北京理工大学物理化学2000年考研真题
北化2000考研物化试题
北京化工大学2000考研物理化学试题(填空16分，选择题9分，计算5题75分共100分)注意事项：答案写在答题纸上，101.325kPa ≈100kPa=p ，作图用铅笔。
一、填空题(16分)1. 1mol 双原子理想气体由始态370K 、100kPa 分别经(1)等压过程，经(2)等容过程加热到473K ，则(1)，(2)两个过程下列物理量的关系是Q 1_____Q 2，W 1_____W 2，△H 1_____△H 2，△S 1_____△S 2。
(填大于、小于或等于)2. 200℃时，Ag 2O 的分解反应为：Ag 2O(s)→2Ag(s)+ 21O 2(g) 己知200℃时固体Ag 2O 的分解压为137.8kPa 。
今让1mol Ag 2O(s)在200℃分解达平衡，则该过程△G=_______，K =_________，反应过程系统与环境交换的功W=______(忽略固体体积，并设气体为理想气体。
3. 根据电池反应设计原电池。
己知电池反应：AgCl(s)+I －(-I a )=AgI(s)+Cl －(-Cl a ) 所设计的原电池为__________________________________________。
4. 有理想气体反应： A(g)+2B(g)→C(g)在等温和总压不变的条件下进行，若原料气中A 与B 的物质的量之比为1:2，达平衡时系统的组分数C=_______，自由度数f=_______。
当温度一定时，增大压力则K _______(填增大、减小或不变)，平衡将________移动(填向左、向右或不)。
5. 在一个锥形容器中，放入一滴液体，如下图所示。
试画出接触角θ。
因θ____900 (填大于、小于或等于)，则该液体对容器______润湿(填能或不能)。
6. 有(N 、E 、V)确定的理想气体，设分子的运动形式只有三个可及的能级，它们的能量和简并度分别为：k 1ε=0K ，g 1=1k 2ε=100K ，g 1=3k3ε=300K ，g 1=5 (式中k 为玻尔兹曼常数)当温度为200K 时，分子的配分函数值为_______。
天大考研物理化学2000真题和答案.docx
天津大学2000考研物理化学试题(题号：459)(由北京石油化工学院李汝雄教授做参考答案并做成文木文件)(填空40分，计算题6道60分，共100分)注意事项：答案必须写在答题纸上一、填空题(40分)1、理想液态混合物的定义是_____________________________2、丁达尔效应指的是_____________________________ >3、由于新相难以形成而出现的四种常见的亚稳定状态是：_______________________ 。
4、 ___________________________ 称为超电势，它是由于极化而引起的。
根据产生极化的原因可将极化简单分为两类：(1) ________________ L(2) _____________ 」5、催化剂的基本性质是：(1 ) _________________________ ，(2) ____________________ ,(3) ___________________ , (4) ____________________ o6、对于理想稀溶液，在一定温度下溶质B的质量摩尔浓度为bB,则B的化学势表达式为：_________________ O7^在恒定的温度T下，向体积为V的真空刚性容器内通入lmol的A2(g)和3mol的B2(g), 进行A2(g)+ B2(g)->2AB(g)的反应，达平衡时，测得生成的AB(g)物质的量为n。
若再通入2mol A2(g)o测得平衡时AB(g)物质的量为2n o则上述反应的标准平衡常数8、在300K和平衡状态下，某组成为X B=0.72的溶液上方B的蒸气压是纯B的饱和蒸气压的60%,那么：(1) B的活度是 __________ ；(2) B的活度系数是_________ ；(3)同温度下从此溶液中取出lmol的纯B (组成可视为不变)，则系统的G变化是_____ J .mol"。
北京理工大学(已有10试题)
