STM32F205&STM32F207中文资料
STM32系列MCU硬件实时时钟(RTC)应用笔记说明书
2017年6月Doc ID 018624 Rev 1 [English Rev 5]1/45AN3371应用笔记在 STM32 F0、F2、F3、F4 和 L1 系列MCU 中使用硬件实时时钟（RTC ）前言实时时钟 (RTC) 是记录当前时间的计算机时钟。
RTC 不仅应用于个人计算机、服务器和嵌入式系统，几乎所有需要准确计时的电子设备也都会使用。
支持 RTC 的微控制器可用于精密计时器、闹钟、手表、小型电子记事薄以及其它多种设备。
本应用笔记介绍超低功耗中等容量、超低功耗大容量、F0、F2和 F4 系列器件微控制器中嵌入式实时时钟 (RTC) 控制器的特性，以及将 RTC 用于日历、闹钟、定时唤醒单元、入侵检测、时间戳和校准应用时所需的配置步骤。
本应用笔记提供了含有配置信息的示例，有助于您快速准确地针对日历、闹钟、定时唤醒单元、入侵检测、时间戳和校准应用配置 RTC 。
注：所有示例和说明均基于 STM32L1xx 、STM32F0xx 、STM32F2xx 、STM32F4xx 和STM32F3xx 固件库，以及 STM32L1xx (RM0038)、STM32F0xx (RM0091)、STM32F2xx (RM0033)、STM32F4xx (RM0090)、STM32F37x (RM0313) 和 STM32F30x(RM0316) 的参考手册。
本文提到的STM32 指超低功耗中等容量、超低功耗大容量、F0、F2 和 F4 系列器件。
超低功耗中等 (ULPM) 容量器件包括 STM32L151xx 和 STM32L152xx 微控制器，Flash 容量在 64 KB 到 128 KB 之间。
超低功耗大 (ULPH) 容量器件包括 STM32L151xx 、STM32L152xx 和 STM32L162xx 微控制器，Flash 容量为 384 KB 。
F2 系列器件包括 STM32F205xx 、STM32F207xx 、STM32F215xx 和 STM32F217xx 微控制器。
STM32F103R-F030R-F205R-64Pin引脚对比
7. 表 中的 引脚 PA0 对 应的 复用 功能 中的 TIM2_ CH1_E TR ， 表示 可
7. After reset, these pins are configur ed as SWDIO and SWCLK alternat e function s, and the internal pull-up on SWDIO pin
3. This feature is availabl e on STM32 F030x8 devices only.
4. For STM32 F030x4/ 6/8 devices only.
5. For STM32 F030xC devices only.
6. On LQFP32 packag e, PB2 and PB8 should be treated as unconn ected pins (even when they are not availabl e on the
packag e, they are not forced to a defined level by hardwar e).
ADC1_I N9，也 可以配 置为 ADC2_I N9。
同样， 表中的 引脚名 称标注 中出现 的 ADC12 3_INx(x 表示 0~3 或 10~13 之间的 整数)，
FT
OSC_IN
6 PD1
FT
OSC_OUT
NOTE5
CAN_RX
NOTE5
CAN_TX
7 NRST
NRST
8 PC0
PC0
ADC123_IN10
9 PC1
J-Flash烧写hex(bin)文件到STM32F205RG芯片的设置方法与步骤
1、在桌面找到图标点击打开如图界面
2、点击菜单栏上的options,再点击“Project settings…”，进行烧写前的必要设置，如下图：
(1)在“General”页，选择“USB”，如下图：
(2)在“Target Interface”页，选择“JTAG”，JTAG速度设置为“Auto selection”，如下图
