 TO-247AC6 RHRG6020-RHRG60120 60A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-247AD(4)BYV29~79、BYT28~79超快恢复二极管1 BYW29-100~200 8A 100-200V 1.1 25 TO-220AC2 BYV29-300~500 9A 300-500V 1.25 60 TO-220AC3 BYQ28-100~200 10A 100-200V 1.1 20 TO-220AB4 BYT28-300~500 10A 300-500V 1.4 60 TO-220AB5 BYV79-100~200 14A 100-200V 1.3 30 TO-220AC6 BYT79-300~500 14A 300-500V 1.4 60 TO-220AC7 BYV32-100~200 20A 100-200V 1.1 25 TO-220AB8 BYV34-300~500 20A 300-500V 1.1 60 TO-220AB9 BYV42-100~200 30A 100-200V 1.1 28 TO-220AB10 BYV44-300~500 30A 300-500V 1.25 60 TO-220AB5.肖特基整流二极管序号型号I F V RRM V F外形A V V(1)肖特基塑封整流二极管1 1N5817-1N5819 1A 20-40V 0.45-0.6 DO-412 1N5820-1N5822 3A 20-40V 0.45-0.6 DO-201AD3 SRT12-SRT100 1A 20-100V 0.55-0.85 R-14 SR10-SR50 1-5A 20-100V 0.55-0.855 SB120-SB1B0 1A 20-100V 0.55-0.85 DO-416 SB220-SB2B0 2A 20-100V 0.55-0.85 DO-157 SB320-SB3B0 3A 20-100V 0.55-0.85 DO-201AD8 SB520-SB5B0 5A 20-100V 0.55-0.85 D0-201AD9 ERA81-002~009 1A 20-90V 0.55-0.9 DO-4110 ERB81-002~009 2A 20-90V 0.55-0.9 DO-1511 ERC81-002~009 3A 20-90V 0.55-0.9 DO201AD12 EK03-EK09 1A 20-90V 0.55-0.81 DO-4113 EK13-EK19 1.5A 20-90V 0.55-0.81 DO-1514 EK33-EK39 2A 20-90V 0.55-0.81 DO-1515 EK43-EK49 3A 20-90V 0.55-0.81 DO-201AD(2)MBR、PBYR系列大电流肖特基整流二极管1 MBR1020-MBR1060 10A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AC2 MBR1620-MBR1660 16A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AC3 MBR2020CT-2060CT 20A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AB4 MBR2520CT-2560CT 25A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AB5 MBR3020PT-3060PT 30A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD6 MBR4020PT-4060PT 40A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD7 MBR6020PT-6060PT 60A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD8 PBYR735-745 7A 20-45V 0.56-0.66 TO-220AC9 PBYR1020-1060 10A 20-60V 0.56-0.77 TO-220AC10 PBYR1635-1660 16A 20-60V 0.56-0.77 TO-220AC11 PBYR2020CT-2045CT 20A 20-45V 0.56-0.65 TO-220AB12 PBYR3035PT-3060PT 30A 20-60V 0.56-0.77 TO-247AD6.玻球快恢复二极管、玻钝芯片塑封二极管序号型号I F V RRM V F Trr 外形A V V ns(1)BYV、BYT、BYM、BYW玻球快恢复二极管1 BYV26A-BYV26E 1A 200-1000V 1.5 0.03 DO-204AP2 BYV12-BYV16 1.5A 100-1000V 1.5 0.3 DO-204AP3 BYV96A-BYV96E 1.5A 100-1000V 1.5 0.3 DO-204AP4 BYV27-50~200 2A 50-200V 1.1 0.025 DO-204AP5 BYV28-50~200 3.5A 50-200V 1.1 0.03 G36 BYT52A-BYT52M 1A 50-1000V 1.3 0.2 DO-204AP7 BYT54A-BYT54M 1.25A 50-1000V 