(清华大学)模拟电子技术基础-第八章

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模拟电子技术 清华华成英第四版 第八章

模拟电子技术 清华华成英第四版 第八章

Xf Xi
+
Xf Xi
XO Xi

Xf XO
AF 1
AF AF 1 幅值平衡条件
Arg AF Arg A Arg F A F 相位平衡条件 2n (n 0、1、 2)
二、起振和稳幅
起振的条件: Xf 稍大于 Xi 即
Xf Xi
..
AF
1
稳幅的条件: Xf Xi 即
Xf Xi
..
AF 1
2M 2 Ri2 2 L22

L2
优点: 容易振荡
缺点: 能量损耗大,变压器 器件笨重
例:分别标出图所 示各电路中变压器 的同名端,使之满 足正弦波振荡的相 位条件。
三、电感反馈式振荡电路(电感三点式)
判定原则:
中间交流接地,首尾反向, 首或尾端交流接地,另两端 同向
振荡频率: f0
2
1 LC
(本题10分)一电压比较器电路及参数如图所示。请求出 该电路的阈值电压,画出电压传输特性曲线,并说明是何 种类型的电压比较器
2解:所示电路为反相输入的滞回比较器 (3分)
uO=±UZ=±6V。令
uP
R1 R1 R2
uO
R2 R1 R2
U REF
uN
uI
(2分)
求出阈值电压:UT1=0 V UT2=4 V (2分)
U = T
R
R 1
+R
•U Z
1
2
uo从+UZ跃变到-UZ的 阈值电压为+UT
uo从-UZ跃变到+UZ的 阈值电压为-UT
uI在-UT与+UT之间增加或减 小, uO不发生变uO化
+UZ

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识自测题一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈ U O2=0 U O3≈- U O4≈2V U O5≈ U O6≈-2V四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图略。

六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。

2、临界饱和时U CES =U BE =,所以Ω≈-====-=k 4.45V μA 6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。

习题(1)A C (2)A (3)C (4)A不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为时管子会因电流过大而烧坏。

u i 和u o 的波形如图所示。

ttttu i和u o的波形如图所示。

u o的波形如图所示。

I D=(V-U D)/R=,r D≈U T/I D=10Ω,I d=U i/r D≈1mA。

(1)两只稳压管串联时可得、、和14V等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得和6V等两种稳压值。

I ZM=P ZM/U Z=25mA,R=U Z/I DZ=~Ω。

(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。

故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。

【模拟电子技术基础-清华课件】08-chap3-8-p

【模拟电子技术基础-清华课件】08-chap3-8-p

rb 'e
1+
g
m
r b
'e
=
re
3
清华大学电子工程系李冬梅
3.8 放大电路的频率响应特性
AVSH
=
VO VS
= βRL' • re •
1
分析:
(1) fH决定于fP1 、fP2

1
若RS>> re,则 f p1 ≈ 2π
-> fα ,达到最大值
1 reC
b'e
rbe
f p1 f p2
RS + re 1 + jωre
=
AvsM
1+ 1+
j j
f
fz f
fp
1
清华大学电子工程系李冬梅
3.8 放大电路的频率响应特性
3.8.4 CC电路的高频特性(续)
A vsH
=
Vo Vs
=
RS
(1 + gm Zb′e )R′L + rbb′ + Zb′e + (1 + gm Zb′e )R′L
=
AvsM
1+ 1+
jf jf
输入级的零漂影响最大!
差放作输入级
10
清华大学电子工程系李冬梅
3.9 多级放大电路及组合放大单元
3.9.2 多级放大电路的分析
+
RS
+
VS_
Vi _ Ri1
Ro1
V′o1 +_
++
Vo1 Vi2
_ _ Ri2
Ro2
V′o2 +_

最新模拟电子技术基础习题及答案(清华大学出版社)

最新模拟电子技术基础习题及答案(清华大学出版社)