(3)在“CPU”页，选择开发板的CPU型号：ST STM32F205RG，如下图：
(4)“FLASH”页不用设置，默认设置就可以了。
(5)在“Production”页，我们把“Start application”选上，则在下载成功之后，程序会自动运行。
(6)在设置完成后，我们点击“应用”和“确定”退出。
在JLINK软件界面左边，将显示烧写信息，如下图：
3、点击“Target”后，再点击“Connect”，开始连接：连接成功会有提示信息，如下边的状态拦:
4、接着，点击“File”，点击“open data file...”打开烧录的HEX(BIN)文件，如图:
5、加载完成后，点击“Target”点击“Auto”进行烧录：
6、烧写成功！如下图：
点击确定，完成程序烧写！。
STM32 F205 VB在远程系统升级中的应用
STM32 F205 VB在远程系统升级中的应用丁鹏飞;法林【摘要】To against the problems in remote upgrading of the embedded system, e. g. pause operation of the system, the security of upgrade cannot be guaranteed and upgrade failure, etc. , the remote upgrading system based on STM32F205VB processor has been designed. The remote system upgrade codes are received through the GPRS module, and stored in internal Flash memory. Having been received the upgrade codes, the upgrade flag is set, and the system is restarted. When the upgrade flag is detected after system restart, the upgrade code is written into program memory area by the system code upgrade program and the upgraded application is running. This remote upgrade technology satisfies the real time requirement during upgrading process and improves the reliability of remote upgrade.%针对嵌入式系统远程升级过程中暂停运行、升级的安全性无法保障及升级失败等问题，设计了基于STM32F205VB处理器的远程升级系统。
STM32 F1-F2-F4 比较
APB2
* 红色标注的外设为该系列所特有的 * 下划线标注的外设是所有系列共有，但内部映射位置发生变化 7
声明: 本演讲稿中若有与数据手册不相符合的内容,请以数据手册为准。
片上SRAM存储器比较
F4系列
内置SRAM 电池备份域SRAM 112K+64K+16K 4K 字节
F2系列
112K+16K
F1系列
STM32各系列比较：F1-F2-F4
STM32 – 领先的Cortex-M 产品家族
闪存容量 (字节)
STM32F407VG STM32F417VG STM32F407ZG STM32F417ZG STM32F405RG STM32F415RG STM32F405VG STM32F415VG STM32F405ZG STM32F415ZG STM32F407IG STM32F207IG STM32F417IG STM32F217IG
2个I2S
双12位DAC
多个12位快速ADC 主振荡器和32kHz振荡器 低速和高速RC振荡器 -40~+85º C和 -40~+105º C的工作温度 2.0~3.6V或 1.65~3.6V工作电压 5V容忍引脚 温度传感器
3相电机 定时器
CAN 2.0B
SDIO 2个I2S
CEC
