考研专业课-电子技术基础-场效应管及其放大电路

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南京理工大学-研究生入学考试大纲-823电子技术基础

南京理工大学研究生入学考试大纲
科目名：《电子技术基础》
一. 考试内容
模拟电路部分
1半导体器件
（1）半导体的基本概念：本征半导体；PN结
（2）半导体二极管：①半导体二极管的伏安特性；半导体二极管的主要参数；半导体二极管电路的分析。

（3）稳压二极管：稳压二极管的伏安特性；稳压二极管的主要参数；稳压二极管电路的分析。

（4）半导体三极管：三极管的电流放大特性；三极管的特性曲线和主要参数
（5）场效应管：
①结型场效应管的工作原理；伏安特性；主要参数；输出特性曲线；转移特性曲线；
②绝缘栅型场效应管的工作原理；伏安特性；主要参数；输出特性曲线；转移特性曲线；输出特性曲线的三个区；
2基本放大电路
（1）三极管放大电路：固定偏置放大电路的组成和分析；分压偏置放大电路的组成和分析；有交流射极电阻的共射放大电路的组成和分析；共集放大电路的组成和分析；
（2）场效应管放大电路：场效应管放大电路；场效应管的微变等效模型；场效应管的两种静态偏置电路：自给偏压电路与分压式偏置电路；基本共源电路的组成、静态分析、动态分析方法；基本共漏电路及其静态、动态分析。

3 多级放大电路。

14电子信息工程专业《专业综合》考试大纲

十四、电子信息工程专业《专业综合》考试大纲一、考试课程：《模拟电子技术》、《数字电子技术》（总分150分）二、考核目标：本大纲适用于电子信息工程专业专升本考核，主要考核学生掌握模拟电子技术和数字电子技术的基础知识、常用电路结构特征、基本电路及分析、设计方法和电子技术操作基本技能。

三、考核内容：课程一：《模拟电子技术基础》考核内容和考核要求（90分）第一章绪论考核内容：1．四种类型的放大电路模型及方框图表示法。

2．四种增益的物理意义。

3．放大电路的主要性能指标及其含义。

考核要求：熟悉四种增益的物理意义、放大电路的主要性能指标及其含义；了解四种类型的放大电路模型。

第二章运算放大器考核内容：1.放大器模型；2.理想运算放大器；3.基本运算电路：加法电路、减法电路、积分电路、微分电路。

考核要求：掌握放大电路模型及其结构、特性；掌握基本运算电路的构成及其信号运算关系分析计算；掌握运算放大器线性应用与非线性应用的特点。

第三章半导体二极管及其基本电路考核内容：1．PN结的单向导电性。

2．伏安特性曲线与方程。

3．二极管基本电路及分析方法。

考核要求：掌握半导体二极管的伏安特性、主要参数、等效电路分析方法；掌握二极管整流滤波电路波形及分析计算方法。

第四章场效应管放大电路考核内容：场效应管类型及其放大电路的组态、结构、工作原理和分析方法。

考核要求：掌握场效应管基本放大电路的组态、结构、工作原理和分析方法。

第五章半导体三极管及放大电路基础考核内容：1.双极型三极管的输出特性、主要参数、电流分配关系。

2.共射基本放大电路的组成及放大作用。

3.三极管的放大条件。

4.电流分配关系和放大原理，输入特性，输出特性，主要参数。

5.图解分析法。

6.微变等效电路分析法。

7.射极偏置电路稳定工作点的分析与计算。

8.共集电极电路和共基极电路。

9.多级放大电路的分析。

考核要求：掌握共射极、共集电极、共基极放大电路的结构、工作原理和基本特点；掌握基本放大器的图解分析法、微变等效电路分析法；掌握多级放大电路的分析方法；了解影响放大器性能的主要因素；了解其他形式的放大电路。

第3章场效应管及其基本放大电路参考答案

第 3章场效应管及其基本放大电路3.1填空题（1）按照结构，场效应管可分为。

它属于型器件，其最大的优点是。

（2）在使用场效应管时，由于结型场效应管结构是对称的，所以极和极可互换。

MOS 管中如果衬底在管内不与极预先接在一起，则极和极也可互换。

（3）当场效应管工作于恒流区时，其漏极电流D i 只受电压的控制，而与电压几乎无关。

耗尽型D i 的表达式为，增强型D i 的表达式为。

（4）一个结型场效应管的电流方程为2GS D 161mA 4U I=×− ，则该管的DSS I = ，p U = 。

（5）某耗尽型MOS 管的转移曲线如习题3.1.5图所示，由图可知该管的DSS I = ，p U = 。

（6）N 沟道结型场效应管工作于放大状态时，要求GS 0u ≥≥ ，DS u > ；而N 沟道增强型MOS 管工作于放大状态时，要求GS u > ，DS u > 。