1.5 0.1 DO-204AP8 BYT53A-BYT53M 1.5A 50-1000V 1.1 0.05 DO-204AP9 BYT56A-BYT56M 3A 200-1000V 1.4 0.1 G310 BYM26A-BYM26M 2.3A 200-1000V 1.5 0.03 G311 BYM36A-BYM36M 3A 200-1000V 1.1 0.15 G312 BYW32-BYW38 2A 200-1000V 1.1 0.2 DO-204AP13 BYW52-BYW56 2A 200-1000V 1.1 4 DO-204AP14 BYW72-BYW76 3A 200-600V 1.1 0.2 G315 BYW96A-BYW96E 3A 200-1000V 1.5 0.2 G316 BY228 3A 1500V 1.5 20 G3(2)GP、RGP系列玻钝芯片塑封二极管17 GP10-GP30 1-3A 50-1000V 1.118 RGP01-10~RGP01-20 0.1A 1000-2000V 2 0.2-0.5 DO-4119 RGP05-10~RGP05-20 0.5A 1000-2000V 2 0.2-0.5 DO-4120 RGP10-RGP60 1-6A 50-2000V 1.3 0.15-0.57.PD、TR、PR系列高压塑封二极管1 PD0112-PD0160 0.1A 1200-6000V 1.2-5 DO-412 PD0312-PD0360 0.3A 1200-6000V 1.2-5 DO-153 PD0512-PD0560 0.5A 1200-6000V 1.2-5 DO-154 PD112-PD130 1A 1200-3000V 1.2-4 DO-155 PD1512-PD1530 1.5A 1200-3000V 1.2-4 DO-156 PD212-PD220 2A 1200-2000V 1.2-2.5 DO-201AD7 PD312-PD320 3A 1200-2000V 1.2-2.5 DO-201AD8 PD612-PD620 6A 1200-2000V 1.2-2.5 R-69 TR0112-TR0160 0.1A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-4110 TR0312-TR0360 0.3A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-1511 TR0512-TR0560 0.5A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-1512 TR112-TR130 1A 1200-3000V 1.5-6 0.5-0.8 DO-1513 TR1512-TR1530 1.5A 1200-3000V 1.5-6 0.5-0.8 DO-1514 TR212-TR220 2A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.8 DO-201AD15 TR312-TR320 3A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.7 DO-201AD16 TR612-TR620 6A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.8 R-617 PR01-PR1 0.1-1A 1200-3000V 1.5-4 0.1-0.5 DO-1518 RC2 0.3A 2000V 3 0.5 DO-4119 RU4D-RP3F 1.5A-2A 1300-1500V 1.5 0.3 DO-201AD8.稳压二极管序号名称型号P ZM V ZW V1稳压二极管BZX55 0.5W 2.4V-47V2 1N5985B~1N6031B 0.5W 2.4V-200V3 1N4728~1N4764 1W 3.3V-100V4 1N5911B~1N5956B 1.5W 2.7V-200V5 2CW37-2.4~36 0.5W 2.4V-36V6 2CW51-2CW68 0.25W 3V-28.5V7 2CW101-2CW121 1W 3V-37.5V8 2DW50-2DW64 1W 41V-190V9 2DW80-2DW190 3W 41V-190V10 2DW110-2DW151 10W 4.3V-470V11 2DW170-2DW202 50W 4.3V-200V12温度补偿稳压二极管2DW230-2DW236 0.2W 5.8V-6.6V9.高速开关二极管序号型号I C V RM Trr 外形mA V ns1 1N4148 150 100V 4 DO-352 1N4149-1N4154 150 35-100V 2-4 DO-353 1N4446-1N4454 150 40-100V 1-4 DO-354 1N914 75 100V 4 DO-355 BAV17-BAV21 250 25-250V 50 DO-356 BAW75-BAW76 300 35-75V 4 DO-357 2CK70-2CK79 10-280 20-60V 3-10 DO-358 2CK80-2CK85 10-300 20-60V 5-10 DO-359 1S1553-1S1555 100 70-35V 3 DO-3510 1S2471-1S2473 130-110 90-40V 3 DO-35 会员中心| 联系我们| 留言建意| 免责声明| 广告服务| 网站建设| 相关执照| 生产厂家| 帮助工具| 友情连接。