STM32 L1系列：超低功耗型产品(STM32F151/152) 多达 多达 12K字节 Cortex-M3 USB 2.0 48K字节 384K字节 数据 32MHz 全速设备 SRAM Flash EEPROM
1024K
STM32F207VG STM32F217VG STM32F207ZG STM32F217ZG STM32F205RG STM32F215RG STM32F205VG STM32F215VG STM32F205ZG STM32F215ZG STM32F101RG STM32F103RG STM32F101VG STM32F103VG STM32F101ZG STM32F103ZG STM32F205RF STM32F205VF STM32F207VF STM32F205ZF STM32F101ZF STM32F207ZF STM32F103ZF
(完整word版)STM32复习题
一、选择题1、STM32F407VET6这款单片机型号表明该款单片机的引脚数目为( ）A、48B、64C、100封装类型为（）A、BGAB、LQFPC、VFQFPN2、下列开发软件中，不能用来开发STM32的程序的是（ )A、EWARMB、MDKC、JDK3、下列时钟源中不可以用来驱动系统时钟的是( )A、HSEB、HSIC、LSI4、STM32F103C8T6的SYSCLK最高为（）A、48MHzB、72MHzC、168MHz5、当两个中断的抢占式优先级和子优先级一样时，内核处理中断时，这两个中断都已触发，响应规则为（）A、按中断向量表的顺序B、随机响应C、按中断程序入口地址顺序6、AHB是（ )A、高性能总线B、高速外设总线C、低速外设总线7、在标准库中，如果某个GPIO作为数字量输入口，应配置为( )A、GPIO_Mode_AFB、GPIO_Mode_INC、GPIO_Mode_AN。
PA9，如果配置为USART1_TX,应配置为（）8、GPIOx_ODR 寄存器是( )A、GPIO输出数据寄存器B、GPIO输入数据寄存器C、GPIO配置寄存器9、高速外设总线是（）A、AHBB、APB1C、APB210、下列通讯方式中，没有同步时钟的是( ）A、UARTB、SPIC、IIC11、下列通讯方式中，发送和接收是同时进行的是( )A、UARTB、SPIC、IIC12、下列看门狗，可以避免跑乱的程序正好跑到喂狗程序从而导致不复位的情况是（）A、独立看门狗B、窗口看门狗C、外部硬件看门狗13、标准库中，当PA8被配置为外部中断线时，对应的中断向量默认为( ）A、EXTI8B、EXTI9_5C、EXTI5_914、当PA2配置为中断线，配置中断线时，EXTI_InitStructure。
EXTI_Line= ( )A、EXTI_Line2B、GPIO_PinSource2C、GPIO_Pin_215、带互补输出功能的定时器是（ )A、高级定时器B、通用定时器C、基本定时器16、没有捕获/比较功能的定时器是( )A、高级定时器B、通用定时器C、基本定时器17、语句ADC_RegularChannelConfig（ADC1, ADC_Channel_17, 2， ADC_SampleTime_55Cycles5）使用规则通道组采集的是（）A、内部温度传感器的数据B、内部参考电压的数据C、某端口的数据18、ADC初始化时，可通过结构体ADC_InitTypeDef 中ADC_ScanConvMode定义 ( ）A、ADC使用模式B、ADC扫描模式C、ADC连续转换模式19、ADC初始化时,可通过结构体ADC_InitTypeDef 中ADC_ContinuousConvMode定义（ )A、ADC使用模式B、ADC扫描模式C、ADC连续转换模式20、DMA初始化时结构体DMA_InitTypeDef 中DMA_PeripheralInc定义的是 ( ）A、数据传输方向B、外设增量模式C、存储器增量模式21、若ADC使用DMA采集数据,DMA_InitTypeDef中的DMA_DIR 应配置为（ )A、DMA_DIR_PeripheralDSTB、DMA_DIR_PeripheralSRCC、DMA_DIR_M2M22、IIC通信时,起始信号定义为（ )IIC通信时，停止信号定义为( ）A、SCL为高电平时拉低SDAB、SCL为高电平时拉高SDAC、SCL为低电平时拉高SDA23、支持多主结构的通讯方式是( )A、485B、IICC、SPI24、CAN通讯中，用于接收单元向具有相同ID的发送单元请求数据的帧叫（）A、数据帧B、遥控帧C、过载帧25、CAN通讯的标准格式ID为（）CAN通讯的扩展格式ID为（ )A、8位B、11位C、29位26、CAN通讯时，设置过滤器组0工作在1个32为位过滤器、标识符屏蔽模式，CAN_F0R1=0XFFFF0000，CAN_F0R2=0XFF00FF00，则接收时最低位的ID应为（ )A、0B、1C、不必关心27、下列哪个文件是μcos与处理器有关的代码，在移植时需要修改（）A、os_cpu_c.cB、os_tmr。
USB 接口损坏原因
USB接口易损坏
问题：
该问题由某客户提出，发生在STM32F205VCT6器件上。
据其工程师讲述：为了实现产品的设计中使用STM32的USB OTG接口，作为其产品的一个通用USB接口来用。
在其产品小批量试产后，发现STM32的USB OTG接口在其产品的使用过程中易损坏。
调研：
使用USB OTG驱动库的DEMO程序对芯片进行测试，发现其USB OTG接口在功能上的确已失效。
测量该芯片在复位状下的工作电流，在90mA左右，明显偏大。
对该芯片做FA处理，结果表明该芯片的USB OTG接口已被ESD损坏。
检查硬件设计，发现该接口未做ESD保护。
结论：
STM32的端子未做ESD保护，直接引至机壳对外的插座上，从而发生ESD损坏。
处理：
设计中增加ESD保护，推荐器件EMIF02USB03F2，如图（二）所示：
建议：
在STM32的数据手册中，给出的ESD相关数据如表（一）所示：
在人体模型下，最大放电电压为2000V；在机器模型下，最大放电电压为500V。
这样的防静电能力，使得STM32不适合在没有防静电措施的环境下，直接与带静电的物体接触。
也就决定了，在硬件设计中，不可以在不加任何的防静电保护的情况下，将STM32的管脚引至暴露在机壳之外的端子上。
表（二）列出一些常用保护器件型号，供参考。
STM32F205&STM32F207描述与特点
电子元器件规格书－－ｈｔｔｐ：／／ｔｉｅｂａ．ｂａｉｄｕ．ｃｏｍ／ｐ／１８５００２８８３６ ｈｔｔｐ：／／ｗｅｎｋｕ．ｂａｉｄｕ．ｃｏｍ／ｖｉｅｗ／４４ｂ３ｄ４ｄ２５０ｅ２５２４ｄｅ５１８７ｅｂ０．ｈｔｍｌ
2012
ＳＴＭ３２Ｆ２０５ ＳＴＭ３２Ｆ２０７
主要特点与中文描述
ＳＴ代理－深圳恒信宇电子
相关型号：ＳＴＭ３２Ｆ０５１，ＳＴＭ３２Ｆ２系列，ＳＴＭ３２Ｆ４系列，ＳＴＭ３２Ｆ１００，ＳＴＭ３２Ｆ１０１，ＳＴＭ３２Ｆ１０２，ＳＴＭ３２Ｆ１０３，
ＳＴＭ３２Ｆ１０５，ＳＴＭ３２Ｆ１０７，ＳＴＭ３２Ｌ１５１，ＳＴＭ３２Ｌ１５２，ＳＴＭ３２Ｆ０５０
描 述
请
给
该ｓｔｍ３２ｆ２０ｘ是基于高性能的３２位精简指令集的核心运行频率高达１２０兆赫。该系列采用高速嵌
文
入式存储器（快闪记忆体可达１字节，多达１２８个字节的系统存储器），多达４个字节的备份存储器，
档
和一个范围广泛的增强我／操作系统和外设连接到建业巴士，三巴士和一个３２ － ｍｕｌｔｉ－ａｈｂ总线矩
2012
ＳＴＭ３２Ｆ２０５ ＳＴＭ３２Ｆ２０７
主要特点与中文描述
ＳＴ代理－深圳恒信宇电子
相关型号：ＳＴＭ３２Ｆ０５１，ＳＴＭ３２Ｆ２系列，ＳＴＭ３２Ｆ４系列，ＳＴＭ３２Ｆ１００，ＳＴＭ３２Ｆ１０１，ＳＴＭ３２Ｆ１０２，ＳＴＭ３２Ｆ１０３，
ＳＴＭ３２Ｆ１０５，ＳＴＭ３２Ｆ１０７，ＳＴＭ３２Ｌ１５１，ＳＴＭ３２Ｌ１５２，ＳＴＭ３２Ｆ０５０
有标准和先进的通信接口。新的先进的设备包括一个输出，增强柔性静态存储器控制（设计）接口
（设备提供软件包１００引脚和更多），和一个摄像头界面传感器。该装置还采用标准外设。
电子元器件规格书－－ｈｔｔｐ：／／ｔｉｅｂａ．ｂａｉｄｕ．ｃｏｍ／ｐ／１８５００２８８３６ ｈｔｔｐ：／／ｗｅｎｋｕ．ｂａｉｄｕ．ｃｏｍ／ｖｉｅｗ／４４ｂ３ｄ４ｄ２５０ｅ２５２４ｄｅ５１８７ｅｂ０．ｈｔｍｌ
stm32各系列比较：f1f2f4
32K
16K
STM32F101T4 STM32F100C4 STM32F102C4 STM32F100R4 STM32F102R4