（7）耗尽型场效应管可采用偏压电路，增强型场效应管只能采用偏置电路。

（8）在共源放大电路中，若源极电阻s R 增大，则该电路的漏极电流D I ，跨导m g ，电压放大倍数。

（9）源极跟随器的输出电阻与和有关。

答案：（1）结型和绝缘栅型，电压控制，输入电阻高。

（2）漏，源，源，漏，源。

（3）GS u ，DS u ，2GS D DSS P 1u i I U =− ，2GS D DO T 1u i I U=−。

（4）16mA ，4V 。

（5）习题3.1.5图4mA ，−3V 。

（6）p U ，GS p u U −，T U ，GS T u U −。

（7）自给，分压式。

（8）减小，减小，减小。

（9）m g ，s R 。

3.2试分别画出习题3.2图所示各输出特性曲线在恒流区所对应的转移特性曲线。

解：3.3在带有源极旁路电容s C 的场效应管放大电路如图3.5.6（a ）所示。

若图中的场效应管为N 沟道结型结构，且p 4V U =−，DSS 1mA I =。

【中国计量学院考研专业课真题】电子技术基础2012

一、单项选择题。

（共9小题，每题2分，共18分）1．在不同组态的场效应管放大电路中，具有输入电阻大，带负载能力强的组态为（）。

A. 共源组态B. 共漏组态C. 共栅组态2．差动放大电路由双端输出改为单端输出，共模抑制比减少的原因是（）。

CMR K A. vd A 不变，vc A 增大 B. vd A 减少，vc A 不变 C. vd A 减少，vc A 增大 D. vd A 增大，vc A 减少3．甲乙类互补对称功率放大电路与乙类互补对称功率放大电路相比，优点是( ) 。

A. 输出功率大B. 效率高C. 交越失真小 4．整流的目的是（）。

A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波 5．正弦波振荡器的振荡频率由（）而定。

A ．基本放大器B ．反馈网络C ．选频网络6．为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（）。

A ．共射放大电路 B. 共集放大电路 C ．共基放大电路7．对于放大电路，所谓开环是指（）。

A ．无信号源B ．无反馈通路C ．无电源D ．无负载 8．在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的反馈是负反馈。

A ．输入电阻增大 B ．输出量增大 C ．净输入量增大 D ．净输入量减小 9．在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（）。

A ．1WB ．0.5WC ．0.2WD ．0.1W 二、填空题（每空2分，共16分）1．若将D 触发器换成T 触发器，则应取__________________。

2．由与非门构成的基本RS 触发器，其约束条件为________________。

3．构造一个模6同步计数器需要__________个状态，需要_________个触发器。

4．数字逻辑电路可分为_______________和________________两大类。

5．一个4位二进制减法计数器，若其起始值为1001，则经过12个时钟脉冲作用之后，其值为______________。

模拟电子技术第章场效应管及其放大电路

v O1
例在如图所示电路中，已知VDD=15V，Rg1=150kΩ， Rg2=300kΩ， Rg3=1MΩ， Rd= RL=5kΩ，Rs=0.5kΩ， MOS管的VT=2V， IDO=2mA 。试求解：
（1）电路的静态工作点；R 2
（2）电路的电压放大倍数、输入
电阻和输出电阻;
解：（1）
vI vi
i
2．共源极放大电路的动态分析
R2
+
vO
vI vi
vo
vGS 2VT
fL
v2 R1 v2
vO1 /V
-
vGS 2
交流等效电路
VT1
Av
V T
VVo2i VT
vGS
g
mVGS (Rd VGS
// RL )
v GS1
g m RL vGS VT
f
Rivi
vI 2
Ro Rd
vO2 /V
第25页/共32页
5
0.15 0.3
Ri
Rg 3
Rg1
//
Rg 2
(2
)M 0.15 0.3
2.1M
vOR1o/
V
Rd
2k
vi
第28页/共32页
v GS1 vGS VT
fL
f vI 2
3．共漏极放大电路的动态分析
R2 vi
vI
V i vO
VGS g mVGS
v2 R1
VGG VGSQ I DQ RS
（1）
vGD VT
iD几乎仅仅受控于vGS
vGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻
第12页/共32页
R2 vI
（2）特性曲线和电流方程

