4 微波电子线路

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微波电子线路大作业

微波电子线路大作业

微波电子线路大作业学号:000000姓名:111111一、PIN管微波开关1、PIN管基本特性1、直流电压作用下的特性在零偏置下,I 层完全耗尽,反偏等于或大于电压时,I 层完全耗尽。

在零偏与反偏下,PIN管均不能导通,呈现大电阻。

正偏时,分别从两端向I 区注入载流子,他们到达中间区域复合。

PIN管一直呈现导通状态,偏压(流)越大,载流子数目越多,正向电阻越小。

2、交流信号作用下的阻抗特性频率较低时,正向导电,反向截止。

具有整流特性频率较高时,正半周来不及复合,负半周不能完全抽空,I 区总有一定的载流子维持导通。

小信号时I 区的载流子少,大信号时I 区的载流多。

所以,高频大信号时电阻大,小信号时小信号时电阻小。

3、交直流电压作用下的特性I 区的载流子决定于偏压,与微波信号关系不大。

管子阻抗完全决定于偏压。

正偏时,改变I0 可以调整Rf ,反偏时,高频信号再大,也不导通。

按功能分有两种:通断开关和转换开关;按PIN 管与传输线的连接方式分为串联型、并联型和串并联型;从开关结构形式出发可分为反射式开关、谐振式开关、滤波器型开关、阵列式开关等。

单刀单掷开关基本原理如果PIN管正、反偏时分别为理想短路和开路,则对上图(a)的串联型开关来说,PIN管理想短路时,开关电路理想导通;PIN管理想开路时,开关理想断开。

对(c)图的并联型开关来说,情况相反,PIN管短路,对应开关断开;PIN管开路,对应开关导通。

由于封装参数的影响,对于单管开关无论是串联型还是并联型,都只能在固定的某几个较窄的频率区间有开关作用,而实际工作频率常常不在这些区域。

为了扩展开关的工作模区,改善开关性能,有的直接把管芯做在微波集成电路上;也有采用改进的开关电路,其中常用的有谐振式开关、阵列式开关和滤波器型开关。

单刀双掷开关开关指标开关时间:τ为载流子寿命,I0为正向电流,IR为反向电流,IR↑,ts↓,功率容量:并联开关:导通时P dn1 = (Z02R f )/24Z0 R f P dm截止时P dn3 =V B2 /2Z0串联开关:导通时P dn 2 =(2Z0R f )2 / 4Z0 R f P dm截止时 P dn 3= V B 2 / 8Z 0当频率升高时,串联或并联一只PIN 管的开关,其性能指标将恶化,因此,可采用多个二极管级联,以提高开关性能。

《微波电路》课件

《微波电路》课件
高频段、大带宽
随着信息技术的不断发展,微 波电路的工作频率和传输带宽
也在不断增大。
集成化、小型化
随着微电子技术的发展,微波 电路的集成化程度越来越高, 体积越来越小。
多功能化
微波电路正向着多功能化的方 向发展,如同时处理多种信号 、实现多种功能等。
低成本、低功耗
随着市场竞争的加剧,低成本 、低功耗的微波电路成为研究
测试技术
微波电路的测试包括信号源测试、接 收机测试和系统测试等。信号源测试 主要是测试信号源的频率、功率和调 制等特性;接收机测试主要是测试接 收机的灵敏度、动态范围和抗干扰能 力等特性;系统测试主要是将微波电 路与其他系统进行集成测试,验证整 个系统的性能和功能。
05
微波电路的典型应用案例
微波通信系统中的微波电路
微波电路与生物医学工程 的融合
生物医学工程中的无损检测、生物传感器等 技术需要利用微波电路进行信号传输和处理 ,这种交叉融合有助于推动两个领域的共同
发展。
THANKS
感谢观看
系统误差
系统误差是由测量系统的硬件设备、线路损耗、连接器失 配等因素引起的误差。这些误差可以通过校准和修正来减 小。
方法误差
方法误差是由测量方法本身引起的误差,如信号源的频率 稳定度、测量接收机的动态范围等。这些误差可以通过选 择合适的测量方法和条件来减小。
微波电路的调试与测试技术
调试与测试的重要性
新型微波半导体材料
新型微波半导体材料如宽禁带半导体材料(如硅碳化物和氮 化镓)具有高电子迁移率和化学稳定性,为微波电路的发展 提供了新的可能性。
新型微波器件在微波电路中的应用
新型微波电子器件
随着微电子技术的不断发展,新型微波 电子器件如微波晶体管、微波集成电路 等不断涌现,这些器件具有体积小、重 量轻、可靠性高等优点,在雷达、通信 、导航等领域得到广泛应用。

