TFT-LCD的常见Panel污渍研究

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TFT-LCD边角发黄不良产生的机理及对策思路

TFT-LCD边角发黄不良产生的机理及对策思路

TFT-LCD边角发黄不良产生的机理及对策思路摘要:本篇文章主要研究的是TFT-LCD显示器制造环节中边角发黄不良的主要机理和相应的改进方案。

经过采取显微镜分析、PS高度、Cell Gap确认和不良机理研究,最终得到的结论是在ODF工艺环节中液晶和没有完全凝固的封框胶触碰时,边角处的液晶会迅速扩散并穿过封框胶,并且因为区域性液晶填充过多从而致使发黄不良。

笔者站在工艺技术的角度对LC Pattern和Dummy部位的封框胶涂布工艺进行优化,并从设计层面对Dummy处的填充R/G/B胶完成改进,结果显示这两种措施对边角发黄都有着明显的改进成效,边角发黄处的穿刺情况由之前的58.6%下降至5.3%,最终对整个产品的合格率都有着显著的提高。

关键词:TFT-LCD;边角发黄;LC Pattern;封框胶Forming Mechanism and Corresponding Countermeasures of Edge and Corner Yellowing Defect on TFT-LCDLi WeiAbstract: The article aims at to study the main forming mechanism and corresponding improvement scheme of edge and corner yellowing defect in the production of TFT-LCD display. Through the microscopical analysis, PS height the confirmation of Cell Gap and research on defect mechanism, the final conclusion obtain is that in ODF process, when the liquid crystal touches the sealant not completely solidified, the liquid crystals at the edges and corners quickly spread and pass through the sealant, and due to too much filling of the regional liquid crystal, the yellowing defect is caused. From the perspective of technology, I optimized the coating process of the sealant which is at LC Pattern and Dummy, and completed the improvement of the R/G/B glue which is at Dummy from the design aspect. The results show that both of the two countermeasures have obvious effects on improvement of edge and corner yellowing defect. The punctures at edge and corner yellowing location is reduced from 58.6% to 5.3%, so that pass rate of the product is greatly improved.Key Words: TFT-LCD, edge and corner yellowing, LC Pattern, sealant1.引言最近几年间,TFT-LCD(全程为薄膜晶体管液晶显示器)凭借着其低能耗、辐射程度小、占地面积小以及轻薄、造型优美等特点,获得了普遍的运用,可以说是市场中的一个热销产品[1~2]。

液晶面板常见不良现象原理解析整理

液晶面板常见不良现象原理解析整理

Common ,显示电极与 TFT 是在同一片玻璃上,那Cs on gate的等效電路Clc 的两端是分别接到显示电极与 Com mon 就在另一片玻璃上。

每一个TFT 与Clc 跟Cs 所并连的电容代表一个显示的点。

如上图示,Gate 输出的波形,依序将每一行的TFT 打开,好让整排的 Source driver 同时将一整行的显示点充电到各自所需的电压,以显示不同的灰阶。

这一行充好电时,gate driver 便将电压关闭,然后下一行的gate driver 便将电压打开,再由 相同的一排source driver 对下一行的显示点进行充放电 .如此依序下去,当充好了最后一行的显示点,便又回过来再对第一行开始充电。

理论依据: Gate-line Source-line十字线下一悄^址亡走編Gat ■电血沖£「所送出的波形TFT panel-個點To soiu ce chivei成因原理解析:以上两图为Source Line现象图出现Gate line,是因为某一行的TFT —直打开,或者说此行TFT充电后无法关闭;出现Source line,是因为某一列的TFT 一直打开,或者说此列TFT充电后无法关闭;出现十字线,是因为Gate driver某一行的TFT 一直打开,Source driver的某一列一直打开, 或者说这些行/列的TFT充电后无法关闭.白屏现象解析理论依据一:LC的一种特性,就是不能固定在一个电压不变。

不然时间长了,即使电压被取消掉,LC会因为特性的破坏而无法因电场的变化而转动。

初步判断一:LC分子被破坏。

理论依据二:Source driver 的功用是当Gate driver 将LC Panel 上一行行的TFT打开时,Source driver会将相对应的显示资料转换成电压,把LC Panel上的Clc,Cs充电到欲显示的灰阶电压。

不管是单画素输入或是双画素输入的驱动晶片,都得将多颗晶片串接起来,以便同时将一行的TFT做充放电动作。

TFT-LCD屏的Flicker和DC残留的研究及改善

TFT-LCD屏的Flicker和DC残留的研究及改善

TFT-LCD屏的Flicker和DC残留的研究及改善叶纯;王烨文;林占强;贺强;邢程;高晓莉【摘要】Due to the non-symmetrical design of the plane electric field and the presence of the flexo-electric effect, the transmittance ratio different between the positive and negative frame, and the visible flicker is obvious.In this paper, the Voltage-Transmittance (V-T) curves of the plane electric field display mode were simulated by the LCD expert software, based on the 396 mm (15.6 in) FHD (1 920×1 080) vertical double-domain structure.At the same time, the residual Direct Current (DC) values and flicker values of different pixel-ITO widths were measured, and the optimal experimental condition was obtained, which was benifit for the pixel design in future.%由于平面电场的非对称设计和挠曲电效应的存在, 导致正负帧作用下透过率不同, 目视有很明显的闪烁.本文在396 mm (15.6 in) FHD (1920×1 080) 竖双畴结构的基础上, 通过LCD expert软件模拟平面电场显示模式正负帧作用下电压-穿透率 (Voltage-Transmittance, V-T) 曲线, 同时, 实测了像素电极 (pixel-ITO) 不同线宽线距产品的残留DC (Direct Current) 值/Flrcker数值等, 得出较好的实验条件, 对今后的像素设计有一定的指导意义.【期刊名称】《液晶与显示》【年(卷),期】2018(033)012【总页数】6页(P1047-1052)【关键词】平面电场;Flicker;残留DC;挠曲电效应;不对称电场【作者】叶纯;王烨文;林占强;贺强;邢程;高晓莉【作者单位】南京中电熊猫平板显示科技有限公司,江苏南京, 210033;南京中电熊猫平板显示科技有限公司,江苏南京, 210033;南京中电熊猫平板显示科技有限公司,江苏南京, 210033;南京中电熊猫平板显示科技有限公司,江苏南京, 210033;南京中电熊猫平板显示科技有限公司,江苏南京, 210033;南京中电熊猫平板显示科技有限公司,江苏南京, 210033【正文语种】中文【中图分类】TN141.9;O753+.21 引言液晶分子在外电场下的均匀形变由于具有较大的介电各向异性,向列相液晶分子在外加电场作用下能产生集体形变,同时液晶分子具有光学双折射,形变后的液晶能诱导出强烈的光学非线性,产生各种电光效应。