北京理工大学信息科学技术学院自动控制理论1999——2000，2002——2008自动控制理论（非控类）2004电子技术（含模拟、数字部分）1999——2000，2002——2008模拟电子技术与数字电子技术2000——2002模拟与数字电路1999——2000，2002微机控制与应用技术2002——2008控制工程基础2003——2008物理光学2003——2004，2007——2008应用光学1999——2008，2010（2010为回忆版）波动光学2002大学物理2006——2008精密机械设计2003——2008（其中2003年称“精密机械基础”）激光原理1999——2001，2005——2008电子电路2003——2005，2007——2008电路分析基础1999——2000信号处理导论2003——2008信号与系统1996——2002半导体物理学1999——2008电磁场理论1999——2000，2002——2008微机原理及应用2004——2005电动力学2003——2004理论力学1996——2008（96——98非原版）生物化学1999——2008（注：2007年试卷共11页，缺P5-6页）生物化学（A）2005——2006，2008计算机专业基础（含计算机组织与结构、数据结构）2007计算机技术基础（含计算机组成原理、操作系统和数据结构）2003——2006计算机原理（含操作系统）1999——2002程序设计1999——2000计算机系统结构基础（含计算机组成原理、计算机网络和数据结构）2004——2005 软件理论基础（含离散数学、操作系统、数据结构）1999——2005数据结构与程序设计2004——2008微波技术基础1999——2000晶体管理原理与制造1999——2000机电工程学院电子技术（含模拟、数字部分）1999——2000，2002——2008电子技术基础2007——2008自动控制理论1999——2000，2002——2008自动控制理论（非控类）2004电磁学2005——2008量子力学2005——2008运筹学2001——2008工程力学基础2007——2008流体力学基础2006工程流体力学2005数学物理方程2002——2006数学物理方法2000材料力学1997——1999，2002——2008理论力学1996——2008（96——98非原版）电动力学2003——2004微机控制与应用技术2002——2008控制工程基础2003——2008精密机械设计2003——2008（其中2003年称“精密机械基础”）应用光学1999——2008，2010（2010为回忆版）波动光学2002微机原理及应用2004——2005有机化学1997——2008无机化学（A）2003——2007无机化学（B）2003——2005，2007——2008分析化学2003——2008分析化学(A)2006物理化学2003——2008高分子物理2005——2008高分子化学及高分子物理2003——2004安全系统工程2003——2005，2008工程热力学（不含传热学）2003——2008爆炸与安全技术2005爆炸及其作用2006爆轰理论2003——2005化学2002——2005传感与测试技术2004——2005算法语言1998微波技术基础1999——2000晶体管理原理与制造1999——2000传热学2000应用电子技术2004机械与车辆工程学院电子技术（含模拟、数字部分）1999——2000，2002——2008 电子技术基础2007——2008自动控制理论1999——2000，2002——2008自动控制理论（非控类）2004机械设计2001——2008机械设计原理2001机械制造工程基础2003——2008机械制造工艺学2002理论力学1996——2008（96——98非原版）微机控制与应用技术2002——2008应用光学1999——2008，2010（2010为回忆版）电路分析基础1999——2000模拟电子技术与数字电子技术2000——2002模拟与数字电路1999——2000，2002精密机械设计2003——2008（其中2003年称“精密机械基础”）控制工程基础2003——2008微机原理及应用2004——2005工程热力学（不含传热学）2003——2008物理化学2003——2008工程力学基础2007——2008流体力学基础2006工程流体力学2005交通运输系统工程学2005，2007——2008微波技术基础1999——2000晶体管理原理与制造1999——2000数字电路与数字信号处理2008材料科学与工程学院物理化学（A）2008高分子物理2005——2008高分子化学及高分子物理2003——2004材料科学基础2003——2007材料力学1997——1999，2002——2008普通化学2008综合化学2008有机化学1997——2008无机化学（A）2003——2007无机化学（B）2003——2005，2007——2008分析化学2003——2008分析化学(A)2006理论力学1996