电力电子学晶闸管及其基本电路

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电力电子学课后答案第九章

电力电子学课后答案第九章

9.1 AC/AC 直接变频、变压电源和AC—DC—AC两级间接变频、变压电源各有那些优缺点?答案答:晶闸管相控交流—交流直接变频器变换后,可以获得频率低于50Hz的变压、变频交流电源,这种直接变频的缺点是:只能降低频率,同时输出电压波形中含有较大的谐波,输入电流谐波严重且功率因数低。

AC—DC—AC两级间接变频、变压电源中,第Ⅰ级交流—直流整流变换电路可以根据不同的应用要求采用各种方案,第Ⅱ级直流—交流逆变器的输出频率可以是任意值,电压、频率可独立或协调控制,采用SPWM控制的变换器输出交流电压波形畸变率较小,直流电源中谐波电流也不严重且易于滤波(开关频率可以较高)。

答9.2 VVVF逆变器中如何实现电压—频率协调控制?案答:VVVF逆变器有许多不同类型的控制策略。

如恒定电压—频率比控制,恒气隙磁通控制,恒转子磁通控制等等,根据这些不同的控制策略,确定定子电压V1与频率f1之间的函数关系,就可实现电压—频率协调控制。

答9.3 说明典型UPS的工作原理。

案答:图9.3为一个典型的由整流和逆变两级变换器构成的在线双变换式UPS。

市电正常时,市电经输入变压器和充电器(一个小功率整流器)输出电压、电流可控的直流电给蓄电池充电,使蓄电池储备电能,同时市电经整流器实现交流—直流变换后向逆变器提供直流电,逆变器实现直流—交流变换后输出恒压、恒频的交流电,经静态开关S1对负载供电。

这时旁路静态开关S2断开,负载与市电之间无直接联系。

当市电供电异常时(过压、欠压、断电),控制系统(图9.3中未画出)断开输入开关S,切断市电与UPS的联系,蓄电池为逆变器提供直流电能,逆变器继续经静态输出开关S1向负载供电。

答案9.4 说明双变流器串、并联补偿式UPS的工作原理。

答:图9.4示出的双变流器串、并联补偿式UPS的原理图。

图中变流器Ⅰ和Ⅱ都是双向AC DC SPWM 变流器,其直流侧接蓄电池,变流器Ⅰ经电感L1和变压器T输出的电压?(电流IS)串接在电源电压和负载电压vL之间,称之为串联补偿变流器,它提供的补偿电压既抵消电源电压中的谐波v sh,又补偿基波电压v s1,使负载电压v L成为与电源基波电压v s1同相的正弦基波额定电压v R。

电力电子学电力电子变换和控制技术

电力电子学电力电子变换和控制技术
•P-MOSFET的工况可用其转移特性和输出特性表述:
•I•D
•I•D
•V•GS3=10
•Ⅰ •V•GS2=8•Ⅱ •Ⅲ
•V•GSth
•V•GS
•(d)转移特性
•V•GS1=4 •V•GS=0
•V•BR
•(e)输出特性
•V•DS
•图2.17 P-MOSFET特性曲线
电力电子学电力电子变换和控制技术
2.6 绝缘门极双极型晶体管IGBT
最大允许反向重复峰值电压 额定电流 最大允许的全周期均方根正向电流 最大允许非重复浪涌电流 最大允许的PN结结温和管壳温度 结-壳、壳-散热器热阻 反向恢复时间
电力电子学电力电子变换和控制技术
2.1.4 二极管的基本应用 ✓ 整流 ✓ 续流
电力电子学电力电子变换和控制技术
2.2 双极结型电力三极管
当正弦半波电流的峰值为Im时,它可用下式计算:
电力电子学电力电子变换和控制技术
二极管电流定额的含义 如手册上某电力二极管的额定电流为100A,说明:
允许通过平均值为100A的正弦半波电流; 允许通过正弦半波电流的幅值为314A; 允许通过任意波形的有效值为157A的电流; 在以上所有情况下其功耗发热不超过允许值。
电力电子学电力电子变 换和控制技术
2023/5/16
电力电子学电力电子变换和控制技术
2 半导体电力开关器件
•2.1 电力二极管 •2.2 双极结型电力三极管 •2.3 晶闸管及其派生器件 •2.4 门极可关断晶闸管GTO •2.5 电力场效应晶体管P-MOSFET •2.6 绝缘门极双极型晶体管IGBT •*2.7 *2.8 自学 •2.9 半导体电力开关模块和功率集成电路 •本章小结
小结

电力电子学晶闸管及其基本电路

电力电子学晶闸管及其基本电路
前者用于100A以下的元件,后者用于200A以上的元件(散热效果好)。
2) 内部结构 ——它是PNPN四层三端元件。
3) 符号(如图所示)
2. 工作原理 l 实验情况
1)晶闸管承受正向电压,开关S(控制极 )断开,此时电灯不亮,晶闸管关断。
2)在控制极与阴极之间再加上正向电压 (S接通),电灯发亮,晶闸管导通。
10.1.2 其它电力半导体器件
➢ 双向晶闸管 ➢ 可关断晶闸管 ➢ 功率晶体管 ➢ 整流二极管
1. 双向晶闸管(TRIAC)
l 特点 1) 三端子NPNPN元件; 2) 采用交流电源; 3) 相当于两只普通晶闸管反并联; 4) 双向控制,简化触发电路; 5) 成本低,可靠性好; 6) 主要应用于家用电器控制,调节交流电压。
IH
IH1120C 12IH2 25C
5. 型号及其含义(国产晶闸管)
3 CT /
U DRM
IT
可控整流元件
N型硅材料
例如:
三个电极
3CT50/500( 为50A, 为500V);
KP5-7(K—晶闸管,P—普通型,额定电流5A,额定电压700V)。
IT
U DRM
6. 判别管子的好坏 用万用表的欧姆档来判别管子的好坏。
3) (额定通态或正向平均电流,简称额定电流)——在环境温度不大
于40℃和标U准R散RM热及全导通时,晶闸管可以连续通过的工频正弦半波电流(
在一个周期内)的平均值。
U BR
“多少安的晶闸管”
IT
➢ 正弦半波电流的平均值
IT21 0 Imsi ntd (t)Im
➢ 正弦半波电流的有效值 ➢ 波形系数
l 符号(如图所示)
l 工作原理 1) 门极无信号时, 2) 导通条件:① ②