薄膜晶体管液晶显示器制造行业典型污染物及治理措施简析

薄膜晶体管液晶显示器制造行业典型污染物及治理措施简析

薄膜晶体管液晶显示器制造行业典型污染物及治理措施简析作者:谢江来源:《卷宗》2018年第19期摘要:通过调研国内典型薄膜液晶面板(TFT-LCD)制造企业的生产工艺、原物料使用、三废及噪声产生环节及治理措施等情况,简析行业污染物产生特点及治理效果,旨在为TFT-LCD行业的环境影响及环境管理提供参考。

关键词:薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD);生产工艺1 引言薄膜晶体管液晶显示(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称“TFT-LCD”)是将微电子技术与液晶显示技术相结合的一种新技术,是将在硅片上进行微电子精细加工的技术,移植到大面积玻璃上进行阵列加工,再将该阵列基板与另一片带彩色滤光膜的基板,利用与业已成熟的LCD技术,形成一个液晶盒,再经过后工序如偏光片贴覆等过程,最后形成液晶显示器件。

LCD面板与驱动板通过输入信号线相连,驱动板用于传输主机输入信号,并将信号处理转化为液晶面板的驱动信号,根据不同的图像显示信号能够改变加在液晶面板上的电压,通过控制像素点中液晶分子的扭转,将来自背光源的光调制产生不同的色彩、亮度等显示效果,从而显示不同图像。

TFT-LCD是一种可跨越所有尺寸的显示技术,具有一系列突出的优点,产品几乎涵盖整个信息应用领域,作为国家重点扶持产业,具有广泛的发展前景。

而随着行业的大发展,其制造过程中产生的污染物势必对环境构成越来越大的影响。

下文通过调研国内典型薄膜液晶面板(TFT-LCD)制造企业的生产工艺、污染物产生环节及污染物治理措施等情况,分析行业污染物产生特点及治理效果。

2 TFT-LCD生产工艺及主要污染物产生情况2.1 生产工艺TFT-LCD生产包括阵列工程(Array)、彩膜工程(Color filter)、成盒工程(Cell)和模块工程(Module)四大部分。

阵列工程为阵列玻璃基板生产,主要工艺包括:玻璃基板清洗、薄膜(CVD、溅射)、光刻(涂胶、曝光、显影)、烘干、刻蚀(干法刻蚀、湿法刻蚀)、剥离、光刻胶灰化、退火、检查、返修(Rework)等工序,使用的主要原物料包括:玻璃基板、各种金属靶材(ITO、Mo、Al、Cu等)、液态化学品(光刻胶、显影液、稀释剂、剥离液、刻蚀液等)、特殊气体(SiH4、PH3、NH3、Cl2、SF6、NF3等)、大宗气体(Ar、H2、O2等),TFT-LCD生产过程中主要污染物源于此工程。

如何处理液晶拼接屏上的污渍

如何处理液晶拼接屏上的污渍
量呢?
2
10/18/2012
工具
1、普通透明胶一卷。 2、医用酒精一瓶。 3、质地柔软的软布一块
方法/步骤
1、怎么去除灰尘 2、怎么去除油渍 3、注意事项
3
液晶拼接屏上的污渍分为很多种,有灰尘、有油渍,不同的 污渍要采取不同的方式。这样的话才会既清楚了污渍同时也不
会对液晶拼接屏的屏幕造成伤害,不会影响其质量和显示效果。
6

注意事项
在选用进行擦拭的布的时候,我们还要注意一个事情, 就是布的导电性能不能太强,我们都知道,摩擦会生电,
如果布在擦拭的过程中产生电的话,那么布上的灰尘灰尘
就会重新沾到屏幕上,行擦拭。这样才能够把油渍完全去除。在撕掉透明胶的过程
中,动作一定要轻,不然容易对红外智能高速球造成不可逆转的损
失。
5
怎么去掉灰尘
去除液晶拼接屏上的灰尘的方法比较简单,只是使
用的布要注意一点,其质地一定要柔软。首先我们在选
用的布上面沾上少量的酒精(没有酒精也可以使用
水),然后再使用布在液晶拼接屏上擦拭,注意动作一 定要轻,而且布上的水或酒精不能沾上太多,以防进入 屏幕与框架中间,对其质量造成影响。
如何处理液晶拼接屏上的污渍
前言
液晶拼接屏在液晶显示大屏幕行业今年年风靡市场,占领了市场 大部分的份额,其主要制胜法宝为超好的显示效果,超高亮度、色彩 还原度令用户十分青睐。但是如果液晶拼接屏上出现了污渍的话,对 其显示效果的影响是非常大的,而且污渍在液晶拼接屏上的时间久了
的话,还会影响其质量,如何去掉这些污渍有不影响液晶拼接屏的质
而且去除污渍的过程中,针对不同的污渍,我们所需要注意的
事项也是不同的。
4
怎么去除油渍

