三极管的架构以及在电路图中的各种标识方法
三极管的结构及工作原理解读ppt课件
2
1
T
1
3
1
T
2
1
3
(a)
(b)
唐东自动化教研室
电子技术基础 主编 吴利斌
例2图所示的电路中，晶体管均为硅管,β=30，试分析各晶体管的
工作状态。 解: （1）因为基极偏置电源+6V大于管子的导通电压，
故管子的发射结正偏，管子导通,基极电流：
+6V 5K IB
+10V 1K IC
-2V 5K IB
IC
10 0.3
+2V
9.7mIBA
5K
1K IC
因为IC ICS ,所以饱和
(a)
(b)
(c)
（2）因为基极偏置电源-2V小于管子的导通电压，管
子的发射结反偏，管子截止，所以管子工作在截止区。
(3)因为基极偏置电源++21V0V大于管子的导通电压+，10故V管
+10
子的发射结正偏,管子导通基极电流:：
UCC
继续增
增大大UUCCCC 0
U特U特C性EC性=E曲0=曲.15线VV线的的 UCE>1V的 特性曲线
UBE /V
继续增大UCC使UCE=1V以上的多个值，结果发现：之后 的所有输入特性几乎都与UCE=1V的特性相同，曲线基本不 再变化。
实用中三极管的UCE值一般都超过1V，所以其输入特性通 常采用UCE=1V时的曲线。从特性曲线可看出，双极型三极 管的输入特性与二极管的正向特性非常相似。
电区而形成集电极电流IC 。之后即 使UCE继续增大，集电极电流IC也不 会再有明显的增加，具有恒流特性。
0
IB=0 UCE / V
三极管工作原理图
三极管工作原理图引言概述：三极管是一种常见的电子元件，广泛应用于电子电路中。
它具有非常重要的作用，可以放大电流和控制电流的流动。
本文将详细介绍三极管的工作原理图，包括三极管的结构、工作原理和应用。
一、三极管的结构1.1 发射区：发射区是三极管的主要区域，它通常由n型半导体材料构成。
发射区有两个接触点，分别是发射极和基极。
发射极是电流的输入端，基极则用于控制电流的流动。
1.2 基区：基区是三极管的中间区域，通常由p型半导体材料构成。
基区的宽度决定了三极管的放大能力，它与发射区和集电区相隔一定距离。
1.3 集电区：集电区是三极管的输出端，通常由n型半导体材料构成。
它与发射区相隔一定距离，用于控制电流的输出。
二、三极管的工作原理2.1 放大作用：当电流从发射极进入基极时，通过基区的扩散作用，将电流放大，并从集电极输出。
这种放大作用使得三极管能够在电子电路中扮演放大信号的角色。
2.2 控制作用：三极管的基极通过控制电流的大小和方向，能够控制集电极的电流流动。
通过改变基极电流，可以实现对输出电流的控制，从而实现对电路的开关控制。
2.3 双极性特性：三极管具有双极性特性，即它既可以放大正向电流，也可以放大反向电流。
这使得三极管在电子电路中具有更广泛的应用。
三、三极管的应用3.1 放大器：三极管的放大作用使得它成为放大器电路的重要组成部份。
通过合理的电路设计和三极管的工作原理，可以实现对信号的放大，满足不同应用场景的需求。
3.2 开关：三极管的控制作用使得它可以作为开关使用。
通过控制基极电流的开关状态，可以实现电路的开关控制，如调光灯、电子开关等。
3.3 振荡器：三极管还可以用于振荡器电路的设计。
通过合理的电路结构和三极管的特性，可以实现信号的产生和放大，实现振荡器的功能。
四、三极管的特性4.1 饱和区：当三极管的基极电流较大时，三极管处于饱和区。
此时，集电极电流达到最大值，三极管的放大作用最好。
4.2 放大区：当三极管的基极电流适中时，三极管处于放大区。
三极管基本知识及电子电路图详解
三极管基本知识及电子电路图详解
"晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件" 在电子元件家族中，三极管属于半导体主动元件中的分立元件。
广义上，三极管有多种，常见如下图所示。
狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管。
本文所述的是狭义三极管，它有很多别称:
三极管的发明
晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。
真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。
二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。
早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。
硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。