——2008（96——98非原版）电化学原理2003——2006微波技术基础1999——2000晶体管理原理与制造1999——2000化工与环境学院自动控制理论1999——2000，2002——2008自动控制理论（非控类）2004过程控制原理2000——2005，2007——2008化工原理2002——2008有机化学1997——2008无机化学（A）2003——2007无机化学（B）2003——2005，2007——2008分析化学2003——2008分析化学(A)2006物理化学2003——2008电化学原理2003——2006环境微生物学2007——2008工程热力学（不含传热学）2003——2008微波技术基础1999——2000晶体管理原理与制造1999——2000生命科学与技术学院生物化学1999——2008（注：2007年试卷共11页，缺P5-6页）生物化学（A）2005——2006，2008分析化学2003——2008分析化学(A)2006细胞生物学2004——2006微生物学2005——2008分子生物学2007——2008有机化学1997——2008无机化学（A）2003——2007无机化学（B）2003——2005，2007——2008药理学2007信号处理导论2003——2008信号与系统1996——2002电子电路2003——2005，2007——2008物理光学2003——2004，2007——2008应用光学1999——2008，2010（2010为回忆版）波动光学2002信号理论基础2007——2008计算机专业基础（含计算机组织与结构、数据结构）2007计算机技术基础（(含计算机组成原理、操作系统和数据结构）2003——2006计算机原理（含操作系统）1999——2002程序设计1999——2000计算机系统结构基础（含计算机组成原理、计算机网络和数据结构）2004——2005 软件理论基础（含离散数学、操作系统、数据结构）1999——2005数据结构与程序设计2004——2008理学院电子技术（含模拟、数字部分）1999——2000，2002——2008大学物理2006——2008数学分析1995，1999——2000，2003——2008高等代数2003——2008电磁学2005——2008量子力学2005——2008电动力学2003——2004普通化学2008综合化学2008无机化学（A）2003——2007无机化学（B）2003——2005，2007——2008分析化学2003——2008分析化学(A)2006物理化学（A）2008物理化学2003——2008有机化学1997——2008理论力学1996——2008（96——98非原版）材料力学1997——1999，2002——2008工程热力学（不含传热学）2003——2008数学物理方程2002——2006数学物理方法2000电路分析基础1999——2000模拟电子技术与数字电子技术2000——2002模拟与数字电路1999——2000，2002激光原理1999——2001，2005——2008微机控制与应用技术2002——2008爆炸与安全技术2005爆炸及其作用2006电化学原理2003——2006工程力学基础2007——2008流体力学基础2006工程流体力学2005微波技术基础1999——2000晶体管理原理与制造1999——2000管理与经济学院宏微观经济学2008管理学2003——2008（2003，2004名称叫做“管理学基础”。
精编版-2000年北京高考物理真题及答案
2000年北京高考物理真题及答案本试卷分第Ⅰ卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题），第Ⅰ卷1至3页，第Ⅱ卷4至11页共150分，考试时间120分钟。
第Ⅰ卷（选择题 共40分）注意事项：1．答第I 卷前，考生务必将自己的姓名、准考证号、考试科目用铅笔涂写在答题卡上。
2．每小题选出答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑。
如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其它答案，不能答在试题卷上。
3．考试结束，将本试卷和答题卡上并交回。
4．必要时可以使用下列物理量。
真空中光速m/s 100.38⨯=c 万有引力常量2211/kg m N 107.6⋅⨯=-G普朗克常量s J 106.634⋅⨯=-h 电子的电量C 106.117-⨯=e地球半径m 104.66⨯=R 电子的质量kg 101.931-⨯=e m一、本题共10小题；每小题4分，共40分，在每小题给出的四个选项中，有的小题只有一个选项正确，有的小题有多个选项正确，全部选对的得4分，先不全的得2分，有选错或不答的得0分。
