第6章-光电成像系统 PPT课件

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光电成像物理基础 光电成像课件

光电成像物理基础 光电成像课件
光电成像原理 12
复合模型
0 .5
M T F e y ef M K 1T 2 s 1 P I 1 F 0 f2 1 2 X 1 e 2 N fe 2 M o p tf
其中, Ff11expf2 f0 2
Mopt f exp 22e2 f 2 e 02 Csphd3 2
光电成像原理 13
图像探测理论与图像探测方程
图像信号与图像噪声
— 图像是以辐射量子数分布再现的景物。辐射量 子数差异表示图像的亮暗,构成图像信号。
设光电成像系统接收到来自景物两个相邻像元的辐射
量子数分别为 n 1 和 n 2
图像信号
S n1 n2
Байду номын сангаас图像噪声
N n1 n2
光电成像原理 14
图像信噪比
光电成像物理基础
人眼视觉及图像探测 光学系统成像模型 光电探测物理效应
光电成像原理 1
光电成像原理
光电成像原理
人眼的视觉特性
— 视觉适应、灵敏度、分辨力与调制传递函数等
一、人眼的视觉适应与光谱响应
➢ 人眼观察的视场亮度范围
1 0 5 c d/m 2~ 1 0 4 c d/m 2
➢ 当视场亮度发生突变时,人眼要稳定到突变后的正常视 觉状态需要经历一定时间,这种特性称为适应。分为明 暗适应和色彩适应。
➢ 方程取“=”时,代表图像探测的临界情况,表明了理 想光电成像系统的极限探测灵敏阈。
图像探测灵敏阈
——选定光电成像系统的接收孔径、量子效率、 有效积分时间,用可探测图像细节的最小张角(分 辨力)与最低辐射亮度关系曲线,表示光电成像系 统的图像探测特性。
光电成像原理 18
光电成像原理 19
➢ 图中斜线上标注的数字是图像对比度 ➢ 斜线表示了理想的光电成像系统的图像探测极限,斜线

光电成像系统原理26页PPT

光电成像系统原理26页PPT
40、人类法律,事物有规律,这是不 容忽视 的。— —爱献 生
56、书不仅是生活,而且是现在、过 去和未 来文化 生活的 源泉。 ——库 法耶夫 57、生命不可能有两次,但许多人连一 次也不 善于度 过。— —吕凯 特 58、问渠哪得清如许,为有源头活水来 。—— 朱熹 59、我的努力求学没有得到别的好处, 只不过 是愈来 愈发觉 自己的 无知。 ——笛 卡儿

60、生活的道路一旦选定,就要勇敢地、如果我们国家的法律中只有某种 神灵, 而不是 殚精竭 虑将神 灵揉进 宪法, 总体上 来说, 法律就 会更好 。—— 马克·吐 温 37、纲纪废弃之日,便是暴政兴起之 时。— —威·皮 物特
38、若是没有公众舆论的支持,法律 是丝毫 没有力 量的。 ——菲 力普斯 39、一个判例造出另一个判例,它们 迅速累 聚,进 而变成 法律。 ——朱 尼厄斯

光电成像系统 - 20161124

光电成像系统 - 20161124

2.1 电荷耦合摄像器件
• •

CCD(Charge Coupled Device),是70 30多年来, CCD技术已广泛的应用于
其中,CCD技术在影像传感中的应用最为广
年代初发展起来的新型半导体光电成像器件。 信号处理、数字存储及影像传感等领域。
泛,已成为现代光电子学和测试技术中最活跃、
最富有成果的领域之一。
目前,前两种用得较多,我们这里主要分析
CCD一种。
2 固体摄像器件分类及性能
CCD图像传感器的优势
CCD图像传感器的诞生和发展使人们进入了更为 广泛应用图像传感器的新时代。
具有固体器件所有 优点;自扫描输出 方式消除了电子束 扫描造成的图像光 电转换的非线性失 真,体积、重量、 功耗和制造成本是 电子束摄像管无法 达到的。
(1)当向栅极施加一定较小的正向电压时, P型硅中的空穴被排斥,产生耗尽区。
(2)当栅极的正向电压大于半导体的域值电压时,
半导体与绝缘体界面上的电势变高,以致于将 半导体体内的电子(少数载流子)吸引到表面,形成 有一定宽度的可存储电子的势阱。
2.1 电荷耦合摄像器件
3、电荷转移
通过按照一定的时序在电极上施加高低电压,使 电荷在相邻的势阱间进行转移。 通常把CCD的电极分为几组,每一组称为一相, 并施加同样的时钟脉冲。 按相数可分为:二相CCD、三相CCD、四相CCD 等。
1 光电成像概述
三、光电成像系统基本组成的框图
光源 光 信 号 传输介质 背 景 噪 声 光 信 号 光学系统 (信号分析器) 背 景 噪 声 光 信 号 光电摄像器件 (信号变换器) 噪 声 信 号 显示器 噪 声 信 号 人眼
物体 (信号源)
其中光电摄(成)像器件是光电成像系 统的核心。