引脚数目
100脚 LQFP/BGA 144脚 LQFP 176脚 LQFP*/UFBGA
36脚 QFN
48脚 LQFP/QFN
64脚 LQFP/BGA/CSP
2
STM32：8大系列产品
共同的特性
通信接口: USART, SPI, I2C 通用定时器 集成的复位和掉电告警
STM32 F4系列：具DSP功能的高性能产品(STM32F405/415/407/417) Cortex-M4 多达 多达 2个 USB 3相 电 机 2个 CAN 168MHz 192K字 节 1M字 节 2.0 OTG 定时器 2.0B DSP+FPU SRAM Flash 全速 /高速 STM32 F2系列：高性能产品(STM32F205/215/207/217) 多达 多达 2个 USB Cortex-M3 3相 电 机 2个 CAN 128K字 节 1M字 节 2.0 OTG 120MHz 定时器 2.0B SRAM Flash 全速 /高速 STM32 F1系列：互联型产品(STM32F105/107) 多达 多达 Cortex-M3 USB 2.0 3相 电 机 2个 CAN 64K字 节 256K字 节 72MHz OTG全速 定时器 2.0B SRAM Flash STM32 F1系列：增强型产品(STM32F103) 多达 多达 Cortex-M3 USB 2.0 3相 电 机 CAN 96K字 节 1M字 节 72MHz 全速 设备 定时器 2.0B SRAM Flash STM32 F1系列： USB基本型产品(STM32F102) 多达 多达 Cortex-M3 USB 2.0 16K字 节 128K字 节 48MHz 全速 设备 SRAM Flash STM32 F1系列：基本型产品(STM32F101) 多达 多达 Cortex-M3 80K字 节 1M字 节 36MHz SRAM Flash STM32 F1系列：超值型产品(STM32F100) 多达 多达 Cortex-M3 3相 电 机 32K字 节 512K字 节 CEC 24MHz 定时器 SRAM Flash STM32 L1系列：超低功耗型产品(STM32F151/152) 多达 多达 12K字 节 Cortex-M3 USB 2.0 48K字 节 384K字 节 数据 32MHz 全速 设备 SRAM Flash EEPROM SDIO 2个 I2S 照相机接口 SDIO 2个 I2S 照相机接口 以太网 IEEE 1588v2 以太网 IEEE 1588v2 以太网 IEEE 1588v1 加密 /哈希 处 理器 随机数 发生器 加密 /哈希 处 理器 随机数 发生器
STM32芯片型号的命名规则
STM32芯片型号的命名规则一STM32F105和STM32F107互连型系列微控制器之前，意法半导体已经推出STM32基本型系列、增强型系列、USB基本型系列、增强型系列；新系列产品沿用增强型系列的72MHz 处理频率。
内存包括64KB到256KB闪存和 20KB到64KB嵌入式SRAM。
新系列采用LQFP64、LQFP100和LFBGA100三种封装，不同的封装保持引脚排列一致性，结合STM32平台的设计理念，开发人员通过选择产品可重新优化功能、存储器、性能和引脚数量，以最小的硬件变化来满足个性化的应用需求。
截至2010年7月1日，市面流通的型号有：基本型：STM32F101R6 STM32F101C8 STM32F101R8 STM32F101V8 STM32F101RB STM32F101VB增强型：STM32F103C8 STM32F103R8 STM32F103V8 STM32F103RBSTM32F103VB STM32F103VE STM32F103ZESTM32型号的说明：以STM32F103RBT6这个型号的芯片为例，该型号的组成为7个部分，其命名规则如下：（1）STM32：STM32代表ARM Cortex-M3内核的32位微控制器。
（2）F：F代表芯片子系列。
（3）103：103代表增强型系列。
（4）R：R这一项代表引脚数，其中T代表36脚，C代表48脚，R代表64脚，V代表100脚，Z代表144脚。