125K
rbe
rbb'
(1 )
26mA I CQ
0.7K
g m 38.5ICQ 76.9ms
RB
rbe
βIb
RC
1-9 某晶体管的输出特性如图 P1-9(a)所示。将在 0~1mA 之间的特性放大后如图 P1-9(b)所 示。 (1)计算该晶体管的 β 和 PCM。 (2)当 UCE 分别为 5V 和 10V 时,IC 分别允许为多大。 (3)确定该晶体管的 U(BR)CEO 和 U(BR)CBO 的值。
179.6mV
对于锗管:
UD
26mV ln
1mA 0.5pA
556.8mV
1-2 室温 27 C 时,某硅二极管的反向饱和电流 IS=0.1pA。 (1)当二极管正偏压为 0.65V 时,二极管的正向电流为多少? (2)当温度升至 67 C 或降至 10 C 时,分别计算二极管的反向饱和电流。此时,如保持(1) 中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:
精品文档
第一章 半导体器件
1-1 当 T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流 IS 分别为 1 A 和 0.5 pA 。如将此两个二极管 串联起来,有 1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:
UD
二极管正偏时, I ISe UT

I UD UT ln IS
对于硅管:
UD
26mVln 1mA 1A
图 P1-5
解:不能。因为它们不可能同时满足如下条件,即:发射区掺杂浓;集电结面积大;基区薄。放 大时发射结正偏,集电结反偏,用二极管等效集电结反偏时不可能有电流,而晶体管二个结因具 有上述特点载流子可输出到集电极去。

模拟电子技术基础-清华大学 华成英-全套完整版精编版

模拟电子技术基础-清华大学 华成英-全套完整版精编版
华成英 hchya@
六、课程的目的
本课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统的分 析和设计的学习,使学生获得模拟电子技术方面的基础知 识、基础理论和基本技能,为深入学习电子技术及其在专 业中的应用打下基础。 1. 掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。 2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力,
为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体?
华成英 hchya@
二、杂质半导体
1. N型半导体
5
多数载流子
空穴比未加杂质时的数目多 了?少了?为什么?
杂质半导体主要靠多数载流 子导电。掺入杂质越多,多子 浓度越高,导电性越强,实现 导电性可控。
磷(P)
华成英 hchya@
模拟电子技术基础
清华大学 华成英
华成英 hchya@
绪论
一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、电子信息系统的组成 四、模拟电子技术基础课的特点 五、如何学习这门课程 六、课程的目的 七、考查方法
华成英 hchya@
一、电子技术的发展
以及将所学知识用于本专业的能力。
注重培养系统的观念、工程的观念、科技进步 的观念和创新意识,学习科学的思维方法。提倡 快乐学习!
华成英 hchya@
七、考查方法
1. 会看:读图,定性分析 考查分析问题的能力
2. 会算:定量计算 3. 会选:电路形式、器件、参数
考查解决问题的能力--设计能力 4. 会调:仪器选用、测试方法、故障诊断、EDA
➢ 基本分析方法:不同类型的电路有不同的性能指标 和描述方法,因而有不同的分析方法。 2. 注意定性分析和近似分析的重要性 3. 学会辩证、全面地分析电子电路中的问题 ➢ 根据需求,最适用的电路才是最好的电路。 ➢ 要研究利弊关系,通常“有一利必有一弊”。 4. 注意电路中常用定理在电子电路中的应用

模拟电子技术基础-课程作业

模拟电子技术基础-课程作业

教材 模拟电子技术基础(第四版) 清华大学模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压,则空间电荷区将( b )。

(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。

(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。

(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4若将PN 结短接,在外电路将( c )。

(a)产生一定量的恒定电流 (b)产生一冲击电流 (c)不产生电流5电路如图所示,二极管D 1、D 2为理想元件,则在电路中( b )。

(a)D 1起箝位作用,D 2起隔离作用 (b)D 1起隔离作用,D 2起箝位作用 (c)D 1、D 2均起箝位作用 (d)D 1、D 2均起隔离作用D 1V 2V u O6二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而( a )。