1．最近几年，原子核科学家在超重元素岛的探测方面取得重大进展，1996年科学家们在研究某两个重离子结合成超重元素的反应时，发现生成的超重元素的核X A Z 经过6次α衰变后的产物是Fm 253100，由此，可以判定生成的超重元素的原子序数和质量数分别是A ．124、259B ．124、265C ．112、265D ．112、2772．对于一定量的理想气体，下列四个论述中正确的是A ．当分子热运动变剧烈时，压强必变大B ．当分子热运动变剧烈时，压强可以不变C ．当分子间的平均距离变大时，压强必变小D ．当分子间的平均距离变大时，压强必变大3．某人造地球卫星因受高空稀薄空气的阻气作用，绕地球运转的轨道会慢慢改变，每次测量中卫星的运动可近似看作圆周运动。
某次测量卫星的轨道半径为1r ，后来变为2r ，12r r <。
以1k E 、2k E 表示卫星在这两个轨道上的动能，21,T T 表示卫星在这两个轨道上绕地运动的周期，则A ．12k k E E <，21T T <B ．12k k E E <，12T T >C ．12k k E E >，21T T <D ．12k kE E >，21T T >4．对于水平放置的平行板电容器，下列说法正确的是A ．将两极板的间距加大，电容将增大B ．将两极板平行错开，使正对面积减小，电容将减小C ．在下板的内表面上放置一面积和极板相等、厚度小于极板间距的陶瓷板，电容将增大D ．在下板的内表面上放置一面积和极板相等、厚度小于极板间距的铝板，电容将增大 5．图中活塞将气缸分成甲、乙两气室，气缸、活塞（连同拉杆）是绝热的，且不漏气。
北京理工大学2000-2001非统考教育学考研试题及答案
学君考研教育学考研资料北京理工大学非统考历年真题目录北京理工大学2000年教育学考研真题 (2)北京理工大学2001年教育学考研真题 (2)北京理工大学2000年教育学考研真题参考答案 (3)北京理工大学2001年教育学考研真题参考答案 (4)北京理工大学2000年教育学考研真题科目编号：437 科目名称：教育学分号：018-06考生必须将试题答案书写在答题纸上，在试题和草稿纸上答题无效，试题上不准填写准考证号和姓名一、名词解释（每小题5分，共20分）1.教育本质2.教育方针3.教育过程4.德育二、论述题（每小题20分，共80分）1.谈谈你对教育发展历史分期的看法2.试述教育与人的发展关系3.试述教育与生产力的关系4.试述两种典型的课程理论北京理工大学2001年教育学考研真题科目编号：437 科目名称：教育学分号： 18-07考生必须将试题答案书写在答题纸上，在试题和草稿纸上答题无效，试题上不准填写准考证号和姓名一、名词解释（每小题5分，共20分）1.启发式2.活动中心课程3.美育4.非智力因素5.义务教育二、简答题（每小题10分，共20分）1.你对“什么是教育”的理解2.三种基本的教育目的观三、问答题（每小题20分，共60分）1.从我国的国情出发，谈谈教育与人口的关系。
2.你对教师素质和如何提高教师素质的认识。
3.你对素质教育和如何推进素质教育的认识。
北京理工大学2000年教育学考研真题参考答案一、名词解释1、教育本质：2、教育方针：是国家或政党在一定历史阶段提出的有关教育工作的总的方向和总指针，是教育基本政策的总概括。
它是确定教育事业发展方向，指导整个教育事业发展的战略原则和行动纲领。
3、教育过程：教育过程是教师根据教育目的、任务和学生身心发展的特点，通过指导学生有目的、有计划地掌握系统的文化科学知识和基本技能，发展学生智力和体力，形成科学世界观及培养道德品质、发展个性的过程。
4、德育：德育是教育者按照一定社会或阶级的要求，有目的、有计划、系统地对受教育者施加思想、政治和道德影响，通过受教育者积极的认识、体验、身体力行，以形成他们的品德和自我修养能力的教育活动。
2000考研物化试卷
华南理工大学2000年攻读硕士学位研究生入学考试《物理化学》试题1．苯的正常沸点为353K，摩尔蒸发焓为30.77kJ•mol-1，现将353K，标准压力下的1摩尔液态苯向真空等温蒸发为同温同压的苯蒸汽(设为理想气体)。
(1) 计算该过程苯吸收的热量和做的功；(2) 求过程的∆G和∆S；(3) 求环境的熵变；(4) 可以使用何种判据判断过程的性质。