（5）B：B这一项代表内嵌Flash容量，其中6代表32K字节Flash，8代表64K字节Flash，B代表128K字节Flash，C代表256K字节Flash，D代表384K字节Flash，E代表512K字节Flash。
（6）T：T这一项代表封装，其中H代表BGA封装，T代表LQFP封装，U代表VFQFPN 封装。
（7）6：6这一项代表工作温度范围，其中6代表-40——85℃，7代表-40——105℃。
STM32F4 简介
3
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STM32F4： 数字信号控制器
4
Cortex-M4内核
Cortex-M4
核心版本 指令系统 指令增强 流水线 v7ME Thumb® / Thumb-2 单周期的16、32位MAC 单周期的双16位MAC 8、16位SIMD计算 硬件除法(2~12周期) 硬件除法(2~12周期) 单周期 (32x32)乘法 支持饱和算术运算
1024K
STM32F207VG STM32F217VG STM32F207ZG STM32F217ZG STM32F205RG STM32F215RG STM32F205VG STM32F215VG STM32F205ZG STM32F215ZG STM32F101RG STM32F103RG STM32F101VG STM32F103VG STM32F101ZG STM32F103ZG STM32F205RF STM32F205VF STM32F207VF STM32F205ZF STM32F101ZF STM32F207ZF STM32F103ZF
512K
STM32F205RE STM32F215RE STM32F205VE STM32F215VE STM32F205ZE STM32F215ZE STM32F101RE STM32F101RD STM32F205RC STM32F101VE STM32F101VD STM32F101ZE STM32F101ZD STM32F207IC STM32F100RE STM32F103RE STM32F100VE STM32F103VE STM32F100ZE STM32F103VE
5
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GD32介绍与STM32兼容性汇总
GD32介绍与STM32兼容性汇总一、GD32与STM32异同1.相同点1)外围引脚定义：相同型号的管脚定义相同2)Cortex M3内核：STM32F103内核R1P1版本, STM32F205内核 R2P1，（图1.2） GD32内核R2P1版本，此内核修复了以前的一些bug3)芯片内部寄存器，外部IP寄存器地址:逻辑地址地址相同，主要是根据STM32的寄存器和物理地址，做的正向研发但是有些默认值不同，需要初始化善4)函数库文件：函数库相同，优化需要更改头文件5)编译工具：完全相同例如：keil MDK、IAR6)型号命名方式：完全相同2.外围硬件区别1)电压范围：GD32F： 2.0-3.6V STM32F： 2.6-3.6V（外部电压）GD32F： 1.2V STM32F： 1.8V（内核电压）2)BOOT 0管脚： Flash程序运行时，BOOT0在STM32上可悬空，GD32必须外部下拉3)ESD参数： STM32人体模式 2KV,空气模式500VGD32人体模式4KV,空气模式10KV3.内部结构差别1)启动时间： GD32 启动设置时间稍长，延长上电时序2)主频时钟： GD32F10系列高达108MHZ STM32F10系列只能72MHZ3)Flash擦除时间： GD32 是60ms/page，STM 30ms/page4)FLASH容量： GD32最大容量3M5)SRAM空间： GD32F103系列、GD32F105\107系列SRAM 96K6)VB 外扩总线 FSMC：GD32 100PIN配置总线输出，STM32 100PIN并且256k以上(图1.5/1.6) 才配置总线输出4.