光电成像技术第六章直视型光电成像系统与

光电成像技术第六章直视型光电成像系统与
曼金折反射镜。
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1 夜视成像物镜
包沃斯-卡塞格伦系统
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1 夜视成像物镜
·包沃斯-卡塞格伦系统:
由于包沃斯系统的焦点在球面反射镜和校 正透镜中间,接收器造成中心挡光,为此 开展成包沃斯-卡塞格伦系统系统把校正 透镜的中心局部镀上铝或银等反射层作次 镜用,将焦点引到主反射镜之外。
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6.2.2 主动红外成像的照明系统
2.
红外滤光片是一种光学滤波器,主要滤除光源 辐射中的可见光成分。对红外滤光片的根本要求 是: 在红外波段光能损失应尽可能地小,而对其 他波段的辐射应尽量全部吸收或反射;光谱透射 比与光阴极光谱灵敏度曲线红外局部相匹配;热 稳定性好,防潮性和机械性能好,耐光源工作时
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1 夜视成像物镜
· 格里高里系统:
由抛物面主镜和椭球次镜组成。次镜 位于主镜焦距之外,椭球面的一个焦 点和抛物面主镜焦点重合,另一个焦 点为整个系统的焦点。系统对无穷远 轴上的点没有像差。
人们研究改进反射系统,把反射镜的
主镜和次镜都采用球面镜,而用参加
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施密特校正板工作原理 (a) 施密特校正板;(b) 改进的施密特校正板
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6.2.2 主动红外成像的照明系统
3.
(1)
白炽灯(包括普通、充气和卤钨白炽灯)是根
据热辐射原理制成,用电流加热灯丝使之到达
白炽而发光。白炽灯工作在白热状态,要求灯
丝材料有高熔点和低蒸发率。灯丝形状影响光
(单位为lm/W)。充气白炽灯比
真空白炽灯有更高的工作温度和发光效率,但
也只有10~20 lm/W,在~的近红外辐射光谱

光电成像系统原理

光电成像系统原理


三相电极结构及电荷转移
1 1 2 2 33
一级 二级
1
2
3
4
5
6 P—Si t=t1
三相电极结构
1
t=t2
2 3
o t1 t2 t3 t4 (a ) 脉冲波形 t
(b )
t=t3
t=t4
电荷转移
表面沟道器件的特点: 工艺简单,动态范围大,但信号电荷的转 移受表面态的影响,转移速度和转移效率底,
光电成(摄)像系统的核心——光电成(摄) 像器件
例1:电视摄像管
例2:像素
3 固体摄像器件
固体摄像器件的功能:把入射到传感器光敏面上按空 间分布的光强信息(可见光、红外辐射等),转换为
按时序串行输出的电信号—— 视频信号。其视频信号
能再现入射的光辐射图像。 固体摄像器件分类 电荷耦合器件(Charge Coupled Device—CCD) 自扫描光电二极管阵列(MOS)
光电成像原理
§0
光电成像概述
可见光光电成像系统
一、光电成像系统的分类
光电成像系统 (按对应的光 波长范围)
紫外光光电成像系统 红外光光电成像系统 X光光电成像系统
二、光电成像系统基本组成的框图
光源 光 光 光 信 信 信 信 信 号 号 号 号 光学系统 号 光电摄像器 件 物体 质 器) 显示器 人眼 (信 号 源 ) 传输介 (信 号 分析 器) (信号变换 背 噪 噪 背 声 声 景 景 噪 噪 声 声
工作频率一般在10MHz以下。
体内沟道(或埋沟CCD) BCCD(Bulk or Buried ChannelCCD) 用离子注入方法改变转移沟道的结构,从而使势 能极小值脱离界面而进入衬底内部,形成体内的 转移沟道,避免了表面态的影响,使得该种器件 的转移效率高达99.999%以上,工作频率可高达 100MHz,且能做成大规模器件.