PANEL常见故障现象与维修介绍1

PANEL常见故障现象与维修介绍1

• 方块不良
• 故障现象:画面出现横的带状不良或下半部无画. • 维修方法:查带状不良上对应的GATE IC输入信号和供电电路,如输入 信号正常如果正常就是GATE IC不良或 IC粘合不良,重新更换同型号 GATE IC OK
方块不良
竖线
• 故障现象: 屏幕上出现竖亮线. • 此故障一般有以下几种造成:
屏裂
• 故障现象: CELL玻璃裂液晶外漏 • 此故障一般为屏受到外力撞击造成玻璃裂. • (不可修)
图1 屏裂
图2 屏裂
亮点
• 故障现象:使用暗画面的时候 使用暗画面的时候屏幕上出现有亮点,出现点R G B 使用暗画面的时候 颜色和方位不等.此故障一般为像素点上TFT不良( PANEL 驱动MOS管开路)或像素点内有异物杂质所造成 管开路) 驱动 管开路 • (不可修)
无画
白屏
故障现象: 整个画面全白色. 维修方法: 只有背光电路工作,检查 PANEL供电回路.
灰阶不良
故障现象:在灰阶画面下看亮度和颜 色都不均.
维修方法: 信号输入回 路有问题,如FFC线材 或LVDS线材不良,接口 接触不良,未插到位等.
PANEL电路不良或主板电路不良 PANEL电路不良或主板电路不良
花屏
故障现象: 整个画面 看上去全是杂乱竖线.
维修方法: 1.PANLE 逻辑控制电路 T-CON IC供电有问题。 2.SOURCE IC供电有问题。 3.接口信号输入回路有问题
方块不良
故障现象:画面出现竖带状不良或 半边无画 维修方法:查带状不良上对应的 SOURCE IC输入信号和供电电路, 如输入信号正常就是驱动 IC(SOURCE IC)不良或SOURCE IC 输入端粘合不良,重新更换同型 号SOURCE IC 就会OK

LCD来料脏污不良报告

LCD来料脏污不良报告
4.1 IC异物不良分布图
10000 8000 6000 4000 2000 0 10-20 10-21 10-22 10-25 10-26 10-27 10-28 10-29 0.45% 0.49% 0.36% 0.28% 0.20% 0.00%
2000 0 10-31 11-2 11-3 11-4 11-5 11-7 11-8 投产数 IC异物 不良比例 0.20% 0.00%
2011-11-9
第7页
2011-11-9
第8页
2011-11-9
第3页
深圳市景胜光电有限公司
4.2 制程因素
4.2.1 作业人员没有改变 , 4.2.2 作业手法没有改变(用无尘布包棉棒顺方向擦拭两次); 4.2.3 使用辅料及清洗液没有改变; 4.2.4 设备部件及人员操作方面均无变化。 4.2.5 对LCD贴片造成LCD的影响确认: 1、对加工方的作业人员手法确认,往LCD封口方向擦拭。 2、无尘布材质评估,吸水性一般,耐磨性较强; 3、无尘布使用频率偏高,由于擦拭方向是朝封口,故ITO表面严重脏污的现象不是贴片造成。
三、异常型号: 我ห้องสมุดไป่ตู้型号 SJ20N-61V0F SJ22T-22V0F SJ24T32V0F SJ32T-31V0F
2011-11-9
LCD型号 HSD020F2N0-A HSD022F2N6-A PD024MC6L-1402 PD032MN6L-0404
备注
第2页
深圳市景胜光电有限公司
四、分析数据对比:
深圳市景胜光电有限公司
LCD原材问题分析报告
分析人:刘志奇
日期:2011-11-9
2011-11-9
第1页
深圳市景胜光电有限公司

TFT—LCD生产中HPMJ清洗工艺的研究

TFT—LCD生产中HPMJ清洗工艺的研究

TFT—LCD生产中HPMJ清洗工艺的研究作者:林琅王亚莉来源:《中小企业管理与科技·上旬刊》2015年第12期摘要:以玻璃基板表面残留的各种微粒(Particles)的去除率为依据,研究TFT—LCD生产清洗工艺中HPMJ的洗净压力、NOZZLE和洗净对象物间的距离等因素对玻璃基板表面Particles清洗效果的影响,探讨这些因素的作用机理,为TFT-LCD生产提供最佳的超高压清洗工艺方法。

关键词:TFT-LCD;HPMJ;洗净工艺在TFT—LCD(Thin Film Transistor 薄膜场效应晶体管LCD)生产过程中,清洗的主要目的是去除玻璃基板表面残留的Particles。

目前TFT—LCD制程的清洗工艺经常采用的清洗方法有超紫外清洗、毛刷滚刷清洗、超高压微射流清洗HPMJ(SUPER HIGH PRESSURE MICRO JET)以及超纯水冲洗等。

