功率MOSFET并联分流特性研究
功率MOSFET并联均流问题研究
从图 1 中实线可以看出，Q 值越大，换向时间越短，开通损耗越低但关断 损耗增大；从图 1 中虚线可以看出在线路中引入源极电感，器件的开关轨迹 发生很大变化，开通损耗增加而关断损耗减小。在高频情况下，器件的开关 时间和开关损耗对整个系统效率的提高至关重要。从上面的分析可知器件理 想的工作条件应该是在相对较高的 Q 值下。以下基于不同 Q 值，通过仿真软 件 PSPICE 分析外围线路中各种寄生参数对并联均流的影响。 图 3 2.2 Q 值对双管并联均流影响的仿真分析 从图 4 可以看出，引入源极电感 Ls，并联不均流得到改善，但 Ls 越大器 件关断时间越长。在设计中，并联器件源极电感保持一致是必须的，寻找最 优的 Ls（即 Ls/Lx）使得并联均流特性最好。表 1 为阈值电压 Vth 相差 10 ％，其它参数均一致情况下，分别取不同 Q 和 Ls/Lx，器件开通和关断过程 中电流不均衡的仿真分析结果。其中 Δi=iD1－iD2，为并联两管漏电流相差 最大处的差值。
表 1 内部特性参数不一致下，Q 和 Ls/Lx 不同对器件动态电流分布的影响
功率 MOSFET 并联均流问题研究
功率 MOSFET 并联均流问题研究 对频率为 MHz 级情况下功率 MOSFET 并联均流问题进行了研究，详细分 析了影响功率 MOSFET 并联均流诸因素。通过 Q 轨迹把器件参数和外围电 路联系起来，得出较大的 Q 值和适当的 Ls/Lx 有利于并联均流。大量的仿真 和小功率实验结果均表明该方法的正确性。 关键词：功率 MOSFETS；多管并联；高频；Q 轨迹 引言 1 影响功率 MOSFET 并联均流的因素 1.1 内部参数对并联均流的影响 图 2 2 Q 值对并联均流的影响
3 实验验证 2）使 Rg=10.0Ω，其它条件不变，漏极电流 iD 波形如图 6 所示。 4 结语
MOS管并联研究
MOS管并联研究MOSFETs（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常见的功率半导体器件，被广泛应用于电子和电力系统中。
MOS管并联技术是指将多个MOSFETs连接在一起，以提高器件的功率处理能力和可靠性。
本文将对MOS管并联进行研究和分析。
首先，MOS管并联技术的应用是非常广泛的。
在大功率应用中，如果只使用单个MOSFET来处理高电流和高功率，会面临器件加热、失效和可靠性等问题。
通过将多个MOSFETs并联连接，可以均衡电流和功率，降低每个器件的工作负载，从而提高系统的效率和可靠性。
其次，MOS管并联技术的原理和工作方式是基于电流分流。
当多个MOSFETs并联连接时，电流会在这些器件之间进行分流。
由于MOSFETs具有相似的电流电压特性，它们会共享电流，并分担功率负载。
这样可以降低每个器件的工作温度，提高系统的可靠性。
另外，MOS管并联技术的实施需要注意一些关键因素。
首先是器件的选择和匹配。
在并联连接的MOSFETs中，每个器件的参数应尽量相近，以确保电流和功率分配均匀。
如果有必要，可以采用选择性测试和筛选来获得符合要求的器件。
其次是并联连接的方式。
MOSFETs可以通过两种方式进行并联。
一种是串联源极连接，另一种是并联栅极连接。
在串联源极连接中，每个器件的源极连接在一起，而栅极和漏极分别连接到电源和负载。
在并联栅极连接中，每个器件的栅极连接在一起，而源极和漏极分别连接到电源和负载。
选择适当的连接方式取决于应用的要求和设计考虑。
此外，MOS管并联技术还需要考虑电流均衡和热管理。
由于器件之间可能存在微小的参数差异和温度差异，电流和功率的分配可能会不均匀。
因此，可以采用电流平衡电路和温度传感器来实现并联器件之间的均衡和管理。
最后，MOS管并联技术的优势主要体现在提高系统的功率处理能力和可靠性方面。
通过并联连接，可以实现更高的电流和功率处理能力，适用于大功率应用。
同时，由于功率负载的均衡和温度管理，器件的工作温度可以降低，从而提高系统的可靠性和寿命。
sic mosfet单管并联结构
一、概述sic mosfet单管并联结构是一种常见的电路连接方式，用于实现功率放大、功率分配等功能。
本文将从sic mosfet单管并联结构的原理、特点、优缺点以及应用领域等方面进行介绍。
二、原理1. sic mosfet单管并联结构是指将多个sic mosfet管并联连接在一起，通过合理的电路设计实现并联工作。
并联结构可以有效提高电路的功率承受能力和工作效率，实现更大功率的输出。
2. sic mosfet单管并联结构中各个管子并联连接后，电流将分散流过各个管子，从而分担每个管子所承受的电流负荷，减小局部热点，提高整体散热效果。
三、特点1. 高功率承受能力：sic mosfet单管并联结构可以实现多个管子同时工作，因此具有较高的功率承受能力，适用于高功率电路设计。
2. 散热效果好：通过并联结构，可以减小每个管子所承受的电流负荷，从而减小局部热点，提高整体散热效果，延长管子的使用寿命。
3. 输出稳定：sic mosfet单管并联结构可以通过合理的电路设计实现管子的均衡工作，使输出信号更加稳定，提高整体性能。
四、优缺点1. 优点（1）高效高功率：并联结构可以实现多个管子同时工作，提高功率输出和效率。
（2）散热效果好：有效减小局部热点，延长管子使用寿命。
2. 缺点（1）成本较高：由于需要多个sic mosfet管子，并联结构的成本较高。
（2）设计复杂：并联结构需要合理的电路设计，对工程师的设计能力要求较高。
五、应用领域由于sic mosfet单管并联结构具有高功率输出能力、优秀的散热效果等特点，因此在工业控制系统、电力变换器、电机驱动器、太阳能逆变器等领域得到广泛应用。
并联结构有效提高了这些设备的功率承受能力和工作效率，满足了现代工业对于高效节能设备的需求。
六、结论sic mosfet单管并联结构作为一种常见的电路连接方式，通过并联多个管子提高了电路的功率承受能力和效率，适用于各种高功率电路设计。
应用领域广泛，为工业控制和电力变换等领域的设备提供了可靠的支持。
mos管并联驱动电路
mos管并联驱动电路MOS管并联驱动电路是一种高效的电路，在各种电子设备中得到了广泛的应用。
它可以驱动大功率的负载，具有高速、高精度、低功耗等优点，在各种场合中都能够发挥其良好的效果。
下面我们来详细了解一下MOS管并联驱动电路的相关知识。
1. MOS管的基本原理MOSFET（MOS场效应管）是一种通过场效应控制电流的晶体管。