《电力电子技术》第2章 电力电子器件

《电力电子技术》第2章 电力电子器件
电力电子器件是基础 电能进行变换和控制是核心
2/89
上节课内容回顾
• 二、电力电子器件
1、概念:是指可直接用于处理电能的主电路中,实现 电能的变换或控制的电子器件。
2、特性:大功率、开关特性、驱动电路、损耗大,加散热
3、组成:主电路、控制电路、检测电路。。。。
4、分类:
1)控制程度:不控器件、半控器件、全控器件
12/89
2.1.3 电力电子器件的分类
■按照载流子参与导电的情况 ◆单极型器件 ☞由一种载流子参与导电。 ◆双极型器件 ☞由电子和空穴两种载流子参与导电。 ◆复合型器件 ☞由单极型器件和双极型器件集成混合而成, 也称混合型器件。
13/89
2.1.4 本章内容和学习要点
■本章内容 ◆按照不可控器件、半控型器件、典型全控型器件和其 它新型器件的顺序,分别介绍各种电力电子器件的工作 原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的 一些问题。
检测

电路

保护

电路

驱动ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
电路
V1 LR
V2
主电路
电气隔离
图2-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成
10/89
2.1.3 电力电子器件的分类
■按照能够被控制电路信号所控制的程度 ◆半控型器件 ☞主要是指晶闸管(Thyristor)及其大部分派生器件。 ☞器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电 流决定的。 ◆全控型器件 ☞目前最常用的是 IGBT和Power MOSFET。 ☞通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关 断。 ◆不可控器件 ☞电力二极管(Power Diode) ☞不能用控制信号来控制其通断。
■学习要点 ◆最重要的是掌握其基本特性。 ◆掌握电力电子器件的型号命名法,以及其参数和特性 曲线的使用方法。 ◆了解电力电子器件的半导体物理结构和基本工作原理。 ◆了解某些主电路中对其它电路元件的特殊要求。

电力电子技术第4章 晶闸管有源逆变电路

电力电子技术第4章 晶闸管有源逆变电路
17
第三节
三相桥式逆变电路
三相桥式逆变电路必须采用三相全控桥。其主 电路的结构与三相全控桥式整流电路完全相同,它 相当于共阴极三相半波与共阳极三相半波逆变电路 的串联,其逆变工作原理的分析方法与三相半波逆 变电路基本相同。因其变压器不存在直流磁势,利 用率高;而且输出电压脉动较小,主回路所需电抗 器的电感量较三相半波小,故应用较广泛。
24
二、晶闸管出现故障 如果晶闸管参数选择不当,例如额定电压选择 裕量不足;或者晶闸管质量本身的问题,使晶闸管 在应该阻断的时候丧失了阻断能力,而应该导通的 时候却无法导通。读者不难从有关波形图上进行分 析,从而将会发现,由于晶闸管出现故障,也将导 致电路的逆变失败.
25
三、交流电源出现异常 从逆变电路电流公式 可看出当电路在有源逆变状态下,如果交流电 源突然断电,或者电源电压过低,上述公式中的 Ud 都将为零或减小,从而使电流 Id 增大以至发生 电路逆变失败
21
输出电流的有效值为 晶闸管流过电流平均值为 晶闸管流过电流有效值为
22
第四节
逆变失败原因分析及逆变角的限制
电路在逆变状态运行时,如果出现晶闸管换流 失败,则变流器输出电压与直流电压将顺向串联并 相互加强,由于回路电阻很小,必将产生很大的短 路电流,以致可能将晶闸管和变压器烧毁,上述事 故称之为逆变失败,或叫做逆变颠覆。 造成逆变失败的原因很多,大致可归纳为下列 几个方面:
18
一、逆变工作原理及波形分析 三相桥式逆变电路结构如图 4.6(a)所示。 如果变流器输出电压 Ud 与直流电机电势 ED的极 性如图所标示(均为上负下正),当电势 ED 略大 于平均电压 Ud,则回路中产生电流 Id 为
19
图 4.6 三相桥式有源逆变电路

电力电子技术学习指导及习题

电力电子技术学习指导及习题

电力电子技术学习指导及习题课题一调光灯调光灯在日常生活中的应用非常广泛,本课题通过对与调光灯电路相关的知识:晶闸管、单相半波可控整流电路、单结晶体管触发电路等内容的介绍和分析。