2021年暨南大学823电子技术基础考研专业课考试大纲(含参考书目)

2021考研暨南大学硕士研究生入学考试大纲
(含参考书目清单)
科目代码：823 科目名称：电子技术基础
一、考查目标
要求考生掌握模拟电子技术的基本概念、原理和分析方法，会对各种电子电路进行分析和近似计算，理解电路工作特点并具备应用电子技术的能力。

二、考试形式和试卷结构
1.考试形式
试卷满分为150分，考试时间为180分钟，答题方式为闭卷笔试。

2.题型结构
（1）填空题（约20分）
（2）选择题（约20分）
（3）简答题（约40分）
（4）计算题（约70分）
三、考查范围
1.集成运放及其基本应用
放大的概念和放大电路的性能指标，集成运算放大电路，理想运放组成的基本运算电路，理想运放组成的电压比较器。

2.半导体二极管及其基本应用电路
半导体基础知识，半导体二极管及其基本应用电路，稳压二极管及其基本应用电路，发光二极管及其基本应用举例。

3.晶体三极管及其基本放大电路
晶体三极管及其放大电路的组成原则和基本分析方法（图解法，等效电路法），晶体管放大电路的三种接法，放大电路的频率响应。

4.场效应管及其基本放大电路
场效应管（结型场效应管，绝缘栅型场效应管），场效应管的主要参数，场
1。

兰州理工大学836模拟电子技术基础与电子技术基础2020年考研专业初试大纲

层次：硕士考试科目代码：836适用招生专业：控制理论与控制工程，检测技术与自动化装置，系统工程，模式识别与智能系统，电子信息考试主要内容：考试内容包括模拟电子技术基础及数字电子技术基础两部分，原则上两部分各占总分的50%。

模拟电子技术基础部分1．半导体二极管及其应用电路①半导体及基本特性；②PN结及伏安特性；③二极管及伏安特性；④稳压二极管等半导体器件的结构、工作原理、特性、主要参数及使用方法；⑤半导体二极管应用电路的分析；⑥半导体二极管应用电路。

1．半导体二极管及其应用电路①半导体及基本特性；②PN结及伏安特性；③二极管及伏安特性；④二极管主要参数及使用方法；⑤稳压二极管等其他类型二极管的工作原理和特性；⑥半导体二极管应用电路的分析。

2．双极结型晶体管及其基本放大电路①双极型三极管的结构、工作原理、特性、主要参数及使用方法；②放大的概念和放大电路的主要技术指标；③基本共射极放大电路的组成及工作原理；④小信号模型分析法；⑤图解分析法；⑥静态工作点的选择与稳定；⑦共集和共基极放大电路；○8组合放大电路。

2．双极结型晶体管及其基本放大电路①双极结型三极管的结构、工作原理、特性、主要参数及使用方法；②放大的概念和放大电路的主要技术指标；③基本共射极放大电路的组成及工作原理；④小信号模型分析法；⑤图解分析法；⑥静态工作点的选择与稳定；⑦共集电极和共基极放大电路；○8组合放大电路。

3．场效应管及其放大电路①场效应管的结构、工作原理、特性、主要参数及使用方法；②场效应管放大电路的组成和分析方法。

4．放大电路的频率特性①放大电路频率特性概述；②三极管的高频等效电路；③放大电路的中频响应、高频响应和低频响应；④单管放大电路的频率特性；⑤多级放大器的频率特性。