在MOSFET中，电荷通过栅极控制沟道电阻从而影响器件的导通与截止。
它由源极、栅极和漏极三个区域组成，其中栅极是一个电容，用于储存电荷。
当栅极电场的强度达到一定值时，沟道区的电阻变小，从而导通了MOSFET管。
2. MOS管并联驱动电路的原理MOS管并联驱动电路是通过并联多个MOSFET来实现大功率负载的驱动。
在这种电路中，通过控制MOSFET管的栅极电压来控制电流的通断，从而达到驱动高功率负载的目的。
3. MOS管并联驱动电路的应用MOS管并联驱动电路在数控机床、电力电子、电气驱动器等领域中广泛应用。
在数控系统中，使用MOS管并联驱动电路可以对步进电机和伺服电机进行快速和准确的控制。
在电力电子领域，使用MOS管并联驱动电路可以对高压直流输电线路进行开关控制。
在电气驱动器领域，使用MOS管并联驱动电路可以直接驱动电动机，控制电机的启动和停止。
4. MOS管并联驱动电路的优缺点MOSFET并联驱动电路具有以下优点：高效、精度高、速度快、不易受到温度影响、体积小、适应性强等。
同时，它也存在一些缺点：成本较高、操作过程易发生电荷泄漏、需要精确的电源电压控制等。
总之，MOS管并联驱动电路是一种高效的电路，具有广泛的应用前景。
我们可以通过不断地研究和改进，使其在各个领域中发挥更好的效果，为人类的生产和生活带来更多的便利和贡献。
mos管并联均流
mos管并联均流
在MOS管并联工作时，需要考虑两个问题：满载时，并联器件完全导通时的静态电流分配是否均衡；通断转换过程中它们的动态电流是否分配均衡。
在并联工作的情况下，无论是静态还是动态情况，如果一个MOSFET管分担了相对较多的电流，它发热将会更厉害，很容易造成损坏或者造成长期的可靠性隐患。
影响并联均流的因素包括内部参数和外围线路参数。
内部参数包括阈值电压VTH、导通电阻RDS(on)、极间电容、跨导gm等。
它们差异会引起动态和静态不均流。
因此，要尽量选取同型号、同批次并且内部参数分散性较小的MOSFET加以并联。
外围线路参数对并联特性的影响主要是指电路布局。
在频率高达MHz级情况下，线路杂散电感的影响不容忽视，引线所处电路位置的不同以及长度的很小变化都会影响并联开关器件的性能。
在多管并联时一定要尽量使并联各支路的Rg及对应的各引线长度相同。
此外，为了实现更好的均流效果，对于具有独立外壳的MOSFET 管并联工作时，应置于同一个散热片上，并且尽量靠近。
同时，对于动态均流，并联器件的跨导曲线必须重合。
如果所有并联工作的器件栅极在同一时刻具有相同的电压，但跨导不重合，那么无论导通还是关断，各个器都会承担不同的电流。
此外，电路的对称设计对平衡动
态电流也很重要，从栅极驱动器的共同输出点到栅极端子的引线长度应该相等，从MOSFET管源极端子到共同结点的引线长度也应该相等。
MOSFET并联介绍
MOSFET并联介绍电流并联是增加电路能够承受的电流的方法之一、当一个MOSFET无法提供足够的电流时，可以将多个MOSFET进行并联，以增加总的电流承受能力。
通过并联，每个MOSFET只需要承受部分电流，因此可以达到更高的功率。
此外，电流并联还可以有效地分担热量，提高整个电路的可靠性。
负载并联是为了提供更低的输出阻抗和更大的电流能力。
通过将负载电阻或负载电器连接在多个MOSFET的接合点上，可以减小输出阻抗，从而提高电路的转换效率和稳定性。
此外，由于负载由多个MOSFET共同提供，因此可以提高负载能力，从而适应更大的电流需求。
MOSFET并联的最关键的问题是如何实现多个MOSFET的电流和功率平衡。
由于制造过程的差异以及器件特性的不一致性，多个MOSFET在结构和性能上会存在差异。
因此，在并联中需要采取一系列的措施来处理这些差异，并确保每个MOSFET都可以均衡地承担功率和电流。
一种常用的方法是在并联的MOSFET之间加入电流检测电路。
该电路可以感知到每个MOSFET的电流情况，并控制每个MOSFET的电流平衡。
通常，这种电流检测电路会通过反馈信号给控制电路，控制电路再通过适当的控制方法来调整每个MOSFET的驱动电压，以达到电流平衡。
另外，为了确保MOSFET并联的可靠性，还需要合理设计供电和散热系统。
并联的MOSFET共享负载电流，因此需要足够的电源供电能力，避免电流过大导致电源过载。
此外，由于并联的MOSFET会产生不可忽视的热量，需要做好散热设计，确保工作温度不超过MOSFET的额定温度，以保证长期稳定运行。
综上所述，MOSFET并联是为了提高功率和可靠性而采取的一种方法。
通过电流并联和负载并联，可以增加总的电流和负载能力。
然而，在并联过程中需要解决电流和功率平衡的问题，并合理设计供电和散热系统，以确保并联的MOSFET能够稳定可靠地工作。
mosfet 并联二极管
mosfet 并联二极管
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和并联二极管是两种常见的电子器件，它们可以在电路中相互并联使用。
下面是关于MOSFET 和并联二极管的一些信息：
1. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）：MOSFET是一种三端可控的场效应晶体管。
它由金属氧化物半导体结构组成，可以用于放大信号、开关电路和模拟电路等应用。
MOSFET 具有高输入电阻、低功耗和快速开关速度等优点。
2. 并联二极管：并联二极管是将两个或多个二极管的正极和负极相连接，使它们在电路中具有相同的电压并可共享电流。
并联二极管可以增加电流容量、降低压降并提供冗余功能。
当MOSFET和并联二极管一起使用时，常见的应用是在电源电路中。
MOSFET可以作为电源开关，通过控制其栅极电压来控制电路的通断。
而并联二极管可以用于保护MOSFET，防止反向电压或过高电压损坏MOSFET。
总结起来，MOSFET和并联二极管可以在电路中同时使用，通过组合它们的特性来实现更高的电流容量、更低的压降和更可靠的操作。
具
体应用需要根据电路设计和需求来确定。
各类MOSFET电路及特性分析