使学生能够理解电路的工作原理,掌握分析电路的方法。

一、本课题学习目标与要求1.掌握晶闸管的结构、外形及符号;晶闸管的导通、关断条件;理解晶闸管可控单向导电的含义。

2.了解晶闸管的工作原理及阳极伏安特性。

3.理解并记住晶闸管主要参数的定义;晶闸管型号及其含义;能根据电路参数选择晶闸管。

4.会分析单相半波可控整流电路(电阻性、电感性负载)输出电压u d、电流i d和晶闸管两端电压u T的波形。

5.熟悉续流二极管的作用。

6.能计算单相半波可控整流电路(电阻性、电感性负载)下晶闸管可能承受的最大电压与流过晶闸管的电流有效值,正确选择晶闸管。

7.掌握主电路对触发电路的要求。

8.熟悉单结晶体管出发电路的工作原理、各环节组成及作用,并能通过实验进行调试,使之正常工作。

二、主要概念提示及难点释疑1.晶闸管导通、关断条件1)晶闸管导通条件:阳极加正向电压、门极加适当正向电压。

注意:阳极加正向电压是指阳极电位高于阴极电位,阳极电位可以是正也可以是负。

门极正向电压是指门极电位高于阴极电位。

2)关断条件:流过晶闸管的阳极电流小于维持电流。

可以通过降低晶闸管阳极-阴极间电压或增大主电路中的电阻。

2.晶闸管主要参数1)额定电压:用等级表示,选用管子时额定电压常常时实际工作时可能承受的最大电压的2~3倍。

2)额定电流注意:不同于通常电气元件以有效值来定义额定电流,而是以平均值来定义的。

选择管子时要用有效值相等原则即流过晶闸管实际电流的有效值等于(小于更好)管子的额定电流有效值。

3.单相半波可控整流电路工作原理及参数计算1)几个名词术语和概念控制角α:控制角α也叫触发角或触发延迟角,是指晶闸管从承受正向电压开始到触发脉冲出现之间的电角度。

导通角θ:是指晶闸管在一周期内处于导通的电角度。

第9章 晶闸管电路及其应用..

第9章 晶闸管电路及其应用..

二、晶闸管的主要参数
1. 晶闸管的电压参数
(1)正向转折电压UBO(Forward break over voltage)
在额定结温(100A以上为115℃,50A以下为100℃)和门 极开路的条件下,阳极和阴极间加正弦半波正向电压使器件由 阻断状态发生正向转折变成导通状态所对应的电压峰值。
(2)断态重复峰值电压UDRM(Blocking recurrence peak voltage) 指门极开路,晶闸管结温为额定值,允许重复施加在晶 闸管上的正向峰值电压。重复频率为每秒50次,每次持续时 间不大于10ms,其值为 UDRM = UBO—100V
(3)反向转折电压UBR 就是反向击穿电压。 (4)反向重复峰值电压URRM 指门极开路,晶闸管结温为额定值,允许重复施加在晶 闸管上的反向峰值电压。
U M和URRM中较小者,再取相应于标准电压等级 中偏小的电压值作为晶闸管的标称额定电压。在1000V以下, 每100V一个等级;在1000~3000V,则是每200V一个等级。为 了防止工作中的晶闸管遭受瞬态过电压的损害,通常取电压安 全系数为2~3,例如器件在工作电路中可能承受到的最大瞬时 值电压为UTM,则取额定电压UT=(2~3)UTM。 (6)通态正向平均电压UF
流),在不同的门极触发电流IG作用下经不同的转折电压UBO
和负阻区(电流增加,电压减小),到达正向导通状态(低 电压,大电流)。
正向导通特性和一般二要管的正向导通特性一样,门极
触发电流IG越大,转折电压UBO越低。
当IG=0时,晶闸管正向电压UAK增大到转折电压UBO前,器 件处于正向阻断状态,其正向漏电流随UAK电压增高而逐渐增 大,当UAK达到UBO时管子将突然从阻断状态转为导通状态, 导通后器件的特性与整流二极管正向伏安特性相似。 当通入门极电流IG且足够大时,正向转折电压降至极小, 使晶闸管像整流二极管一样,一加上正向阳极电压就导通,这

晶体管及其基本电路

晶体管及其基本电路

03
CATALOGUE
晶体管电路
放大电路
放大电路的基本原理
放大电路通过晶体管将微弱的 电信号放大,使其能够驱动更
大的负载。
放大倍数
放大倍数是衡量放大电路性能 的重要参数,它表示输出信号 与输入信号的比值。
输入电阻和输出电阻
输入电阻和输出电阻分别表示 放大电路对输入信号和输出信 号的阻碍作用。
频率响应
度和更低的能耗。
02
分子晶体管
分子晶体管是一种基于分子的电子设备,具有极高的集成度和极低的能
耗。研究人员正在探索利用分子晶体管制造超微型电子设备的可能性,
如生物医学传感器和量子计算机等。
03
纳米线晶体管
纳米线晶体管是一种基于一维纳米材料的电子设备,具有极高的电子迁
移率和机械灵活性。这种晶体管有望在柔性电子设备和可穿戴设备中得
石墨烯晶体管
石墨烯是一种由单层碳原子组成的二维材料,具有极高的电子迁移率和热导率。研究人员 正在研究将石墨烯应用于晶体管制造,以实现更快的开关速度和更高的稳定性。
纳米晶体管
01
纳米晶体管
随着纳米技术的不断发展,人们正在探索制造更小、更高效的纳米晶体
管。这些晶体管的尺寸在几纳米到几十纳米之间,能够实现更高的集成
晶体管及其基本电 路
目 录
• 晶体管概述 • 基本电路元件 • 晶体管电路 • 晶体管的应用 • 晶体管的未来发展
01
CATALOGUE
晶体管概述
晶体管定义
晶体管
晶体管是一种半导体电子器件,能够 实现信号放大、开关控制等功能。
晶体管由三个电极构成
基极(B)、集电极(C)和发射极( E)。
晶体管类型