功耗区别(以128k以下容量的作为参考)（图片部分四1.0、1.1）1)睡眠模式Sleep： GD32F： 12.4mA STM32F： 7.5mA2)深度睡眠模式Deep Sleep： GD32F： 1.4mA STM32F： 24uA3)待机模式Stand By: GD32F: 10.5uA STM32F: 3.4uA4)运行功耗： GD32F: 32.4mA/72M STM32F: 52mA/72M5.内部FLASH区别1)ISP：擦写时间同STM32有差异，使用新版软件2)IAP：擦写时间相同，按字写入，按页擦除3)存储寿命： 10万次擦写，数据保存20年以上4)加密特性：除了常规的禁止读出和ID号码加密之外，GD32数据写入Flash时，有存储逻辑地址连续，物理地址不连续的特性GD32介绍与兼容性详析1.系统1)问题：STM32晶振起振问题原因启动时间问题，GD32与STM32在启动时间上存在差别，GD32为了让MCU更准确复位,将启动时间做了优化解决方法将宏定义：#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0x0500)修改为：#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0xFFFF)备注：启动时间宏定义所在位置：1、在V3.X的库，其启动时间宏定义在stm32f10x.h头文件中（路径：\..\Libraries\CMSIS\CM3）。
J-Flash烧写hex(bin)文件资料到STM32F205RG芯片地设置方法与步骤
1、在桌面找到图标点击打开如图界面
2、点击菜单栏上的options,再点击“Project settings…”，进行烧写前的必要设置，如下图：
(1)在“General”页，选择“USB”，如下图：
(2)在“Target Interface”页，选择“JTAG”，JTAG速度设置为“Auto selection”，如下图
(3)在“CPU”页，选择开发板的CPU型号：ST STM32F205RG，如下图：
(4)“FLASH”页不用设置，默认设置就可以了。
(5)在“Production”页，我们把“Start application”选上，则在下载成功之
后，程序会自动运行。
(6)在设置完成后，我们点击“应用”和“确定”退出。
在JLINK软件界面左边，将显示烧写信息，如下图：
3、点击“Target”后，再点击“Connect”，开始连接：
连接成功会有提示信息，如下边的状态拦:
如图:
5、加载完成后，点击“Target”点击“Auto”进行烧录：
6、烧写成功！如下图：
点击确定，完成程序烧写！。
基于STM32F205芯片的耐压型电池管理系统的研制
基于STM32F205芯片的耐压型电池管理系统的研制戴国群;谢建鸿【摘要】介绍了一款基于STM32F205芯片设计,应用于深海载人潜航器充油锂电池组的电池管理系统.详述了该系统的硬件和软件设计,以及元器件选型要求.配备该系统的DC110 V/500 Ah磷酸铁锂电池组进行了30次陆地常压试验和5次78 MPa的压力筒试验.试验结果表明:系统运行稳定,监测与通信功能正常,检测精度与常压环境无异,具有较好的性能表现.为后续在潜航器上开展工程化应用提供了参考.【期刊名称】《电源技术》【年(卷),期】2016(040)012【总页数】4页(P2428-2431)【关键词】锂电池;电池管理系统;充油;潜航器;耐压型电池组;深海【作者】戴国群;谢建鸿【作者单位】北京神州远望科技有限公司,北京100029;北京神州远望科技有限公司,北京100029【正文语种】中文【中图分类】TM912随着各国对海洋资源、海洋权益的日益重视和对潜航器续航里程的不懈追求，具有高比量、长循环寿命性能优势的锂电池，不仅在消费类电子产品领域得到广泛应用，还被逐渐拓展到了海洋领域[1]。
由于潜航器对电压等级与额定能量要求较高，电池组需由大量的单体锂电池串联和并联组合而成。
然而，由于锂电池抗滥用性能较差，特别是在压力环境下单体电池更易产生内部短路与局部过热等问题，给电池组带来安全隐患。
因此，需要电池管理系统对单体电池进行实时监控与管理[2-3]，提前预警与及时保护，确保在使用过程中的安全性与可靠性。
同时，由于电池管理系统本身同样处于压力环境下，容易因元器件压坏、焊点脱落等而导致电路失效。
因此，研制抗压性能优异、功能强大与高稳定性的电池管理系统十分必要。