其中HPMJ洗净对于粒径1~5um的Particles的清洗效果很好。

它利用高压泵加压压缩将洗浄液雾化为高速喷射的微小液滴冲撞对象物体,利用崩溃时的Jetting 去除Particles。

具有洗净性大、洗净液的使用量少、洗净范围广等特点。

本文通过改变HPMJ 的压力和Nozzle与洗净对象的距离,以Particles去除率为依据,探讨了HPMJ各硬件条件对清洗效果的影响。

并从抑制N+小泡的角度,得出最佳的HPMJ硬件调整参数。

1 试验方法1.1 试验样品与设备试验的样品采用康宁0.5T玻璃基板50枚并完成GATE层的制作及镀上N+非金属膜,尺寸为1500mm X 1800mm。

清洗设备为ASAHI AF6200S清洗机,主设备为东京电子CL1700。

Particles数量测试的设备采用Particle Counter(微粒计量机)。

Particles测试结果根据Particles的粒径大小分为S(3um以下)、M(3~5 um)。

关于TFT-LCD中Gate Pad腐蚀的分析及改善

关于TFT-LCD中Gate Pad腐蚀的分析及改善

( R 而成 为现代 显 示领 域 的主导 。T T L D 目前 C T) F— C
普遍采 用 有源 矩 阵驱 动 方式 , 源极 ( o red i r 即 s uc r e ) v
3 6 现 代 显 示 A vn e i ly d a cdDs a p
( h n m )封 装 方式 , OF通过 各 向异性 导 电胶 c i o p C
中图分 类号 : N 4 . T 1 19 文献标 识码 : B
An lss a d I r v me t fGa e Pa o i n o T_ CD ay i n mp o e n t d Er so n TF L o
L i-i, U Ln l YU Ya g XU Sh a n n, ui
( C 与 T TP d压 合 在 一 起圆 A F) F a 。
A r 21 , p . 0 1 总第 1 3. 2 5 ) ]
收 稿 日期 :O 1 0 一 1 2 1 — 3 l
(ei OEO te crn s e h o g o, t.B i g1 0 , h a B i gB p I l i c n l yC .L , ei 0 1 6 C i ) j n o e oc T o d j 7 n n
Ab t c:F r 1T—L n t e ipa rd c s e o ini ar l ieyc m mo e e t h t sr t o = a 1 CD a do h r s lyp o u t. r so ea v l o d s t nd f c a t
T e t s e utidc t st a r so fe t ey p e e t d a da 0 r d cin o e e t h e tr s l n ia e h te o ini e f c i l rv ne n n8 % e u t fd f c S v o

Panel污渍分析及改善探究

Panel污渍分析及改善探究

( He f e i Xi n s h e n g Op t o e l e c t r o n i c s Te c h n o l o g y C o .Lt d,He f e i 2 3 0 0 1 2 ,C h i n a)
Ab s t r a c t :Pa n e l s t a i n i s a c o mm o n d e f e c t i n t h e pr o d uc t i o n o f Th i n Fi l m T r a n s i s t o r — Li q u i d Cr y s t a l Di s p l a y .I t d i r e c t l y d e t e r i o r a t e s t h e i ma g e q u a l i t y o f pr o du c t s a n d r e d u c e s t h e p r o d u c t l e v e l a n d s a l e p r i c e .Th e s t ud y
文章 编 号 : 1 0 0 7 — 2 7 8 0 ( 2 0 1 7 ) 0 3 — 0 1 7 7 — 0 5
P a n e l 污 渍 分 析 及 改 善 探 究
韩君奇 , 刘利萍, 张南红, 汤展峰, 杨宗顺, 张 旋, 张志华, 李 静
( 合肥鑫晟光电科技有限公司, 安徽 合肥 2 3 0 0 1 2 )
摘要 : P a n e l 污渍是 T F T I C D 生 产 中 一 种 常 见 的不 良 , 它 直 接 影 响 到 产 品 的 画 面 品质 和 出 售 价 格 , 降 低 产 品 竞 争 力 。本 文通过研究发 现大量 p a n e l 污渍是摩擦产生 的含 s i 元 素 杂 质 导 致 。实 验 表 明 : 降低 制 品膜面 的粗糙度 , 使 杂 质 更 易 去 除; 通 过 提 升 摩 擦 后 的清 洗 能 力 , 也能有效去 除杂 质 , 一 定程 度 降低 了 p a n e l 污 渍发 生率 ; 而 最 后 通 过 导 人 c 系 列 摩 擦 布, 使 摩 擦 过 程 中产 生 极 少 杂 质 。通 过 导 人 以上 3种 改 善 措 施 , 最 终将 5 5 UH D产 品 的 p a n e l 污 渍发生率 从 8 . 2 降 至

TFT-LCD行业异物不良改善研究

TFT-LCD行业异物不良改善研究
h a s be c ome a n on go i n g t o pi c i n t he i nd us t r y.Thi s p a pe r a na l y z e s t he c a us e s a nd c l a s s i f i c a t i o n o f Ce l l p a r t i c l e,a n d s t u di e s t he d i r e c t i o n of p a r t i c l e t h r o ug h t he i mp r o v e me nt o f o pe r a t i on,e q ui pm e nt ,r a w a n d a ux i l i a r y ma t e r i a l ,ha n dl i n g me t h od, e n vi r o nme nt ,r e pa i r a nd ot h e r a s pe c t s .The r e s ul t s s h ow
第3 2 卷
第 1 O期
液 晶与 显 示
Ch i n e s e J o u r n a l o f Li q ui d Cr y s t a l s a nd Di s pl a ys
Vo 1 . 3 2 No . 1 0
Oc t .2 O1 7
2 0 1 7年 1 O月
t h a t t h e c o mb i n a t i o n o f t e c h n i c a l me a n s a n d s i t e ma n a g e me n t h a v e a n i mp o r t a n t e f f e c t o n t h e i mp r o v e — me n t o f p a r t i c l e .a n d ma k e Ce l 1 p a r t i c l e r e d u c e O . 8 4 .