(a)增大(b)减小 (c)不变7电路如图所示,二极管型号为2CP11,设电压表内阻为无穷大,电阻R =5k Ω,则电压表V 的读数约为( c )。

(a)0.7V (b)0V (c)10VR8电路如图所示,二极管D 为理想元件,输入信号u i 为如图所示的三角波,则输出电压u O的最大值为( c )。

(a)5V (b)10V (c)7VDu O9电路如图所示,二极管为理想元件,u i =6sin ωt V ,U =3V ,当ωt =π2瞬间,输出电压 u O 等于( b )。

(a)0V (b)6V(c)3VDu O10电路如图所示,二极管D 1,D 2,D 3均为理想元件,则输出电压u O =( a )。

(a)0V (b)-6V (c)-18V0V3--11电路如图所示,设二极管D1,D2为理想元件,试计算电路中电流I1,I2的值。

23k+-答:D1导通、D2截止.所以:I1=(12V+3V)/ 3k=5mA I2=012电路如图1所示,设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示,若忽略二极管的正向压降,试画出输出电压uO的波形,并说明t1,t2时间内二极管D1,D2的工作状态。

山东大学-清华大学-模拟电子技术基础-模电(第四版)习题库及解答

山东大学-清华大学-模拟电子技术基础-模电(第四版)习题库及解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

模拟电子技术基础习题及答案(清华大学出版社)

模拟电子技术基础习题及答案(清华大学出版社)

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0.5pA 。

如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =0.1pA 。

(1)当二极管正偏压为0.65V 时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。

此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。

已知电源电压为6V ,二极管压降为0.7伏。

试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结

(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

《模拟电子技术》教案(全)

《模拟电子技术》教案(全)

电路性能指标
了解并掌握电路的主要性能指标, 如增益、带宽、失真度等。
电路性能评估方法
运用仿真软件或实际测试,对电 路性能进行评估。
电路优化方法
根据评估结果,通过调整电路参 数、改进电路结构等方法,优化
电路性能。
04
模拟电子技术应用实例
放大电路原理及应用的输入信号放大为较强的输出
简单电子电路的分析与测试
搭建基本放大电路、振荡电路等,观 察并分析其工作原理和性能指标。
实验报告的撰写
根据实验数据和观察结果,撰写实验 报告,包括实验目的、步骤、数据记 录、结果分析和结论等。
课程设计选题及要求
设计并制作一个音频放大器
设计并制作一个数字钟
要求实现音频信号的放大,并具有一定的频 率响应和失真度指标。
瞬态电路分析
运用换路定则和初始值、 稳态值等概念,分析电路 在开关瞬间的电压、电流 变化。
复杂电路分析方法
等效电路法
通过电路等效变换,简化复杂电 路,便于分析和计算。
节点电压法
以节点电压为未知量,列写节点电 压方程,求解复杂电路。
网孔电流法
以网孔电流为未知量,列写网孔电 流方程,求解复杂电路。
电路性能评估与优化
电子元器件简介
01
电阻器
电阻器是一个限流元件,将电阻接在电路中后,电阻器的阻值是固定的
一般是两个引脚,它可限制通过它所连支路的电流大小。
02 03
电容器
电容器是一种容纳电荷的器件。电容器是电子设备中大量使用的电子元 件之一,广泛应用于电路中的隔直通交,耦合,旁路,滤波,调谐回路, 能量转换,控制等方面。
02
03
04
熟悉基本电子元件的特 性和参数,如电阻、电 容、电感等。