微波电子线路总复习

微波电子线路总复习
步骤 (1)在圆图上找到 S2*2 所对应的点A
g
(2)沿过A点的等反 射系数圆向负载旋 转交实轴于C点, 转过的长度即为l3
向电源
向负载
C点对应的阻抗为0.45
第32页/共40页
B
lB0.012
A..
rA0.45
第33页/共40页
非归一化值为 0.45 50 22.5 所以,四分之一波长阻抗变换器的特性阻抗为
各级波形
谐振电路
输出滤波
Nf1
负载
T1
T1
T1
TN
第13页/共40页
原理电路图
Cb
LM
LCH
Rg
Lb
CM
Vs
Rb
L CT
信 源 偏置 匹配 激励
电路 电路 电感
l1
Cc
l2
Cd RL
谐振电路
输出滤波器 负 载
脉冲发生器
Lb LCH 高频扼流圈
Cb Cc Cd 隔直流电容
Rb 自给偏压电阻 L 激励电感
扫描电路
第24页/共40页
6.负阻振荡器的噪声和频率稳定度 提高频率稳定度措施(腔体稳频、注入锁相)
第25页/共40页
第五章 微波晶体管放大器和振荡器 1.微波晶体管的S参数 2.微波放大器的增益、稳定性和噪声系数 三种功率增益、稳定性的概念及判定方法、二端口网络的 噪声系数的一般表达式、等噪声系数圆
信号输入
(3) 双平衡混频器
fs
D4
D3
fL
D1
D2
第7页/共40页
微带双平衡混频器
正面
背面
第8页/共40页
4.镜像回收和镜像抑制 镜像回收:使混频器产生的镜频功率重新利用,使其变为 中频功率,从而使在中频端口的中频信号得到加强,降低 变频损耗。 镜像抑制:抑制外来的镜频干扰,使其不能进入混频器。 镜像回收和镜像抑制在概念上是不同的,但是在改善接收 机灵敏度上是一致的。

微波电子线路

微波电子线路

微波电子线路总结一、基于肖特基势垒二极管的混频器1、PN结简介:PN结的定义:在一块本征半导体中,掺以不同的杂质,使其一边成为P型,另一边成为N型,在P区和N区的交界面处就形成了一个PN结。

PN结的形成(1)当P型半导体和N型半导体结合在一起时,由于交界面处存在载流子浓度的差异,这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。

但是,电子和空穴都是带电的,它们扩散的结果就使P区和N区中原来的电中性条件破坏了。

P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子,N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。

这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷,它们集中在P区和N区交界面附近,形成了一个很薄的空间电荷区,这就是我们所说的PN结,如图1所示。

(2)在这个区域内,多数载流子或已扩散到对方,或被对方扩散过来的多数载流子(到了本区域后即成为少数载流子了)复合掉了,即多数载流子被消耗尽了,所以又称此区域为耗尽层,它的电阻率很高,为高电阻区。

(3)P区一侧呈现负电荷,N区一侧呈现正电荷,因此空间电荷区出现了方向由N区指向P区的电场,由于这个电场是载流子扩散运动形成的,而不是外加电压形成的,故称为内电场,如图2所示。

(4)内电场是由多子的扩散运动引起的,伴随着它的建立将带来两种影响:一是内电场将阻碍多子的扩散,二是P区和N区的少子一旦靠近PN结,便在内电场的作用下漂移到对方,使空间电荷区变窄。

(5)因此,扩散运动使空间电荷区加宽,内电场增强,有利于少子的漂移而不利于多子的扩散;而漂移运动使空间电荷区变窄,内电场减弱,有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。

当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时,交界面形成稳定的空间电荷区,即PN结处于动态平衡。

PN结的宽度一般为0.5um。

PN结的单向导电性PN结在未加外加电压时,扩散运动与漂移运动处于动态平衡,通过PN结的电流为零。

(1)外加正向电压(正偏)当电源正极接P区,负极接N区时,称为给pN结加正向电压或正向偏置,如图3所示。

微波电子线路(雷振亚)3-9章 (4)

微波电子线路(雷振亚)3-9章 (4)

第6章 微波振荡器
功率合成器的主要指标是输出功率PC和效率ηC。它们与 器件在腔内的阻抗、场的耦合、腔的有载品质因数、损耗等均
下面简单介绍各种形式的功率合成器。 1. 1971年KuroKawa和Magalhaes提出了谐振腔合成器的设想, 并由Hamilton成功地制作了毫米波功率合成器,它的结构示意 图如图6-10所示。在矩形谐振腔内放置3 M或2 M个雪崩二极管, 器件装入同轴线内。同轴线内有匹配装置和吸收负载,将它们 垂直插入波导宽边,矩形腔一端短路,
第6章 微波振荡器
图 6-2 体效应管微带振荡器的两种形式 (a) 半波长谐振器调谐的体效应管微带振荡器; (b) 体效应管微带振
荡器
第6章 微波振荡器
图6-3为一种单片雪崩二极管振荡器的电路图。 这里的雪 崩二极管没有封装,管芯直接置于微带腔内。 一段低阻抗微 带线作为谐振腔,它的一端通过交指型电容与负载相连,器件 的另一边是由一段λg/4终端开路微带线构成的直流偏置电路
第6章 微波振荡器
另一端有电感膜片作为输出窗口,同轴线应处于电场或磁场最 强的位置,每个同轴线之间相距λg/2,距离腔的终端约为 λg/4,谐振腔内振荡模式为TE10M。 另一种形式的谐振腔为圆 柱型功率合成器。1973年Harp和Stover提出了用圆柱形腔和器 件组合构成功率合成器,如图6-11所示。雪崩二极管装入同轴 线内,将其垂直插入圆柱腔内,并均匀分布于圆腔周围。腔内 振荡模式为TM010,腔内场与同轴线内导体的磁耦合最强,器件 正处于电场最强的地方,能产生最大的功率,合成后通过圆腔 中心的圆棒耦合输出。
所以短路线的长度l可由下式求得:
第6章 微波振荡器
BL
BD
Y0
2π ctg(