电力电子技术-期末考试复习要点

电力电子技术-期末考试复习要点

电⼒电⼦技术-期末考试复习要点课程学习的基本要求及重点难点内容分析第⼀章电⼒电⼦器件的原理与特性1、本章学习要求1.1 电⼒电⼦器件概述,要求达到“熟悉”层次。

1)电⼒电⼦器件的发展概况及其发展趋势。

2)电⼒电⼦器件的分类及其各⾃的特点。

1.2 功率⼆极管,要求达到“熟悉”层次。

1)功率⼆极管的⼯作原理、基本特性、主要参数和主要类型。

2)功率⼆极管额定电流的定义。

1.3 晶闸管,要求达到“掌握”层次。

1)晶闸管的结构、⼯作原理及伏安特性。

2)晶闸管主要参数的定义及其含义。

3)电流波形系数k f的定义及计算⽅法。

4)晶闸管导通和关断条件5)能够根据要求选⽤晶闸管。

1.4 门极可关断晶闸管(GTO),要求达到“熟悉”层次。

1)GTO的⼯作原理、特点及主要参数。

1.5 功率场效应管,要求达到“熟悉”层次。

1)功率场效应管的特点,基本特性及安全⼯作区。

1.6 绝缘栅双极型晶体管(IGBT),要求达到“熟悉”层次。

1)IGBT的⼯作原理、特点、擎住效应及安全⼯作区。

1.7 新型电⼒电⼦器件简介,要求达到“熟悉”层次。

2、本章重点难点分析有关晶闸管电流计算的问题:晶闸管是整流电路中⽤得⽐较多的⼀种电⼒电⼦器件,在进⾏有关晶闸管的电流计算时,针对实际流过晶闸管的不同电流波形,应根据电流有效值相等的原则选择计算公式,即允许流过晶闸管的实际电流有效值应等于额定电流I T对应的电流有效值。

利⽤公式I = k f×I d = 1.57I T进⾏晶闸管电流计算时,⼀般可解决两个⽅⾯的问题:⼀是已知晶闸管的实际⼯作条件(包括流过的电流波形、幅值等),确定所要选⽤的晶闸管额定电流值;⼆是已知晶闸管的额定电流,根据实际⼯作情况,计算晶闸管的通流能⼒。

前者属于选⽤晶闸管的问题,后者属于校核晶闸管的问题。

1)计算与选择晶闸管的额定电流解决这类问题的⽅法是:⾸先从题⽬的已知条件中,找出实际通过晶闸管的电流波形或有关参数(如电流幅值、触发⾓等),据此算出通过晶闸管的实际电流有效值I,考虑(1.5~2)倍的安全裕量,算得额定电流为I T = (1.5~2) I /1.57,再根据I T值选择相近电流系列的晶闸管。

晶闸管整流电路 ppt课件(共88张PPT)

晶闸管整流电路 ppt课件(共88张PPT)

继续维持导通,直至L中磁场能量释
放完毕, VT承受反向电压而关断;
t
t
t
第二章 第 12 页
图2-2 带电感性负载的 单相半波电路及其波形
a)
u1
VT T
u VT u2
u2
b)
0
t1
ug
ωt2
c) 0
ud
+
d) 0 id
e)
0
u VT
f) 0
ωt2 ωt2
ωt2
id L
ud R
2
+
工作过程和特点: 请同学们思考: (a) L两端的电压何时变为上负 下正,如何简单判断? (b) id能否抵达2π点?为什么?
阐明:使用万用表直流档测量Ud即为该数值;
U2为电源电压有效值〔220V); α = π时,Ud=0,可见可以通过调整α 来调整Ud。
直流输出电压有效值U
(2-2U )2 1 2 U 2s it2 n d t U 24 1 s2 in 2
第二章 第 8 页
2.1.1 单相半波可控整流电路〔单相半波)
单相半波可控整流电路的特点:
线路简单、易调整,但输出电流脉动大,变压器二次侧电流中含直流 分量,造成变压器铁芯直流磁化; 实际上很少应用此种电路;
第二章 第 17 页
2.1.2 单相桥式全控整流电路〔单相全控桥)
简称为单相全控桥〔教材P24)
1. 电阻负载的工作情况 2. 晶闸 管 V T1 和V T 4组成一 对桥臂 , VT2和VT3组成。在实际的电路中,一 般都采用这种标注方法,即上面为1、3 ,下面为2、4。请同学们注意。

P=负载的电压有效值×负载的电流有效值

晶闸管及其触发电路简介

晶闸管及其触发电路简介

C3
12
13
14 15
R1 2
16
(1~ 6脚为6路单脉冲输入)
16
1
15
2
14
3
4
5
6
7
8
13
12
KJ0 4 1
11
10
9
(1 5 ~1 0脚为6路双脉冲输出)
至VT1 至VT2 至VT3 至VT4 至VT5 至VT6
电力电子技术 第5章
晶闸管的触发电路
交流开关及其应用电路
常规的电磁式开关在断开负载时往往有电弧产生, 触头易烧损、开断时间长;在运行过程中会产生噪音 污染环境等等。由电力电子器件组成的交、直流开关 具有无触头、开关速度快、使用寿命长等优点,因而 获得广泛的应用。
A
P1
N1
G
P2
N2
K
A
IA α1
P1N1P2
IC1
IC2
G
α2
N1P2N2
IK
K
A
G K
电力电子技术 第5章 晶闸管的触发电路
门极关断(GTO)晶闸管
2. 导通关断条件
A
G K
A
R
IA
P1N1P2
IG
α1
IC1
IC2
EA
G N1P2N2 α2
EG
IK
K
导通过程等效电路
导 通 与晶闸管相同,AK正偏,GK正偏。
电力电子技术 第5章 晶闸管的触发电路
第一节 单结晶体管触发电路
b2
e
VD Rb2 A
UD Rb1
UA