模拟电子技术基础 清华大学 完整版

模拟电子技术基础 清华大学  完整版

计算机领域: 包括计算机 硬件、软件、
网络等
工业领域: 包括自动化 控制、机器 人、智能制
造等
医疗领域: 包括医疗设 备、医疗器 械、远程医
疗等
军事领域: 包括武器装 备、雷达、
通信等
航空航天领 域:包括飞 机、卫星、
火箭等
电子技术的未来发展趋势
智能化:人工智 能、机器学习等 技术在电子技术 中的应用将更加 广泛。
考虑器件的参数和性能是否满足电路要 求
单击此处输入你的正文,请阐述观点
考虑器件的价格和可用性,选择性价比高 的器件
单击此处输入你的正文,请阐述观点
模拟电子器件的封装形式及选用原则
单击此处输入你的项正文,请尽量言简意赅的阐述观点。 模拟电子器件的选用原则 单击此处输入你的项正文,请尽量言简意赅的阐述观点。 单击此处输入你的项正文,请尽量言简意赅的阐述观点。 单击此处输入你的项正文,请尽量言简意赅的阐述观点。 单击此处输入你的项正文,请尽量言简意赅的阐述观点。
放大电路的分 类:根据电路 结构和性能特 点,可以分为 共射、共集、 共基和场效应 管放大电路等。
放大电路的应 用:在通信、 音响、仪表等 领域得到广泛 应用,为人们 的生活和工作 带来便利。
放大电路的频率响应及稳定性分析
稳定性分析:通过相位裕度、 增益裕度等指标评估电路稳 定性
频率失真:分析不同频率下 的非线性失真
案例分析:调制解调器、滤波 器等
案例总结与展望
控制系统中的应用案例分析
模拟电子技术在控制系统中的应用概述 模拟电子技术在温度控制系统中的应用案例 模拟电子技术在压力控制系统中的应用案例 模拟电子技术在位置控制系统中的应用案例
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模拟电子技术基础清华大学全套完整版PPT课件

模拟电子技术基础清华大学全套完整版PPT课件
2021/5/26
三、电子信息系统的组成
传感器 接收器
隔离、滤 波、放大
运算、转 换、比较
功放
执行机构
信号的 提取
信号的 预处理
信号的 加工
信号的驱 动与执行
模拟电子电路
A/D转换
模拟电子系统 数字电子电路(系统)
2021/5/26
计算机或其 它数字系统
D/A转换
模拟-数字混合电子电路
四、模拟电子技术基础课的特点
自由电子与空穴相碰同时消失,称为复合。动态平衡
一定温度下,自由电子与空穴对的浓度一定;温度升 高,热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空 穴对的浓度加大。
半导体--硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们 原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。
本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。
2021/5/26
无杂质 稳定的结构
2、本征半导体的结构
共价键
由于热运动,具有足够能量 的价电子挣脱共价键的束缚
而成为自由电子
自由电子的产生使共价键中 留有一个空位置,称为空穴
第一个集成电路及其发明者 ( Jack Kilby from TI ) 1958年9月12日,在德州仪器 公司的实验室里,实现了把电子器件 集成在一块半导体材料上的构想。42 年以后, 2000年获诺贝尔物理学奖。 “为现代信息技术奠定了基础”。
2021/5/26
二、模拟信号与模拟电路
1. 电子电路中信号的分类 “1”的倍数
2021/5/26
一、本征半导体
1、什么是半导体?什么是本征半导体?
导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。
导体--铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层 电子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。

清华大学模拟电子技术基础精华版

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道德與生活
從字義看兩者的意義與差別: 1、倫理的意義:
(2)电流负反馈型偏置电路
ICQ↑ →IEQ↑ →VEQ(=IEQ*RE)↑ ↓
ICQ↓← IEQ ↓← VBEQ(= VEQ -VEQ)↓
这种电路通过负反馈措施,增强了电路的稳定性,但VCEQ的变化 范围缩小了。
(3)分压式偏置电路
这种电路是负反馈型偏置电路的改进电路。基极电位固定,增强 了VBE对ICQ的调节作用,有利于Q点的进一步稳定。
ex. β=50
3. 晶体管放大状态的偏置电路
(1)固定偏流电路
这种电路简单,但外电路将IBQ固定,当温度变化或更换管子引起 β,ICBO改变时,由于外电路将IBQ固定,管子参数的改变都将集中反映 到ICQ,UCEQ的变化上。会造成工作点较大的漂移,甚至使管子进入饱 和或截止状态。工作点的稳定性差。
三区结构与掺杂
外部条件? Je正偏, Jc反偏。
2020/1/11
电位关系: NPN:VC > VB > VE PNP:VC < VB < VE
二、内部载流子传输过程
忽略支流:
IE =IC+IB
IE
(1) 扩散 (2) 漂移 (3) IC
发射区
基区
集电区
Je 正偏
复 Jc 合 反偏
IB
另有支流: IEP 、 ICBO
2.1.6 基本要求
1.熟练掌握器件(三极管)的外特性、 主要参数。
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vo = V REF 2
3
Q = vo (
vo =
叠加
V REF V V V V D 0 + REF D 1 + REF D 2 + REF D 3 = REF 16 8 4 2 24
∑D
i=0
i
⋅ 2i
3
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第八章-8.2 D/A转换器
8.2.3 集成D/A举例 (5G7520)
13
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第八章 8.3 -8.3.3 4 电容加权网络A/D
C C/2 C/4 C/8 C/16 C/16
A vA
- +
v0 (数字信 号输出)
控制 电路
S7
S1
S2
S3
S4
S5
S6
v1 VREF
S8
图8.3.7 5位电容加权网络ADC原理图
(3)电荷重新分配阶段 上极板Q= - 2CvI 电荷守恒 第一步:S1 →VREF,
VL vI S C + _ A vC
6
vO
3
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VREF v1 13 VREF 15 11 VREF 15 9 VREF 15 7 VREF 15 R R R R
第八章 8.3 A/D变换器