功率MOSFET的正向导通等效电路功率MOSFET的正向导通等效电路张兴柱博士张兴柱博士张兴柱博士功率MOSFET的正向截止等效电路功率MOSFET的正向截止等效电路张兴柱博士功率MOSFET的稳态特性总结功率MOSFET的稳态特性总结张兴柱博士包含寄生参数的功率MOSFET等效电路包含寄生参数的功率MOSFET等效电路张兴柱博士功率MOSFET的开通和关断过程原理张兴柱博士t]：关断过程[95~t-- 在t5前，MOSFET工作于导通状态，t5时，MOSFET被驱动关断；-- [t5-t6]区间，MOSFET的Cgs电压经驱动电路电阻放电而下降，在t6时刻，MOSFET的通态电阻微微上升，DS电压梢稍增加，但DS电流不变；-- [t6-t7]区间，在t6时刻，MOSFET的Millier电容又变得很大，故GS电容的电压不变，放电电流流过Millier电容，使DS电压继续增加；-- [t7-t8]区间，至t7时刻，MOSFET的DS电压升至与Vgs相同的电压，Millier电容迅速减小，GS电容开始继续放电，此时DS电容上的电压迅速上升，DS电流则迅速下降；-- [t8-t9]区间，至t8时刻，GS电容已放电至Vth，MOSFET完全关断；该区间内GS电容继续放电直至零。
因二极管反向恢复引起的MOSFET开关波形因二极管反向恢复引起的MOSFET开关波形张兴柱博士功率MOSFET的功率损耗公式功率MOSFET的功率损耗公式张兴柱博士功率MOSFET的选择原则与步骤功率MOSFET的选择原则与步骤张兴柱博士理想开关的基本要求理想开关的基本要求张兴柱博士用电子开关实现理想开关的限制用电子开关实现理想开关的限制张兴柱博士（1）：电子开关的电压和电流方向有限制：（2）：电子开关的稳态开关特性有限制：-- 导通时有电压降；（正向压降，通态电阻等）-- 截止时有漏电流；-- 最大的通态电流有限制；-- 最大的阻断电压有限制；-- 控制信号有功率要求，等等。
mos管并联均流
MOS管并联均流1. 介绍MOS管并联均流是一种电路设计技术，用于在多个MOS管之间实现电流的均分。
MOS管是一种常见的场效应晶体管，它在电子设备中广泛应用于功率放大和开关电路中。
在某些应用中，需要同时驱动多个MOS管以实现较大的电流输出。
然而，由于制造工艺和器件特性的差异，导致MOS管之间的电流分布不均匀。
为了解决这个问题，可以采用MOS管并联均流技术。
2. MOS管并联均流的原理MOS管并联均流通过将多个MOS管连接在一起，并采取一定的电路控制手段，使得每个MOS管承担相等的电流。
这样可以确保各个MOS管工作在相同的工作状态下，提高电路的可靠性和稳定性。
在实际应用中，通常采用电流镜电路来实现MOS管并联均流。
电流镜电路由一个主MOS管和多个从MOS管组成，主MOS管负责控制整个电流，并将电流均分给从MOS 管。
通过调整主MOS管的工作状态，可以实现对电流分配的控制。
3. MOS管并联均流的优势MOS管并联均流技术具有以下优势：3.1 提高负载能力通过将多个MOS管并联，可以将电流分散到每个MOS管上，从而提高整个电路的负载能力。
每个MOS管只需承担部分电流，减少了单个MOS管的负载压力，延长了器件寿命。
3.2 提高可靠性和稳定性MOS管并联均流可以确保各个MOS管工作在相同的工作状态下，避免了由于电流分布不均匀引起的器件失效。
同时，均流电路还可以提高整个电路的稳定性，减小由于温度变化等因素导致的电流漂移。
3.3 降低功耗由于MOS管并联均流可以实现电流的均分，每个MOS管只需承担部分电流，从而降低了单个MOS管的功耗。
这对于功率放大和开关电路等高功率应用尤为重要，可以减少能量的浪费。
4. MOS管并联均流的应用MOS管并联均流技术在电子设备中有广泛的应用，特别是在功率放大和开关电路中。
下面是一些常见的应用场景：4.1 音频功放音频功放通常需要输出较大的电流，以驱动扬声器产生高质量的声音。
采用MOS管并联均流技术可以实现对电流的均分，提高功放的输出能力和音质。
mos管并联均流
mos管并联均流摘要：1.MOS 管并联均流的概念2.MOS 管并联均流的原理3.MOS 管并联均流的应用4.MOS 管并联均流的优点和缺点正文：一、MOS 管并联均流的概念MOS 管并联均流是一种在电子设备中广泛应用的技术，主要用于实现多只MOS 管并联时的电流均衡。
在实际应用中，为了提高电路的输出能力和效率，常常需要将多个MOS 管并联起来，从而使电流在各个管子之间分配均匀，以确保每个管子的工作状态稳定。
二、MOS 管并联均流的原理MOS 管并联均流的原理主要基于MOS 管的Vds-Id 特性。
Vds-Id 特性表示MOS 管的漏源电压与漏电流之间的关系，当MOS 管的Vds-Id 特性相同时，多个并联的MOS 管可以实现电流的均匀分配。
为了实现这一目标，需要在设计阶段对MOS 管进行筛选，确保各个管子的Vds-Id 特性具有较高的一致性。
三、MOS 管并联均流的应用MOS 管并联均流技术在众多领域都有广泛应用，如开关电源、放大器、充电电路等。
在这些应用中，通过MOS 管并联均流技术可以实现更高的效率、更低的失真和更稳定的工作状态。
四、MOS 管并联均流的优点和缺点MOS 管并联均流的优点主要有以下几点：1.电流分配均匀，有利于提高电路的稳定性和可靠性；2.降低单个MOS 管的电流应力，提高器件寿命；3.提高电路的输出能力和效率。
然而，MOS 管并联均流也存在一些缺点，如：1.需要在设计阶段对MOS 管进行筛选，增加制造成本和难度；2.并联管子间存在相互影响，可能引入新的噪声和干扰；3.在某些应用场景下，并联管子数量过多可能导致布局和散热问题。
综上所述，MOS 管并联均流技术在电子设备中有着广泛的应用和重要意义，通过实现多只MOS 管并联时的电流均衡，可以有效提高电路的性能和稳定性。
MOSFET并联介绍
MOSFET并联1．稳态并联：通态电阻小的元件电流大，温升高，使导通电阻变大。
因此可起到自动补偿均流的效果。
图1并联等效阻抗2．动态开通并联的MOSFET不可能阈值电压都相同，开通不完全一致。
开通电流存在不均匀性。
以感性负载箝位电路分析MOSFET开通过程：在t0栅极驱动电压开始上升，到t1达到开通的阈值电压。
在t1到t2漏极电流开始上升，由于漏极电流的变化产生了如下效应。
1）在源极的分布电感上产生的电压抵消了部分栅极电压，使栅极电压上升的速度下降，减缓了漏极电流的上升速度。
起到负反馈的作用。
2）漏极电流的上升，在漏极串联电感上产生压降使漏极电压下降，电压的下降通过弥勒电容反馈到栅极使栅极电压下降。
这也表现出了负反馈的作用。
漏极电流上升速度减缓（见图5）。
到t2漏极电流达到IM(原续流二极管中的电流)。
图2MOSFET开通波形图3感性负载电路在时间t2到t3,由于反向二极管的反向恢复特性，电流继续上升，到t3电流达到最大值。