5．功率放大电路①功率放大的一般问题；②互补功率放大电路；③功率放大电路的安全运行；④集成功率放大电路及其应用。

《模拟电子技术》课件第4章场效应管及其基本放大电路

iD(mA)
vGS=7V vGS=5V
vGS=3V
vDS/V
N沟道增强型MOSFET
3） V-I 特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性
N沟道增强型MOSFET
iD f (vDS ) vGSconst.
① 截止区当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。 ② 可变电阻区
p+
p+p+ p+
沟道电阻增大。 3）当│vGS│↑到一定值时，
VGVGGG VGG
NN N
沟道夹断。
ss
s
当沟道夹断时，对应的栅源电压
vGS称为夹断电压VP 。
N沟道的JFET，VP <01。5
N沟道JFET工作原理
② vDS对iD的影响（vGS =0）
1）当vDS=0时，iD=0。
2） vDS iD
短由线于表栅示极在未与加源适极当、栅漏压极前漏均极无与电源接极触之，间无故导称电绝沟缘道栅。极。
§4.1 场效应管
一、金属氧化物-半导体（MOS）场效应管 1.N沟道增强型MOSFET
1）结构（N沟道）L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度通常 W > L
3
2）工作原理
s 二氧化硅
§4.1 场效应管
场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一
种电压控制器件，工作时，只有一种载流子参与导电，
因此它是单极型器件。
MOSFET 增强型
绝缘栅型场效应管耗尽型
FET分类：
JFET
N沟道
结型场效应管 P沟道
N沟道 P沟道
N沟道 P沟道

电子技术基础—FET放大电路student自学

VG VS
VS I D RS
VGS VG V S Rg2 R g1 R g 2 V DD I D RS
适用于各种FET
2. 自偏压式直流偏置电路
直流通路：
VG 0
VS I D RS
VGS VG V S I D R S
ID
VG VS
适用于JFET、耗尽型MOSFET
例2 FET共漏极放大电路
共漏极放大电路特点：
电压增益
AV
Vo V
i
1
电压跟随器
输入电阻输出电阻
Ri Rg
R o R s //
输入电阻很大
1 gm
输出电阻小，带负载能力强
本章小结：（注意与第四章分析方法进行对比）
重点：
MOSFET 、JFET特点及外特性。
N沟道JFET
D G
D
S
P沟道JFET
二、JFET工作在放大区时外加电压极性： G--S间VGS加反偏压： N型 VGS< 0 VDS同MOSFET
二、V-I 特性曲线： i f (v 输出特性
D
DS
)
v GS const.
转移特性
i D f ( v GS )
i D I DSS ( 1
2 .符号： D G S
N沟道增强型 MOSFET
栅极Gate G或g
漏极Drain D或d
D B
SiO2
N+ N+
G S
B
P衬底
P沟道增强型 MOSFET
衬底Body B或b
二、工作原理 1. 正常放大时各极电压极性： G、S间加正偏压－ S VGG +G D、S间外加偏压＋D VDD －S

电子技术基础第三章场效应管及其放大电路

• JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小。
• 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。
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思考：为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？
场效应管的应用小结
• 一是当作压控可变电阻，即非线性电阻来使用， VGS的绝对值越大，导电沟道就越窄，对应的导电沟道电阻越大，即电压 V电G阻S控使制用电时阻，的导大电小沟，道管还子没工有作出在现可预变夹电断阻；区，当作压控可变
2019/10/20
场效应管的分类
场效应管 FET
结型
JFET
IGFET ( MOSFET ) 绝缘栅型
N沟道 P沟道增强型
耗尽型
2019/10/20
N沟道 P沟道
N沟道 P沟道
第二节结型场效应管(JFET)的结构和工作原理
一、结型场效应管的结构
二、结型场效应管的工作原理
三、结型场效应管的特性曲线及参数
UDS（sat） ≤│Up│。
JFET的三个状态
• 恒流区（放大区、饱和区） • 可变电阻区 • 截止区
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小结
• 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管。
• JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此 iG0，输入电阻很高。
• JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。
第一节场效应管概述第二节结型场效应管的结构和工作原理第三节绝缘栅场效应管的结构和工作原理第四节场效应管放大电路
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• 3-1 • 3-4 • 3-6 • 3-12
作业
2019/10/20