Rb2U bb Rb1 Rb2
Ubb

电力电子技术教案

电力电子技术教案

电力电子技术教案教案:电力电子技术教学内容:本节课的教学内容来自于《电力电子技术》教材的第四章,主要讲述了晶闸管的基本原理、特性及其应用。

具体内容包括晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要参数以及晶闸管的应用电路等。

教学目标:1. 使学生了解晶闸管的结构和工作原理,理解其伏安特性及主要参数。

2. 培养学生掌握晶闸管的应用电路,提高学生的实际应用能力。

3. 培养学生对电力电子技术的兴趣,激发学生继续学习的动力。

教学难点与重点:难点:晶闸管的伏安特性及主要参数的计算和理解。

重点:晶闸管的应用电路及其设计方法。

教具与学具准备:教具:多媒体教学设备、黑板、粉笔。

学具:教材、笔记本、荧光笔。

教学过程:一、实践情景引入(5分钟)1. 提问:同学们,你们在日常生活中是否遇到过需要控制电流方向的情况?二、知识讲解(15分钟)1. 教师简要讲解晶闸管的结构,通过多媒体展示晶闸管的图片,让学生直观地了解晶闸管的外观。

2. 教师讲解晶闸管的工作原理,通过示例电路图,让学生理解晶闸管的工作过程。

3. 教师详细讲解晶闸管的伏安特性及主要参数,通过示例题目,让学生学会计算和理解晶闸管的伏安特性及主要参数。

三、例题讲解(10分钟)1. 教师选取一道具有代表性的例题,进行讲解,让学生掌握晶闸管的应用电路设计方法。

2. 学生跟随教师一起完成例题,确保学生能够独立完成类似题目的计算和分析。

四、随堂练习(5分钟)1. 教师布置几道练习题,让学生在课堂上完成。

2. 教师巡回指导,解答学生的疑问,确保学生能够掌握晶闸管的应用电路设计方法。

五、课堂小结(5分钟)2. 教师强调晶闸管在电力电子技术中的应用,激发学生继续学习的动力。

板书设计:电力电子技术第四章晶闸管一、晶闸管的结构二、晶闸管的工作原理三、晶闸管的伏安特性四、晶闸管的主要参数五、晶闸管的应用电路作业设计:1. 请简要描述晶闸管的结构。

2. 请画出晶闸管的工作原理示意图。

3. 请计算一个晶闸管的伏安特性参数,并说明其意义。

电力电子第一章

电力电子第一章
I= 2π ∫
0
I m d (ωt ) =
3
当考虑2倍的安全余量时, 当考虑2倍的安全余量时,Im的允许值为
《电力电子技术》
Im =
3 × 78.5 A = 68A 2
4.晶闸管的其他参数 .
维持电流I 在室温和门极断开时, (1)维持电流 H 在室温和门极断开时,器件从较大的通态电流 最小电流称为维持电流。 降至维持通态所必需的 最小电流称为维持电流 。 它一般为 几毫安到几百毫安。 几毫安到几百毫安。 擎住电流I 晶闸管刚从断态转入通态就去掉触发信号, (2)擎住电流 L 晶闸管刚从断态转入通态就去掉触发信号,能 使器件保持导通所需要的最小阳极电流。 使器件保持导通所需要的最小阳极电流。 断态电压临界上升率du/ 在额定结温和门极开路情况下, (3)断态电压临界上升率 /dt 在额定结温和门极开路情况下, 不使器件从断态到通态转换的阳极电压最大上升率称为断态 电压临界上升率。 电压临界上升率。 通态电流临界上升率d / 在规定条件下, ( 4 ) 通态电流临界上升率 di/dt 在规定条件下 , 晶闸管在门极 触发开通时所能承受不导致损坏的通态电流最大上升率称为 通态电流临界上升率。 通态电流临界上升率。
《电力电子技术》
六、晶闸管的门极伏安特性及主要参数
和门极不触发电流I 1.门极不触发电压UGD和门极不触发电流 GD 门极不触发电压 不能使晶闸管从断态转入通态的最大门极电压称为门极 不触发电压U 相应的最大电流称为门极不触发电流I 不触发电压 GD,相应的最大电流称为门极不触发电流 GD。 门极触发电压U 和门极触发电流I 2.门极触发电压 GT和门极触发电流 GT 在室温下,对晶闸管加上6V 正向阳极电压时, 使器件由 在室温下, 对晶闸管加上 6 正向阳极电压时, 极电流称为门极触发电流I 断态转入通态所必须的最小门 极电流称为门极触发电流 GT, 相应的门极电压称为门极触发电压U 相应的门极电压称为门极触发电压 GT。 门极正向峰值电压U 门极正向峰值电流I 3.门极正向峰值电压 GM、门极正向峰值电流 GM和门极峰值功 率PGM 在晶闸管触发过程中, 在晶闸管触发过程中 , 不致造成门极损坏的最大门极电 压 、 最大门极电流和最大瞬时功率分别称为门极正向峰值电 门极正向峰值电流I 和门极峰值功率P 压 UGM、 门极正向峰值电流 GM 和门极峰值功率 GM。 使用时 晶闸管的门极触发脉冲不应超过以上数值。 晶闸管的门极触发脉冲不应超过以上数值。

第十章电力电子学晶闸管及其基本电路

第十章电力电子学晶闸管及其基本电路
23
结论: 不同波形的电流的平均值、有效值、波形系
数不同,所以,在不同电流波形时,所允许通过的 电流平均值不同。 思路:
额定电流IT为100A的晶闸管的含义: 额定通态平均电流
标准(或规定)条件:正弦半波电流 已知当前波形下的平均电流 利用Ie相等的原则换算成正弦半波波形下的平均 电流。
24
10.1 电力半导体器件--晶闸管
非常适合应用于直流电压为600V及以上的 变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照 明电路、牵引传动等领域。
28
10.1 电力半导体器件
10.1.2 其他电力半导体器件
3 绝缘栅双极晶体管IGBT
IGBT 的开关作用是通过加 正向栅极电压(C-E)形成沟道, 给PNP 晶体管提供基极电流,使 IGBT 导通。
正 弦半 波电 流的 平均 值
1
IT= 2
0
Im
sin td(t)
Im
有效值 Ie=
1
2
0
I
2 m
sin 2
td (t)
Im 2
波形系数 K= Ie 1.57 IT
20
4.晶闸管的主要参数
3) 额定通态平均电流(额定电流)IT
结论:
对于一个额定电流IT 为100A的SCR,其允许通 过的正弦半波电流的有效值为100K A,即157A。
(2)在t1~t2之间: uAK>0 ,由于开关S合上,
使ug>0,而 ud u2, 即晶闸管导通;
(3)在 t2~t3 之间, uAK<0,尽管ug>0, 但 ud=0,即晶闸管关断;
(4)在 t3~t4 之间, uAK>0,这时ug>0 ,而 ud u2 ,