光电成像系统讲解

光电成像系统讲解

同电子束摄像管相比,优点:
① 全固体化、体积小、重量轻、工作电压和功耗都 很低,耐冲击性好、可靠性高、寿命长; ②基本不保留残像(电子束摄像管有15%-20%的残 像),无像元烧伤、扭曲,不受电磁干扰; ③红外敏感性。 SSPD 光谱响应范围: 0.25-1.1um; CCD可做成红外敏感型;CID:2-5um; ④像元的几何尺寸精度高(优于1um),因而可用于 非接触式精密尺寸测量系统; ⑤视频信号与微机接口容易。
使彩色摄像机的发展产生了一个飞跃。 1976年,灵敏度更高,成本更低的硒像管和硅靶管。 1970 年,美国贝尔实验室发表电荷耦合器件( CCD ) 原理,从此光电成像器件的发展进入了一个新的阶 段——CCD固体摄像器件的发展阶段。
2、光电成像系统要研究的问题
光电成像涉及到一系列复杂的信号传递过程。有四个方面 的问题需要研究:
0、光电成像概述
1、光电成像Байду номын сангаас件的发展
近年来,利用光电成像器件构成图像传感器进
行光学图像处理与图像测量已成为现代光学仪器、
现代测控技术的重要发展方向。它广泛应用于遥感、
遥测技术、图形图像测量技术和监控工程等,成为 现代科学技术的重要组成部分。
什么叫成像?图像是由空间变化的光强信息所组成, 图像传感器或探测器必须能感受空间不同位置的光强 变化,这个过程叫成像。
一、固体摄像器件
固体摄像器件,又称固体像探测器。 (solid state imaging sensor,SSIS) 主要功能:把入射到传感器光敏面上按空间分布的光 强信息(可见光、红外辐射等),转换为按时序串行 输出的电信号——视频信号。其视频信号能再现入射 的光辐射图像。 主要分类: • 电荷耦合器件,CCD,噪声低; • 自扫描光电二极管阵列,SSPD ,灵敏度和响应度好; • 电荷耦合光电二极管阵列, CCPD,兼具二者优点; • 电荷注入器件(Charge Injection Device,CID)

光电成像原理PPT

光电成像原理PPT

(z) ——轴上电位分布
已知轴上电位分布,可唯一地完全决定空间电位分布。
二、近轴区电场对电子的作用力:
近轴情况: V (z, r) (z) 1 (z)r2
4
场强分量:
Er
V r

1 (z)r
2
Ez
V z
(z)
电场对电子在两个方向上的作用力:
电子运动的近轴(高斯)轨迹方程:
r 1 r 1 r 0
性质
24
1. 若轴上电位分布 (z) 已知,就可求得整个近轴空间的轨迹。
2. 不含荷质比,由零电位的同一点发出的电子,不 论其质量与电量如何,在近轴场内轨迹相同。
高斯光学:研究高斯轨迹理想成像规律的理论。
高斯光学理想成像性质:
2. 轴外点的理想聚焦成像:
r(z0 ) 0
r(zi ) r(z0 )r1(zi ) r(z0 )r2 (zi ) r(z0 )r1(zi ) Ar1(zi ) 常数
由物平面上轴外同一物点 P0 发出的电子, 不论其初始斜率如何,都会聚在同一点 Pi
r
P0
A r(z0 ) r1(z0 )
(
z0
)

1,
r2 (z0 ) 0,
r1(z0 ) 0离对称轴单位距离的平行入射的电子轨迹 r2(z0 ) 1轴上发出与轴成 45o角入射的电子轨迹
A r(z0 ), B r (z0 )
电子近轴轨迹的表达式:
r r(z0 )r1(z) r(z0 )r2(z)
r r(z0 )r1(z) r(z0 )r2(z)
(z) 0 : Fr 0 径向力方向背离对称轴,电子受到发散作用。