微波电子线路课程教学设计

微波电子线路课程教学设计

微波电子线路课程教学设计摘要微波电子线路课程是一门电子专业的专业基础课。

对微波电子线路课程的教学进行研究和探讨,教学实践证明其有效性。

关键词微波电路;教学实践;教学效果中图分类号:g642.4 文献标识码:b 文章编号:1671—489x(2012)30—0056—021 课程特点微波电子线路课程是一门研究在微波频段工作的电子器件及其电路组成的专业基础课。

微波电子线路一般泛指构成微波系统中各种功能模块的元器件与电路结构,也称为微波有源电路。

随着微波半导体材料技术和工艺水平的发展,先后出现半导体二极管、砷化镓金属半导体场效应管、pin二极管和变容管等微波半导体器件,并在微波系统中获得广泛的应用。

这种以半导体为核心组成的微波电子线路称为微波固态电路。

在微波半导体器件发展的同时,又研制出微波混合集成电路(mic)和单片微波集成电路(mmic),同时,低噪声集成电路、大规模和超大规模微波集成电路发展迅速,中功率微波发射机实现固态化,但是大功率微波振荡和放大必须依靠微波电真空器件,比如行波管、速调管、磁控管等。

这些微波器件在雷达、通信、导航、卫星地面站等得到广泛应用。

微波电子线路课程所学习的内容具有应用广泛、技术难度高、内容更新较快的特点,这要求微波电子线路课程的教学要不断地探索和研究,以适应微波频段电子装备教学和工作的需要。

该课程的学习可以采用微波技术的分析方法,从电磁场的角度去分析,但是比较复杂;也可以等效成电路去分析,这是习惯的分析方法,在分析过程中做一些等效和近似在工程上是允许的,是不影响本质的。

学习过程中强调物理概念原理分析、重视实践能力的培养以及最新技术发展在课程中的体现。

教学方法体现启发性,重视知识能力、素质的协调发展,注重实践能力和创新能力的培养。

2 教学内容设计根据人才培养方案的要求,该课程教学时间为30大纲学时。

依据该课程的课程标准、课程设计,理论教学20学时,实践学时10学时;授课方式上采用理论和实践相结合的教学方式,理论教学上突出岗位任职所需的基础理论,借助实际微波器件的应用介绍,分析微波电子器件和微波设备的发展前景。

微波电子线路大作业讲解

微波电子线路大作业讲解

微波电子线路大作业第一部分1-1 噪声系数定义一、表征单口网络噪声(噪声源)的参数1. 热噪声功率,1928年,尼奎斯特在热力学统计理论分析和实验研究的基础上,导出电阻热噪声电压均方值的表达式kTRB U n 42= (.1-1)式中,k =1.38×9-23(J/K)为玻耳兹曼常数;T 为电阻温度(K);R 为电阻值(Ω);B 为测试设备的通频带(Hz)。

这就是尼奎斯特定理。

2n U 表示在带宽B 内,处于热力学温度T 的电阻R 所产生的热噪声开路电压均方值。

若用等效源表示,可将一个热噪声电阻用等效为一个无噪声电阻R 与一个噪声电压源2n U 串联而成的等效电压源;或等效为一个无噪声电导G 与一个噪声电流源2n I 并联组成的等效电流源,kTGB R U I n n 4/222==。

当几个电阻串联时,采用等效电压源较方便;并联时,采用等效电流源较方便。

当接入负载电阻R L =R 时,温度为T 的电阻R ,在带宽B 内产生的资用噪声功率是kTB R R U N n =⋅=22)2( (.1-2) 热噪声是一种随机过程,通过傅里叶分析知,其频率分量是连续、均匀的频谱分布,称为白噪声。

由式(.1-2)得出资用热噪声功率的谱密度为kT W n = (W/Hz) (.1-3)上式表明,电阻输出的单位带宽资用噪声功率只与热力学温度(K)二、表征双口网络(放大器、混频器等)噪声的参数1. 等效输入噪声温度:一个实际双端口网络(线性或准线性),设网络增益为G ,其输出端产生的总噪声功率N out 应为网络输入端电阻R i 产生的噪声功率N i 和网络内部噪声功率在输出端的贡献之和。