(本题12分)解：设计如下途径计算(1) 因真空蒸发可理解为p amb=0或恒容过程，W=0可忽略压力对凝聚系统的焓的影响，∆H1=0；理想气体恒温时∆H3=0，故∆H=∆H1+∆H2+∆H3=0＋∆vap H+0= (1³30.77)kJ=30.77kJQ=∆U=∆H-∆ (pV)＝∆vap H-p∃ (V g-V l)= n∆vap H m-p∃V g=n∆vap H m-nRT= (30770-1³8.315³353)J = 27835J(2) ∆S=∆S1+∆S2+∆S3=0+∆S2+∆S3= (∆H2/T)+ nR ln(p/p∃)={(30770/353)+1³8.315³ln(101.325kPa/100kPa)}J²K-1= 87.28J²K-1∆G=∆H-T∆S = (30770-353³87.28)J= -39.84J(3) ∆S amb= -Q/T amb= -27835J/353K = -78.85 J²K-1(4) 可用熵判据判断过程的性质，此过程∆S iso=∆S sys+∆S amb= 87.28J²K-1+(-78.85J²K-1)= 8.43J²K-1 > 0故为不可逆过程。
2．有关金刚石和石墨在298K时的热力学数据如下表所示：金刚石石墨∆c H m∃/(kJ²mol-1)-395.3 -393.4S m∃/(J²K-1²mol-1) 2.43 5.69密度/(kg²dm-3) 3.513 2.260求：r mB. 298Ｋ时，由石墨转化为金刚石的最小压力。
北京理工大学化学学院基础化学考研复试真题,考研复试参考书
北京理工大学化学学院基础化学考研复试真题一无机化学（25分）1.实验室遇到以下紧急情况应该怎么处理，失火、有毒气体中毒、酸腐蚀。
（3分）2.清洗玻璃仪器的方法有哪些，选用方法的原则是什么。
（3分）3.使用玻璃漏斗和蒸发皿的注意事项。
（3分）4.重结晶原理。
（3分）5.什么是绝对误差、相对误差，在绝对误差相同时相对误差是否相同。
（3分）6.什么是基准物质。
（3分）7.要将0.8mol/L溶液50ml配制0.4mol/L的溶液所用的玻璃仪器有哪些？（3分）8.单质碘为什么易溶于四氯化碳和碘化钾溶液。
（4分）二分析化学（25分）结合毕业设计或者做过的实验说明化学分析应用的实际过程步骤，尽量详细。
（25分）三有机化学（25分）1.有机化学反应类型有哪些，至少举出六种，举例说明。
（5分）2.付氏烷基化付氏酰基化反应区别，催化剂氯化铝用量差异以及原因。
（5分）3.薄层色谱中什么是Rf值，以及薄层色谱的用途。
（5分）4.用无噻吩苯及乙酸酐，氯化铝作催化剂，制备苯乙酮。
(10分)1）写出反应方程式2）实验简要步骤3）各步需要的实验装置图四物理化学（25分）1.可逆电动势对化学反应有什么要求。
对消法测电动势及温度系数的原理，以及用到的仪器有哪些。
（10分）2.化学动力学测定反应速率实验无法直接测定浓度时可以用其他物理量来代替，如何用来表示浓度。
举出两个实例进行说明。
（15分）备考要求：对单考生参加复试的要求由招生单位参考教育部复试分数基本要求自定。
各招生单位原则上按120%左右的比例进行差额复试。
进行初试科目改革的学科专业复试差额比例可适当扩大，具体比例由招生单位自定。
需要特别说明的是，这个分数线只是最低要求，过了这个线是否可以参加复试，取决于各硕士研究生招生单位依据报考人数、考试成绩以及招生计划、复试比例最终确定的招生单位具体考研复试分数线。
成绩计算各个高校考研复试成绩计算方法略有不同，一般来说大多数高校的计算方法如下：复试成绩=专业课笔试成绩×笔试权重+面试成绩×(90%-笔试权重)+外语听说能力成绩×10%注意复试时间、地点、科目、方式由招生单位自定。
北京理工大学高分子物理考研练习题
1. 选择题（10分，每题1分）（1）自由结合链的均方末端距的公式 ( A ) A.22Nl h = B. θθcos 1cos 122+-=Nl h C. ϕϕθθcos 1cos 1cos 1cos 122-+⋅+-=Nl h （2）结晶性高聚物的晶区中存在的分子链构象可以是 ( C )A ．无规线团 B. 螺旋形 C. 锯齿形（3）内聚能密度CED 〉420MJ/m 3的聚合物，适合用作 ( B )A ．橡胶 B. 纤维 C. 塑料（4） 下列有关高分子结构的叙述不正确的是 （ C ）A ．高分子是由许多结构单元组成的B ．高分子链具有一定的内旋转自由度C ．结晶性的高分子中不存在非晶态D ．高分子是一系列同系物的混合物（5）缨状胶束模型能解释的实验现象有 （A ）A 、结晶高聚物的宏观密度小于按晶胞参数计算的理论密度B 、结晶高聚物有熔限C ．