经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。
小功率三极管一般为塑料包封；
大功率三极管一般为金属铁壳包封。
三极管核心结构
核心是“PN”结
是两个背对背的PN结
可以是NPN组合，也或以是PNP组合
由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例！
NPN型三极管结构示意图
硅NPN型三极管的制造流程
管芯结构切面图。
三极管的表示方法
三极管的表示方法三极管是电子工程领域非常常见的一种组件，用来放大和控制电信号。
在设计和使用电子电路时，三极管的表示方法是一个重要的方面，因为它能够让电子工程师正确地读懂电路图并进行正确的操作。
在本文中，我们将分步骤地介绍三极管的表示方法。
一、标识元器件种类在电子电路图中，最常见的三极管为NPN型和PNP型。
NPN三极管的符号中心有一条箭头指向基极，而PNP三极管的符号中心有一条箭头指向地。
这两种类型的三极管用来放大和控制电流和电压，但是它们的极性却是相反的。
因此，标识元器件的种类非常重要。
二、表示三极管的引脚在电子电路图中，三极管的引脚通常用数字表示。
通常情况下，三极管的引脚中，1表示发射极，2表示基极，3表示集电极。
当然，由于三极管的类型不同，引脚的排列方式也可能有所不同。
因此，在绘制电子电路图时，一定要根据三极管的型号形式来正确表示引脚。
三、画出三极管的符号在电子电路图中，三极管的符号类似于一个倒置的“T”字形。
在符号中，直线表示集电极和发射极，并且被分别连接到引脚3和1上。
箭头表示基极，并且与引脚2相连。
三极管的符号是标志元器件重要的一部分，因为它可以告诉电子工程师一个三极管的极性以及它的引脚如何连接到电路中。
四、用文本标识元器件型号在电子电路图中，三极管的型号经常用文本或数字进行标识。
在图中，我们可以看到文本“2N3904”，这是一种非常常见的NPN三极管。
这样的标识可以让电子工程师轻松地识别三极管的类型和型号。
总之，三极管的表示方法对我们正常使用和设计电子电路有很大的帮助。
通过这个过程，我们可以轻松地读懂电子电路图并进行正确的操作。
因此，在我们开始设计和修复电子电路时，了解三极管表示方法的重要性非常关键。
三极管的电路符号及作用
三极管的电路符号及作用
三极管，也称为晶体管，是一种常见的半导体器件，主要用于放大和控制电流。
它在电子电路中起着重要的作用，成为现代电子设备不可或缺的部件之一。
三极管的电路符号通常由三个不同绘制的箭头组成，分别表示其三个电极：发
射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
发射极一般用下方向的箭
头表示，基极用上方向的箭头表示，而集电极用向右方向的箭头表示。
这种特殊的符号表示了三极管内部的晶体管结构，方便工程师在电路图中识别和布线。
三极管作为一种控制电流的器件，常被用于电子放大器、开关和电压稳定器等
电路中。
在电子放大器中，三极管的作用是放大输入信号电流，将其转换为更大的输出
信号电流。
通过适当选取工作点和输入信号的幅度，可以实现电压或电流的放大。
在开关电路中，三极管可以控制电路的开关状态。
通过在基极输入恰当的电压
信号，可以控制三极管的导通与截止，从而实现对其他部件或电路的开关控制。
三极管还常用于电压稳定器电路中。
通过根据电压变化的不同调整基极电流，
三极管可以当作电压调整器，稳定输出电压值。
总之，三极管以其可靠性和高效性，在现代电子设备中扮演了重要的角色。
其
电路符号的清晰、准确的表示了其内部的结构，使工程师能够方便地设计和布线电子电路。
三极管的外形、结构与符号
小声音大声音
放大电路
三极管三极管也是基本的半导体器件！
三极管的外形、结构与符号余姚市职成教中心学校
陈雅萍
常用三极管外形
塑料封装
金属封装贴片元件
表面安装的
片状封装
三极管的内部结构
以PNP三极管为例
基区薄且杂质浓度低
发射区是高浓度掺质区
集电结面积大
3个区：基区、集电区、发射区
2个结：发射结、集电结
3个极：基极b、集电极c、发射极e
PNP型三极管的类型与符号
NPN型
PNP 、NPN 型三极管结构示意及图形和文字符号
排列，应查阅产品手册或相关资料，不可凭相像推测，否则容易出错。
三极管的引脚排列依其品种、型号及功能等不同而不同，在使用时若不知其引脚常用三极管的引脚排列
对于90系列三极管：e b c e b c
也可用万用
表进行检测
三极管的外形、结构与符号
1.三极管的基本结构
2个PN结、3个区、3个极
3.三极管的引脚排列
2.三极管的图形符号
90系列。
多图详解三极管基本知识及电子电路图