(重点)二极管的种类及应用
检波二极管的应用电路
• 1.收音机检波电路 • 作用:将465kHz中频调幅信号还原为音频信号
• 2.来复式收音机中的检波电路 • 其中VD1和VD2组成倍压检波电路,C3为高频滤波电容器。检波后得 到的低频信号再加到VT1的输出端,再作一次低频放大,然后送给耳 机。
变容二极管
• 变容二极管的作用:又称压控变容器,是根据所提供的电压变化而改 变结电容的半导体,工作在反向偏压状态。 • 变容二极管的主要参数:零偏结电容、零偏压优值、反向击穿电压、 中心反向偏压、标称电容、电容变化范围(以皮法为单位)以及截止 频率等。 • 变容二级管的应用:在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。 有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管、适用于参放的参放变容二 极管以及用于固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管等,用 于电视机高频头的频道转换和调谐电路,多以硅材料制作。 变容二极管的封装:中小功率的变容二极管采用玻封、塑封或表面封 装,而功率较大的变容二极管多采用金封。
点接触锗二极管-1N60P,1N34A(检波二极管) • 点接触锗二极管(DO-7玻璃封 装) 1N60P(2-1K60)VR:40V,Cj: 1pF; 1N60(1K60)VR:40V,Cj: 1pF; 1N34A(1K34A)VR:40V,Cj: 1pF。 主要用于:计算器,收音机,电视 机等检波电路。
不同直径的发光二极管
光敏二极管 CL-5M3B 5mm
肖特基二极管
• 应用场合:SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用 作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段) 用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD • 与普通二极管的区别:SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形 成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导 体结原理制作的。
常见变容二极管参数18种
常见变容二极管参数18种1.阈值电压(VT):变容二极管的工作电压范围,一般以伏特(V)为单位。
2.最大顶峰电流(IPK):变容二极管能够承受的最大电流峰值,通常以安培(A)为单位。
3.最大连续电流(IO):变容二极管能够持续承受的最大电流值,通常以安培(A)为单位。
4.最大反向电流(IR):在反向偏置时,变容二极管所能承受的最大反向电流值,通常以安培(A)为单位。
5. 回复时间(TRR):变容二极管从正向偏置到反向偏置的时间延迟,通常以纳秒(ns)为单位。
6.反向导电性(RR):变容二极管在反向偏置时的导电能力,通常以欧姆(Ω)为单位。
7.串联电阻(RS):变容二极管正向电压条件下的串联电阻,通常以欧姆(Ω)为单位。
8.导通电压(VF):变容二极管正向偏置时的导通电压,通常以伏特(V)为单位。
9.导通电流(IF):变容二极管正向偏置时的导通电流,通常以安培(A)为单位。
10.最大反向耐压(VR):变容二极管能够承受的最大反向电压,通常以伏特(V)为单位。
11.最大耗散功率(PD):变容二极管能够耗散的最大功率,通常以瓦特(W)为单位。
12.最大峰值倒换电流(IFSM):变容二极管在瞬态工作条件下能够承受的最大倒换电流,通常以安培(A)为单位。
13. 最大工作温度(TJ max):变容二极管能够工作的最高温度,通常以摄氏度(°C)为单位。
14. 最小存储温度(TSTG min):变容二极管能够存储的最低温度,通常以摄氏度(°C)为单位。
15.包装类型:变容二极管的封装形式,如导线封装、表面封装、贴片封装等。
16. 尺寸:变容二极管的尺寸,通常以毫米(mm)为单位。
17.重量:变容二极管的重量,通常以克(g)为单位。
18.可靠性:变容二极管的可靠性参数,如寿命、失效率等。
以上是常见的变容二极管参数,不同型号的变容二极管可能具有不同的参数组合。
根据具体的应用需求,选择适合的变容二极管型号进行设计和应用。
变容二极管参数
型号电容量(工作电压)电容比率工作频率最小值最大值303B 3~5p(25V) 18p(3V) >6 1000MHz2AC1 2p(25V) 27p(3V) >7 50MHz2CC1 3.6p(25V) 20p(3V) 4~6 50MHz2CB14 3p(25V) 18~30p(3V) 5~7 50MHz2CC-32 2.5p(25V) 25p(3V) 4.5 >800MHzISV-101 12p(10V) 32p(2.5V) 2.4 100MHzAM-109 30p(9V) 460p(1V) 15 AMBB-112 17p(6V) 12p(3V) 1.8 AMISV-149 30p(8V) 540p(1V) 18 AMS-153 2.3p(9V) 16p(2V) 7 >600MHzMV-209 11p(9V) 33p(1.5V) 3 UHFKV-1236 30p(8V) 540p(1V) 20 AMKV-1310 43p(8V) 93p(2V) 2.3 >100MHzIS149 30p(8V) 540p(1V) 18 AMS208 2.7p(9V) 17p(4V) >4.5 >900MHzMV2105 6p(9V) 22p(4V) 2.5 UHFDB300 6.8p(25V) 18p(3V) 1.8 50MHzBB112 10p(25V) 180p(3V) >16 AM变容二极管(Varactor Diodes)又称可变电抗二极管。