单晶结构（6）在玻璃化温度以下，随着温度的降低，高聚物的自由体积将 （ A ）A 、保持不变B 、 上升C 、下降D 、先下降然后保持不变（7）Maxwell 模型可用于定性模拟 ( C )A 、线型高聚物的蠕变B 、交联高聚物的蠕变C 、线型高聚物的应力松弛D 、交联高聚物的应力松弛（8）处于高弹态下的高聚物，下列哪些运动单元不能运动（ A ）A 、整个分子B 、链段C 、链节D 、支链（9）聚合物熔体的爬杆效应的原因是 （ B ）A 、普弹效应B 、高弹性C 、黏流（10）高聚物不符合WLF 方程的温度范围 （ B ）A 、T g < T <T fB 、T f < T <T dC 、T g < T <T g +1002. 填空题 （15分,每空1分）（1）聚合物的凝聚态结构存在 晶态、 非晶态 、 取向态、液晶态 和 织态结构。
（2）均相成核生成球晶时，Avrami 指数n 为 4 ；异相成核生成球晶时，Avrami 指数n 为 3。
北京理工大学884物理化学考研模拟题7
本资料由理硕教育整理，理硕教育是全国唯一专注于北理工考研辅导的学校，相对于其它机构理硕教育有得天独厚的优势。
丰富的理工内部资料资源与人力资源确保每个学员都受益匪浅，确保理硕教育的学员初试通过率89%以上，复试通过率接近100%，理硕教育现开设初试专业课VIP 一对一，初试专业课网络小班，假期集训营，复试VIP 一对一辅导，复试网络小班，考前专业课网络小班，满足学员不同的需求。
因为专一所以专业，理硕教育助您圆北理之梦。
详情请查阅理硕教育官网第八章电解质溶液已知LiCl 中的40.34t =，则HI 中的H +的迁移数为（设电解质全部电离）A.0.82B.0.18C.0.34D.0.666.298K 时，有质量摩尔浓度均为10.001mol kg -⋅的下列电解质溶液，其离子平均活度因子t r 最大的是A.4CuSOB.2CaClC.3LaClD.NaCl7.质量摩尔浓度为11.0mol kg -⋅的[]46()K Fe CN 溶液的离子强度为A.151mol kg -⋅B.101mol kg -⋅C.71mol kg -⋅D.41mol kg -⋅8.质量摩尔浓度为m 的3FeCl 溶液（设其能完全解离），平均活度因子为4r ，3FeCl 的活度a 为 A.4()x m r m θ B.444()x m r m θ C.44()x m r m θ D.4427()x m r mθ14.四种质量摩尔浓度都是10.01mol kg -⋅的电解质溶液，其中平均活度因子最小的是A.NaClB.2MgClC.3AlClD.4CuSO15.在一定温度和浓度的水溶液中，一般情况是带相同电荷数的离子的摩尔电导率随离子半径的依次增大，但其离子摩尔电导率恰也以此增大，这是由于A.粒子的电迁移率以此依次减小B.离子的水化作用依次减弱C.离子的迁移数以此减小D.电场强度的作用依次减弱答案：DBCCADBDCCBDDDB。
北京理工大学历年真题快速下载索引
爆轰理论2004 爆轰理论2005 物理光学2000 物理光学2003 物理光学2004 物理光学2005 物理光学2006 物理光学2007 物理光学2008 物理化学1999 物理化学2000A 物理化学2001A 物理化学2002A 物理化学2003 物理化学2004 物理化学2005 物理化学2006 物理化学2007 物理化学2008 物理化学（A）2008 环境微生物学2007 环境微生物学2008 环境生物学2007 理论2008 理论力学2000 理论力学2001 理论力学2002 理论力学2003 理论力学2004 理论力学2005 理论力学2006 理论力学2007 理论力学2008 生物化学1999 生物化学2000 生物化学2001 生物化学2002 生物化学2003 生物化学2004 生物化学2005 生物化学2005A 生物化学2006 生物化学2006A 生物化学2007（缺5、6页） 生物化学2008 生物化学（A）2008 电动力学2000
学校 北京理工大学
科目及年份 交通运输系统工程学2005 交通运输系统工程学2007 交通运输系统工程学2008 企业管理2004 会计学1999 会计学2000 会计学2001 会计学2002 会计学2004 会计学2004答案 会计学2006 会计学2007 会计学2008 传感与测试技术2004 传感与测试技术2005 传感技术2000 传感技术2001 传感技术2002 传热学2000 伦理学原理2008 信号与系统（信号处理导论）1996 信号与系统（信号处理导论）1997 信号与系统（信号处理导论）1998 信号与系统（信号处理导论）1999 信号与系统（信号处理导论）2000 信号与系统（信号处理导论）2001 信号与系统（信号处理导论）2002 信号处理导论2003 信号处理导论2004 信号处理导论2005 信号处理导论2006 信号处理导论2007 信号处理导论2008 信号理论基础2007 信号理论基础2008 信息管理与知识产权2008 分子生物学2002 分子生物学2007 分子生物学2008 分析化学2001A 分析化学2002B 分析化学2003 分析化学2004 分析化学2005 分析化学2006 分析化学2006A