多图详解三极管基本知识及电子电路图广义上，三极管有多种，常见如下图所示。
狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管。
本文所述的是狭义三极管，它有很多别称：三极管的发明晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。
真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。
二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。
早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。
硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。
经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。
小功率三极管一般为塑料包封；大功率三极管一般为金属铁壳包封。
三极管核心结构核心是“PN”结是两个背对背的PN结可以是NPN组合，也或以是PNP组合由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例！NPN型三极管结构示意图硅NPN型三极管的制造流程管芯结构切面图工艺结构特点：发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小;基区尺度很薄:3~30μm，掺杂浓度低;集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。
三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的！工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。
三极管电路符号三极管电流控制原理示意图三极管基本电路外加电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置。
集/基/射电流关系：IE = IB + ICIC = β * IB如果 IB = 0, 那么 IE = IC = 0三极管特性曲线输入特性曲线集-射极电压UCE为某特定值时，基极电流IB与基-射电压UBE 的关系曲线。
UBER是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响，正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V；UBE<uber时，三极管高绝缘，ube>UBER时，三极管才会启动；</uber时，三极管高绝缘，ube>UCE增大，特性曲线右移，但当UCE>1.0V后，特性曲线几乎不再移动。
三极管 国标 美标 欧标 画法
三极管是一种常见的半导体器件，广泛应用于电子设备中。
在不同的国家和地区，对于三极管的标准和规范有着不同的要求，其中包括国标、美标和欧标。
对于三极管的画法也有着一定的规定和要求。
本文将从这几个方面对三极管进行介绍。
一、三极管的基本知识1. 三极管的结构三极管由基区、发射区和集电区组成，分别对应着器件的三个引脚。
其中，基区是控制电流的引脚，发射区是输入端，集电区是输出端。
2. 三极管的工作原理三极管是一种受控电流放大器，通过控制输入电流，来调节输出电流的大小，实现信号放大以及开关控制的功能。
3. 三极管的应用三极管广泛应用于放大电路、数字电路以及开关电路中，是电子设备中不可或缺的器件。
二、三极管的国标1. 我国国家标准我国对于三极管的标准和规范有着明确的要求，包括器件的参数范围、性能指标等内容。
国标三极管在我国的电子市场中占有重要地位，得到了广泛的应用和认可。
2. 国标三极管的特点国标三极管具有符合我国国家标准的器件参数和性能指标，能够满足国内市场的需求。
三、三极管的美标1. 美国国家标准美国对于三极管的标准和规范也有着严格的要求，美标三极管在美国的电子市场占有重要地位，得到了广泛的应用和认可。
2. 美标三极管的特点美标三极管具有符合美国国家标准的器件参数和性能指标，能够满足美国市场的需求。
四、三极管的欧标1. 欧洲国家标准欧洲对于三极管的标准和规范也有着严格的要求，欧标三极管在欧洲的电子市场占有重要地位，得到了广泛的应用和认可。
2. 欧标三极管的特点欧标三极管具有符合欧洲国家标准的器件参数和性能指标，能够满足欧洲市场的需求。
五、三极管的画法1. 三极管的引脚标识三极管的引脚标识通常用数字或字母进行编号，标明基、发射、集电三个引脚的位置和功能。