TFT―LCD生产中HPMJ清洗工艺的研究

TFT―LCD生产中HPMJ清洗工艺的研究

TFT―LCD生产中HPMJ清洗工艺的研究作者:林琅王亚莉资料来源:中小企业管理与科技,发行12, 2022摘要:以玻璃基板表面残留的各种微粒(particles)的去除率为依据,研究tft―lcd生产清洗工艺中hpmj的洗净压力、nozzle和洗净对象物间的距离等因素对玻璃基板表面particles清洗效果的影响,探讨这些因素的作用机理,为tft-lcd生产提供最佳的超高压清洗工艺方法。

关键词:TFT-LCD;清洁工艺在tft―lcd(thinfilmtransistor薄膜场效应晶体管lcd)生产过程中,清洗的主要目的是去除玻璃基板表面残留的particles。

目前tft―lcd制程的清洗工艺经常采用的清洗方法有超紫外清洗、毛刷滚刷清洗、超高压微射流清洗hpmj (superhighpressuremicrojet)以及超纯水冲洗等。

其中hpmj洗净对于粒径1~5um的particles的清洗效果很好。

它利用高压泵加压压缩将洗芬何砘为高速喷射的微小液滴冲撞对象物体,利用崩溃时的jetting去除particles。

具有洗净性大、洗净液的使用量少、洗净范围广等特点。

本文通过改变hpmj的压力和nozzle与洗净对象的距离,以particles去除率为依据,探讨了hpmj各硬件条件对清洗效果的影响。

并从抑制n+小泡的角度,得出最佳的hpmj硬件调整参数。

1试验方法1.1试样和设备试样采用50块康宁0.5T玻璃基板,完成栅层制作和镀n+非金属膜,尺寸为1500mmx1800mm。

清洗设备为ASAHAIF6200 s清洗机,主要设备为东京电子cl1700。

颗粒量检测设备采用颗粒计数器。

根据颗粒的粒径,将颗粒的测试结果分为S(3um以下)和m(3~5um)。

1.2试验方法①分别用9mpa、10mpa、11mpa的压力加压洗净液,其他清洗条件相同。

清洗前后测试残留在玻璃表面的particles数量,计算particles的去除率,计算公式为:particles去除率=(清洗前particles数量-清洗后particles数量)/清洗前particles数量。

TFT LCD 不良分析介绍 2

TFT LCD 不良分析介绍 2

缺陷发生率
0.50% 0.40% 0.30% 0.20% 0.10% 0.00%
0.29% PRA005
8.1-8.21 QHL 不良与PI PR 号机差
0.43%
0.46%
PRA006
PR号机
PRA08
0.35% PRA013
四、不良解析与工作报告
PI short1(片状)不良与PI WET 存在号机差分布与QHL不良的号机差基本一致
8.1-8.21QHL不良与D1WE号机差
0.52%
0.50%
WED002
WED003
WED 号机
WED004
0.43% WED005
四、不良解析与工作报告
6.Map依存性:PI short1(片状)不良,占有率45.8%, 有map依存性,一 般发生在sheet的周边位置
image
全号机
#5
#6
占QHL的比重不大有关.
缺陷发生率
0.80% 0.60% 0.40% 0.20% 0.00%
0.48% DEI001
8.1-8.21 QHL不良与DEI 号机差
0.58%
0.51%
DEI002
DEI号机
DEI003
0.47% DEI004
缺陷发生率
0.63% 0.42% 0.21% 0.00%
0.57%
0.49%
WEI004
0.52%
WEI001
WEI002 WEI 号机
WEI003
WEI004
缺陷发生率
四、不良解析与工作报告
5、a-Si残留(片状)不良号机差:DEI 和WED工程均存在号机差
缺陷个数/Lot
a-si 残留1(片状)与DEI的号机差

TFT-LCD的常见Panel污渍研究

TFT-LCD的常见Panel污渍研究

TFT-LCD的常见Panel污渍研究TFT-LCD的常见Panel污渍研究合肥京东方显示技术有限公司刘同海马帅郑明龙马光和高章飞孙国防韩海滨【期刊名称】《电子世界》【年(卷),期】2019(000)015【总页数】3本文通过造成Panel污渍的原因分为光学性和电学性两类,分别对两类污渍的形成原因及机理进行阐述。

光学性Panel污渍为光线的传播方向或传播强度受到液晶分子旋光、异物及膜层差异引起变化导致,电学性Panel污渍为电场强度均一性受到电极间距、TFT刻蚀残留及膜层差异导致。

1 前言大尺寸TFT-LCD作为当前显示领域的一个发展趋势,越来越受到投资者及面板厂家的推崇(钱玉娟,BOE(京东方)再创全球显示产业先河全球首条10.5代线在合肥投产:中国经济信息,2017;华星光电、CEC、鸿海、惠科都在建设10.5代TFT-LCD面板生产线:玻璃,2018)。

当然也不可避免的遇到投资高、回报周期长的先天特点,在生产中也会产生相对小尺寸产品更多的技术性难题。

对LCD产品的研究每年均有很多的研究成果报道出来(刘同海,梁晓桐,高章飞,等.双侧GOA驱动TFT-LCD的常见线不良研究:电子世界,2018;王绍华,吴飞,宣津,等.TFT-LCD工艺中角落白Mura的成因机理研究与改善:液晶与显示,2018;郭志轩,田亮,方业周,等.PCI结构TFT- LCD产品竖Mura不良机理分析及改善研究:液晶与显示,2018),为了更好的应对生产难题,需将小尺寸LCD产品中一些研究成果推广到大尺寸产品中。

Panel污渍,是在检测过程中Panel在不同灰阶下的一种灰度不均的现象,作为LCD行业一种常见不良,仅有摩擦配向过程引入的异物这种模式被报道(韩君奇,刘利萍,张南红,等.Panel污渍分析及改善探究:液晶与显示,2017),其他一些相关原因均未见披露。