将实际网络用理想网络代替,把网络内部噪声折合到输入端,用等效输入噪声功率N e 和等效输入电阻R e 来表示。

则N e 通过理想网络传输到输出端所贡献的噪声功率,将与网络内部噪声功率在输出端的贡献相等。

如图.1-1所示。

微波电子线路第二章 接收机和发射机结构v3 75页PPT文档

微波电子线路第二章 接收机和发射机结构v3 75页PPT文档
难点——已调信号载频高、信道窄 ③ 接收机的灵敏度和线性动态范围 ④ 发射机的高效率不失真的功率放大器 ⑤ 限制发射信号对相邻信道的干扰
⑥ 天线收发转换器的损耗小,隔离性好
超外差接收机
超外差式接收机
1. 单次变频超外差接收机方案 IF
工作过程:从天线接收的信号经过射频带通滤波器,滤 去带外干扰并压缩镜像信号后,经低噪声放大器线性放大后 与本地振荡信号进行混频,下变频为一固定中频信号,再通 滤波、中频放大后提取出有用信号进行解调。
890 ~ 915MHz(移动台发、基站收) 935 ~ 960MHz(移动台收、基站发) 200KHz
特点: 信道带宽 远比 载频小
结果:射频段选择信道非常困难
要求滤波器Q值极高
措施:降低频率选信道
射频段选择频带
降为中频、选择信道
超外差接收机
(2)为使接收机达稳定的高增益
天线输入电平约为-100 ~ -120dBm ( V 级) 要求增益大于
带通滤波器,通带中心频率与有用信号频率相同, 而镜像频率位于阻带范围内,阻带衰减率就是对镜 像信号的抑制率
在恶劣接收环境中镜像信号的抑制率要达到6070dB
高的品质因子(50甚至更高)、很高的阶数(甚至 到6阶),难以集成
超外差接收机-镜频干扰
中频频率的选择
为了减轻对镜像抑制滤波器的 要求,可以将固定中频频率提 高,以加大镜像信号与有用信 号之间的频率间隔,减缓对滤 波器抑制率的要求
超外差接收机
发射和接收过程中的频率搬移都用混频来实现 混频的时域分析
输入信号与本地振荡信号(Local Oscillator)在时域相乘:
例如:
混频器(Mixer)
输入信号x(t)=ARFcos(RFt), x(t)

微波电子线路第三章上

微波电子线路第三章上

相当于前面线性分析中加在混频 二极管上的电压只有三个:信号 电压、镜频电压和中频电压,因 此混频器是三端口网络。
Y混频器电路原理图
微波频率变换器
Y混频器的电路方程表示为:
I1 I0
I1
y0 y1 y2
y1
y0 y1
y2 y1 y0
VV01 V1

IS Iif
Ii
混频电流的主要频谱
u S 频 率L称为和频, if 除称 S为中频L 外还称为差频,
称为镜像i 频2率 L。 S L if
微波频率变换器
得出以下基本结论:
在非线性电阻混频过程中产生了无数的组合分量,其中包 含有中频分量,能够实现混频功能。可用中频带通滤波器 取出所需的中频分量而将其它组合频率滤掉。
微波频率变换器
3.2.1 电路工作原理与时频域关系
微波混频器只采 用一个肖特基势垒混 频二极管,称为单端 混频器
Z S 是信号源内阻抗, Z L 是本振源内阻抗, ZO 表示输出负载阻抗, Vdc 为直流偏压
vS t VS cosS t
vL t VL cosLt
微波频率变换器
1. 输出电流频谱(设 S ) P 先假设 Z、S Z和L 均ZO被短路;负载电压(输出电压) vO t 0
二极管电流中包含中频分量为:
iif t I1,1 exp jS L t I1,1 exp jS L t
2 I1,1 cosS L t
其振幅可计算出为:
2 I1,1
g1,1VS
1 8
g1,3VS 3
中频电流振幅不再与输入信号振幅成线性关系,将产生非线
性失真。
由于信号也产生各次谐波,将有可能在输出端产生组合干扰。

微波电路简介

微波电路简介

微波电路简介 1 微波电路简介1.1 微波无源器件微波无源器件由传输线的组合构成。

除了微波传输线以外,微波无源电路主要有功率分配器,定向耦合器,环行器,滤波器,隔离器,均衡器,短路器,衰减器,极化器,吸收负载,天线等无源器件。

我们在这里主要介绍其中主要类型。

一.定向耦合器定向耦合器是常用无源微波器件.可以作为信号的检测,合成及耦合使用。

如图1-4分别为微带环形定向耦合器;侧耦合定向耦合器;矩形微带定向耦合器和波导定向耦合器。

定向耦合器一般有四个端口。

如图4中的波导定向耦合器,如信号由1端口输入,则2端口为信号的主通道,3端口为1端口的耦合端,而4端口则是隔离端口。

图2环行定向耦合器 图3矩形微带定向耦合器图4波导定向耦合器图4.1 侧耦合侧耦合侧耦二.滤波器滤波器是典型的常用的无源微波网络器件,在微波电路中占有重要的地位。