2. 三极管的封装形式三极管的外形和封装形式有多种类型，包括TO-92、SOT-23等，每种封装形式都有其特定的画法和标识。
3. 三极管的画法标准根据不同的标准和规范，三极管的画法也有着相应的要求和标准，如引脚标识的位置和格式等。
三极管工作原理图
三极管工作原理图引言概述：三极管是一种重要的电子器件，广泛应用于放大和开关电路中。
本文将详细介绍三极管的工作原理图，包括其结构和工作原理。
通过了解三极管的工作原理图，我们可以更好地理解其在电子设备中的应用。
正文内容：一、三极管的结构1.1 发射极（E）：发射极是三极管的主要输入端，负责接收输入信号。
1.2 基极（B）：基极是三极管的控制端，通过控制基极电流来控制三极管的放大或开关功能。
1.3 集电极（C）：集电极是三极管的输出端，负责输出信号。
二、三极管的工作原理2.1 放大作用：当在基极-发射极之间施加正向电压时，发射极电流增大，进而控制集电极电流的增大，实现信号的放大。
2.2 开关作用：当在基极-发射极之间施加反向电压时，发射极电流减小，进而控制集电极电流的减小，实现信号的开关。
三、三极管的工作原理图3.1 放大模式工作原理图：在放大模式下，输入信号通过输入电容与基极相连，输出信号通过输出电容与集电极相连，形成电流放大的闭环。
3.2 开关模式工作原理图：在开关模式下，输入信号通过输入电容与基极相连，输出信号通过输出电容与集电极相连，形成电流开关的闭环。
四、三极管的工作特性4.1 放大倍数：三极管的放大倍数决定了输入信号放大的程度，与电路中的电阻和电容相关。
4.2 饱和区和截止区：三极管在饱和区时，集电极电流达到最大值；在截止区时，集电极电流几乎为零。
4.3 频率响应：三极管的频率响应决定了其能够放大的频率范围，与输入和输出电容以及截止频率相关。
五、三极管的应用领域5.1 放大器：三极管可以作为放大器，将微弱的信号放大到足够的水平，以便驱动其他设备或传输信号。
5.2 开关电路：三极管可以作为开关，控制电流的通断，实现数字电路中的逻辑运算。
5.3 振荡器：三极管可以与其他元器件结合，形成振荡电路，产生稳定的振荡信号。
总结：通过本文的介绍，我们了解了三极管的工作原理图，包括其结构和工作原理。
三极管在电子设备中具有重要的应用，可以作为放大器、开关电路和振荡器等。
三极管说明
"晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件"小功率三极管一般为塑料包封；大功率三极管一般为金属铁壳包封。
三极管核心结构核心是“PN”结是两个背对背的PN结可以是NPN组合，也或以是PNP组合由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例：NPN型三极管结构示意图管芯结构切面图工艺结构特点：发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小；基区尺度很薄:3~30μm，掺杂浓度低；集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。
三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的！工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。
三极管电路符号三极管电流控制原理示意图三极管基本电路外加电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置。
集/基/射电流关系：I E= I B + I CI C= β * I B如果I B= 0, 那么I E= I C= 0三极管特性曲线输入特性曲线集-射极电压U C E为某特定值时，基极电流I B与基-射电压U B E的关系曲线。
U B E R是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响，正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V；U B E<U B E R时，三极管高绝缘，U B E>U B E R时，三极管才会启动；U C E增大，特性曲线右移，但当U C E>1.0V后，特性曲线几乎不再移动。
输出特性曲线基极电流I B一定时，集极I C与集-射电压U C E之间的关系曲线，是一组曲线。
当I B=0时, I C→0 ,称为三极管处于截止状态，相当于开关断开；当I B>0时, I B轻微的变化,会在I C上以几十甚至百多倍放大表现出来；当I B很大时，I C变得很大，不能继续随IB的增大而增大，三极管失去放大功能，表现为开关导通。