8.3.3 直接A/D变换器
8.3.3.1 并行A/D 1.组成 (1)分压器 (2)比较器 (3)寄存器 (4)编码器 2.工作原理 vI
6
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第八章 8.3 -8.3.3 4 电容加权网络A/D
A vA
- +
C
C/2
C/4
C/8
C/16
C/16
v0 (数字信 号输出)
控制 电路
S7
S1
S2
S3
S4
S5
S6
v1 VREF
S8
图8.3.7 5位电容加权网络ADC原理图
(2) 保持阶段 S7断开;S1~S6接地,S8接vREF 忽略比较器输入电流和电容的漏电流: 上极板Q保持, vA= - vI
特点: 特点: 元件少;2(26-1) 元件少;2(26-1) 速度下降不多; 速度下降不多; 较多用. 较多用.
12 位 寄 存 器
D11 D10
D0 CP3
9
图8.3.4串并行ADC原理框图
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第八章 8.3 -8.3.3 直接A/D变换器
8.3.3.3 逐次逼近A/D
v1 (4) 第二步: 1.组成 Dn-2=1, D=*100..0 2.工作原理 . (1) .转换前: 寄存器清零 第n步:D0=1 0 D=0,v’REF=
∑D
i=0
9ห้องสมุดไป่ตู้
×2
9
i
i i’ 2 13 D0
vo = −
R F V REF 1 ⋅ 10 R 2
∑D
i=0
4
i
5 D8
6 D7
× 2i
...
D9
V = − REF 2 10
∑D
i=0
9
i
× 2i
R1=0
4
2
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第八章 模数转换器和数模转换器
8.3 A/D变换器
直接A/D 间接A/D: A→T→D
用于单极性D/A 图8.2.9 Di =1, Si接左侧 Di =0, Si接右侧
I i = REF 2 10
VREF 15 R IREF 2R R 2R
...
14 R 2R 2R 3 16 RF
VDD
2R
∑D
i=0
9
i
×2
i
S9
i
S8
S7
... ...
S0
R1 1 _ + A vO
V 1 = REF ⋅ 10 R 2
A→F→D
8.3.1 A/D的主要技术参数
分辨率(输出数字量位数 n 表示) 转换误差(实际输出与理想差别) 转换速度-转换时间(一次转换) 转换精度
5
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第八章 8.3 A/D变换器
8.3.2 采样-保持电路
A→采样保持→量化编码→D 组成:开关、电容(保持)、缓冲放大 主要参数: (1) 采集时间 (2) 保持电压下降率
2. 特点: (1)共性:开关支路电流与权成正比,电流相加 (2)不同:产生支路电流的方法不同; (3)优点:速度快;恒流源,对开关要求低;
1
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8.2.2.3 权电容网络D/A
1. 分析:
Di =1, Si接VREF Di =0, Si接地 工作前,S’闭合,S0 ~ S3接地 工作开始,S’断开, Di → Si D0 =1 D1 =1 D2 =1 D3=1
0~ 1 VREF 15
1 3 V ~ VREF 15 15 3 5 V ~ VREF 15 15