滤波器从响应函数的角度可以分为最大平滑式,等波纹式和椭圆函数滤波器三种。

从结构上可以分为微带,波导和同轴腔体等结构的滤波器。

由信号的导通或截止可以分为高通,低通和带通滤波器。

如图5为侧边耦合微带带通滤波器。

图6为一种简单的椭圆函数滤波器。

图5侧边耦合微带滤波器图6微带滤波器图6为波导膜片滤波器。

由微带构成的谐振电路Q 值一般小于波导腔体的Q 值,所以微带滤波器的插入损耗一般要大于波导腔体滤波器。

图7 波导膜片滤波器三.微波功率分配器虽然定向耦合器在一定情况下具有功率分配的作用,但是原则上定向耦合器是一四端口器件。

功率分配功能可以由一三端口器件来完成。

如图8为Wilkinson 功率分配器/合成器。

由2, 3端口输入的功率可以无反射地传输到1 端口。

相反由1端口输入的微波功率图8 Wilkinson 功率分配器/合成器可以在2,3端口分为二路。

如电路上下是对称的,则射频功率在2,3端口是平分的。

微波功分配器还有其他许多种类。

四 微波阻抗匹配器。

阻抗匹配是许多微波电路的基本要求。

微波电子线路第三章中

微波电子线路第三章中

微波单端混频器
定向耦合器除保证信号和本振功率有效加在二极管上之外,
还可以保证信号口和本振口之间有适当的隔离度。一般取耦
合度为10dB
13
微波频率变换器
Sg 4 阻抗变换器及相移线段,相移线段的作用是抵消二极管
输入阻抗中的电抗成分
低通滤波器,它的作用是滤除信号和本振及它们各次谐波等高 频信号:
Sg 4 终端开路线对高频信号呈现短路输入阻抗,高频信
中频信号从信号巴仑的平衡端(变换器次级)的中点引
出,而本振巴仑次级的中点接地。
8
微波频率变换器
根据平衡电桥理论,当四个二极管特性相同时,它们组成平 衡电桥,加于对角端1、3之间的电压不会在另一对角端2、4之间 出现,因此双平衡混频器具有固有的高隔离度。
双平衡混频器优于单平衡混频器的一个主要方面。如果混频 二极管性能优良,这种高隔离度将在很宽频带内实现,因此双平 衡混频器可以作为宽带和超宽带微波混频器。
vL3 t VL cos Lt
vL4 t VL cosLt
根据信号与本振电压情况,可分别求出每一个管子的混频电流为:
i1t


In,m exp jn Lt
jmSt
n m

i2 t
2 2
时,有
i
t
, 0
即在混频器的输出端有许多分量互相抵消(平衡)而不存在。
平衡混频器输出电流频谱含量比单端混频器的少得多,在强
信号下它产生的组合干扰也较少。
由于平衡混频器利用两个二极管,在同样强的输入信号下, 分到每个管的信号功率比单管混频时小3dB,因此它所容许的 不失真的信号强度(即输入动态范围)比单端混频器大3dB。

微波电子线路大作业..

微波电子线路大作业..

微波电子线路大作业(3)班级:姓名:学号:一、微波二极管负阻振荡器由砷化镓材料制成的体效应二极管呈现负阻效应的物理基础是能带结构的电子转移效应,而产生负阻效应的原理则是由于高场畴的形成。

典型的Gunn二极管的结构如图所示•铜底座(接铜螺纹)提供一条外加散热器的低阻热通道,螺纹端拧在散热器上,它是接到直流电源的负极,陶瓷圆环起绝缘作用,它把正负极隔开。

若将耿氐二极管装在谐振腔的适当位置上,只要在它的两端加上适当的直流电压,就可以在谐振腔内产生微波振荡. 这就构成了微波负阻振荡器。

由于谐振腔相当于集总电路的Lo-R-L。

并联谐振电路,它与耿氐二极管组合起来就形成了如图3-12(a)的等效电路,其中图(a)的左侧表示Gunn二极管等效电路。

C d和-R d是有源区参数,Cd是Gunn管电荷区域的电容参数,-尺是在电场超过阈值后所呈现的负阻特性,C、L是管壳及引线所呈现的分布参数;图(a)右侧表示谐振腔等效电路。

二极管具有负阻-Rd,而负载则是正电阻R0,由于-Rd与R0并联,它的电阻为t R d R0R 二R d R oGunn营[谐镇胆M awn檳馮霧符效电跡(亦笛化的耳效电坏所以进一步简化后就变成如图(b)所示的等效电路。