第九章电力电子学晶闸管及基本电路

第九章电力电子学晶闸管及基本电路

10.9
第九章 电力电子学-晶闸管及基本电路
9.2 单相可控整流电路


9.2.2单相桥式可控整流电路 2.单相全控桥式整流电路 例9.1一台白炽灯泡调光电路,需要可调的直流电源,U0 =0~180V,电流I0=0~9A,采用半控桥式整流电路如图, 试求最大交流电压和电流的有效值,并选用元件。 解:设导通角θ=πα=0 U0=180V,I0=9A 有效值 U=U0/0.9=180V/0.9=200V I=U/RL=220/(180V/9A)=12.2A 平均电流Ivs=Iv=9A/2=5A
9.4 逆变器

9.4.1有源逆变器 2.逆变状态(π/2<α<π)
逆变条件:U d 与E的极性与整流状态相反, E Ud 逆变角

U d 1.17U 2 P cos
10.17
/ 6 / 2
第九章 电力电子学-晶闸管及基本电路
9.4 逆变器
第九章 电力电子学-晶闸管及基本电路
9.3 三相可控整流电路

9.3.2 三相桥式全控整流电路 共阴 Vs1, Vs3, Vs5, 共阳 Vs2, Vs4, Vs6
U d 2.34U 2 P cos
0 / 3
第九章 电力电子学-晶闸管及基本电路
可控整流电路(顺变器)小结
10.2 10.3
第九章 电力电子学-晶闸管及基本电路
9.2 单相可控整流电路

9.2.1单相半波可控整流电路 2.带电感性负载的可控整流电路
第九章 电力电子学-晶闸管及基本电路
9.2 单相可控整流电路

9.2.1单相半波可控整流电路 3.续流二极管的作用

机电传动控制10-晶闸管

机电传动控制10-晶闸管
10.1.1 晶闸管
晶闸管的外形:螺栓形和平板形两种
螺栓形带有螺栓的那一端是阳极A,它 可与散热器固定,
另一端的粗引线是阴极K, 细线是控制极(又称门极)G, 这种结构更换元件很方便,用于电流 较小(100A以下)的元件。
平板形,中间的金属环是控制极G,离控制极远的一面是阳 极A,近的一面是阴极K,这种结构散热效果比较好,用于电 流较大的元件(200A以上)
1.若只加UAK正向电压,控制极不加 触发电压,两三极管均不能导通,
即晶闸管不通。
A
ic2
i b2
2.当UAK > 0且UGK>0 时,晶闸 管迅速导通。 UGK开始加入时, T1首先导通,
ib1 = ig、 iC1 = ib1 ; 然后T2导
通, ib2= iC1 = ib1、
G
ig i b1
ic2 =ßib2 = ib1,此后T1进一步导通,
“-”接 K
逆向电压:“-” 接G
10-100Ω 50-500Ω
22
10.1.2其它功率器件
1.双向晶闸管 NPNPN
特点:控制极对于电源的两个半周 都有触发控制作用,即双方向均可 由控制极触发导通,相当于两只普 通的晶闸管反并联
23
2.可关断晶闸管(GTO)
PNPN
A
特点:
P1
A
1.GTO的控制极可以控制元件的导通
电流(称为正向漏电流)流过,
晶闸管阳极与阴极间表现出很
大的电阻,处于截止状态(称 为正向阻断状态),简称断态。
图中第一象限红色段曲线。
A G
K
(2)正向击穿:在控制极开路的情况下,当阳极 电压上升到某一数值时,晶闸管突然由阻断状

最新电子线路晶闸管ppt课件

最新电子线路晶闸管ppt课件
2. 电流参数
(1) 通态平均电流IT(AV) 通态平均电流IT(AV)简称正向电流,指在标准散热 条件和规定环境温度下(不超过40oC),允许通过工频 (50Hz)正弦半波电流在一个周期内的最大平均值。
(2) 维持电流IH 维持电流IH,指在规定的环境温度和控制极断路 的情况下,维持晶闸管继续导通时需要的最小阳极电 流。
(2) 电源电压u的负半周,在t2时刻(ωt2=180o+α)将 触发脉冲加到V1管的控制极,V1管被触发导通,此时 V2管承受反向电压而截止。当电源电压u过零时,V1管 自然关断,负载上获得的电压波形如图10.5(b)所示,
调节控制角α便可实现交流调压。
当控制角α=0o时,即为交流开关。
2. 直流开关 图10.6是一种能使连接在直流电源上的直流负载通、 断的电路。开关S合在A端使晶闸管V1接通,V2断开, 电容器C按图示的极性充电。然后当S倒向B端时,V2接 通,C上的电荷通过V2放电,使V1反向偏置而截止。
10.2晶闸管应用
10.2.1 晶闸管交直流开关 1. 交流开关 图10.5(a)所示是用两只普通晶闸管V1和V2反向
并联而组成的交流调压电路,其调压原理如下。
(a) 电路图
(b) 波形图
图10.5晶闸管交流调压
(1) 电源电压u的正半周,在t1时刻(ωt1=α ,α又称控 制角)将触发脉冲加到V2管的控制极,V2管被触发导通, 此时V1管承受反向电压而截止。当电源电压u过零时, V2管自然关断。
2.晶闸管的触发需要触发电路提供触发脉冲。一般情 况下,触发电路可由单结管组成。单结管具有负阻特性 ,与电容组合可实现脉冲振荡。改变电容充放电的快慢 (τ的大小),可改变第一个触发脉冲出现的时刻,从而控 制晶闸管导通的时刻,实现晶闸管可控。