C7 C6 C5 C4
Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 Q2 Q1 寄存器 编 码 逻 辑 电 路 D2 D1



vC7 vC6 Q7 Q6 0 0 0
. . .
... vC1 ... Q1
D1 D2 D3
0 0 0 0 0 1
.
. . 优点:速度快 优点:速度快 . . n-1) n 13 15缺点:元件多 (2 1 1 ... 1 1 1 V ~ 缺点:元件多 1(2 -1) V
0 3.特点 . 3.特点.
. .
REF
R 5 VREF 0 15 R 3 1 VREF 15 R 0 1 VREF 15 R/2
图8.3.5逐次逼近式ADC的原理框图
1 v I = 0 ~ VREF 2 1 v I = VREF ~ VREF 2 10
vC = H vC = L
Dn−1 = 0 Dn−1 = 1
5
REF 清华大学电子工程系李冬梅
v
/V
第八章 8.3 -8.3.3 .3 逐次逼近A/D
2
vI = 1.2V t0 t1 t2 t3 0 1 1 1 1 t
Q = C ( v A − VREF ) + ( = − 2Cv I C C C C C + + + + )v A 2 4 8 16 16 1 v A = − v I + VREF 2
1 v I > VREF → v A < 0 → vO = H 2 → D4 = 1 → S1 不变 1 v I < VREF → v A > 0 → vO = L 2 → D4 = 0 → S1 接地
v A = − v I + D4 VREF 2
14
7
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C C/2 C/4
第八章 8.3 -8.3.3 4 电容加权网络A/D

C3 C2 C1 CP
D0

-
1
15
15
图8.3.3 并行ADC原理框图
8
4
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第八章 8.3 -8.3.3 直接A/D变换器
8.3.3.2 串并行A/D(两步A/D) 分段并行12位A/D:
VREF1 CP1 v1 高6位 并行 ADC DAC 保持 减法器 CP2 VREF2 低6位 并行 ADC
Q = vo ( Q = vo (
C S' S3 S2
vO 第八章-8.2-C 8.2.2 常用D/A电路 C C C C L= 2 4 8 8 S0 S1
VREF D3 D2 D1 D0 图8.2.8 权电容网络DAC
V C C C C +C + + ) + 2. o特点:(与电阻型相比) ( v 特点:(与电阻型相比) − V REF ) = 0 v o = REF 16 8 2 4 2. 8 V C C C (1) 面积小; C +C + + ) + (2) 精度易于保证; = REF ( v − V REF ) = 0 v (2) o精度易于保证;o 8 8 2 8 4
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第八章-8.2- 8.2.2 常用D/A电路
D0 D1 D2 D3 i - RF
8.2.2.2 权电流型D/A
1. 分析: Di =1, Si接通反相输入端 Di =0, Si接通同相输入端
i=
A i’ + S0 S1
1 I 8
vO
S2 1 I 4
S3 1 I 2 -VREF
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第八章 8.3 -8.3.3 直接A/D变换器
8.3.3.4 电容加权网络A/D
C C/2 C/4 C/8 C/16 C/16
A vA
- +
v0 (数字信 号输出)
控制 电路
S7
S1
S2
S3
S4
S5
S6
v1 VREF
S8
1.组成 图8.3.7 5位电容加权网络ADC原理图 2.工作原理 (1)采样阶段 S7闭合,A点接地;S1~S6接左侧,S8接vI →vA=0, vI →ΣC →地充电,电荷总量Q=2CvI 上极板Q= - 2CvI。各极板上电荷存储量分别为: - CvI、 - CvI /2、 - CvI /4、 - CvI /8、 - CvI /16、 - CvI /16、 12
0 ... 0 0 ... 0 0 1 0 … 1 1
0 0 0 0 0 1
. . .
. . .
R 5 VREF 0 15 R 3 1 VREF 15 R 0 1 VREF 15 R/2
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