第6章 光电成像系统讲诉

第6章 光电成像系统讲诉

1. 电荷耦合器件的基本原理
(1) 电荷产生
光辐射
1. 电荷耦合器件的基本原理
(2) 电荷存储
构成CCD的基本单元是MOS电容器,MOS电容器能够存储电荷。
表面势 开启电压 耗尽层 深度耗尽状态
1. 电荷耦合器件的基本原理
(2) 电荷存储
表面势 势阱
1. 电荷耦合器件的基本原理
(2) 电荷存储
n 即总效率为:Qn / Q0
n
由于CCD中的信号电荷包大都要经历成百上千次的转移,即使值几乎 接近l.但其总效率往往很低,如二相1024位器件,当=0.999时,总效率 不到0.13,所以,一定的值,限定了器件的最长位数。 在达到同样高的总效率下,埋沟CCD可以研制的位数比表面沟道大得多。
所谓“浮置扩散”’是指在p型硅衬底表面用V族杂质扩散形成小块的n区域,
1. 电荷耦合器件的基本原理
(4) 电荷检测
电荷包输出过程: t1时刻 FD区电位变化量:VA t2时刻 t3时刻 t4时刻 t5时刻
QFD C
2. 电荷耦合摄像器件的工作原理
将CCD电荷存储、电荷转移的概念与半导体的光电性质相结合,导致了 CCD 摄像器件的出现。
第5章 光电成像系统
本章内容 • 电荷耦合摄像器件(CCD器件)
• CCD器件的性能参数
• CCD器件的应用
1
• 电荷耦合摄像器件(CCD器件)
光源
光 信 号 传输介质
光 信 号 光学系统 (信号分析器)
光 信 号 光电摄像器件 (信号变换器)
信 号 显示器 噪 声
信 号 人眼 噪 声
物体 (信号源)
(b)双沟道传输结构
2. 电荷耦合摄像器件的工作原理

《光电成像》幻灯片

《光电成像》幻灯片

❖ 电子光学局部,即电子透镜,它可以使光电 阴极发射出来的光电子图象在保持相对分布 不变的情况下,进展加速并聚焦成像在荧光 屏上。
❖ 困难:使各物点所发射的电子完全落在对应 的各像点上。

非聚焦型〔近贴式像管〕
❖ 静电系统
静电聚焦型

聚焦型

电磁聚焦型
❖ 1、非聚焦型像管〔近贴型〕
❖ 由光电阴极和荧光屏构成,两者平行且距离 很近
荧光屏
E
F 象散
Q 清晰 B C 象散
场曲
❖ 利用光学纤维面板可以使像散和场曲减到最小。
❖ 光纤面板由直径为几微米的细玻璃丝严密排 列后熔压成块,然后切割、磨制、抛光,一 端磨成平面,另一端磨成曲面。
❖ 图像入射到光纤面板平面端,由于光纤能将一 端输入的光根本无损失地传到另一端,所以每 根光纤传输图像的一个像元到光阴极曲面的 相应点,激发出光电子束,经聚焦和加速后,轰 击曲面荧光屏,发出的可见光图像再经每一根 光纤传输到光纤面板的平面端。光纤越细, 光纤面板的图像分辨率越高。
❖ 构造: 在单级第一代像增强器中,加上一块 微通道板MCP,MCP与光电阴极之间是静电透镜, 与荧光屏之间是近贴均匀场。
❖ 这种构造的优缺点是:分辨率高,像质好;但 噪声较大。


静电聚焦式MCP像增器
三、第三代像增强器 ——负电子亲和势像增强
器 ❖ 第二代像增强器+负电子亲和势光电阴极=
第三代像增强器 ❖ 同时起到光谱变换和微光增强的作用 ❖ 优点:在可见光和近红外区都有较高的灵敏
U
❖ 2、微通道板像增强器 ❖ 〔1〕近贴式MCP像增强器 ❖ 近贴式MCP像增强器又称为平面型或薄片型像
增强器。它是把MCP平行放置在光电阴极和荧光 屏之间,三者相互靠得很近,故称双近贴式。 ❖ 这种构造的优缺点是:体积小,重量轻;但分 辨率和像质差。