电子电工学——模拟电子技术第五章场效应管放大电路

1. 最大漏极电流IDM
场效应管正常工作时漏极电流的上限值。
2. 最大耗散功率PDM
由场效应管允许的温升决定。
3. 最大漏源电压V(BR)DS 当漏极电流ID 急剧上升产生雪崩击穿时的vDS值。
4. 最大栅源电压V(BR)GS
是指栅源间反向电流开始急剧上升时的vGS值。
5.2 MOSFET放大电路
场效应管是电压控制器件，改变栅源电压vGS的大小，就可以控制漏极电流iD，因此，场效应管和BJT一样能实现信号的控制用场效应管也可以组成放大电路。
场效应管放大电路也有三种组态，即共源极、共栅极和共漏极电路。
由于场效应管具有输入阻抗高等特点，其电路的某些性能指标优于三极管放大电路。最后我们可以通过比较来总结如何根据需要来选择BJT还
vGS＜0沟道变窄，在vDS作用下，iD 减小。vGS=VP(夹断电压，截止电压）时，iD=0 。
可以在正或负的栅源电压下工作，
基本无栅流。
2.特性曲线与特性方程
在可变电阻区 iD
Kn
2vGS
VP vDS
v
2 DS
在饱和区iD
I DSS 1
vGS VP
2
I DSS KnVP2称为饱和漏极电流
4. 直流输入电阻RGS
输入电阻很高。一般在107以上。
二、交流参数
1. 低频互导gm 用以描述栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用。
gm
iD vGS
VDS 常数
2. 输出电阻 rds 说明VDS对ID的影响。
rds
vDS iD
VGS 常数
3. 极间电容
极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。
三、极限参数
D iD = 0

《电子技术基础》课程标准

《电子技术基础》课程标准课程代码：学时：116 学分：7一、课程的地位与任务《电子技术基础与技能》是一门主干专业课和专业基础课程，其先修课程为《电工基础与技能》，后续课程为专业课程。

通过《电子技术基础与技能》的教学，使学生了解和掌握电子技术的基础知识和基础技能，培养学生分析解决电子技术问题的能力，为今后学习后续课程和从事相关电子技术方面的实际工作打下扎实的理论基础。

二、课程的主要内容及学时分配1.课程的主要内容第一章二极管及应用第一节晶体二极管的特性、结构与分类（1）二极管器件的结构及电路符号（2）二极管的伏安特性（3）二极管的主要参数（4）特殊二极管第二节整流电路及应用（1）整流电路的组成、作用及工作原理；（2）半波整流电路及元件选用（3）桥式整流电路及元件选用第三节滤波电路（1）电容滤波电路及输出电压的估算（2）电感滤波电路（3）复式滤波电路第二章三极管及放大电路基础第一节晶体三极管及应用（1）晶体三极管的结构及符号（2）晶体三极管的电流放大作用（3）晶体三极管的伏安特性曲线(4)晶体三极管的主要参数(5)晶体三极管的测试第二节三极管基本放大电路(1)放大电路的基本知识(2)三极管基本放大电路(3)放大器中电流、电压符号规定(4)放大电路的工作原理(5)放大电路三种组态特点第三节放大电路的分析方法(1)估算静态工作点(2)估算交流参数第四节静态工作点稳定的放大电路(1)放大电路静态工作点不稳定的原因(2)分压式偏置放大电路(3)电路参数的估算第五节多级放大电路(1)多级放大器的组成(2)多级放大电路的耦合方式(3)多级放大器的简单分析第六节场效应晶体管放大器(1)场效应管的结构及符号(2)场效应晶体管的特性曲线(3)场效应晶体管电压放大作用(4)场效应晶体管的使用注意事项第三章常用放大器第一节放大电路中的反馈及负反馈(1)反馈放大电路的组成(2)反馈的分类及判别方法(3)负反馈的四种组态及其判别第二节功率放大电路的基本要求及分类(1)对功率放大电路的基本要求(2)功率放大器的分类第三节双电源互补对称电路(OCL电路)(1)电路基本结构(2)工作原理(3)输出功率和效率(4)交越失真及其消除方法第四节单电源互补对称电路(OTL电路)(1)电路基本结构(2)工作原理(3)输出功率和效率第五节集成运算放大器(1)集成运算放大器的结构和特点(2)集成运算放大器的应用第四章直流稳压电源第一节稳压二极管并联型稳压电路(1)电路组成(2)工作原理(3)电路特点第二节三极管串联型稳压电路(1)电路组成(2)工作原理(3)输出电压VO的调节第三节集成稳压器(1)三端固定集成稳压器(2)三端可调输出集成稳压器(3)直流稳压电路性能指标第四节开关型稳压电源(1)开关型稳压电源的组成(2)开关型稳压电源的原理图(3)开关型稳压电源稳压原理第五章数字电路基础第一节数字电路基本知识(1)数字电路的应用(2)数字电路的优点(3)数字信号(4)数字信号的表示方法第二节数制与码制(1)数制(2)不同数制间的转换(3)码制第三节逻辑门电路(1)基本逻辑门电路(2)集成TTL门电路第四节集成逻辑门电路(1)普通TTL集成门电路(2)OC门(3)三态输出门(4)TTL门电路使用注意事项第五节基本逻辑运算(1)逻辑代数运算定律(2)逻辑函数的公式化简第六章组合逻辑电路第一节组合逻辑电路的基础知识(1)组合逻辑电路的特点及结构(2)组合逻辑电路的分析(3)组合逻辑电路的设计(4)组合逻辑部件的种类第二节编码器(1)二进制编码器(2)二一十进制编码器(3)优先编码器第三节数据选择器与分配器(1)数据选择器(2)数所分配器第四节译码器(1)通用译码器(2)二一十进制译码器(3)常用数码显示器第七章触发器第一节RS触发器(I)基本RS触发器(2)同步RS触发器第二节触发器的几种触发方式(1)同步触发(2)上升沿触发(3)下降沿触发(4)主从触发第三节JK触发器(1)JK触发器的构成(2)JK触发器的逻辑功能(3)集成JK触发器第四节D触发器(1)D触发器的结构与符号(2)D触发器的逻辑功能(3)集成D触发器第五节T触发器(1)电路组成(2)逻辑功能第八章时序逻辑电路第一节寄存器(1)数码寄存器(2)移位寄存器第二节计数器(1)异步计数器(2)同步计数器第九章脉冲波形的产生与变换第一节555集成定时器(1)555集成定时器的组成(2)555集成定时器的基本功能第二节555集成定时器的应用(1)555集成定时器组成多谐振荡器(2)555集成定时器组成单稳态触发器第十章A/D转换与D/A转换第一节A/D转换器(1)A/D转换器的组成及基本工作原理(2)A/D转换器主要技术指标(3)A/D转换器的常见类型(4)A/D转换器的典型应用第二节D/A转换器(1)D/A转换器的工作原理(2)D/A转换器的指标(3)D/A转换的典型应用2.学时分配本课程在注重学生基础理论知识理解的同时，要求更侧重对学生实践能力的培养，并具有一定分析问题、解决问题的能力。