跟我学识电子元器件(三极管)
用万用表的 hFE挡检测 值
1. 若有ADJ挡，先置于ADJ 挡进行调零。 2. 拨到 hFE挡。 3. 将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的 插孔中（TO-3封装的大功率管，可将其3个电极接出 3根引线，再插入插孔）。 4. 从表头或显示屏读出该管的电流放大系数 。
2. 耗散功率
用万用表检测穿透电流 ICEO
通过1k
0
1k
0
一般情况下， 中、小功率锗管C、E间的电阻 > 10 k； 大功率锗管C、E间的电阻 > 1.5 k； 硅管C、E间的电阻 >100 k（在 R 10 k挡测量）。
4．最大集电极电流 ICM
• 集电极最大电流是指三极管集电极所允许 通过的最大电流。 • 当晶体管的集电极电流IC 超过ICM时，晶体 管的β值等参数将发生明显变化，影响其正 常工作，甚至还会损坏。
5．最高反向电压
• 最高反向电压是指晶体管在工作时所允许 施加的最高工作电压：
– 集电极-发射极反向击穿电压，是指当晶体管基 极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许 反向电压，一般用 VCEO 或 BVCEO表示。 – 集电极-基极反向击穿电压，指当晶体管发射极 开路时，集电极与基极之间的最太允许反向电 压，用VCBO或BVCBO表示。 – 发射极-基极反向击穿电压，指当晶体管的集电 极开路时，发射极与基极之间的最大允许反向 电压，用VEBO或BVEBO表示。
C、E极的判断： 基极确定后，比较B与另外两个极间的正向电阻，较 大者为发射极E，较小者为集电极C。
三．三极管的主要参数
1. 电流放大系数 • 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体 管放大能力。 • 根据晶体管工作状态的同，电流放大系数又分为 直流电流放大系数和交流电流放大系数。
三极管电气符号
三极管电气符号
一、三极管的基本概念
三极管是一种半导体器件，也称为双极型晶体管，由三个不同掺杂的
半导体材料（P型、N型和P型）组成。
它是一种电流控制器件，可
以用来放大电信号或作为开关使用。
二、三极管的电气符号
三极管的电气符号由三个箭头组成，箭头的方向表示了不同类型的半
导体材料。
其中，两个箭头指向一个箭头表示PNP型三极管，一个箭头指向两个箭头表示NPN型三极管。
1. PNP型三极管电气符号
PNP型三极管电气符号中，两个向内的箭头表示了基区是N型半导体材料，而外部两个箭头则表示了集电区和发射区都是P型半导体材料。
2. NPN型三极管电气符号
NPN型三极管电气符号中，两个向外的箭头表示了基区是P型半导体
材料，而外部两个箭头则表示了集电区和发射区都是N型半导体材料。
三、其他与三极管相关的概念
1. 极性：在使用时需要注意三极管的极性，即要将其正确地连接到电
路中，否则可能会导致器件损坏或电路不工作。
2. 三极管的工作方式：三极管有放大和开关两种工作方式。
在放大模
式下，它可以将小信号放大成为较大的信号；在开关模式下，它可以
控制电流的通断。
3. 三极管参数：三极管有很多参数，如最大集电电流、最大耗散功率、最大反向击穿电压等等。
这些参数对于选择和使用三极管都非常重要。
四、结语
以上就是关于三极管电气符号的相关内容。
了解三极管的基本概念和
符号是学习和使用电子器件的基础，希望本篇文章能够对读者有所帮助。
三极管的结构与分类
三极管的结构与分类
晶体三极管
晶体三极管又称半导体三极管，简称晶体管或三极管。
在三极管内，有两种载流子：电子与空穴，它们同时参与导电，故晶体三极管又称为双极型晶体三极管，简记为BJT(英文Bipo1ar Junction Transistor的缩写)。
它的基本功能是具有电流放大作用。
一、结构
图Z0113和图Z0114 给出了NPN和PNP型两类三极管的结构示意图和表示符号。
它有两个PN结(分别称为发射结和集电结)，三个区(分别称为发射区、基区和集电区)，从三个区域引出三个电极(分别称为发射极e、基极b和集电极c)。
发射极的箭头方向代表发射结正向导通时的电流的实际流向。
为了保证三极管具有良好的电流放大作用，在制造三极管的工艺过程中，必须作到：
①使发射区的掺杂浓度最高，以有效地发射载流子;
②使基区掺杂浓度最小，且区最薄，以有效地传输载流子;
③使集电区面积最大，且掺杂浓度小于发射区，以有效地收集载流子。
二、分类
在实际应用中，从不同的角度对三极管可有不同的分类方法。
按材料分，有硅管和锗管;
按结构分，有NPN型管和PNP型管;