当直流电源刚接通时,如工作点选择恰当且能满足Rd>R0勺条件,则Rt为负值。

在这种情况下,噪声足以触发振荡,使振幅随时间而增长。

但是,管阻-Rd是非线性的,随着振幅的增大|-Rd|的数值逐渐减小。

当|-Rd|=RO时,从式不难看出,Rt=这就相当并联电阻Rt开路,变成Lt与Ct所组成的无损耗回路,因此产生等幅振荡。

谐振腔的作用是一方面可以调谐振荡波形使其接近正弦,另一方面把高频电磁能量收集在腔内,并通过耦合把高频能量送到负载上。

X波段波导耿氏振荡器的结构敵热器Gunn 管如图耿氏二极管横装在矩形波导中,并且由调节短路活塞改变腔的大小进行频率调谐。

振荡频率与腔体的长度有关,它的长度大体等于半个波导波长整数倍,腔体的长度是指从Gunn管的安装柱面到可调短路面之间的距离。

微波电子线路大作业

微波电子线路大作业

微波电子线路大作业姓名:哦呵呵 学号: 班级: 一、肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管是利用金属与半导体接触形成肖特基势垒而构成的一种微波二极管,它对外主要体现出非线性电阻特性,是构成微波阻性混频器、检波器、低噪声参量放大 器、限幅器和微波开关等的核心元件。

1、结构:肖特基势垒二极管有两种管芯结构:点接触型和面接触型。

2、工作原理:肖特基势垒二极管工作的关键区域是金属和N 型半导体结形成的肖特基势垒区域,是金属和N 型半导体形成的肖特基势垒结区域。

在金属和N 型半导体中都存在导电载流子—电子。

它们的能级不同,逸出功也不同。

当金属和N 型半导体相结时,电子流从半导体一侧向金属一侧扩散,同时也存在金属中的少数能量大的电子跳跃到半导体中,称为热电子。

显然,扩散运动占据明显优势,于是界面上金属中形成电子堆积,在半导体中出现带正电的耗尽层。

在界面上形成由半导体指向金属的内建电场,它是阻止电子向金属一侧扩散的,而对热电子发射则没有影响。

随着扩散过程的继续,内建电场增强,扩散运动削弱。

于是在某一耗尽层厚度下,扩散和热电子发射处于平衡状态。

宏观上耗尽层稳定,两边的电子数也稳定。

界面上就形成一个对半导体一侧电子的稳定高度势垒GW eN D D S 22=φ,D N 是N 半导体的参杂浓度,D W 厚度存在于金属—半导体界面由扩散运动形成的势垒成为肖特基势垒,耗尽层和电子堆积区域成为金属—半导体结。

3、伏安特性:利用金属与半导体接触形成肖特基势垒构成的微波二极管称为肖特基势垒二极管。

这种器件对外主要呈现非线性电阻特性,是构成微波混频器、检波器和微波开关等的核心元件。

一般地,肖特基势垒二极管的伏安特性可以表示为半导外延点接半导外延面结氧化金属金 金两种肖特基势垒二极管结构 金属触欧姆接触]1)[exp(1)exp()(-=⎥⎦⎤⎢⎣⎡-==U I nkT qU I U f I S S α (1-1) 式中:nkTq =α。

微波电子线路课程设计

微波电子线路课程设计

微波电子线路课程设计设计背景微波电子线路是一门重要的课程,它主要涉及微波器件、微波电路和微波系统等方面的内容。

随着通信技术的飞速发展,微波电子线路的应用范围正在不断扩大,因此在大学的课程设置中,加入微波电子线路的内容显得尤为重要。

本篇文档主要是针对微波电子线路课程设计进行介绍,旨在提高学生在微波电子领域的应用能力,培养其解决实际问题的能力,更好地将所学知识应用于实践中。

设计目的微波电子线路的课程设计旨在落实课程理论教学所学知识,并将其应用于实践中。

其主要目的如下:•培养学生独立思考和解决问题的能力;•培养学生动手能力和实际操作能力;•学生通过实践应用所学知识,深入理解微波电子线路的基本原理和设计方法。

设计方案在微波电子线路课程设计中,我们选择了基础的带通滤波器设计。

设计方案如下:•设计一个中心频率为10GHz的二阶Chebyshev带通滤波器;•滤波器的相对带宽为10%,通带最大衰减不大于0.5dB;•采用贝塞尔公式计算传递函数,利用工程计算软件进行仿真和优化;•利用微波器件进行模拟搭建和测试。

设计步骤步骤一:计算理论值根据已知条件,我们可以利用贝塞尔公式进行计算,得到滤波器的理论值。

计算公式如下:$$ H(s) = \\frac{H_0}{1+(\\frac{s}{\\omega_0 Q})^2} *\\frac{1}{1+\\sqrt{2}(\\frac{s}{\\omega_0 Q})+(\\frac{s}{\\omega_0})^2} $$其中,H0为通带增益,$\\omega_0$为中心频率,Q为质量因数。

计算结果如下:•H0 = 2.33•$\\omega_0$ = 2π ×10 GHz•Q = 5步骤二:利用软件进行仿真仿真软件可以帮助我们更快速地得到滤波器的性能参数,并进行优化。