是一种利用PN结电容(势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管。
所用材料多为硅或砷化镓单晶,并采用外延工艺技术。
反偏电压愈大,则结电容愈小。
A TMEL代理变容二极管具有与衬底材料电阻率有关的串联电阻。
主要参量是:零偏结电容、零偏压优值、反向击穿电压、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围(以皮法为单位)以及截止频率等,对于不同用途,应选用不同C和Vr特性的变容二极管,如有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管、适用于参放的参放变容二极管以及用于固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管等。
常见变容二极管参数18种
常见变容二极管参数18种慧聪电子元器件商务网2003-09-12 14:42:05型号电容量(工作电压)电容比率工作频率最小值最大值303B3~5p(25V)18p(3V)>61000MHz2AC12p(25V)27p(3V)>750MHz2CC1 3.6p(25V)20p(3V)4~650MHz2CB143p(25V)18~30p(3V)5~750MHz2CC-32 2.5p(25V)25p(3V) 4.5>800MHzISV-10112p(10V)32p(2.5V) 2.4100MHzAM-10930p(9V)460p(1V)15AMBB-11217p(6V)12p(3V) 1.8AMISV-14930p(8V)540p(1V)18AMS-153 2.3p(9V)16p(2V)7>600MHzMV-20911p(9V)33p(1.5V)3UHFKV-123630p(8V)540p(1V)20AMKV-131043p(8V)93p(2V) 2.3>100MHzIS14930p(8V)540p(1V)18AMS208 2.7p(9V)17p(4V)>4.5>900MHzMV21056p(9V)22p(4V) 2.5UHFDB300 6.8p(25V)18p(3V) 1.850MHzBB11210p(25V)180p(3V)>16AM信息来源:常见铝电解电容器的套管颜色与含义慧聪电子元器件商务网2003-09-12 14:42:05一般情况下,铝电解电容器的铝壳外面都有一个塑料套管。
塑料套管的颜色有多种,例如浅蓝色的、橙色的、黄色的等。
生产厂家之所以把铝电解电容器的套管制成五颜六色,其目的并非仅仅为了美观,而是具有特定的意义,在选用和更换铝电解电容器时应重视这一特点。
现给出常见铝电解电容器的套管颜色与含义如下表所示,供广大的电子爱好者参考。
附表:铝电解电容器的套管颜色与其代表的特性系列特点通用小型薄型低阻双极低漏用途电压范围容量范围管套颜品化化抗性电色MG 小型标准品y y 一般电路6V3~250V 0y22~10000μF 黑MT105℃小型标准品y y高温一电路6V3~100V 0y22~1000μF 橙SM 高度为7㎜y y y 微型机6V3~63V 0y1~190μF 蓝MG-9 高度为9㎜y y y 薄型机6V3~50V 0y1~470μF 黑BP 双极性品y y极性反转回路6V3~50V 0y47~470μF 浅蓝EP 高稳y y 定时电路, 16~50V 0y1~470μF 浅蓝定品代替钽电容LL 低漏电电流y y 定时电路, 10~50V 0y1~1000μF 黄小信号电路BPC耐高波纹电流y y y 电视机S 25~50V 1~12μF 深蓝校正用BPA 音质改善用y y y y 音频电路25~63V 1~10μF 海蓝HF 低阻抗y y 开关电路6V3~63V 22~2200μF 灰HV 高耐压高压电路160~4000V 1~100Μf西太青蓝常用稳压二极管技术数据82种慧聪电子元器件商务网2003-09-04 9:02:06。
常用二极管型号及参数手册
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变容二极管调谐电路
变容二极管调谐电路变容二极管调谐电路是一种常见的电路,用于改变电路中的频率响应。
它广泛应用于收音机、电视机、音响系统等电子设备中。
在本文中,将介绍变容二极管调谐电路的基本原理、电路图和工作原理,并讨论其应用和优缺点。
变容二极管调谐电路的基本原理是利用二极管的电容特性来改变电路中的频率响应。
当二极管的阳极加正偏电压时,二极管上会形成一个可变的电容。
这个电容的大小与二极管的偏置电流、阳极电压以及二极管中的耗尽带宽有关。
通过调节这些参数,可以实现对电路中的频率响应进行调整。
变容二极管调谐电路的电路图通常由电容、电阻和二极管组成。
其中,电容用于控制频率响应的范围,电阻用于控制电路的增益,二极管起到频率调谐的作用。
当信号通过电容时,其频率响应会被调整,从而实现对特定频率范围内信号的放大和滤波。