《光电显示成像基础》PPT课件

《光电显示成像基础》PPT课件
2. 亮度 - cd/m2 (0.03~50000 cd/m2; 室内显示器70cd/m2, 室外显示器-300cd/m2)
精选PPT
24
第一章 光电显示成像基础
3. 亮度均匀性 - 在不同区域亮度的一致性
(100%*亮度/平均亮度)
精选PPT
25
第一章 光电显示成像基础
4. 对比度和灰度
受环境光照影响
精选PPT
3
第一章 光电显示成像基础
第一章 光电显示成像基础
第一节 光电显示技术概述 第二节 显示参量与人眼的视觉因素 第三节 显示器件的主要性能
精选PPT
4
第一章 光电显示成像基础
第一节 光电显示技术概述
1.1 研究显示技术的意义
显示? 对信息的表示
目前限定为基于光电子手段产生的视觉效果
人由感觉器官从外界获得信息:
分辨力特性由什么决定?
精选PPT
33
第一章 光电显示成像基础
7. 发光颜色 用发射光谱或色度坐标表示。
实验一:给出CRT和LCD显示器的光谱和色坐标、 色域
精选PPT
34
第一章 光电显示成像基础
8. 余辉时间
来源于CRT显示器荧光粉的发光特点:指荧光粉的 发光从电子轰击停止后开始减小到电子轰击时稳定 亮度的1/10所经历的时间。决定于荧光粉的性质。 一般CRT荧光粉的余辉时间从几百纳秒到几十秒。
的自由移动,如;自由行走、旋转等,沉浸感极强,在VR效果的观察设备
中,头盔显示器的沉浸感优于显示器的虚拟现实观察效果,逊于虚拟三维
投影显示和观察效果,在投影式虚拟现实系统中,头盔显示器作为系统功
能和设备的一种补充和辅助。
3DVR-三维数字视频录像机
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4、信息传递速率方面—— 成像特性、噪声 信息传递问题,决定能被传递的信息量大小。
§6.1 光电成像概述
三、光电成像系统基本组成的框图
光源 光