我们选择ADS软件进行仿真,仿真过程如下:1.利用贝塞尔公式在ADS软件中构建滤波器模型;2.对模型进行仿真,得到传输参数S21曲线;3.对S21曲线进行优化,确认参数和特性是否符合要求。

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4、微波混频器的主要指标 ②二极管寄生参数Rs,Cj所引起的管内损耗L2. ③输入、输出端不匹配所引起的失配损耗L3. ④电路连线产生的热损耗L4. 一般混频器中,L4<0.2db,我们重点讨论前三项: 净变频损耗L1 混频器中寄生频率虽然很多、在设计良好混频器中 绝大部分寄生频率可被有效短路,惟独镜像频率和信号不 易分开,一般不容易被轻易滤掉.由三端口等效电路可知, 镜频端口的端接情况直接影响信号功率能否有效地转移到 中频上.所以净变频损耗对镜频阻抗依赖很大.我们首先研 究在一般情况下,净变频损耗与镜频阻抗的关系: 在三阶导纳矩阵中,令 I i = GiVi
4、微波混频器的主要指标 则第三式为: GiVi = − g 2Vs + g1Vo − g oVi 可解出 Vi = (− g 2Vs + g1Vo ) / (Gi + g o ) ,将此关系代入前面 二式中有:
I s m11 m12 Vs = I 0 =m21Vs +m22V0 I 0 m21 m22 V0 2 g12 g2 m22 = − g 0 + m11 = g 0 − 其中 g 0 + Gi g 0 + Gi g1 g 2 m21 = − m12 = − g1 + g 0 + Gi
噪声系数F = 输入端微波信号的信噪比 输出端中频信号的信噪比
4、微波混频器的主要指标 所以: F = Sia / N ia = L N oa (T = 290o ) Soa / N oa N ia
Sia S 其中,L = 为变频损耗; ia、Soa 表示输入、输出端信号 Soa 资用功率;N ia、N oa 表示相应的噪声资用功率。
4、微波混频器的主要指标
1 + 1− L1开 = 1 − 1− g12 g o 2 (1 − g 2 g o ) g12 g o 2 (1 − g 2 g o )
(1 + g 2 (1 + g 2
g o ) (1 − g12 g o 2 ) g o ) (1 − g12 g o 2 )
⑵最佳源电导:
Rs 2 2 + Ws RsR j C j 1 + R j#43; ωs2C 2 R j Rs ) 寄生损耗: L2 (db) = 10 lg j Pj Rj 1 VL ,使 R j = 调整 的最小寄生损耗为: Ws C j 2R L1min (db) = 10 lg(1 + s ) L1+L2为混频二极管的总损耗。 Rj
4、微波混频器的主要指标
4、微波混频器的主要指标 由下图可知,加到二极管上的总功率为:
Prf =
I 2 Rs j 2
+
V j2 2 Rj
I j = Vj (
1 + jWs C j ) Rj
4、微波混频器的主要指标 得到: 2 1 V2 V j2 1 2 Prf = V j + Ws C j Rs + j = 2 Rj 2R j 2R j
I 再将 I A 断开, s = −Vs Gg ,求得从中频端口看进去的总导 纳为: Vo m12 m21 Go = = m22 − Io G g + m11
4、微波混频器的主要指标 所以中频负载的等效电流源的电流为 I e ,内电导为 G0 , 则资用功率为 (GL = G0 ) :
Ie2 m212 I A2 Po = = 8Go 8 ( Gg + m11 ) [m22 ( m11 + Gg ) − m12 m21 ]
只有和信号一起输入的噪声可视为源噪声、其功率为 kT0 B 所以:
FSSB N oa Lm = Lm = 2 1 + − 1 td kT0 B 2
4、微波混频器的主要指标 相应的:
TmSSB
t mSSB
2 = Lm
2 = Lm
Lm 1 + 2 − 1 td T0
g o ) (1 − g12 g o 2 )
4、微波混频器的主要指标 这三种净变频损耗与本振峰值电压关系为: ①随着VL ↑, L1匹、L1短、L1开 一致下降; ②随着VL ↑, L1匹 → 3db、L1短、开 → 0 ; ③ L1短、开 的实际改善度再0.5-2db之间; ④ 一般 L匹 > L短 > L开 ; 管子寄生损耗L2 信号功率加到混频二极管上并不等于全部加到非线形 电阻Rj上,由二极管等效电路可知,Rs和本征参数串联,必然 消耗一部分能量.同时电容Cj和Rj并联,还起到了分流作用。 而真正加到Rj上的只是一部分功率.把Rs损耗和Cj分流作用 统称为二极管寄生损耗。
Lm 1 + 2 − 1t d
FSSB = LmtmSSB