模拟电路场效应管及其基本放大电路

UGS(off)
信息技术学院
3. 特性
（1）转移特性
在恒流区
uGS 2 iD I DSS (1 ) U GS(off)
漏极饱和电流
(U GS (off ) uGS 0)
夹断电压
信息技术学院
（2）输出特性
iD f (uDS ) U GS 常量
IDSS g-s电压控制d-s的等效电阻
信息技术学院
P 沟道场效应管 D
P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。 d
P G
N+ 型沟道 N+
g
S
s 符号
信息技术学院
2. 工作原理
（1）栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用
uDS=0
UGS（off）
沟道最宽 (a)uGS = 0
2)耗尽型MOS管
夹断电压
信息技术学院
各类场效应管的符号和特性曲线
种类结型 N 沟道符号 D 转移特性 ID /mA IDSS 漏极特性 UGS= 0V
ID
-
G
S D
UGS(off) O
UGS
O + + + ID O
o
UDS
ID
结型
P 沟道
O UGS(off) UGS
G
IDSS
S D B
iD f (uGS ) U DS 常量
当场效应管工作在恒流区时，由于输出特性曲线可近似为横轴的一组平行线，所以可用一条转移特性曲线代替恒流区的所有曲线。输出特性曲线的恒流区中做横轴的垂线，读出垂线与各曲线交点的坐标值，建立uGS，iD坐标系，连接各点所得的曲线就是转移特性曲线。

电子技术习题解答.第2章.基本放大电路及其分析习题解答

第 2 章基本放大电路及其分析习题解答2.1 三极管放大电路为什么要设置静态工作点，它的作用是什么？解：防止产生非线性失真。

2.2 在分压式偏置电路中，怎样才能使静态工作点稳定，发射极电阻的旁路电容C E 的作用是什么，为什么？解：使静态工作点稳定条件l2»l B和V B»U B E。

称为发射极电阻的旁路电容C E 对直流而言，它不起作用，电路通过R E 的作用能使静态工作点稳定；对交流而言，它因与R E并联且可看成短路，所以R E不起作用，保持电路的电压放大倍数不会下降。