故本文针对一些常见的Panel污渍进行研究,以期推广到大尺寸产品应用中。

LCD 清洗技术简介

LCD 清洗技术简介
LCD 清洗技术简介
汉高股份有限公司
电子产品的发展方向 TFT-LCD
LCD的结构
Color Filter
集成电路
导向膜 反射片
反射片
透明电极
Black Matrix
玻璃基板
液晶
Array Board
光源
ITO玻璃制造流程和玻璃 清洗剂
母板
CeO 研磨
研磨后 清洗
涂膜前 清洗
ITO 涂膜
切割
1. 表面活性剂和助洗剂的协同作用,显示出卓越的清洗性能 2. 采用了漂洗助剂,残留物极易漂洗干净。
助洗剂 / 表面活性剂的 协同作用
清洗能力 (%)
100
80
60
40
20
0
01 3 5
10
处理时间 (min)
助洗剂
助洗剂浓度: 2.0 %
+ 表面活性剂 表面活性剂浓度: 0.1 %
清洗温度:
60 °C
助洗剂 表面活性剂

Lit. from: Oberfläche-Surface 1984, Rossmann: Reinigung starrer Oberflächen
水洗水
脱脂
水洗
1
2
3
举例:
m = 10 ml/m2 表面 Co = 25 g/l Cx = 0.01 g/l 稀释比例=1:2500
LCD基板玻璃清洗条件
控制项目 清洗剂浓度测定: 每天进行一次
电导率法 酸碱滴定 - 总碱 定期添加 约5g/m2
LCD基板玻璃清洗条件
测试方法
水膜浸润度 扫描式电子显微镜(SEM) X光能量分散光谱仪(EDS)
颗粒残留

TFT-LCD 制程玻璃基板洗净原理介绍++

TFT-LCD 制程玻璃基板洗净原理介绍++

TFT-LCD 製程玻璃基板洗淨原理介紹Nixon Shen 作成(06.04.18)捷胤總合研究所前 言 依實際的TFT-LCD 製造工程流程,從化學氣相沉積(CVD)、微影(Photo)、蝕刻(Etch)、至濺鍍(Sputter)等製程多次重複循環,每一到製程步驟都是潛在性的污染源,可導致(Defect)的生成,造成元件特性失效。

日常見到的污染物如粒子(Particles)、無機物金屬離子(Metal Ions)、有機物雜質(Organic Impurity)、原生氧化薄膜(Native Oxide)和水痕(Water Mark)等因素,對元件的特性都會造成重大影響。

玻璃基板洗淨是TFT 製程中重複使用頻率最高的步驟,在每一道製程步驟之前都必須將玻璃基板表面清洗乾淨,以去除上述之污染物並控制基板表之化學性避免原生氧化物薄膜之生成。

隨著玻璃基板的尺寸愈來愈大,對基板表面的潔淨度要求也不斷提高。

玻璃基板洗淨的目的在於清除基板表面的髒污(Contamination)如圖二所示,如微粒、有機物及無機物金屬離子等雜質,因此必須確保基板在洗淨完成後其電性參數及特性,確保元件的品質與可靠度。

(圖二)要做到基板的洗淨,須先瞭解污染的來源,以及各種污染物在元件可靠度上的不同影響。

表三所列主要是以閘極氧化成完整性來分析考量,因閘極氧化層品質是決定電路之良率、可靠度與性能之關鍵製程步驟。

除了一開始玻璃基板原材料所產生的污染物之外,大部分的污染物是來自機器設備與製程環境。

雖然有不斷的洗淨設備被開發出來,但是最重要的還是避免在製造流程中污染玻璃基板原甚於在製程中將基板洗淨;因此製程設備、環境及材料均需隨時保持潔淨,並隨時監控機台有無微粒產生,長期觀察改善,以符合統計製程控制(Statistic Process Control ,SPC)之管制規格及停機標準。

表面反應化學平衡與作用力在基板洗淨的過程中,反應室周遭空氣、化學藥劑及DI water ,三態之間形成物理化學作用,如氣液態間、液固態間及液態溶液間各有其作用力之產生形成各種物理化學現象,造成基板表面反應平衡(Substance Surface Reaction Chemical Equilibrium)之J E I N.C O .L T D洗淨機制。

6.TFT-LCD制造技术-清洗技术

6.TFT-LCD制造技术-清洗技术
TFT-LCD 基础知识培训讲座
第三章 TFT-LCD制造技术
第一节 Array 工艺 第二节 Cell 工艺 第三节 Module 工艺 第四节 清洗工艺
第四节 清洗技术简介
4.1 4.2 4.3 清洗概述 Wet Cleaning Dry Cleaning
4.2 Wet Cleaning
RB(roll brush)目的及清洗原理: RB(roll brush):是利用高速旋转的滚刷配合特定的化学清 洗剂,对玻璃基板表面3µ m以上大小的灰尘进行去除的一种清洗 方法,在整个CELL工艺中应用极为广泛。其中滚刷的刷毛以尼龙 材质最为常见,所用化学清洗剂也以LH-300居多。生产中的主要 工艺控制点有:滚滚刷的旋转速度,旋转方向,SW的流量和压力 等等。主要的耗材包括:虑塞,滚刷。 RB设备构造示意图:
UV 5 flow UV 4
chamber
UV 3
UV 2
UV 1
照度控制模块
LK(leak inspect)
压力数字控制器
D D D D
flow
chamber
BJ nozzle
4.2 Wet Cleaning
AK(air knife)目的及清洗原理: AK(air knife):小尺寸的玻璃基板是使其本身高速的旋 转来进行脱水,但由于基板的大型化,这种方式渐渐被AK所 取缔。AK是一种专门针对大型玻璃基板的干燥方式,其主要 干燥过程是用slit 型的Nozzle喷出高压空气以形成一段空气 刀,对流过的玻璃基板进行干燥。主要的工艺参数有:slit nozzle的角度,空气的流量和压力,玻璃基板的传送速度。 主要的耗材有slit nozzle。 AK设备构造示意图:
flow
SW nozzle
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• 43•本文通过造成Panel污渍的原因分为光学性和电学性两类,分别对两类污渍的形成原因及机理进行阐述。