②对于射电天文接收和其它辐射计接收:测量对象是 总辐射的等效亮度温度,信号频率极宽、镜像频率端口也和 信号端口一样进信号.这是镜频噪声也称为源噪声.即 N ia = 2kT0 B
FDSB N oa Lm = Lm = 1 + − 1 td N ia 2
4、微波混频器的主要指标
g 1+ 1− 1 g o
2
可得:⑴最小净变损耗: L1短 =
g 1− 1− 1 g o
2
2
⑵最佳源电导:
g Gg 短 = g o 1 − 1 g o
⑶最佳输出电导: Go短 = Gg短
∂L1 =0 , ③镜像开路混频器:将 Gi = 0 代入上式,令 ∂Gg 可得:⑴最小净变损耗:
净变频损耗:
Po ( Gg + m11 ) [m22 ( m11 + Gg ) − m12 m21 ] L1 = = Ps m212Gg
实际的变频器中,镜端口负载可能为匹配、短路、开 路三种情况: ∂L1 =0 ①镜像匹配混频器:将 Gi = Gg 代入上式,并令 ∂Gg
4、微波混频器的主要指标
1 + 1− 2 g12 2 g12
而加到 R j 上,用于混频的部分为:Pj =
V j2
4、微波混频器的主要指标 输入、输出端的失配损耗L3 由于输入端不匹配,使信号功率部分反射、不能全部 加到二极管上,而输出端不匹配.使变频后的中频功率不能 全部送给中频负载.这两部分的总损耗为: (1 + ρ1 ) 2 (1 + ρ 2 ) 2 1 1 Lr (db) = 10 lg + 10 lg = 10 lg + 10 lg 2 2 1− | Γ1 | 1− | Γ 2 | 4 ρ1 | 4 ρ2 | 实际混频器的总变频损耗为2—8db. 右图曲线表示各部分损耗对本振功率的依赖关系:
4、微波混频器的主要指标
4、微波混频器的主要指标 其中, i 很大,则第三项影响很小。 G L 由上式可知,接收机的整机噪声受 Fm、Lm 的影响极大, m 对 Fif 有极大作用。 4、Lm 和 Fm 的量级概念 td ≈ 1 时,Lm 和 Fm 数量相同。这时 tm = 1 FD = L2 ( db ) + Fif ( db ) − 3db FS = L2 ( db ) + Fif 随着 td ↑ ,则 Fm ↑ ,当 td = 2 时,Fm = 2 Lm − 1 结论:①F与镜像通道有关 ② td ≈ 1
4、微波混频器的主要指标
4、微波混频器的主要指标 二、噪声系数 微波混频器大都位于接收机前端.其噪声性能对接收机灵 敏度影响很大.尽可能降低噪声是设计混频器时必先考虑的. 定义噪声系数时,把混频器看成一个准线形二端口网络.虽然 输入信号的频率和输出中频信号的频率是完全不同的.但输 出中频信号的幅度和输入信号的幅度都是完全成线形比例关 系的.因而包络变化规律相同. 对线形二端口网络,噪声系数是表示其出口端信噪比比入 口端信噪比恶化的程度.即:
4、微波混频器的主要指标 任何一个电路部件都必须用一些指标来表示及性能. 这些指标既是电路性能好坏的量度,又是电路设计与调试 的依据。对微波混频器来讲,这些指标是:变频损耗,噪声 系数,端口隔离,输入驻波比,动态范围和频带宽度等.其 中变频损耗和噪声系数是重要的指标.我们本节予以重点 讨论. 一、变频损耗L 定义:混频器的输入微波资用功率与输出中频资用功率之比. Ps P L= Ldb = 10 lg s (db) 或 Pif Pif 损耗来源及组成部分: ①寄生频率所产生的净变频损耗L1。
4、微波混频器的主要指标 相应的:
TmDSB 1 = Lm
1 Lm
Lm 1 + 2 − 1t d T0
Lm − 1t d 1+ 2
t mDSB =
FDSB = Lmt DSB
所以单通道接收机由于镜像噪声而使噪声系数增大.为了改 善可在管子前面加镜频抑制滤波器. 3、混频器--中频放大组件的噪声系数 混频器后面接中频放大器.接收机噪声主要由这两部分决定. Lm F后 F = Fm + Lm ( Fif − 1) + Gi
4、微波混频器的主要指标 相应的噪声温度比为: Tm 1 tm = = 1 + ( Lm − 1) td T0 Lm 混频器的噪声系数可表示为:F = LmTm 2、镜像匹配混频器 在镜像匹配时,镜像频率附近的噪声也加到混频管上. 混频之后也成为中频噪声体现在总输功噪声功率中.总的输 出噪声功率比短路、开路混频器增大.这一点是肯定的. ①对于通常信号频带较窄的单端口接收情况:镜 频端只进噪声,不进信号,则镜频噪声功率等效于使混 T0 频器内部噪声增加.在温度 下总输出资用功率为:
Is=m11Vs +m11V0

上式意味着,原来的三端口网络可化成含有参数Gi的二 端口网络。为了求出净变频损耗,首先要求出信号源资用 功率和中频输出资用功率。
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