变容二极管调谐电路的工作原理如下:当输入信号经过电容和二极管时,二极管的电容会改变输入信号的相位和幅度。
具体来说,当输入信号的频率较高时,二极管的电容较小,模拟信号能够有效地通过二极管,并得到放大。
而当输入信号的频率较低时,二极管的电容较大,模拟信号将被滤波。
变容二极管调谐电路的应用十分广泛。
在收音机中,它被用于接收不同频段的无线电信号。
通过调节二极管的电容,可以选择收听的频率范围。
在电视机中,变容二极管调谐电路用于调整图像和声音的频率响应,以提供清晰的图像和声音效果。
在音响系统中,它通常用来调整音频信号的频率响应,以满足不同音乐风格和音效的需求。
变容二极管调谐电路有一些优点和缺点。
首先,它具有较高的频率响应范围,可以满足不同频率信号的需求。
其次,它体积小、功耗低、价格便宜,适用于大规模生产。
然而,变容二极管调谐电路也存在一些缺点。
例如,由于二极管的电容是通过偏置电流来控制的,所以在实际应用中需要注意电容的稳定性和可靠性。
此外,频率调谐时,会导致一定的信号衰减和失真。
总之,变容二极管调谐电路是一种常用的电路,通过调节二极管的电容来改变电路中的频率响应。
各种二极管的用途及常用二极管
各种二极管的用途及常用二极管各种二极管的用途常用二极管1.整流二极管作用:利用PN结的单向导电性把交流电变成脉动直流电,整流二极管结构主要是平面接触型,其特点是允许通过的电流比较大,反向击穿电压比较高,但PN结电容比较大,一般广泛应用于处理频率不高的电路中。
例如整流电路、嵌位电路、保护电路等。
整流二极管在使用中主要考虑的问题是最大整流电流和最高反向工作电压应大于实际工作中的值,并要满足散热条件。
2.检波(也称解调)二极管作用:利用二极管单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号提取出来广泛应用于半导体收音机、录机、电视机及通信等设备的小信号电路中,其工作频率较高,处理信号幅度较弱。
检波二极管一般可选用点接触型锗二极管,例如2AP系列、1N34/A/、1N60等。
选用时,应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管,主要考虑工作频率。
虽然检波和整流的原理是一样的,而整流的目的只是为了得到直流电,而检波则是从被调制波中取出信号成分(包络线)。
检波电路和半波整流线路完全相同。
因检波是对高频波整流,二极管的结电容一定要小,所以选用点接触二极管。
能用于高频检波的二极管大多能用于限幅、箝位、开关和调制电路。
3.变容二极管又称压控变容器,是根据电压变化而改变节电容的半导体,工作在反向偏压状态。
应用:高频调谐、通信电路中可做可变电容器使用。
有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管,适用于参放的参放变容二极管,以及固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管,用于电视机高频头的频道转换和调谐电路,多以硅材料制作。
4.快速二极管快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的,但由于普通二极管工作在开关状态下的反向恢复时间较长,约4~5ms,不能适应高频开关电路的要求。
快速二极管主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等,其反向恢复时间可达10ns。
快速二极管主要包括快恢复二极管和肖特基二极管。
电调谐变容二极管接法
电调谐变容二极管接法1. 引言电调谐变容二极管是一种常用于无线通信和射频电路中的元件,用于调节电路的频率。
它具有可变电容的特性,可以通过改变其偏置电压来实现对频率的调节。
本文将介绍电调谐变容二极管的基本原理、工作方式以及常见的接法。
2. 电调谐变容二极管原理电调谐变容二极管是一种PN结构的二极管,其特殊之处在于其可控制的耗尽区宽度可以通过改变偏置电压来改变。
当施加正向偏置电压时,耗尽区宽度减小,导致有效载流子浓度增加;而当施加反向偏置电压时,耗尽区宽度增大,导致有效载流子浓度减小。
在无外部信号输入时,通过改变偏置电压可以实现对二极管的等效电容进行调节。
当偏置电压较低时,耗尽区宽度较大,等效电容较小;而当偏置电压较高时,耗尽区宽度较小,等效电容较大。
因此,通过改变偏置电压可以实现对电路的频率调节。
3. 电调谐变容二极管的工作方式电调谐变容二极管通常用于无线通信和射频电路中的频率调节。
其工作方式如下:1.偏置电压调节:通过改变偏置电压,可以控制二极管的等效电容。
通常使用可变电阻器或者其他控制元件来实现对偏置电压的调节。
2.频率调节:当偏置电压改变时,二极管的等效电容也会相应改变,从而影响整个电路的频率。
通过合理选择偏置电压范围和调节方式,可以实现对特定频率范围内信号的接收或发射。
3.阻抗匹配:在某些应用中,为了提高信号传输效果,需要将输入输出阻抗进行匹配。
在使用电调谐变容二极管时,可以通过合理选择外部元件(如衰减器、滤波器等)来实现阻抗匹配。
4. 电调谐变容二极管接法根据不同的应用需求和具体电路设计,可以采用多种接法来使用电调谐变容二极管。
下面介绍几种常见的接法:4.1 变容二极管作为谐振电路的调谐元件在谐振电路中,可使用电调谐变容二极管作为调谐元件,用于调节电路的共振频率。
一种常见的接法是将变容二极管与电感器和固定电容器组成串联谐振电路。
通过改变变容二极管的等效电容,可以实现对谐振频率的调节。