按工作频率分，有高频管和低频管;
按制造工艺分，有合金管和平面管;
按功率分，有中、小功率管和大功率管等等。
扩展阅读：开关三极管的使用(PNP&NPN)。
三极管工作原理图
三极管工作原理图三极管工作原理图是用来说明三极管工作原理的图示。
三极管是一种半导体器件，由三个控制电极组成，分别是基极、发射极和集电极。
它是现代电子技术中最重要的元件之一，广泛应用于放大、开关和稳压等电路中。
三极管工作原理图通常由三个电极之间的连接关系和电流流向来表示。
下面是一个典型的三极管工作原理图示例：```┌───────┐──────►│ │Vcc ─────►│ ││ ││ 三极管││ ││ ││ │└───────┘│ ││ │└───┘稳压电路```在这个示例中，Vcc代表电源电压，它通过稳压电路提供给三极管。
稳压电路的作用是保持三极管的工作电压稳定。
三极管的基极通过电流源或者信号源与外部电路相连，控制三极管的工作状态。
发射极和集电极则与其他电路元件相连，用于放大电流或者开关电路。
三极管的工作原理可以简单描述为：当基极电流为零时，三极管处于截止状态，没有电流通过。
当基极电流增大到一定程度时，三极管进入饱和状态，大量电流从集电极流向发射极。
通过控制基极电流的大小，可以控制三极管的工作状态，从而实现放大、开关等功能。
三极管的工作原理图可以根据具体的电路需求进行不同的设计和连接。
例如，在放大电路中，三极管通常被配置为共射极放大电路，其中输入信号通过耦合电容连接到基极，输出信号从集电极获取。
而在开关电路中，三极管通常被配置为开关电路，其中基极与控制信号相连，控制三极管的导通和截止。
总之，三极管工作原理图是用来描述三极管的工作原理和连接方式的图示。
通过理解和设计三极管的工作原理图，可以实现对三极管的正确使用和应用。
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下面是三极管的架构以及在电路图中的各种标识方法
万用表打到二极管档(蜂鸣档)对三极管测量时...首先我们要确定哪只脚是b极.于是用红表笔接触其中任意一只脚不动.用黑表笔去接触另外两只脚.如果能够测得两组相近且小于1的数字.说明此时红笔接触的就是b极.如果测得两组数字不相近..那说明此时红笔接触的不是b极..应把红笔换一只脚..黑笔去测另外两只脚...直到找到b极为止...假设我们知道哪只脚是b极...怎样去判断另外两只脚c极和e极呢？如下图:
图中红笔为b极.黑笔在另外两脚分别没得两组相近的数据..其中有一组数据会稍微大一点...此脚即为e极.小的那脚则为c极....并且我们知道此管为NPN三极管.因为红笔在b 极!
而对于PNP型三极管的测量方法也一样...只不过是黑表笔在b极..红笔接触另外两脚能测得两组相近的数据.,如下图:
下面是对场效应管的测量方法
场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),我们平常简称为MOS管.而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管.
下图为MOS管的标识
我们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的。
不管是N沟道还是P沟道都一样。
把芯片放正。
从左到右分别为G极D极S极!如下图:
用二极管档对MOS管的测量。
首先要短接三只引脚对管子进行放电。
1然后用红表笔接S极.黑表笔接D极.如果测得有500多的数值..说明此管为N沟道..
2黑笔不动..用红笔去接触G极测得数值为1.
3红笔移回到S极.此时管子应该为导通...
4然后红笔测D极.而黑笔测S极.应该测得数值为1.(这一步时要注意.因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压..所以DS之间还是导通的..不过大概10几秒后才恢复正常...建议进行这一步时再次短接三脚给管子放电先)
5然后红笔不动.黑笔去测G极..数值应该为1
到此我们可以判定此N沟道场管为正常
有的人说后面两步可以省略不测...不过我习惯性把五个步骤全用上。
当然.对然P沟道的测量步骤也一样...只不过第一步为黑表笔测S极.红表笔测D极..可以测得500多的数值...
测量方法描述到此结束....
除此之外还有结型(JFET)场管。
不过我对结型的理解是...测量时D极和S极之间是导通的...如果红表笔接G极...黑表笔分别
去接触DS极应该可以测得两组相近的数值...此管为N沟道...如果黑表笔接G极...红表笔分
别去接触DS极应该可以测得两组相近的数值...此管为P沟道.....不知道是不是这样理解....。