光学性Panel污渍为光线的传播方向或传播强度受到液晶分子旋光、异物及膜层差异引起变化导致,电学性Panel污渍为电场强度均一性受到电极间距、TFT 刻蚀残留及膜层差异导致。

1 前言大尺寸TFT-LCD作为当前显示领域的一个发展趋势,越来越受到投资者及面板厂家的推崇(钱玉娟,BOE(京东方)再创全球显示产业先河全球首条10.5代线在合肥投产:中国经济信息,2017;华星光电、CEC、鸿海、惠科都在建设10.5代TFT-LCD面板生产线:玻璃,2018)。

当然也不可避免的遇到投资高、回报周期长的先天特点,在生产中也会产生相对小尺寸产品更多的技术性难题。

对LCD产品的研究每年均有很多的研究成果报道出来(刘同海,梁晓桐,高章飞,等.双侧GOA驱动TFT-LCD的常见线不良研究:电子世界,2018;王绍华,吴飞,宣津,等.TFT-LCD工艺中角落白Mura的成因机理研究与改善:液晶与显示,2018;郭志轩,田亮,方业周,等.PCI结构TFT-LCD产品竖Mura不良机理分析及改善研究:液晶与显示,2018),为了更好的应对生产难题,需将小尺寸LCD产品中一些研究成果推广到大尺寸产品中。

Panel污渍,是在检测过程中Panel在不同灰阶下的一种灰度不均的现象,作为LCD 行业一种常见不良,仅有摩擦配向过程引入的异物这种模式被报道(韩君奇,刘利萍,张南红,等.Panel污渍分析及改善探究:液晶与显示,2017),其他一些相关原因均未见披露。

故本文针对一些常见的Panel污渍进行研究,以期推广到大尺寸产品应用中。

2 Panel污渍的分类TFT-LCD产品的显示是通过电场控制液晶分子的偏转使光线有选择性的透过(刘同海,高章飞,孙国防,等.ADS模式TFT-LCD 的显示原理研究:电子世界,2017),当不施加电场,Panel处于全黑画面下时,施加一束背光,正常情况下光线会被上、下偏光片遮挡,处于全黑状态;而光线无法遮挡时则会呈现出不同的灰阶,导致产生光学性Panel污渍。

最为常见的为配向膜异常,引起液晶分子的偏光效果与正常区域不同,为配向型Panel污渍;部分Panel 表面存在一些异物,会改变光线的传播方向,上偏光片无法将其遮挡,宏观上呈污渍状,导致表面型Panel污渍。

光线穿过阵列基板和液晶到达彩膜基板时,光线强度会大大降低,当彩膜基板异常时,光线的透过率不同,导致原材性Panel污渍,本质上属于光学性的一种。

在电场作用下,液晶分子出现偏转,偏转程度受电场控制,当异常区域的电场出现偏差,液晶分子对光线的旋光程度出现差异,导致产生电学性Panel污渍,常见于显示电极间距变大、TFT刻蚀残留及膜层的膜面蒸镀不均。

3 光学性Panel污渍3.1 配向型Panel污渍TFT-LCD的结构如图1所示,在阵列基板和彩膜基板均涂布一层配向膜,配向膜的作用是使液晶分子有序排布(范金强,PI成膜对液晶显示特性的作用,2014)。

为了确保液晶分子在电场作用下可以偏转,会通过摩擦配向膜提供分子活化能使高分子链而定向排列,使液晶分子形成起偏角,从而控制液晶分子方向。

图1 TFT-LCD结构图TFT-LCD的常见Panel污渍研究合肥京东方显示技术有限公司 刘同海 马 帅 郑明龙 马光和高章飞 孙国防 韩海滨• 44•黑态下液晶分子的规律性分布如图2a 所示,配向膜在其摩擦配向中,会产生少量的PI 碎屑、或引入其他的杂质异物残留在配向膜上(韩君奇,刘利萍,张南红,等.Panel 污渍分析及改善探究:液晶与显示,2017),清洗不彻底时如图2b 所示。

液晶分子的分布则会产生一定的变化,异物区域的液晶分子不能正常排列,偏光特性受到影响,光线照射时传播方向与正常区域不同,在黑态下的灰阶出现偏差,产生配向型Panel污渍。

图2 配向型Panel污渍示意图摩擦配向工序之后,会进行清洗工序去除配向膜表面异物,当基板进入清洗机,在滚轮的作用下从前往后依次前进,上方会有洁净水对基板进行冲洗,当设备出现异常或者前方基板前进方向出现异常时,清洗机内的基板会较长时间处于水流冲洗状态下。

配向膜作为一种高分子聚合物,受到施加的恒定外力时,材料的形变随时间而增大,进而破坏配向膜的膜层(吕锡慈,高分子材料的强度与破坏:四川教育出版社,1988),如图2c 所示,配向膜受损区域的液晶分子均无法正常配向,光线照射时改变光的传播方向产生配向型Panel 污渍。

3.2 表面型Panel污渍LCD 产品中的偏光片作用是将四处传播的自然光变成固定方向的直线偏振光,黑阶状态下,上下两片偏光片可将光线完全遮挡。

LCD 产品的制程工序较多,不可避免有异物粘附于玻璃基板的表面,如图3所示,贴上偏光片之后,异物会改变光线的传播方向,及偏光片变形引起直线偏振光方向的偏离,呈现表面型Panel污渍。

图3 表面型Panel污渍3.3 原材型Panel污渍一束背光照射时,经过阵列基板、液晶层、彩膜基板射出后,光线的强度逐渐降低,如图4a所示。

图4 原材型Panel污渍在彩膜基板上主要有RGB 色阻层、BM 、OC 层和PS 柱材,当OC 层或色阻层异常时,光线抵达彩膜基板时,光线的透过率和正常区域对比出现不同,导致彩膜基板射出后的光线强度与正常区域对比有所不同,显示出灰阶差异,宏观呈现为Panel 污渍。