2.3 多级放大电路的通频带为什么比单级放大电路的通频带要窄?解：因为多级放大电路的电压放大倍数大于单级放大电路的电压放大倍数，而放大电路的电压放大倍数和通频带的乘积基本为常数，所以多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要窄。

2.4 对于共集电极放大电路，下列说法是否正确?(1) 输出信号方向与输入信号方向相反。

(2) 电压放大倍数小于且约等于1。

(3) 输入电阻大。

(4) 输出电阻小。

解：(1) 不正确。

(2) 、(3) 和(4) 正确。

2.5 放大电路的甲类、乙类和甲乙类三种工作状态各有什么优缺点？解：甲类：静态工作点Q大致落在交流负载线的中点，功率损耗大效率低，不失真。

乙类：静态工作点Q下移到截止区处，功率损耗很小，效率高。

但此时将产生严重的失真。

甲乙类：静态工作点Q下移到接近截止区，功率损耗较小，失真也较小。

2.6 什么是交越失真？如何克服交越失真，试举例说明？解：放大电路工作于乙类状态，因为三极管的输入特性曲线上有一段死区电压，当输入电压尚小，不足以克服死区电压时，三极管就截止，所以在死区电压这段区域内(即输入信号过零时)输出电压为零，将产生失真，这种失真叫交越失真。

为了避免交越失真，可使静态工作点稍高于截止点，即避开死区段，也就是使放大电路工作在甲乙类状态。

2.7为什么增强型绝缘栅场效应管放大电路无法采用自给偏压电路？解：因为增强型绝缘栅场效应管的U GS 为正，所以，自给偏压电路不适应增强型绝缘栅场效应管，只适应耗尽型绝缘栅场效应管。

硕士研究生入学考试《电子技术基础》考试大纲

中国地质大学研究生院硕士研究生入学考试《电子技术基础》考试大纲(包括模拟电路、数字电路两部分)一、试卷结构（一）内容比例模拟电路约50%数字电路约50%（二）题型比例选择题、填空题和判断题约50%解答题约50%二、考试内容及要求模拟电路（一）半导体器件考试内容PN结、半导体二极管、稳压二极管的工作原理；晶体三极管与场效应管的放大原理；集成运算放大器的主要特点。

考试要求1. 熟悉半导体二极管的伏安特性，主要参数及简单应用。

2. 熟悉稳压二极管的伏安特性，稳压原理及主要参数。

3. 理解双极性三极管的电流放大原理，伏安特性，熟悉主要参数。

（二）放大器基础考试内容放大电路的性能指标和电路组成及静态分析；稳定静态工作点的偏置电路；放大电路的动态分析，三种基本组态放大电路；场效应管放大电路性能指标分析；运算放大器放大电路性能指标分析；多级放大电路。

考试要求1. 理解放大电路的组成原则。

2. 理解静态、动态、直流通路、交流通路的概念及放大电路主要动态指标的含意。

3. 熟悉放大电路的静态和动态分析方法。

掌握调整静态工作点的方法。

4. 掌握计算三种组态放大电路的静态工作点和动态指标Au 、ri 、r0 等。

5. 了解多级放大电路的耦合方式及其特点和熟悉多级放大电路的指标计算。

（三）放大器的频率参数。

频率特性的基本概念与分析方法；放大器频率分析，三极管的频率参数；共射极接法放大电路的频率特性；场效应高频等效电路，运算放大器的高频等效电路，宽带放大器；网络传输函数与频率特性的关系；多级放大电路频率特性。

考试要求1. 理解阻容耦合共射放大电路的频率特性。

2. 理解三极管的频率参数：fβ、fT 、fx。

3. 了解多级放大电路频率特性的概念。

（四）放大电路中的负反馈考试内容负反馈的基本概念；负反馈对放大器性能的影响；深度负反馈的工程计算；反馈放大电路的稳定性分析。

考试要求1. 理解反馈，正反馈，负反馈，直流反馈，交流反馈，开环，闭环，反馈系数，反馈深度，电压反馈，电流反馈，串联反馈，并联反馈等概念。

电子技术基础(科目代码803)考试大纲

电子技术基础（科目代码803）考试大纲一、考查范围包括模拟电子技术，约占50%；数字电子技术，约占50%二、考查要求要求考生系统掌握数字电子技术的基本理论、基础知识以及数字电路的基本分析和设计方法。