4.2 变容二极管作为射频前端的可变电容在射频前端电路中,可使用电调谐变容二极管作为可变电容,用于实现对输入信号的滤波和选择。
常用二极管的基本特点和选型
常用二极管的特点和选型根据材料的导电能力,我们将形形色色的材料划分为导体、绝缘体和半导体。
半导体是一种具有特殊性质的物质,它的导电能力介于导体和绝缘体之间,所以被称为半导体。
常见的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)。
二极管(Diode)算是半导体家族中的元老了,其最明显的性质就是它的单向导电特性,就是说电流只能从一边过去,却不能从另一边过来(从正极流向负极)。
一、基础知识1、二极管的分类二极管的种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管);按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
根据二极管的不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基二极管、发光二极管等。
2、二极管的型号命名方法(1)按照国产半导体器件型号命名方法:二极管的型号命名由五个部分组成:主称、材料与极性、类别、序号和规格号(同一类产品的档次)。
3、几种常见二极管特点(1)整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管,因结电容大,故工作频率低。
通常,IF 在1 安以上的二极管采用金属壳封装,以利于散热;IF 在1 安以下的采用全塑料封装。
(2)开关二极管在脉冲中,用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管,其特点是反向恢复时间短,能满足高频和超高频应用的需要。
开关二极管有接触型,平面型和扩散台面型几种,一般IF<500 毫安的硅开关二极管,多采用全密封环氧树脂,陶瓷片状封装。
(3)稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管,因为它能在电路中起稳压作用,故称为稳压二极管。
它是利用PN 结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点,来达到稳压的目的。
(4)变容二极管变容二极管是利用PN 结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件,被广泛地用于参量放大器,电子调谐及倍频器等微波电路中。
变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系,并提高Q 值以适合应用。
常用二极管型号及参数手册
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常用变容二极管
常用变容二极管变容二极管(Varactors ),又称为电压调谐电容(Voltage variable Capactors ,VVC )或调谐二极管(Tuning Diodes ),当在二极管两端加上反向偏压时,会产生电容效应,通常变容二极管的电容量,随反向偏压增大而减小。
变容二极管优点主要表现在:(1)体型小巧易于安装;(2)易于实现自动电子调谐(Auto Electronic Tuning ),方便遥控的电子调谐器的设计。
如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路,基本上都由变容二极管完成。
1、 变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图1(a )所示。
图1 (a )变容二极管的等效电路 (b )变容二极管的简化等效电路其中,R p ——反向偏压的结电阻(Junction Resistance ); 's L ——外部引线电感;s L ——内部引线电感; c C ——封装电容; s R ——二极管体电阻; j C ——结电容。
通常,等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计,简化后的等效电路如图1(b )所示。
一般地,变容二极管与外加电压的关系可表示为(1)j j DC C v V=(1) j C 为变容二极管的结电容,0j C 为变容管加零偏压时的结电容;V D 为变容管PN 结内建电位差(硅管V D =0.7V ,锗管V D =0.3V ); 为变容二极管的电容变化指数,与频偏的大小有关;v 为变容管两端所加的反向电压。
在小频偏情况下,选 =1的变容二极管可近似实现线性调频;在大频偏情况下,必须选 =2的超突变结变容二极管,才能实现较好的线性调频。
变容二极管的j C v 特性曲线如图2所示。
当加入的反向电压为cos Q Q m v V v V V t = + =时,设电路工作在线性调制状态,在静态工作点Q 处,可得曲线的斜率为/c k C V = 。
图2 变容二极管的j C v 特性曲线2、变容二极管重要参数:变容比率与Q 值(1)变容比率,实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值,设为C R ,可得近似的变容比率为max min max min ()C ()R V C V C V V=(2)式中,min ()C V ——在偏压最小时的结电容值;max ()C V ——在偏压最大时的结电容值。