二极管开始承受反压，电流和漏极电压开始下降。
下降的速度由弥勒效应决定。
此时栅极电压、漏极电压下降率、漏极电流形成了一种准平衡，使栅源电压刚好能维持负载电流的大小。
这是为什么栅极源极电压在续流二极管的反向恢复电流下降时也下降，然后保持在一个维持负载电流的恒定电压上。
在t4MOSFET彻底导通，栅极电压迅速上升到栅极驱动电压。
3．动态关断图4关断时漏极电压低于电源电压在t0栅极驱动电压开始下降，到t1栅极电压下降到栅源电压刚好能维持负载电流。
在t1到t2，漏极电压开始上升。
上升的速度由弥勒效应决定。
此时栅极电压、漏极电压上升率、负载电流形成了一种准平衡，使栅源电压恒定，刚好能维持负载电流的大小。
图5关断波形图当漏极电压达到电源电压，续流二极管开始续流。
到t2漏极电压的上升过程结束，栅极电压开始下降，下降的速度由栅极电路的阻抗决定。
到t3漏极电流下降到零。
图6、7，是理论上两个并联MOSFET的关断情况图6MOSFET并联关断波形图在t1MOSFET_A开始发生关断效应，电流将重新分配。
功率MOSFET并联应用与串联应用有什么区别，有什么不一样？
功率MOSFET并联应用与串联应用有什么区别，有什么不一样？回复：功率MOSFET并联应用MOSFET以其开关速度快，导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等领域中得到了广泛应用，如电动自行车、电动汽车、电工工具、电动割草机的驱动器中均广泛地应用了MOSFET。
在大功率应用场合，往往需要多个MOSFET并联使用。
由于驱动电路、器件参数和电路布局等的不一致，必将引起流过各并联的MOSFET电流不均衡成使MOSFET漏极承受不同的电压，器件可能因过电压、过电流而损坏。
另外，在并联电路中如果驱动电路设计不当有可能会引发寄生振荡，导致器件因过压而损坏。
因此本文对并联使用MOSFET时应注意的问题作了详细的介绍和分析，并给出解决方法。
1. MOSFET并联时的电流和电压不均衡众所周知，MOSFET的Rds(on)为正温度系数，Rds(on)随着温度的升高而升高，因此从这一点讲MOSFET适宜并联使用(并联使用中MOSFET具有自动均流的能力)。
但是MOSFET通常都工作在PWM 开关模式，在开关的动态过程中有很多因素影响其电流和电压的均衡性，而且频率越高这种影响就越明显。
在动态开关过程中造成电流和电压不均衡的因素有门槛电压、转移特性、栅极电荷、导通电阻、线路寄生电感，驱动电路参数等。
其中门槛电压、转移特性、栅极电荷、导通电阻等是由MOSFET在生产加工过程中形成的，在应用中我们无法改变MOSFET的这些自身参数，最多通过筛选来获得较好的一致性，但这会增加成本。
最有效的办法是在设计时通过合理的驱动电路来保证MOSFET在工作时的电流和电压均衡性。
1.1. MOSFET自身参数引起的电流不平衡Vgs(th)：由于并联MOSFET使用的是同一栅极驱动信号，门槛电压低的MOSFET在开通时先于门槛电压高的MOSFET开通，从而流过较大电流，造成电流的不平衡。
gfs：由于MOSFET在开通过程和关断过程中工作于饱和区，其漏极电流由栅极电压控制，因此具有不同跨导的MOSFET在开通与关断过程中电流也会不平衡。
MOS管并联方法及工作原理详解与mos管并联均流技术分析-KIA MOS管
mos管并联方法什么是并联并联是元件之间的一种连接方式，其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接，同时尾尾亦相连的一种连接方式。
通常是用来指电路中电子元件的连接方式，即并联电路。
MOS管功率管并联需要考虑的要点MOS管并联方法，为了使并联电路中每个MOS管尽可能的均流，在设计并联电路时需要考虑如下要素：1、饱和压降VDs或导通RDSon：对所有并联的MOS管而言，导通时其管压降是相同的，其结果必然是饱和电压小的MOS管先流过较大的电流，随着结温的升高，管压降逐渐增大，则流过管压降大的MOS管的电流又会逐渐增大，从而减轻管压降小的MOS管的工作压力。
因此，从原理上讲，由于N沟道功率型MOS管的饱和压降VDs或导通电阻RDSon具有正的温度特性，是很适合并联的。
2、开启电压VGS（th）：在同一驱动脉冲作用下，开启电压VGS（th）的不同，会引起MOS管的开通时刻不同，进而会引起先开通的MOS管首先流过整个回路的电流，如果此时电流偏大不加以限制，则对MOS管的安全工作造成威胁；3、开通、关断延迟时间Td(on)、td(off)；开通上升、关断下降时间tr、tf:同样，在同一驱动脉冲作用下，td(on)、td(off)、tr 、tf的不同，也会引起MOS管的开通／关断时刻不同，进而会引起先开通／后关断的MOS 管流过整个回路的电流，如果此时电流偏大，不加以限制，则同样对MOS 管的安全工作造成威胁。
4、驱动极回路的驱动输入电阻、等效输入电容、等效输入电感等，均会造成引起MOS管的开通／关断时刻不同。
从上所述，可以看出，只要保证无论在开通、关断、导通的过程流过MOS管的电流均使MOS管工作在安全工作区内，则MOS管的安全工作得到保障。
为此，本文提出一种MOS管的新的并联方法，着重于均流方面的研究，可有效的保证MOS管工作在安全工作区内，提高并联电路的工作可靠性。
一种新MOS管并联方法的工作原理1、MOS管并联方法电路图以3只IR公司的IRF2807 MOS管并联试验为例，工作电路图如图1 。
210977182_功率器件的并联均流研究
电气传动2023年第53卷第3期ELECTRIC DRIVE 2023Vol.53No.3摘要：在新能源汽车的电机控制器中，由于现有模块电流能力不够、成本过高、散热能力有限，常常使用多个功率器件并联，以提高电动汽车应用的功率逆变器载流能力。
器件参数的公差、PCB 布局不对称导致的寄生参数不一致以及散热器的冷却效果导致的热量堆积，都会导致电流不均衡现象。
首先对电流不平衡的原因进行了概述，提出均流系数作为电流平衡的标准。
给出了基于热阻的导通电阻模型，分析并联器件静态均流的影响因素。
基于可变电阻区的电压电流曲线，分析了并联器件动态均流的影响因素。
通过PSPICE 建模分析了寄生电感对动态均流的影响，分析了参数差异对电流平衡的的影响，针对不同的参数差异，提出了不同的优化方法。
最后分析了电磁兼容问题对均流特性的影响，给出驱动电路的设计建议，并对栅极电压波形的优化效果进行了仿真验证。