以载人潜水器用充油磷酸铁锂电池组DC110 V/500 Ah(36串)为管理对象，通过硬件与软件设计，研制在标准大气压和78 MPa超高压的双模充油环境条件下，具有实时监测电池组容量，过充、过放、过温、绝缘电阻、膨胀、短路、故障定位与报警、通讯、保护控制、数据记录、人机交互界面的电池管理系统(以下简称系统)。
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！主要特点与中文描述ＳＴＭ３２Ｆ２０５
ＳＴＭ３２Ｆ２０７
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该ｓｔｍ３２ｆ２０ｘ是基于高性能的３２位精简指令集的核心运行频率高达１２０兆赫。
该系列采用高速嵌入式存储器（快闪记忆体可达１字节，多达１２８个字节的系统存储器），多达４个字节的备份存储器，和一个范围广泛的增强我／操作系统和外设连接到建业巴士，三巴士和一个３２ － ｍｕｌｔｉ－ａｈｂ总线矩阵。
该设备还具有一个自适应的实时内存加速器（艺术加速器？），允许实现一个性能相当于０个等待状态的程序执行从快闪记忆体在频率高达１２０兆赫。
这一业绩已被证实使用ｃｏｒｅｍａｒｋ基准。
所有设备提供三的１２位模数转换器，数模转换器，低功耗的时钟，十二个通用的１６位定时器包括脉宽调制定时器的电机控制，２通用３２位定时器。
一个真正的数字随机发生器（测距）。
它们还具有标准和先进的通信接口。
新的先进的设备包括一个输出，增强柔性静态存储器控制（设计）接口（设备提供软件包１００引脚和更多），和一个摄像头界面传感器。
该装置还采用标准外设。
相关型号：ＳＴＭ３２Ｆ０５１，ＳＴＭ３２Ｆ２系列，ＳＴＭ３２Ｆ４系列，ＳＴＭ３２Ｆ１００，ＳＴＭ３２Ｆ１０１，ＳＴＭ３２Ｆ１０２，ＳＴＭ３２Ｆ１０３， ＳＴＭ３２Ｆ１０５，ＳＴＭ３２Ｆ１０７，ＳＴＭ３２Ｌ１５１，ＳＴＭ３２Ｌ１５２，ＳＴＭ３２Ｆ０５０
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！主要特点与中文描述ＳＴＭ３２Ｆ２０５
ＳＴＭ３２Ｆ２０７主要特点
＊ 核心：３２位－ ３处理器（１２０兆赫最大）的自适应实时加速器（加速器？）允许０－ｗａｉｔ国家 执行性能快闪存储器，微处理器，能力高达１５０ ／ １．２５ ／兆赫（ｄｈｒｙｓｔｏｎｅ能力高达２．１）＊ 记忆：多达１字节的闪存＊ ５１２字节的存储器＊ 高达１２８ ＋ ４个字节的存储器＊ 灵活的静态内存控制器，支持小型闪存，静态存储器，ｐｓｒａｍ，也和记忆＊ 液晶并行接口，８０８０ ／ ６８００模式
＊ 计算单元
＊ 时钟，复位和供应管理
＊ 从１．８到３．６伏的供电＋我／操作系统
＊ ４至２６兆赫的晶体振荡器
＊ 内部１６兆赫
＊ ３２千赫振荡器时钟的校准
＊ 内部３２千赫
＊ 低功率＊ 睡眠，停止和待机模式
＊ ｖｂａｔｓｕｐｐｌｙ为时钟，２０×３２位备份寄存器，和可选的４备份存储器
＊ ３×１２位，０．５μ的ＡＤＣ多达２４通道和６吨三交错模式
＊ ×１２位模数转换器２
＊ 通用存储器控制器：１６－ｓｔｒｅａｍ集中ＦＩＦＯ和突发支持
＊ ９６位独特的身份证
＊ 高达１７定时器
＊ 多达十二个１６位和３２位定时器，高达１２０兆赫，每到４集成电路／业主立案
法团／脉宽调制或脉冲计数器和正交（增量）编码器输入
＊ 调试模式：串行线调试（社署），系统，和ｃｏｒｔｅｘ－ｍ３嵌入式追踪宏？
＊ 多达１４０个输入／输出端口中断能力：
＊ 多达１３６个快速输入／输出高达６０兆赫＊ 高达１３８ ５ ｖ－ｔｏｌｅｒａｎｔ我／操作系统
＊ 多达１５个通信接口
＊ 高达３×串行接口（兼容ｐｍｂｕｓ）
＊ 高达４和２ ｕａｒｔｓ ＵＳＡＲＴ（７．５兆位／秒，７８１６接口，林，红外通信，调制解调器控制）
＊ 多达３个接口（３０兆位／秒），２混合接口实现音频类精度通过音频锁相环或外部锁相环２×可以＊ 接口（网主动）
＊ 接口＊ 先进连接
＊ ２全速设备／主机／控制芯片与芯片的物理层
＊ ２高速全速设备／主机／控制芯片专用，片上全速物理层和低引脚数接口
＊ １０ ／ １００以太网专用存储器：支持国际１５８８ｖ２硬件，信息产业部／简化媒体独立接口＊ ８ － １４位并行接口（４８字节／秒最大）
＊ 模拟真随机数发生器。