常见变容二极管参数18种
常见变容二极管参数18种慧聪电子元器件商务网2003-09-12 14:42:05型号电容量〔工作电压〕电容比率工作频率最小值最大值303B 3 〜5p(25V) 18p(3V) >6 1000MHz2AC1 2p(25V) 27p(3V) >7 50MHz2CC1 3.6p(25V) 20p(3V) 4~ 6 50MHz2CB14 3p(25V) 18 〜30p(3V) 5〜7 50MHz2CC-32 2.5p(25V) 25p(3V) 4.5 >800MHzISV-101 12p(10V) 32p(2.5V) 2.4 100MHzAM-109 30p(9V) 460p(1V) 15 AMBB-112 17p(6V) 12p(3V) 1.8 AMISV-149 30p(8V) 540p(1V) 18 AMS-153 2.3p(9V) 16p(2V) 7 >600MHzMV-209 11p(9V) 33p(1.5V) 3 UHFKV-1236 30p(8V) 540p(1V) 20 AMKV-1310 43p(8V) 93p(2V) 2.3 >100MHzIS149 30p(8V) 540p(1V) 18 AMS208 2.7p(9V) 17p(4V) >4.5 >900MHz MV2105 6p(9V) 22p(4V) 2.5 UHFDB300 6.8p(25V) 18p(3V) 1.8 50MHzBB112 10p(25V) 180p(3V) >16 AM常见铝电解电容器的套管颜色与含义慧聪电子元器件商务网2003-09-12 14:42:05一般情况下,铝电解电容器的铝壳外面都有一个塑料套管。
塑料套管的颜色有多种,例如浅蓝色的、橙色的、黄色的等。
生产厂家之所以把铝电解电容器的套管制成五颜六色,其目的并非仅仅为了美观,而是具有特定的意义,在选用和更换铝电解电容器时应重视这一特点。
常用变容二极管
常用变容二极管变容二极管(Varactors ),又称为电压调谐电容(Voltage variable Capactors ,VVC )或调谐二极管(Tuning Diodes ),当在二极管两端加上反向偏压时,会产生电容效应,通常变容二极管的电容量,随反向偏压增大而减小。
变容二极管优点主要表现在:(1)体型小巧易于安装;(2)易于实现自动电子调谐(Auto Electronic Tuning ),方便遥控的电子调谐器的设计。
如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路,基本上都由变容二极管完成。
1、 变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图1(a )所示。
图1 (a )变容二极管的等效电路 (b )变容二极管的简化等效电路其中,R p ——反向偏压的结电阻(Junction Resistance );'s L ——外部引线电感; s L ——内部引线电感; c C ——封装电容; s R ——二极管体电阻; j C ——结电容。
通常,等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计,简化后的等效电路如图1(b )所示。
一般地,变容二极管与外加电压的关系可表示为(1)j j DC C v V γ=- (1) j C 为变容二极管的结电容,0j C 为变容管加零偏压时的结电容;V D 为变容管PN 结内建电位差(硅管V D =0.7V ,锗管V D =0.3V );γ为变容二极管的电容变化指数,与频偏的大小有关;v 为变容管两端所加的反向电压。
在小频偏情况下,选γ=1的变容二极管可近似实现线性调频;在大频偏情况下,必须选γ=2的超突变结变容二极管,才能实现较好的线性调频。
变容二极管的j C v - 特性曲线如图2所示。
当加入的反向电压为cos Q Q m v V v V V t ΩΩ=+=+Ω时,设电路工作在线性调制状态,在静态工作点Q 处,可得曲线的斜率为/c k C V =∆∆。
图2 变容二极管的j C v -特性曲线2、变容二极管重要参数:变容比率与Q 值(1)变容比率,实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值,设为C R ,可得近似的变容比率为max min max min ()C ()R V C V C V V γ⎛⎫=≈ ⎪⎝⎭(2)式中,min ()C V ——在偏压最小时的结电容值;max ()C V ——在偏压最大时的结电容值。
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常用变容二极管
变容二极管(Varactors ),又称为电压调谐电容(Voltage variable Capactors ,VVC )或调谐二极管(Tuning Diodes ),当在二极管两端加上反向偏压时,会产生电容效应,通常变容二极管的电容量,随反向偏压增大而减小。
变容二极管优点主要表现在:(1)体型小巧易于安装;(2)易于实现自动电子调谐(Auto Electronic Tuning ),方便遥控的电子调谐器的设计。
如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路,基本上都由变容二极管完成。
1、 变容二极管工作原理
变容二极管的等效电路如图1(a )所示。
图1 (a )变容二极管的等效电路 (b )变容二极管的简化等效电路