关键词：功率器件；并联；电流平衡；寄生参数中图分类号：TM28文献标识码：ADOI ：10.19457/j.1001-2095.dqcd24454Research on Current Sharing of Parallel Power DevicesTANG Weifeng ，WANG Changjiang（School of Electrical Engineering ，Shandong University ，Jinan 250014，Shandong ，China ）Abstract:In the motor controller of new energy vehicles ，due to insufficient current capacity ，high cost ，andlimited heat dissipation capacity ，parallel power devices are often used to extend current capability of power inverter forEV applications.Current imbalance can be caused by device parameter tolerances ，parasitic parameter inconsistencies due to asymmetric PCB layout ，and heat accumulation due to the cooling effect of the heat sink.Firstly ，the causes of current imbalance were summarized ，and the current sharing coefficient ，that is the unbalance ratio ，was put forward as the measuring standard of current balance.The conduction resistance model based on thermal resistance was presented ，and the influencing factors of steady current balance of parallel devices were analyzed.Then ，based on the voltage and current curves in the variable resistance region ，the influencing factors of dynamic current balance of parallel devices were analyzed.The effect of parasitic inductance on dynamic current balance was analyzed by PSPICEsimulation ，and the influence of parameter difference on current balance was analyzed.Different optimization methodswere proposed for different parameter differences.Finally ，the influence of EMI on the current sharing characteristics was analyzed ，and the design of the drive circuit was suggested ，and the optimization effect of the gate voltage waveform was verified in the simulation.Key words:power devices ；parallel ；current sharing ；parasitics parameter作者简介：唐伟峰（1998—），男，硕士研究生，Email ：****************** 通讯作者：王长江（1965—），男，博士，教授，Email ：**********************.cn功率器件的并联均流研究唐伟峰，王长江（山东大学电气工程学院，山东济南250014）分立器件并联工作时，由于器件本身的参数、结温差异或PCB 布局的不对称，各支路的电流不可能完全一致。
mos 并联 电流
mos 并联电流（原创实用版）目录1.MOSFET 的基本原理2.MOSFET 的并联连接3.并联 MOSFET 的电流特点4.MOSFET 并联在实际电路中的应用正文一、MOSFET 的基本原理MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于模拟和数字电路中的半导体器件。
其基本结构包括 n 型或 p 型半导体、氧化物层和金属层。
MOSFET 的工作原理是通过改变栅极电压来调整源极和漏极之间的电流。
当栅极电压达到一定值时，MOSFET 进入导通状态，电流得以流过；当栅极电压为零时，MOSFET 处于截止状态，电流不会流过。
二、MOSFET 的并联连接在实际电路设计中，为了实现大电流、高功率等需求，常常需要将多个 MOSFET 进行并联。
并联 MOSFET 的连接方式通常是将它们的源极连接在一起，漏极连接在一起，而栅极则保持独立。
这样的连接方式使得每个MOSFET 的电流分别流过各自的源极和漏极，从而实现了电流的分流。
三、并联 MOSFET 的电流特点在并联 MOSFET 电路中，每个 MOSFET 的电流是独立的，总电流等于各 MOSFET 电流之和。
这意味着当其中一个 MOSFET 的电流增加时，其他MOSFET 的电流不受影响。
另外，由于并联 MOSFET 的总电阻小于单个MOSFET 的电阻，因此并联电路具有更低的电阻和更高的电流容量。
四、MOSFET 并联在实际电路中的应用MOSFET 并联在实际电路中有着广泛的应用，例如在电源开关、放大器、信号处理器等电路中。
通过并联多个 MOSFET，可以实现更大的电流、更高的效率和更好的稳定性。
此外，MOSFET 并联还可以提高电路的可靠性，一旦某个 MOSFET 出现故障，其他 MOSFET 仍可以继续工作，从而保证整个电路的正常运行。
综上所述，MOSFET 并联连接在实际电路中具有很多优点，如低电阻、高电流容量、高稳定性和可靠性等。