常用电力电子器件介绍

常用电力电子器件介绍

G u GE
RC
IC
C
E
UC
图 2-5 IGBT的基本电路
功率场效应晶体管(MOSFET)
• 率场效应晶体管与场效应晶体管一样也是有三个
极,分别是源极S、漏极D和栅极G,管子的连接 及工作特性也基本与场效应晶体管一样。功率场 效应晶体管属于电压控制型器件,自关断能力强, 驱动功率很小,使用方便,开关频率比较高,无 二次击穿现象。功率场效应晶体管在存放和运输 中应有防静电装置,栅极不能开路工作,对于电 感性负载应有适当的保护措施。
果好,而交流电机结构简单但调速效果一 般,随着大功率可控整流器件的出现使得 交流调速进入了实际应用的阶段。
晶闸管(Thyristor)的结构及工作原理
• 晶闸管(Thyristor)俗称硅晶体闸流管。晶闸
管通常有普通晶闸管、双向晶闸管、可关 断晶闸管、逆导晶闸管和快速晶闸管等。 普通晶闸管也叫可控硅,用SCR表示,国际 通用名称为Thyristor简称T。
两个晶体管相互复合,当有足够的门极电流Ig时,就会形成强烈的正反馈,即
• 此时两个晶体管迅速饱和导通,即晶闸管饱和导通。 • 若要关断晶闸管,则应设法使晶闸管的阳极电流减小到维持电流以下。
A
A
A
G
P1
P1
J1
N1
N1
N
J2
G
P2
P2
P2
Ia
Ic1 G
PNP Ib1 Ica
R Ic2
N2
J3
N2
Ig
• 1.晶闸管的导电特性:单向导电特性和正向导通的可控性。 • 2.晶闸管的导通条件: • (1)晶闸管的阳极-阴极之间加正向电压。 • (2)晶闸管的门极-阴极之间有正向触发电压,且有足够的触发电流。 • 3.维持电流:保持晶闸管导通的最小阳极电流。 • 由图2.2(c)可知,每个晶体管的集电极电流是另一个晶体管的基极电流。
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KP5-7(K—晶闸管,P—普通型,额定电流5A,额定 电压700V)。
6. 判别管子的好坏 用万用表的欧姆档来判别管子的好坏。
表10.1 用万用表测试晶闸管各管脚之间的电阻
测试点 A—K
A—G
表内电池极性 顺向或逆向
同上
测量范围 R×1000
同上
测试结果
高电阻 (表针不动)
同上
K—G
顺向:G “+”,K “-” 逆向:G -”,K “+”
1) 它与半控桥的区别:
l 四只全是晶闸管。 l 每半周期要求触发两只晶闸管。 l 电感性负载(无续流二极管)时,输出电压的瞬时值出
现负值。
U d
2
2
2U 2 sin td ( t) 0.9U 2 cos
0
2
l 电阻性负载时,不比半控桥整流优越,一般采用半控桥 线路。
l 主要用于正反向逆变电路中。
均值分别为:
U d
1
2
2
U
2
sin
td
(
t
)
0.45U
2
1
cos
2
Id
Ud R
0.45U 2 1 cos
R2
4) , U d Id ,达到可控整流的目的。
2. 电感性负载 如:各种电机的励磁线圈等。
分析:
1) 电感阻碍电流变化( eL —自感电势或反电
动势)。
2) eL 大于电源负电压,晶闸管继续导通,也
“多少安的晶闸管”
➢ 正弦半波电流的平均值
IT
1
2
0
Im
sintd (
t)
Im
➢ 正弦半波电流的有效值
Ie
1
2
0
I
2 m
sin 2 td (t)
Im 2
➢ 波形系数
K Ie 1.57
IT 2

Ie 1.57IT
一般按
IT
(1.5 ~ 2) Ie 选晶闸管(
1.57
I
' e
——实际电流有效值)
2) 动态特性较好,关断时间较短。 1μs / (5 ~ 30) μs
3) 主要用于直流调压和直流开关电路。 4) 电路简单,工作频率高。
l 符号 与晶闸管相似。
3. 功率晶体管(GTR)
(300A,100V或100A,300V)
l 特点
1) 可在高电压和强电流定额下使用;
2) 正向导通压降(0.3 ~ 0.8)V,功率损耗 较晶闸管(≈1V)小;
维持电流
I