其中,R p ——反向偏压的结电阻(Junction Resistance );
's L ——外部引线电感; s L ——内部引线电感; c C ——封装电容; s R ——二极管体电阻; j C ——结电容。
通常,等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计,简化后的等效电路如图1(b )所示。
一般地,变容二极管与外加电压的关系可表示为
(1)
j j D
C C v V γ
=
- (1) j C 为变容二极管的结电容,0j C 为变容管加零偏压时的结电容;V D 为变容管PN 结内建
电位差(硅管V D =0.7V ,锗管V D =0.3V );γ为变容二极管的电容变化指数,与频偏的大小有关;v 为变容管两端所加的反向电压。
在小频偏情况下,选γ=1的变容二极管可近似实现线性调频;在大频偏情况下,必须选γ=2的超突变结变容二极管,才能实现较好的线性调频。
变容二极管的j C v - 特性曲线如图2所示。
当加入的反向电压为
cos Q Q m v V v V V t ΩΩ=+=+Ω时,设电路工作在线性调制状态,在静态工作点Q 处,可得曲线的斜率为/c k C V =∆∆。
图2 变容二极管的j C v -特性曲线
2、变容二极管重要参数:变容比率与Q 值
(1)变容比率,实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值,设为C R ,可得近似的变容比率为
max min max min ()C ()R V C V C V V γ
⎛⎫=≈ ⎪
⎝⎭
(2)
式中,min ()C V ——在偏压最小时的结电容值;max ()
C V ——在偏压最大时的结电容值。
可见,变容比率C R 与γ值有关,γ值愈大变容比率C R 愈大。
(2)变容二极管Q 值
由简化的等效电路,可导出变容二极管的元件Q 值为
2
22
2(2)j p
s p j s p
fC R Q R R fC R R ππ=
++ (3)
可见,变容二极管的Q 值并非为定值,而是随外加偏压及频率的变化而变化。
通常,s
R 阻值小于1欧姆,p R 阻值为1010
Ω级,在较高频率时,因22
(2)j s p s p fC R R R R π+(),可得高频时的Q 值为
1
2s j s
Q Q fC R π≈=
(4)
可见,由于二极管中等效串联电阻R s 的影响,高频时Q 值将会降低。
而在较低频率时,由于等效电路以
p
R 为主导,忽略
22
(2)s j s p
R fC R R π+的影响,可得此时的Q 值为
2p j p Q Q fC R π≈= (5)
可见,在低的频率段,随着频率的上升,Q 值会有所提高;而在低的频率段的低区,由于反向偏压所引起的结电阻基本为恒值,会导致Q 值下降。
由上面的分析可知,变容二极管主要存在以下不足:
(1)品质因素Q 值不够高。
早期所用的机械式调谐电容器,元件本身的品质因数Q 值都很高,一般都可达几千。
因而应用这类调谐电容器的电路,电路Q 值可由振荡线圈、振荡电容、谐振电阻等元件而定;采用变容二极管为调谐电容后,变容二极管的Q 值通常在几十至几百之间,因而必须注意其Q 值对电路的影响,尤其是频率的低端与高端。
(2)容易受温度影响。
由于变容二极管为半导体器件,因而在温度效应上,仍有其先天不足,因此在设计时,应注意温度补偿的问题。
常用的补偿设计,可采用的二极管正向导通压降来实现对变容二极管的温度补偿,当温度上升时,二极管正向导通的压降随之减少,因而可使变容二极管上的反向偏压改变。
如图3所示,二极管D 1的正向压降V d 设为0.6V ,
当温度上升后,若V d 降至约为0.5V ,而V in 保持为恒定,则输出至变容二极管D v 的偏压V o 将会增加0.1V 。
所增加的电压,将会使变容二极管的电容量下降,因而可抵消因温度改变而增加的量。
在实际应用时,为使这一电路能有效工作,补偿用二极管的材质特性,宜与变容二极管的相当。
且在电路中的安装位置,应与变容二极管处于相同的温度环境。
另外,以变容二极管设计的电容控制振荡器VCO ,为锁相环路中的主体,且由于其本身已具有反馈环路,由于外因导致的变容二极管上容量产生变化,都可经由反馈而取得补偿,因而不需再加额外的补偿装置。
图3 正向二极管温度补偿
常用的国产变容二极管有2CC 系列和2CB 系列,进口变容二极管有S 系列、MV 系列、KV 系列、1T 系列、1SV 系列等,表1列出了几种常用的变容二极管技术资料,仅供参考。
在工程应用中,要注意以下几点:
(1)进行调谐电视频道或调幅广播时,需要较宽的频率范围,因而通常选用1γ≥的超突变结变容二极管;
(2)电容量大的,多用于频率较低的系统,如应用在10M 以下的调幅(AM )广播频段;
(3)调谐变容二极管在选用时应尽量配对使用,因为在几个调谐电路中用的是同一个调谐电压,则要求变容二极管在同一变化的电压下,容量的变化相同,即电压、容量特性的一致性。
所以在选用更换时要求要同型号、同色点或同字母。
以保证调谐的准确和良好的接收效果。
(4)在很多的技术资料上,都设min
V =4V 为最佳工作状况的最低反向偏压值。
有时为
取得更高的变容比率,可以降低
min
V 值,不过必须以牺牲变容二极管Q 值为代价。
(5)在降低反向偏压时,必须注意外加信号电压峰值大小,以避免变容二极管工作在正向导通状态。
且在信号电压过大时,将会引发电容调制效应而产生失真。
(6)实际应用变容比率
C R
时,都较手册理论值低,在设计应用时需加注意。