mos管并联均流 -回复
mos管并联均流-回复mos管并联均流是指将多个金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）连接并联，以实现电流的分流和均衡流动。
这种电路连接方式不仅能够提高电流负载能力，还能够防止由于单个器件故障而导致整个电路失效。
本文将详细介绍mos管并联均流的原理和实现方法。
第一部分：mos管并联均流原理mos管并联均流的原理基于以下几个关键点：1. 电流的分流：将多个mos管连接在一起并联，可以使输入电流均匀分流到每一个器件上，从而减小单个器件的负载。
2. 器件的特性匹配：要实现mos管并联均流，需要确保连接的mos管具有相似的特性参数，如漏极电流、阈值电压等，以确保均衡的电流分配。
3. 共源电路：mos管并联时通常使用共源电路，以便通过源极电压调整mos管的工作点，使其输出电流均衡。
第二部分：实现mos管并联均流的方法实现mos管并联均流可以采用以下几种方法：1. 精选相似器件：首先需要从大量的mos管器件中挑选出具有相似特性参数的器件组成并联电路。
这需要对器件的参数进行测试和筛选，确保器件之间的差异尽可能小。
2. 稳流源均流：将mos管并联后，用稳流源对共源电路中的mos管进行均流控制。
稳流源可以根据需要提供相同的电流给每个mos管，以实现3. 反馈控制：通过在共源电路中引入反馈回路，实现对mos管输出电流的控制和调节。
反馈控制可以通过调整共源电阻或使用反馈电路来实现，使mos管的输出电流均衡。
第三部分：mos管并联均流的优点和应用mos管并联均流具有多个优点和应用场景：1. 提高负载能力：mos管并联均流可以使得分流到每个mos管的电流减小，从而提高整个电路的负载能力。
2. 提高可靠性：mos管并联均流可以防止单个器件故障导致整个电路失效，增强了整个电路的可靠性。
3. 增加冗余：通过将多个mos管并联，可以在一定程度上增加电路的冗余，以应对某个器件故障时的备用。
4. 应用于功率放大器和电源电路：mos管并联均流常用于功率放大器和电源电路中，以提高功率输出和电流供应的稳定性。
mos并联均流闭环控制
mos并联均流闭环控制摘要：1.MOSFET 并联均流闭环控制的概念2.MOSFET 并联均流闭环控制的原理3.MOSFET 并联均流闭环控制的实现方法4.MOSFET 并联均流闭环控制的优点与应用正文：一、MOSFET 并联均流闭环控制的概念MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件。
在高功率应用场景中，为了实现高效、稳定的电力传输，常常需要对多个MOSFET 进行并联使用。
而并联均流闭环控制则是一种有效的策略，用于确保多个并联MOSFET 之间的电流均匀分布，从而提高整个系统的性能。
二、MOSFET 并联均流闭环控制的原理并联均流闭环控制的核心思想是实时测量并联MOSFET 之间的电流差异，然后通过控制每个MOSFET 的栅极电压，使其电流分配趋于均匀。
具体原理如下：1.首先，通过电流检测电路，实时测量并联MOSFET 之间的电流差异。
通常采用电流检测电阻或霍尔效应传感器进行电流检测。
2.然后，将检测到的电流差异与预设的电流偏差进行比较。
如果电流差异超过预设值，说明存在电流不均衡现象，需要进行调整。
3.最后，通过控制每个MOSFET 的栅极电压，使得电流分配趋于均匀。
这可以通过PWM（脉宽调制）技术或电压调制技术实现。
三、MOSFET 并联均流闭环控制的实现方法实现MOSFET 并联均流闭环控制需要以下几个步骤：1.设计并联电路：根据实际应用需求，选择合适的MOSFET 器件，并设计合理的并联电路。
2.选择电流检测方法：根据电路特点和实际需求，选择合适的电流检测方法，如电流检测电阻或霍尔效应传感器。
3.设计控制电路：设计用于实现MOSFET 栅极电压控制的控制电路，包括PWM 发生器、电压调制器等。
4.编写控制程序：编写用于实现并联均流闭环控制的程序，包括电流检测、电压控制等功能。
四、MOSFET 并联均流闭环控制的优点与应用MOSFET 并联均流闭环控制具有以下优点：1.提高系统效率：通过实现电流均匀分布，降低系统损耗，提高整体效率。
大功率整流器多个支路并联的均流分析
压和电流畸变率。在大电流工业应用中，晶闸管相控整 流 器 是 最 常 用 的 技 术 。 晶 闸 管 整 流 器 效 率 较 高 ，约 为 97%［1-3］。晶闸管整流器的主要优势是高效率、高可靠性、 负载电流控制得好、成本低和技术成熟。由于电解工艺 不断进步，大规模电解槽需要的直流电流从几十千安到 几 百 千 安 不 等 ，整 流 系 统 采 用 大 功 率 多 机 组 并 联 的 方 式为电解槽提供电源，单台 6 脉波晶闸管整流柜的电流 最 高 达 到 几 十 千 安 ，二 极 管 整 流 柜 的 电 流 甚 至 更 高 。 当 整 流 柜 的 电 流 要 求 达 到 一 定 值 时 ，由 于 器 件 容 量 等 原因，需要多个整流元件并联供电才能满足要求。整流 元件并联使用过程中，每个支路的均流问题严重影响整 流器的安全运行。本文从器件、布局、脉冲触方多个影响 均流的方面进行分析，针对晶闸管整流器多支路并联均 流方式进行探讨，提高均流水平，为整流器的安全运行提 供帮助。
1 研究背景
整流系统主要由整流变压器、滤波器、整流柜等装置 组成。其中，整流变压器的损耗在整流系统部件中占有 很大一部分；整流柜中的电力电子器件是整个整流系统 的核心部件。目前，国内外大功率整流系统大多采用二 极管、晶闸管作为整流元件。半导体二极管的出现开辟 了能量变换的新方式，由其构成的整流系统具有谐波小 的优点，但二极管的开通与断开不能控制。随着晶闸管 的出现，以晶闸管为代表的整流技术具有调压范围广、精 度高、可靠、高效率以及控制灵活、操作简单的优点，并且 在 相 关 领 域 得 到 了 广 泛 应 用 和 发 展 。 近 年 来 ，GTR、 GTO、MOSFET 和 IGBT 等这些大功率可关断器件，在整流 系统中得到了应用，具有控制灵活、谐波减小等优点。但 是，目前可关断器件的价格、电路复杂、产生高次谐波、耐 压等级、容量等因素限制了晶闸管在实际工程中的广泛 应用。
MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究
MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究1 引言MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性，可自动调节电流，因而易于并联应用。
但由于器件自身参数(栅极电路参数及漏源极电路参数不一致)原因，并联应用功率MOSFET 管会产生电流分配不均的问题，关于此问题，已有文献进行过分析，这里进一步分析MOSFET管并联应用时导通电阻Ron、栅阈电压UT、跨导Gm等自身参数及部分电路参数对静态和动态电流分配的影响。
2 导通电阻Ron对静态电流分配的影响这里静态是指器件开关过程已结束并进入稳定导通后的工作状态。
此时，由于导通电阻Ron具有正的温度系数KT，可抑制电流分配不均的程度，但不能根本消除电流分配不均现象。
实践证明，当n只器件并联时，若其中只有1只器件具有较小的导通电阻Ron，这时静态电流不均现象最为严重。
设较小导通电阻为R1，其余器件的导通电阻为R2，并设其结温为Tj=25℃时的导通电阻分别为R10和R20，而结温Tj≠25℃时的导通电阻分别为R1T和R2T，则有：式中，In为MOSFET管的漏极电流，RTj为PN结到管壳的热电阻。
若负载电流为I0，当各器件不存在电流分配不均现象时，各管漏极电流平均值为：式中为漏极电流的不均匀度为导通电阻的不匹配度；M=I2BR10RTjKT，称为功率MOSFET管导通电阻的自主补偿系数。
当并联支路数n→∞时，式(6)可简化为：在式(7)、(8)中再分别令M=0和n→∞，则均可得到：A=B (9)图2是以IRFP064为例，根据式(6)～(9)计算出的漏极电流不均匀度A与导通电阻均匀度B间的关系曲线(以n为参变量)，可得出如下结论：(1) 并联器件数n相同的每一组曲线，漏极电流不均匀度A随自主补偿系数M的增大而下降；(2)并联器件数n相同的每一组曲线，两条曲线间的差距随n的增大而增大；(3)并联器件数n相同的每组曲线，随n的减小而降低；(4)并联器件的静态电流不匹配度A有最大值，即A=B。
mos 并联 电流
mos 并联电流摘要：一、mos 管的基本概念1.MOS 管的工作原理2.MOS 管的分类二、mos 管的并联1.并联的原理2.并联的优点与缺点三、mos 管并联后的电流分析1.电流分配定律2.影响电流分配的因素四、实际应用中的mos 管并联1.电源管理2.集成电路设计正文：MOS 管，全称为金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管，是一种在半导体材料上制成的电子器件。
它具有高输入阻抗、低噪声、低失真等优点，广泛应用于各种电子设备中。
本文将为您详细介绍MOS 管并联的相关知识。
首先，让我们来了解MOS 管的基本概念。
MOS 管的工作原理是通过控制栅极电压来调整源漏电流。
根据沟道材料的不同，MOS 管可分为n 型MOS 管和p 型MOS 管。
此外，根据栅极电压的不同，MOS 管还可以分为增强型和耗尽型。
在实际应用中，MOS 管有时需要进行并联。
那么，MOS 管是如何进行并联的呢？并联的原理是将多个MOS 管的源极或漏极连接在一起，从而形成一个并联电路。
这种结构的优点是提高了电流容量，增加了输出电压，同时降低了输入电阻。
然而，并联也存在缺点，如电流分配不均、温度影响较大等。
在了解并联原理后，我们来探讨一下MOS 管并联后的电流分析。
根据电流分配定律，并联电路中的电流分配与各分支电阻成反比。
在MOS 管并联中，电流分配主要受源极电阻、漏极电阻和栅极电阻影响。
为了获得更好的电流分配，可以采用电阻连接、源极和漏极对调等方法。
在实际应用中，MOS 管并联技术被广泛应用于电源管理、集成电路设计等领域。
例如，在电源管理中，采用MOS 管并联可以实现高电压、大电流输出，从而满足不同设备的供电需求。
在集成电路设计中，MOS 管并联有助于提高电路性能，降低功耗。
总之，MOS 管并联是一种提高电流容量、增加输出电压的有效方法。
然而，在实际应用中，也需要注意到并联的缺点，并采取相应的措施优化电流分配。
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图 !" 转移特性曲线
!"" #"" $%"
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图 %" 单管分流降压效果图
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显示 ! + 两端电压 # 01 变化曲线如图 . 所示。
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图 #" 输出特性曲线
&# 结论
转移特性曲线测试的结果表明， 当 ! ,$ 大于开 " # 随着 ! ,$ 在一定范围内的增加而明显 启电压时， 增大。 输出特性曲线测试的结果表明， 在 ! ,$ 大于开 启电压时， 随着 ! ,$ 的增大 " # 也是逐步增大的； 当 ! ,$ 大于 ! " 以后， 随着 ! ,$ 的增大 " # 明显增大； 但 在 ! ,$ 大于 . " 以后， 随着 ! ,$ 的继续增大 " # 的增 加趋势逐步减缓。 &’$()* 并联分流特性测试 证 明： 双管并联 分流降压的效果明显好于单管分流降压的效果， 而四管并联分流降压的效果更好于双管并联分流 降压的效果。因此可以根据需要， 通过适当增加 并联 &’$()* 的数量来实现特定的降压目的。 影响实验结果的三个主要因素是栅 ; 源电压 ! ,$ 、 漏 ; 源电压 ! #$ 和 &’$()* 导通时间。除此 之外， 影响测量结果的因素还包括实验环境中磁 场的强弱、 各种干扰信号以及电路的接线工艺等。 参考文献：
［%］ 钱< 敏， 徐鸣谦， 米智楠 4 功率 &’$()* 并联驱动特性 分析 ［ =］ 4 半导体技术， +//: ， 3+ （ %% ） ： 9-%>9-.4 ［+］ 华成英 4 模拟电子技术基本教程 ［ &］ 4 北京： 清华大 学出版社， +//.4 ［3］ 张< 良， 黄子平， 刘承俊， 等 4 &’$()* 器件并联实验研 究 ［ =］ 4 通信电源技术， +//: ， +! （.） ： ->%%4 ［!］ 严寒松， 周伟松， 王培清， 等 4 高频感应加热电源功率 器件 &’$()* 驱动电路 ［ =］ 4 电力电子技术， +//: ， !% （!） ： 9%>994 ［ 编辑： 周希章］