2000及答案 华南理工考研真题
华南理工大学2000年攻读硕士学位研究生入学考试《物理化学》试题（适用专业：应化类含制糖工程，化工类，未注明的为两类共用题）1．苯的正常沸点为353K ，摩尔汽化焓为30.77kJ•mol -1，现将353K ，标准压力下的1摩尔液态苯向真空等温蒸发为同温同压的苯蒸汽（设为理想气体）。
A ．计算该过程苯吸收的热量和做的功；B ．求过程的 G 和 S ；C ．求环境的熵变；D ．可以使用何中判据判断过程的性质。
（12分）解A ．因真空蒸发， p 环=0⎰=-=∴0dV p W 环Q = U = H - (pV )压力变化不大时，压力对凝聚系统的焓、熵影响不大，所以 H 1=0、 S 1=0。
又理想气体恒温 H 3=0 ，所以H = H 1+ H 2+ H 3= H 2= n vap H m则 Q =n vap H m - p (V g -V l )= n vap H m - pV g ≈ n vap H m - nRT= 1×30770 J - 1mol ×8.3145 J·K -1·mol -1×353K = 27835JB. S = S 1+ S 2+ S 3= S 2+ S 2= ( H 2/T )+ nR ln(p /p)= (30770J/353K)+1×8.3145J ·K -1×ln(101.325kPa/100kPa)= 87.28J ·K -1G = H - T S = 30770J - 353K×87.28J·K -1= -39.84J C. 环境熵变 ：设系T =环TS 环= -Q 系/T 环= -27835J/353K =-78.85 J·K -1D . 可用熵判据判断过程的性质，此过程S 隔= S 系+ S 环= 87.28J·K -1+(-78.85J·K -1)= 8.43J·K -1> 0 故为不可逆过程。
首都师大2000年硕士研究生入学考试试题
首都师大2000年硕士研究生入学考试试题考试科目：物理化学一、选择题（本题包括20小题，每小题2分，共40分，每小题只有一个正确答案）1.H2 和O2 在绝热钢瓶中生成水，（）A.△H=0B.△U=0C.△S=0D.△G=02.对于理想气体.下列关系中哪个不正确( )A.①③④B.②④⑥C.④⑥D.④⑤3.实际气体经节流膨胀后，下述那一组结论正确（）A.Q<0, △H=0, △P<0B. Q=0, △H=0, △T<0C.Q=0, △H<0, △P<0D. Q=0, △H=0, △P<04.某实际气体的状态方程为:PVm=RT+αP,α为大于0的常数，当此气体经绝热向真空膨胀后，气体的温度（）。
A.上升B.下降C.不变D.不能确定5.下列过程：①循环过程②孤立体系任意过程③100℃，水蒸发成水汽④绝热可逆过程⑤封闭体系节流过程。
属于△G=0的是（）A.①②B.②③C.①③D.④⑤6.某体系进行不可逆循环过程的熵变为（）A.△S体>0, △S环=0B.△S体=0, △S环>0C.△S体=0, △S环=0D.△S体>0, △S环>07.已知100℃时液体A的蒸汽压为1×105Pa，液体B为5×104Pa，设A和B构成理想溶液，则当A在溶液中的物质的量分数为0.5时，在气相中A的物质的量分数为（）A.1B.1/2C.2/3D.1/38.对于物质i的气液两相平衡体系[u i(g)=u i(l)]，保持压力不变，升高温度则（）A u i(g)，u i(l)都增加，且u i(g)>u i(l)B. u i(g)增加，u i(l)减少，且u i(g)>u i(l)C. u i(g)减少，u i(l)增加，且u i(g)<u i(l)D. u i(g)，u i(l)都减少，且u i(g) <u i(l)9.反应:2NO(g)+O2(g)=2NO2是放热的，当反应达到平衡时，可采用下列那组条件，使平衡相右移动（）A.T↓和P↓B.T↑和P↑C.T↑和P↓D.T↓和P↑10惠斯登（Wheatstone）电桥为精确比较哪种电学性质而设计的分流装置（）A.迁移数B.电容C.电位 D .电阻11.德拜–––休克尔（Debye–Huckel）理论用于解释（）。