4 电学性Panel污渍液晶分子在电场中所受的力矩如下所示(马群刚,TFT-LCD 原理与设计:电子工业出版社,2011):其中为液晶分子特性参数,d 为液晶盒厚,θ为液晶初始方向与电场方向的夹角,V AC 为电场电压。

当液晶分子、盒厚、配向均正常时,液晶分子的偏转取向力只受Common 电极和显示电极的电极差所决定。

如图4a 所示,施加电压后,Common 电极与显示电极形成电场,液晶分子偏转,在TFT 基板制程过程中,可能出现如图4b所示的异常情况。

图4 电学性Panel污渍液晶分子偏转所需的阈值电压如下所示(马群刚,TFT-LCD 原理与设计:电子工业出版社,2011):其中为液晶分子特性参数,d 为液晶盒厚,L 为显示电极间距,当显示电极间距增大时,阈值电压增大。

给Panel 输入(下转第47页)• 47•整合、过滤及筛选。

文献(王磊,陈青,高洪雨,马志广,张艳杰,何登森,基于大数据挖掘技术的智能变电站故障追踪架构:电力系统自动化,2018)基于大数据平台通过决策树对故障报警信息进行分类,并利用分布式决策树故障追踪算法,对保护或断路器的不正确动作进行反向追踪实现故障诊断。

多源信息融合的诊断结果相较于单一信息源的诊断结果准确度更高并且实时性更强,是面向信息物理深度融合的电网故障诊断未来发展的重要方向。

3.研究难点与展望实现大规模电网的在线故障诊断是智能电网调控一体化的研究热点和难点。

提高诊断结果的精度和效率一直是故障诊断算法的改进方向。

无论是基于开关量的方法还是基于电气量的方法,在大数据平台下,利用大数据挖掘技术进行多种方法混合以及多源信息融合仍将是未来的发展方向。

面向信息物理深度融合的电网故障诊断在未来的研究需重点关注以下几个方面:(1)基于人工智能的故障诊断方法虽然还存在一些不足,但其在知识提取和对不确定性信息的容错性能方面具有优势,并且人工智能方法也在不断更新和改进,未来仍将在故障诊断算法中发挥重要作用。

(2)借助先进的数据挖掘技术与人工智能方法相结合,提高训练样本分类、筛选、整合的效率,如何选择数据挖掘算法并进行效果评价是亟待解决的一个难点。

(3)人工智能算法通常适用于小规模电网,难以满足大规模电网在线故障诊断的时间需求,采用分布式诊断思维或者多智能体技术是目前解决这类问题的一个突破口。

对于分区域的电网或者分层级的多智能体,如何实现区域级或者层级间的协同诊断是未来研究的难点。

(4)基于电气量的数值分析方法面临PMU 难以全面覆盖的问题,需要研究考虑PMU 设置不足的基于电气量和基于开关量决策级融合的故障诊断方法,以提高电网在线故障诊断的精度和效率。

(5)在大数据平台下,构建基于多源信息融合的分布式并行计算架构,选用具有细粒度并行特性的数据挖掘算法和故障诊断算法,是实现大电网在线故障诊断的重要研究方向。

4.结语本文针对基于CPS 的电网故障诊断的研究现状进行了综述。

研究表明,基于单一故障信息源的故障诊断是难以完备的,利用多种故障特征信息的融合或者多种故障诊断方法的配合有助于提高故障诊断的精度和效率,也是未来研究的发展趋势。

基于大数据平台,对面向信息物理深度融合能源系统的大电网在线故障诊断进行了展望,探讨了需要解决的难点,并分析了该领域研究可能的发展方向。

作者简介:夏苏(1990—),女,湖北孝感人,硕士,现任32020部队助理工程师,研究方向为网络规划与管理。

(上接第44页)电压时,显示电极异常区域的阈值电压更大,当正常区域的液晶分子已经偏转透光时,异常区域液晶分子才刚刚开始偏转,Panel 表面呈现出灰阶的差异,宏观显示为Panel 污渍。

LCD 的显示电极为线性ITO 材料薄膜,显示电极电压由TFT 开关进行控制,TFT 开关位置处的栅极、绝缘层、Active 等膜层通过刻蚀工艺制作,在剥离光刻胶过程中,会存在剥离不彻底的状况,刻蚀残留物影响TFT 的开关特性。

正常区域内TFT 已正常开启,显示电极有电流通过,而异常区域内TFT 未正常开启,显示电极电压出现偏差,驱动液晶分子的偏转取向力不同,宏观上显示为Panel 污渍。

液晶分子的响应时间比充电时间长,充电结束后由Common 面电极与显示电极形成的平行板电容器提供电压驱动液晶分子的转动,电容公式如下:其中,ε为极板间介质的介电常数,S 为电容极板的正对面积,d 为电容极板的距离,k 则是静电力常量。

当膜面出现不均时,Common 面电极与显示电极之间的距离d 出现偏差直接影响到存储电容,驱动液晶分子转动的能力不同,宏观上显示为Panel 污渍。

5 结语光学性Panel 污渍为光线的传播方向或传播强度受到液晶分子旋光、异物及膜层差异引起变化导致,电学性Panel 污渍为电场强度均一性受到电极间距、TFT 刻蚀残留及膜层差异导致。

研究结果期望在大尺寸LCD 产品中借鉴应用,快速改善可能出现的Panel 污渍不良。

作者简介:刘同海(1991—),男,安徽合肥人,硕士研究生,现就职于合肥京东方显示技术有限公司。

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