图 $" 单管与电阻并联电路
在 *! 未导通时， 先由电源给出 -./ 0 的电流 "’ ， 此时， 万用表显示 # 01 为 2" 3 4。当在 *! 的栅 5 源两端加上一个电平为 3 4、 时间为 , 6 的脉冲 时， 示波器上显示 # 01 变化曲线如图 2 所示。 （#） 双管并联分流特性实验 两个 %&’()* 和 电 阻 器 ! + 组 成 并 联 回 路。 在管子未导通时， 先由电源给出 -./ 0 的电流 " ’ ， 此时， 万用表显示 # 01 为 2" 3 4。当栅 5 源两端加 上一个电平为 3 4、 时间为 , 6 的脉冲时， 示波器上 ・ ,3/・
表 $# 漏极电流 ! %
! ,$ 8 " % . %/ ++0 +3. +./ %4 + +.. +:+ 3/3 %4 3%3 3+% 3.% ! #$ 8 " %4 0 3-0 3.3 !/! +4 % 39! !%/ !-0 +4 !!% !--+% 3 !:-// --0 34 -/+ -!. -90 1
!" #" #$ 并联分流特性测试 在前面测得的转移特性曲线和输出特性曲线 的基础上， 进行 %&’()* 与电阻并联时分流特性 的测试。 （!） 单管分流特性实验 单个 %&’()* 和电阻器 ! + 组成的并联回路 如图 , 所示。
! "! $% & ’ % #$ $" #
图 &" 双管并联分流降压效果图
。在我们研发的电子设备
中， 主回路上使用了一个额定功率为 & 9: 的电 阻。为了实现对电阻的分流降压， 采用了在电阻 两端并联 ()2+34 的方法来实现。为了使电路取 得良好的应用效果， 同时保护承担分流降压作用 的 ()2+34， 对 ()2+34 导通特性的测量， 特别是 其与大功率电阻并联后的分流特性的测量具有重 要意义。 介绍了在一定的栅 5 源电压、 漏 5 源电压和 环境温度条件下， 对 ’()!!"%%*%!+ , 沟道增强型 -./01 ()2+34 的转移特性和输出特性的测试和 分析； 以及利用其作为分流器件， 在电路中并联单 个、 两个及四个 ()2+34 实现的分流降压效果。
’( 引言
()2+34 的导通电阻具有正 温 度 系 数， 可以 并联使用来 扩 大 其 电 流 容 量。在 低 压 大 电 流 场 合， 使用多个 ()2+34 并联工作， 能获得比 6784 更高的效率。因此， 并联 ()2+34 非常适合在低 电压、 大电流下工作
［ !］
可以定义自己的电压波形等功能。 为记录 ()2+34 漏 5 源两端电压降的变化， 使用了 409@1.?=G 公司的 4-2"%!& 隔离通道数字存 储示波器。 实验选用 6HI2 公司的 ’() !"%%*%!+ , 沟道 公司目前给出管子的三个 增强型 -./01 ()2+34， 基本参数是： ! J22 为 !%% ’， " J"D 为 ! "&D ;， # J2 为 （ .?） !$ KD L!， 但没有给出管子的其他电气特性。 实验采用的大功率电阻是由北京市兴华电器 厂生产的 MH!D 型电阻器。其相关参数是： 电阻阻 额定功率为 & 9:， 额定电流为 ! %%% 值为 %$ %%& !， ;。 )* +( 实验测试及结果 由于 6HI2 公司没有提供 ()2+34 具有的更 多的电气 特 性， 特 别 是 转 移 特 性 和 输 出 特 性， 所 以， 首先要对管子的特性曲线进行测试。 !$ "$ !# 特性曲线测试 （!） 转移特性曲线测试 转移特性曲线是指当漏 5 源电压 $ J2 为常量 时， 漏极电流 " J 与栅 5 源电压 $ 72 之间的函数关 系。 选取 $ J2 为 ! ’ 和 & ’， 测得室温为 "K N 时的 典型转移特性曲线如图 ! 所示。 （"） 输出特性曲线测试 输出特性曲线是指当栅 5 源电压 $ 72 为常量 时， 漏极电流 " J 与漏 5 源电压 $ J2 之间的函数关 系。 选取 $ 72 分别为 & ’， D ’， A ’ 和 !% ’， 测得室 温为 "K N 时的典型输出特性曲线如图 " 所示。
《 冶金自动化》 +//0 年 $+
和 ! " 时的转移特性曲线。两者的不同说明了： 在 ! #$ 为 % " 和 ! " 时， &’$()* 是不能够工作在恒 流区的。 !" !# 输出特性 从文献 ［+］ 上看到输出特性曲线的三个工作 区域分别是可变电阻区、 恒流区以及夹断区。从 图 + 上看到， 除了在 ! ,$ 为 ! " 时可以看到可变电 阻区和恒流区外， 在 ! ,$ 为 - "， . " 和 %/ " 时能看 到的仅仅是部分的可变电阻区。这主要是因为， 两台 . .0/ 1 直流电源串联能达到的最大电压为 %/ "， 因此 ! #$ 的最大值为 %/ "； 同时， 由于管子导 通时间和安全功率的限制， 最大只能测试到图 + 所示程度。而 &’$()* 并联分流特性测试时 ! #$ 的测试范围是 / 2 - "， 所以图 + 已经能够为测试 提供参考数据。由于开启电压为 34 !! "， 所以在 ! ,$ 为 ! " 时， 即使是随着 ! #$ 的增大， " # 也仅为 3/ 1 左右； 但在 ! ,$ 大于开启电压的时候， 随着 ! ,$ 的 增大 " # 是逐步增大的； 当 ! ,$ 大于 ! " 以后， 随着 ! ,$ 的增大 " # 明显增大； 但在 ! ,$ 大于 . " 以后， 随 着 ! ,$ 的继续增大 " # 的增加趋势逐步减缓。 最佳控制电压选择时， 首先， 考虑到 567$ 公 司给出的极限参数中 ! ,$ 不能大于 +/ "； 其次， 从 图 + 上看到， 在 ! ,$ 大于 . " 以后， 随着 ! ,$ 的继续 增大 " # 的增加趋势逐步减缓； 从表 % 中的几个采 样点看到， 虽然 ! ,$ 为 %/ " 时的分流能力是好于 . " 的， 但电流增加的最大值也仅为 -/ 1 左右。综 合考虑以上原因， 特别是从安全角度和便于控制 方面考虑， 选取 . " 作为最佳控制电压 ! ,$ 。
（,） 四管并联分流特性实验 四个 %&’()* 和 两 个 并 联 电 阻 组 成 并 联 回 路。在管子未导通时， 先由串联电源给出 ! 7// 0 的电流 " ’ ， 此时， 万用表显示电阻两端电压 # 01 为 2" 3 4。当栅 5 源两端加上一个电平为 3 4、 时间 为 , 6 的脉冲时， 示波器上显示 # 01 电压降变化为 !" ## 8 !" ,2 4。