能够运用所学的基本知识、基本理论分析、判断和解决有关数字电子技术的理论和实际问题。

三、考查形式及试卷结构1.考试方式：闭卷，笔试2.考试时间：180分钟3.试卷分值：满分150分4.题型结构：选择题约占20%简答题约占20%分析/计算题约占40%设计题约占20%四、考查内容一、数字电子技术（一）逻辑代数基础【考试目标】熟练掌握逻辑代数的基本概念、公式和定理，熟悉逻辑函数的几种常用表示方法以及相互之间的转换。

具备根据公式定理以及卡诺图化简逻辑函数的能力【考试内容】不同进制数据之间的转换；采用公式法和图形法对逻辑函数进行化简；逻辑函数的几种常用表示方法以之间的转换。

（二）门电路【考试目标】1.熟练掌握TTL和CMOS反向器的基本工作原理, 熟练掌握各种常用基本门电路的电路符号和逻辑功能。

熟悉集成门电路的电气特性。

熟悉半导体二极管三极管场效应管的开关特性。

了解分立元件构成与门或门反相器的基本工作原理。

2.具备运用TTL和CMOS门电路的基本理论和基本知识分析问题和解决问题的能力。

【考试内容】有关门电路的基本概念、基本原理；能够分析逻辑电路能否正常工作，会处理门电路多余输入端，会计算电路中输入输出电流以及带负载能力。

会根据给出电路的输入画出输出波形图。

（三）组合逻辑电路【考试目标】1.熟练掌握组合逻辑电路的特点、功能及表示方法。

掌握分析和设计组合逻辑电路的基本方法和步骤。

理解常用组合电路如加法器、数值比较器、编码器、译码器、数据选择器、数据分配器、只读存储器的功能和特性，了解组合电路竞争冒险的原因和常用解决方法。

2.具备分析和设计组合逻辑电路的能力。

【考试内容】分析组合逻辑电路的功能；使用基本门电路及中规模集成电路设计组合逻辑电路。

《818电子技术基础一》考试范围

《818电子技术基础一》一、考试内容范围：《电子技术基础》课程包括《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两部分，考试内容包括：（一）模拟电子技术基础部分1、二极管及其应用电路2、BJT三极管及其放大电路基础3、FET场效应管及其放大电路4、负反馈放大电路5、功率放大电路6、集成运算放大电路及其应用7、信号运算与信号处理电路8、信号产生电路9、直流电源电路（二）数字电子技术基础部分1、逻辑代数与数字逻辑基础2、门电路3、组合逻辑电路及常见组合逻辑电路功能器件4、触发器5、时序逻辑电路及常见时序逻辑电路功能器件6、脉冲信号产生与变换电路7、A/D、D/A转换电路8、存储器二、考查重点：（一）模拟电子技术基础部分1、熟练掌握共发射极、共基极、共集电极三种晶体管基本放大电路的静态与动态分析计算。

2、熟练掌握反馈放大电路的反馈极性、反馈类型分析判断；掌握深度负反馈条件下放大倍数的分析与计算；根据要求能够正确引入负反馈。

3、灵活理解运算放大器线性应用的两个基本条件，熟练掌握集成运算放大器的线性与非线性应用电路分析与计算。

4、掌握正弦波振荡的相位平衡条件与幅度平衡条件，会判断一个电路能否产生正弦振荡；根据要求通过修改电路使一个电路能产生正弦振荡。

5、掌握桥式整流、电容滤波、串连稳压电路的分析与计算；掌握三端稳压器的应用电路，会利用集成三端稳压器设计直流电源电路。

（二）数字电子技术基础部分1、熟练掌握逻辑代数基础，熟练掌握利用卡诺图实现逻辑函数的化简与逻辑函数的变换。

2、熟练掌握组合逻辑电路的分析与设计；熟练掌握集成译码器、数据选择器等常见中规模组合逻辑集成电路的应用，会利用上述器件设计组合逻辑电路。

3、熟练掌握时序逻辑电路的分析与设计；熟练掌握集成计数器、移位寄存器等常见中规模时序逻辑集成电路的应用，会利用上述器件设计时序逻辑电路。

4、熟练掌握单稳态触发器、多谐振荡器、施密特触发器等常见脉冲电路的分析与计算；熟练掌握555定时器的应用。