物体 (信号源)
传输介质
光学系统 (信号分析器)
光电摄像器件 (信号变换器)
显示器
人眼

背ห้องสมุดไป่ตู้










其中光电摄(成)像器件是光电成像系 统的核心。
§6.2 固体摄像器件分类及性能
固体摄像器件的功能: 光学图像 转换
电信号
把入射到传感器光敏面上按空间分布 的光强信息(可见光、红外辐射等),转 换为按时序串行输出的电信号—— 视频信 号。其视频信号能再现入射的光辐射图像。
§6.2 固体摄像器件分类及性能
固体摄像器件主要有三大类: 电荷耦合器件(Charge Coupled Device,即CCD) 互补金属氧化物半导体图像传感器(即CMOS) 电荷注入器件(Charge Injenction Device, 即CID)
评委会赞扬博伊尔与史密斯1969年第一次成功地发明了数字成像
技术,工作于贝尔实验室的他们设计了一种影像传感器,可以将光在
短时间内转化为像素,为摄影技术带来“革命化”变革。“没有CCD,
数码相机的发展将更为缓慢。没有CCD,我们就不会看到哈勃太空望
远镜拍摄的令人诧异的图片,也不会看到我们的邻居火星上的红色沙
漠图像。”评委会说。
12
§6.2 固体摄像器件分类及性能
CCD发展史
1969年,由美国的贝尔研究室所开发出来的。同年,日本的SONY公司也 开始研究CCD。 1973年1月,SONY中研所发表第一个以96个图素并以线性感知的二次元 影像传感器〝8H*8V (64图素) FT方式三相CCD〞。 1974年6月,彩色影像用的FT方式32H*64V CCD研究成功了。 1976年8月,完成实验室第一支摄影机的开发。 1980年,SONY 发表全世界第一个商品化的CCD摄影机 (编号XC-1) 。 1981年,发表了28万个图素的 CCD (电子式稳定摄影机MABIKA)。 1983年,19万个图素的IT方式CCD量产成功。 1984年,发表了低污点高分辨率的CCD。 1987年,1/2 inch 25万图素的 CCD,在市面上销售。 同年,发表2/3 inch 38万图素的CCD,且在市面上销售。 1990年7月,诞生了全世界第一台 V8。
半导体 S
图6.3 CCD的结构简图
6.2.1 电荷耦合摄像器件
1)CCD的输入部分 (1)电注入:当CCD用于信息存储或信息处理时,通
§6.2 固体摄像器件分类及性能
2009年诺贝尔奖物理学奖得主
Fig.1贝尔实验室George Smith和Willard Boyle将可视 电话和半导体存储技术结合 发明了CCD原型
§6.2 固体摄像器件分类及性能
瑞典皇家科学院6日宣布,美国科学家威拉德·博伊尔和乔治·史密斯因 发明电荷耦合器件(CCD)图像传感器而与“光纤之父”高锟一同获 得2009年诺贝尔物理学奖。
(2)MOS结构部分: a. 以P型或N型硅半导体为衬底。 (本文以 P型硅为例) b. 在衬底上生长一层厚度为零点几个微米
的 二氧化硅层。
6.2.1 电荷耦合摄像器件
c. 然后按一定的次序沉淀N个金属电极或 多晶硅电极,作为栅极。(栅极间的间距 为2.5个微米,中心距离为15-20个微米) 于是,每个电极与其下方的二氧化硅和 半导体之间就构成了一个 金属-氧化物-半 导体(Metal - Oxide - Semiconductor )结 构, 即MOS结构。
6.2.1 电荷耦合摄像器件
CCD的特点: 以电荷作为信号。
CCD的基本功能: 电荷存储和电荷转移。
CCD工作过程: 信号电荷的产生、存储、传
输和检测的过程。
6.2.1 电荷耦合摄像器件
一、电荷耦合器件的基本原理
1、CCD的基本结构:
(1)输入部分: 输入二极管(ID / Input diaode)、 输入栅(IG / Input Grid)
6.2.1 电荷耦合摄像器件
(3) 输出部分:将电荷信号转换为电压或电流信 号
输出栅(OG/ Output diaode) 输出二极管 (OD / Output Grid)
6.2.1 电荷耦合摄像器件
输入栅
输入二 极管
栅极 P- Si / N – Si
输出栅 输出二极管 金属 M 氧化物 O
§6.1 光电成像概述
二、光电成像系统要研究的问题
光电成像涉及到一系列复杂的信号传递过 程。
有四个方面的问题需要研究: 1、能量方面——物体、光学系统和接收器的 光度学、辐射度学性质,解决能否探测到目标 的问题 。
§6.1 光电成像概述
2、成像特性——能分辨的光信号在空间和时 间方面的细致程度,对多光谱成像还包括它 的光谱分辨率 。 3、噪声方面——决定接收到的信号不稳定的 程度或可靠性。
目前,前两种用得较多,我们这里主要分析 CCD一种。
§6.2 固体摄像器件分类及性能
CCD图像传感器的优势
CCD图像传感器的诞生和发展使人们进入了更为 广泛应用图像传感器的新时代。
具有固体器件所有 优点;自扫描输出 方式消除了电子束 扫描造成的图像光 电转换的非线性失 真,体积、重量、 功耗和制造成本是 电子束摄像管无法 达到的。
第6章-光电成像系统 PPT课件
第6 章 光电成像 系统
§ 6.1 光电成第像6概章述 光电成像 §6.2 固体摄像系器统件分类及性能
§ 6.3 红外成像技术
§ 6.4 光学成像系统和光学传递函数
§6.1 光电成像概述
一、光电成像系统的分类:
按照光电成像系统对应的光波长范围分类: 可见光光电成像系统; 紫外光光电成像系统; 红外光光电成像系统; X光 光电成像系统。
6.2.1 电荷耦合摄像器件
• CCD(Charge Coupled Device),是 70年代初发展起来的新型半导体光电成像 器件。 • 30多年来, CCD技术已广泛的应用于 信号处理、数字存储及影像传感等领域。
• 其中,CCD技术在影像传感中的应用最为广 泛,已成为现代光电子学和测试技术中最活跃、 最富有成果的领域之一。
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