H













流)——当电流小于 IH 时,从导通状态转化正向阻断
状态。
4) 反向阻断状态——阳极加反向电压时,反向漏
电流很小。当反向阳极电压增加到某一数值时,反向漏
电流
,这时对应的电压值称为
U
(反向不重复峰
RSM
值电压)或
U
(反向转折电压,反向击穿电压)。
BR
注:晶闸管的反向伏安特性与二极管反向特性类似。
2) 导通状态——正向阳极电压上升到某一定值, I g , 晶闸管突然变为导通状态。这时阳极电压称为断态不重复峰值
电压(
U
DSM
)或正向转折电压(
U
)。
BO
I
↑,
g
U
↓,晶闸管容易导通。
BO
注:在晶闸管的阳极与阴极之间加上6V直流电压,使元件导通
的控制极最小电流(电压)称为触发电流(电压)。
3)
注意:在全控桥中元件承受的最大正、反向电压仍是 2U。2
2) 电感性负载时工作状况:
l u12 为正,瞬时 t1 ,VS1、VS2 导通。当 u12 = 0 时,L 上反电势作用,VS1、VS2继续导通,直至 u12 为负。
l u12 为负,即 u21 为正,对应瞬时 t2 ,VS3 、VS4 导通, VS1、VS2关断。当 u21 = 0 时,VS3、VS4继续导通到触
注:它相当于一只开关。
作业: P:276 10.1,10.3~7
10.2 单相可控整流电路
由晶闸管组成的可控整流电路类似于二极管整流电路。 它可分为单相半波、单相桥式、三相零式(半波)、三相 桥式。
10.2.1 单相半波可控整流电路
特点: ① 应用较少,电路简单,调整容易。 ② 直流输出电压低,脉动大。
l 符号(如图所示)
l 工作原理 1) 门极无信号时, MT1、 MT2不导电。 2) 导通条件:① MT2"+" , MT1"-",G "+" ② MT2 "-", MT1"+",G "-"
l 电压波形图(如图所示)
2. 可关断晶闸管(GTO)
l 特点 1) 控制极控制元件的导通和关断,所需
控制电流较大。 20 m A / 30μA
1. 电阻性负载
分析:
1) —控制角(晶闸管元件承受正向电压起始
点到触发脉冲作用点之间的电角度),
—导通角(晶闸管在一周期时间内导通的
电角度),
, , 。
2) 最大正向、反向电压为 2U(2 电源变压器副
边电压 u2 2 U 2 sin t 的最大值)。
3) 负载(输出直流)电压平均值、负载电流平
5)晶闸管导通后(情况2),如果控制极 电压加反向电压,不论阳极电压是正或负, 电灯均不亮,晶闸管关断(阻断)。
说明:可用灯泡 代替电阻RL。
l 结论
1)晶闸管导通条件:阳极加正向电压,控制极也加正向 电压。
2)控制极只需加正触发脉冲电压。 3)具有可控单向导电性(正、反向阻断能力)。
l 导通原因
——新型大功率半导体器件,也称可控硅。 1. 基本结构
1) 外形
• 螺栓形 螺栓一端是阳极A,另一端粗线是阴极K,细线是控制极(门极)G。
• 平板形 中间金属环是控制极G,远的一面是阳极A,近的一面是阴极K。
前者用于100A以下的元件,后者用于200A以上的元件 (散热效果好)。
2) 内部结构 ——它是PNPN四层三端元件。
1) 等效为PNP型和NPN型两个晶体管的组合。
2) 阳极和控制极均加正向电压时,I g 经 VT2 放大,集
电极电流为 2I g( VT1 基极电流),又经 VT1放大, VT1 集电
极电流为
1
2
I
(即
g
VT2
基极电流),再次放大,循环往复,
直至导通为止(“触发导通过程”——微秒级)。
3) 晶闸管导通后, VT2 基极电流

I
(控制电流)大得多,故去掉
g
ug ,
晶闸管仍导通。
4) 阳极加反向电压,无放大作用,
晶闸管不导通;控制电压反向或未加
入,不产生起始
I

g


管也不导通

3.伏安特性
晶闸管的伏安特性——晶闸管的阳极电压与阳极电流 的关系。
1) 截止状态(正向阻断状态)——阳极加正向电压,门
极开路( I g =0),电流很小,电阻很大,称为正向漏电流。
R×1 R×1
10 ~ 100 50 ~ 500
注意:当A—K间为高阻值,而K—G间逆向电阻大于顺向电 阻时,管子良好。
10.1.2 其它电力半导体器件
➢ 双向晶闸管 ➢ 可关断晶闸管 ➢ 功率晶体管 ➢ 整流二极管
1. 双向晶闸管(TRIAC)
l 特点 1) 三端子NPNPN元件; 2) 采用交流电源; 3) 相当于两只普通晶闸管反并联; 4) 双向控制,简化触发电路; 5) 成本低,可靠性好; 6) 主要应用于家用电器控制,调节交流电压。
4) 反电势负载
分析: (a)导通条件:
l 电源电压大于反电势; l 有触发脉冲。
(b) Ud 比 电 阻 性 负 载
大,
Id
Ud E。
R
(c)电流的幅值与平均值之比
相当大,必须降低电流定额
使用。
(d)对大容量电动机或蓄电池 负载,常串联电抗器L(用 以平滑电流的脉动)。
2. 单相全控桥式整流电路
就是说,导通角 。
3) 负 载 电 感 , , 负 载 负 ( 反 向 ) 电
压 , U d Id ,满足不了负载的要求。
3. 续流二极管的作用(大电感性负载)
分析:
1) 负载两端并联一只二极管。
2) 电流电压过零变负时,续流二极管导通,晶闸 管自行关断(无电流流回电源)。
3) 负载两端电压为二极管管压降,接近于零(电 感放出能量消耗在电阻上)。
4. 主要参数
1) UDRM(断态重复峰值电压)——在控制极断路和晶 闸管正向阻断时,可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电 压,它比 U BO 小100V。
“多少伏的晶闸管”
2) U RRM(反向重复峰值电压)——在控制极断路时, 可以重复加在晶闸管两端的反向峰值电压,它比 UBR 小 100V。
3) IT(额定通态或正向平均电流,简称额定电流)— —在环境温度不大于40℃和标准散热及全导通时,晶闸管 可以连续通过的工频正弦半波电流(在一个周期内)的平 均值。
半导体器件发展
集成电路方面 — —微电子学(弱电子学) 电力半导体器件方面 — —电力电子学(强电子学)
A. 电力电子学的任务
利用电力半导体器件(如:晶闸管)和线路来实现电 功率的变换和控制。
晶闸管(Silicon Controlled Rectifier简称SCR, 1957年)在弱电控制与强电输出之间起桥梁作用。
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